本实用新型涉及单晶硅生长设备，特别涉及一种用于区熔炉的炉体支撑装置。
背景技术：
：：区熔法是指在氩气气氛或真空中用高频加热线圈对多晶硅料进行加热，使其熔融后与下方的籽晶接触，按籽晶晶向结构生长成高纯度硅单晶的方法。区熔法生长单晶硅时，熔区呈悬浮状态，不与任何物质相接触，因而不会被污染。此外，由于硅中杂质的分凝效果和蒸发效果，所获得的单晶硅纯度非常高。但也正是由于区熔法生长单晶硅时熔区呈悬浮状态，炉体的任何微小振动都有可能打破熔区的平衡状态，从而导致单晶生长的失败。因此炉体的稳定支撑显得尤为重要。现有的区熔炉的炉体在对炉体支撑方面仍不是很好，导致单晶生产良品率低下。技术实现要素：本实用新型要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种用于区熔炉的炉体支撑装置。该装置能实现区熔炉炉体稳定支撑，具有合理的受力分布，能有效降低甚至消除炉体振动。为解决技术问题，本实用新型的技术方案是：提供一种用于区熔炉的炉体支撑装置，包括配置了减振垫的支撑脚；该装置还包括两根平行布置的支撑架纵梁，在两根支撑架纵梁之间焊接了两根支撑架横梁，支撑架横梁与支撑架纵梁呈90°夹角；其中一根支撑架横梁位于支撑架纵梁的首端，另一根支撑架横梁位于支撑架纵梁的中部与末端之间；所述支撑脚有四个，均安装在支撑架纵梁的下表面；在两根支撑架横梁之间的支撑架纵梁的上表面，各焊接了一根长条形的槽路移动导轨安装板；两根槽路移动导轨安装板相互平行，且相对的一侧突出于支撑架纵梁的边缘；若干个等距布置的加强筋以焊接方式固定在槽路移动导轨安装板的突出部分的下方，用于连接槽路移动导轨安装板与支撑架纵梁的侧边。作为改进，所述支撑脚中，有两个位于支撑架纵梁的末端，另两个位于两个支撑架横梁之间的中部。作为改进，在所述支撑架纵梁的上表面位于其中部与末端之间处，各焊接有一个炉体支撑连接板。作为改进，所述支撑架纵梁和支撑架横梁均为冷拔异型方形钢管。作为改进，所述槽路移动导轨安装板是由Q235板材制成，其表面设有多个安装螺孔。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：1、优化了整体受力分布状况，结构更为紧凑；2、有效降低甚至消除了炉体振动的发生，满足区熔法生长单晶硅的要求。附图说明图1为本实用新型的结构示意图。图2为本实用新型应用实例示意图。图中的附图标记为：1支撑架横梁；2加强筋；3槽路移动导轨安装板；4支撑架纵梁；5支撑架横梁；6炉体支撑连接板；7支撑脚；8减振垫；9槽路系统；10区熔上炉体。具体实施方式下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述：如图1所示，用于区熔炉的炉体支撑装置包括两根平行布置的支撑架纵梁4，在两根支撑架纵梁4之间焊接了支撑架横梁1和支撑架横梁5，支撑架横梁1和支撑架横梁5与支撑架纵梁均呈90°夹角；其中支撑架横梁1位于支撑架纵梁4的首端，支撑架横梁5位于支撑架纵梁4的中部与末端之间的位置。安装在支撑架纵梁4的下表面的支撑脚7共有四个，均配置了减振垫8。有两个位于支撑架纵梁4的末端，另两个位于支撑架横梁1和支撑架横梁5之间的中部位置。在支撑架横梁1和支撑架横梁5之间的支撑架纵梁4的上表面，各焊接了一根长条形的槽路移动导轨安装板3；两根槽路移动导轨安装板3相互平行，且相对的一侧突出于支撑架纵梁4的边缘；若干个等距布置的加强筋2以焊接方式固定在槽路移动导轨安装板3的突出部分的下方，用于连接槽路移动导轨安装板3与支撑架纵梁4的侧边。支撑架纵梁4的上表面位于其中部与末端之间处，各焊接有一个炉体支撑连接板6。本实施例中，两根支撑架纵梁4、支撑架横梁1和支撑架横梁5均为冷拔异型方形钢管。其中，支撑架纵梁4的长度3800mm，截面规格为300mm×10mm；支撑架横梁5的长度为1030mm，截面规格为150mm×10mm；支撑架横梁1的长度为1030mm，截面规格为100mm×8mm。根据槽路移动导轨尺寸及支撑架受力分析，选择合适尺寸的Q235板材制成槽路移动导轨安装板3；按特定位置要求焊接在所述支撑架纵梁4上后，通过铣削加工保证平面度，然后根据槽路移动导轨安装尺寸加工安装螺纹孔。根据槽路移动导轨安装板3工作时的受力分析，选择合适规格的角钢制成加强筋2；其中角钢的具体规格为65mm×139mm不等边角钢，厚度为10mm，焊接于所述支撑架纵梁4与槽路移动导轨安装板3之间，以改善后者的受力情况。根据炉体尺寸及支撑架受力分析，选择合适尺寸的Q235板材制成炉体支撑连接板6；按区熔上炉体10的位置要求焊接在支撑架纵梁4上，通过铣削加工保证平面度，然后根据炉体安装尺寸加工安装螺纹孔；根据支撑架受力分析，选择合适的分布位置，将支撑脚7焊接在支撑架纵梁4的下表面；其中支撑脚7是由Q235板焊接而成，配套减振垫8选择品牌RuberDesign，型号RD214notadjustable。由于本实用新型合理的结构布置，优化了整体受力分布状况。支撑脚7及减振垫8的合理设计有效降低甚至消除了炉体振动，能满足区熔法生长单晶硅的要求。最后，需要注意的是，以上列举的仅是本实用新型的具体实施例。显然，本实用新型不限于以上实施例，还可以有很多变形。本领域的普通技术人员能从本实用新型公开的内容中直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本实用新型的保护范围。当前第1页1 2 3 当前第1页1 2 3