本技术：
属于通讯技术领域，特别是涉及一种mgo和tio2掺杂zno/sio2微波介质陶瓷的制备方法。
背景技术：
近年来，为了适应电子元器件高频化发展需求，低介高频的陶瓷材料越来越成为研究的热点。zno/sio2低介电常数陶瓷系统是一种新型的微波介质陶瓷体系，该陶瓷体系具有较小的介电常数和优异的微波性能，但是烧结温度较高。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种mgo和tio2掺杂zno/sio2微波介质陶瓷的制备方法，以克服现有技术中的不足。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本申请实施例公开一种mgo和tio2掺杂zno/sio2微波介质陶瓷的制备方法，包括:制备zno/sio2基料，加入8～10wt％的tio2，2～3wt％的mgo2，然后采用固相法烧结，烧结温度1250～1335℃。
优选的，在上述的mgo和tio2掺杂zno/sio2微波介质陶瓷的制备方法中，zno/sio2基料采用固相法合成。
优选的，在上述的mgo和tio2掺杂zno/sio2微波介质陶瓷的制备方法中，固相法合成zno/sio2基料方法包括：
(1)、zno和sio2按照摩尔比2:1计量；
(2)、球磨：将按配方称好的粉料放入尼龙球磨罐中，以无水乙醇作为球磨介质，氧化锆为磨球，利用变频式行星球磨机球磨，球磨转速365rpm，按照原料：磨球：无水乙醇＝1:3:2比例球磨10～15小时；
(3)、烘干、过筛：将球磨后浆料在干燥箱中进行干燥，干燥温度80℃，干燥时间20min，干燥完成后采用100目的筛子过筛；
(4)、预烧：在氧化铝坩埚中于1100℃预烧4小时。
优选的，在上述的mgo和tio2掺杂zno/sio2微波介质陶瓷的制备方法中，tio2含量为10wt％；mgo2含量为3wt％。
优选的，在上述的mgo和tio2掺杂zno/sio2微波介质陶瓷的制备方法中，烧结温度为1300℃。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
本发明添加mgo和tio2后，陶瓷晶格具有了更高的活性，并且具有更宽的烧结范围。
具体实施方式
本发明通过下列实施例作进一步说明：根据下述实施例，可以更好地理解本发明。然而，本领域的技术人员容易理解，实施例所描述的具体的物料比、工艺条件及其结果仅用于说明本发明，而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。
本实施例中，mgo和tio2掺杂zno/sio2微波介质陶瓷的制备方法，包括:
(1)、制备zno/sio2基料；
(2)、加入10wt％的tio2，加入3wt％的mgo2；
(3)、球磨：将料放入尼龙球磨罐中，以无水乙醇作为球磨介质，氧化锆为磨球，利用变频式行星球磨机球磨，球磨转速365rpm，按照原料：磨球：无水乙醇＝1:3:2比例球磨15小时；
(4)、烘干、过筛：将球磨后浆料在干燥箱中进行干燥，干燥温度100℃，干燥时间20min，干燥完成后采用40目的筛子过筛，获得陶瓷粉料；
(5)造粒：在陶瓷粉料中加入8wt％的聚乙烯醇，充分研磨后再过筛；
(6)、干压成型：将造粒好的陶瓷粉料在180mpa的压力下压制成圆柱形陶瓷生坯或圆片；
(7)、烧结：在500℃排胶1小时，然后按照5℃/min速率升至1300℃保温2小时；
(8)、冷却至室温：首先以1℃/min的速率降到1000℃，再以100℃/小时的速率降到800℃，然后自然冷却至常温。
制备zno/sio2基料的制备方法包括：
(1)、zno和sio2按照摩尔比2:1计量；
(2)、球磨：将按配方称好的粉料放入尼龙球磨罐中，以无水乙醇作为球磨介质，氧化锆为磨球，利用变频式行星球磨机球磨，球磨转速365rpm，按照原料：磨球：无水乙醇＝1:3:2比例球磨15小时；
(3)、烘干、过筛：将球磨后浆料在干燥箱中进行干燥，干燥温度80℃，干燥时间20min，干燥完成后采用100目的筛子过筛；
(4)、预烧：在氧化铝坩埚中于1100℃预烧4小时。
添加mgo和tio2后，陶瓷晶格具有了更高的活性，并且具有更宽的烧结范围。
将烧结好的陶瓷粉体进行测试，测试项目包括介电常数、品质因数和温度系数，所用仪器型号为hp8703a，测试腔体为φ30×t28mm的镀银铝腔，其性能参数如下：介电常数＝8.21，品质因数＝42100ghz，温度系数＝-12.2ppm/℃。
最后，还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。