玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置。
【背景技术】
[0002] 玻璃基板通常是在由玻璃原料生成熔融玻璃之后在进行澄清工序、搅拌工序（均 质化工序）之后经过使熔融玻璃成型为玻璃基板的工序而制造。然而，为了从高温的熔融 玻璃批量生产高品位的玻璃基板，希望考虑玻璃基板的缺陷要因的异物等不从制造玻璃基 板的任意玻璃处理装置混入熔融玻璃。因此，在玻璃基板的制造过程中，与熔融玻璃连接的 部件的壁需要根据与该部件连接的熔融玻璃的温度、要求的玻璃基板的品质等由适当的材 料构成。例如，生成熔融玻璃之后至提供给成型工序为止之间的熔融玻璃由于是极其极高 温状态，进行熔融、澄清、供给、搅拌的装置可使用含有具有耐热性高的铂族金属即铂的部 件（例如专利文献1)。
[0003] 现行技术文献
[0004] 专利文献1 :特开2010-111533号公报
【发明内容】
[0005] 发明需要解决的课题
[0006] 但是，铂族金属伴随熔融玻璃的高温而容易挥发。于是，铂族金属的挥发物凝集 时，有该凝集物即结晶的一部分作为微粒子混入熔融玻璃中而导致玻璃基板的品质的降低 之忧。尤其是，因为澄清工序是在从熔解工序至成型工序为止期间熔融玻璃的温度达到最 高的工序，所以在主要进行澄清工序的澄清管中加热至极高的温度。因此，澄清管中的铂族 金属的挥发旺盛，特别希望减少铂族金属的挥发以及凝集。
[0007] 另外，来源于上述铂族金属等挥发物的凝集物的异物向熔融玻璃的混入问题在伴 随近年来的高精细化而品质要求日益严格的液晶显示器所代表的显示器用玻璃基板中进 一步增大。
[0008] 本发明的目的在于提供在玻璃基板的成型前处理熔融玻璃的工序中通过减少存 在于玻璃处理装置的气相空间中的铂族金属的挥发物的凝集而能够抑制异物混入至熔融 玻璃的玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置。
[0009] 用于解决课题的方法
[0010] 本发明包含以下方式。
[0011] (方式 1)
[0012] 一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，
[0013]具有：
[0014] 熔解玻璃原料而生成熔融玻璃的熔解工序；以及
[0015] 使熔融玻璃在内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成的玻璃处理装置的 内部流动、以在所述玻璃处理装置的内部处理所述熔融玻璃的处理工序，
[0016] 在所述玻璃处理装置的内部，由所述熔融玻璃的表面和所述内壁形成气相空间，
[0017] 沿着所述熔融玻璃的流动方向形成所述气相空间，
[0018] 在所述处理工序中，在形成所述气相空间的所述内壁，使用所述玻璃处理装置的 加热以及所述玻璃处理装置的散热中的至少一个形成温度梯度区域，所述温度梯度区域具 有从所述内壁中的最高温度沿着所述熔融玻璃的流动方向中上游方向或者下游方向的温 度梯度，
[0019] 为了抑制存在于所述气相空间的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，使所述温度梯 度区域中的所述最高温度和最低温度的温度差为150°c以下。
[0020] (方式 2)
[0021] 一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，
[0022] 具有：
[0023] 熔解玻璃原料而生成熔融玻璃的熔解工序；以及
[0024] 在玻璃处理装置中对所述熔融玻璃进行处理的处理工序，其中，所述玻璃处理装 置具有所述熔融玻璃流动的液相以及由所述熔融玻璃的液面和壁形成的气相空间，且包围 所述气相空间的壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，
[0025] 沿着所述熔融玻璃的流动方向形成所述气相空间，
[0026] 在所述处理工序中，在形成所述气相空间的所述壁，使用所述玻璃处理装置的加 热以及所述玻璃处理装置的散热中的至少一个形成温度梯度区域，所述温度梯度区域从所 述壁上的最高温度沿着所述熔融玻璃的流动方向中上游方向或者下游方向具有温度梯度，
[0027] 为了能够抑制存在于所述气相空间的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，使所述温 度梯度区域中的所述最高温度和最低温度的温度差为150°C以下。
[0028] (方式 3)
[0029] 方式1或者2所述的玻璃基板的制造方法，其中，在所述玻璃处理装置的、所述熔 融玻璃的流动方向上的所述内壁的途中，设置使所述气相空间和大气连通的通气管，
[0030] 所述温度梯度区域中的最高温度的位置位于所述气相空间的端部和所述通气管 的位置之间，
[0031] 所述温度梯度区域形成于所述最高温度的位置和所述气相空间的端部之间的区 域、或者所述最高温度的位置和所述通气管的位置之间的区域。
[0032] (方式 4)
[0033] 方式1~3中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，在所述气相空间的端部设 置从所述玻璃处理装置的外周向所述玻璃处理装置的外侧延伸的凸缘部件，所述温度梯度 区域中的所述最低温度位置是所述气相空间的端部。
[0034] (方式 5)
[0035] 方式1~4中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述最低温度和所述最高 温度为1500~1750 °C。
[0036] (方式 6)
[0037] 方式1~5中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述玻璃处理装置是进行 熔融玻璃的澄清的澄清装置。
[0038](方式 7)
[0039] -种玻璃基板制造装置，其特征在于，
[0040] 具有玻璃处理装置，所述玻璃处理装置是内壁的至少一部分由包含铂族金属的材 料构成、且使熔融玻璃流动并处理所述熔融玻璃的装置，所述玻璃处理装置被构成为由所 述熔融玻璃的表面和所述内壁在内部形成气相空间，
[0041] 所述玻璃基板制造装置被构成为在包围所述气相空间的所述内壁，使用所述玻璃 处理装置的加热以及所述玻璃处理装置的散热中的至少一个形成温度梯度区域，所述温度 梯度区域从所述内壁中的最高温度沿着所述熔融玻璃的流动方向的上游方向或者下游方 向具有温度梯度，
[0042] 为了抑制存在于所述气相空间的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，所述温度梯度 区域中的所述最高温度和最低温度的温度差为150°C以下。
[0043] (方式 8)
[0044] 方式1~6中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7中所述的所述玻 璃基板制造装置，其中，在所述处理装置的内部流动的熔融玻璃的最高温度为1630°C~ 1750。。。
[0045] (方式 9)
[0046] 方式1~6以及8中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7或8所述的所 述玻璃基板制造装置，其中，所述玻璃基板的氧化锡的含量为〇. 01摩尔％~〇. 3摩尔％。
[0047] (方式 10)
[0048] 方式1~6、8以及9中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7~9中任一 项所述的所述玻璃基板制造装置，其中，所述气相空间中的铂族金属的蒸气压是〇. IPa~ 15Pa〇
[0049] (方式 11)
[0050] 方式1~6、8、9以及10中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7~10中 任一项所述的所述玻璃基板制造装置，其中，所述气相空间的氧浓度为〇~10%。
[0051] (方式 12)
[0052] 方式1~6、8~11中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7~11中任一 项所述的玻璃基板制造装置，其中，由于所述铂族金属的挥发物的凝集而生成的凝集物例 如最大长度相对于最小长度的比即长宽比为100以上。
[0053] 另外，例如，钼族金属的凝集物的最大长度为50 μ m~300 μ m，最小长度为 0. 5 μ m~2 μ m。此处，所谓铂族金属的凝集物的最大长度是指外接于对铂族金属的凝集物 进行拍摄而得到的异物图像的外接长方形中最大长边的长度，所谓最小长度是指所述外接 长方形的最小短边的长度。
[0054] 或者，作为由于所述铂族金属的挥发物的凝集而生成的凝集物，最大长度相对于 最小长度的比即长宽比为100以上，铂族金属的凝集物的最大长度确定为100 μπι以上，优 选确定为100 l·1 m~300 μ m。
[0055] (方式 13)
[0056] 方式1~6、8~12中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7~12中任一 项所述的玻璃基板制造装置，其中，所述玻璃基板为显示器用玻璃基板。
[0057] 另外，适于氧化物半导体显示器用玻璃基板或者LTPS显示器用玻璃基板。
[0058] 发明效果
[0059] 根据本发明所涉及的玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置，在对玻璃基板 成型前的熔融玻璃进行处理的工序中，能够抑制存在于玻璃处理装置的气相空间中的铂族 金属的挥发物的凝集。由此，能够抑制异物混入熔融玻璃中。
【附图说明】
[0060] 图1是示出实施方式所涉及的玻璃基板制造方法的工序的流程图。
[0061] 图2是示出实施方式所涉及的玻璃基板制造装置的构成的模式图。
[0062] 图3是主要表示实施方式所涉及的澄清管的外观图。
[0063] 图4是表示实施方式所涉及的澄清管的内部的截面图和澄清管的温度曲线的一 个例子的示意图。
[0064] 图5是实验例的结果的一个例子的示意图。
【具体实施方式】
[0065](玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置）
[0066] 对本发明涉及的玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置的实施方式参照附 图进行说明。图1是示出本