铟锡复合粉体2克，先在15MPa压力下模压成型，然后250MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为60%，然后在高温炉中升温到1400 V，氧气氛下保温6个小时制备出氧化铟锡靶材，勒材的相对密度为94.09%，电阻率为8.69 X 10—4Ω.cm0
[0032]实施例3
[0033]称取实例I中a组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在15MPa压力下模压成型，然后250MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为60%，，然后在高温炉中升温到1450°C，氧气氛下保温7个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为98.19%，电阻率为5.65 X10—4 Ω.cm。
[0034]实施例4
[0035]称取实例I中a组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在20MPa压力下模压成型，然后250MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为61%，然后在高温炉中升温到1500 °C，氧气氛下保温8个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为92.53%，电阻率为5.34 X 10—4Ω.cm。
[0036]实施例5
[0037]称取实例I中a组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在15MPa压力下模压成型，然后250MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为60%，然后在高温炉中升温到1550 V，氧气氛下保温6个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为91.80%，电阻率为5.63 X 10—4Ω.cm0
[0038]实施例6
[0039]称取实例I中b组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在25MPa压力下模压成型，然后250MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为62 %，然后在高温炉中升温到1300 V，氧气氛下保温7个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为95.12%，电阻率为7.41 X 10—4Ω.cm0
[0040]实施例7
[0041]称取实例I中b组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在35MPa压力下模压成型，然后300MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为62.8%,然后在高温炉中升温到1400 V，氧气氛下保温5个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为96.21%，电阻率为3.31 X10—4 Ω.cm。
[0042]实施例8
[0043]称取实例I中b组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在35MPa压力下模压成型，然后300MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为63.5%,然后在高温炉中升温到1450 V，氧气氛下保温5个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为99.60 %，电阻率为1.75 X10—4 Ω.cm。
[0044]实施例9
[0045]称取实例I中b组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在15MPa压力下模压成型，然后250MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为60 %，然后在高温炉中升温到1500 V，氧气氛下保温8个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为95.23%，电阻率为1.97 X 10—4Ω.cm。
[0046]实施例10
[0047]称取实例I中b组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在20MPa压力下模压成型，然后260MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为61 %，然后在高温炉中升温到1600 V，氧气氛下保温5个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为93.93%，电阻率为1.91 X 10—4Ω.cm0
[0048]实施例11
[0049]称取实例I中c组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在15MPa压力下模压成型，然后290MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为63.7%,然后在高温炉中升温到1350 V，氧气氛下保温5个小时制备出氧化铟锡靶材，勒材的相对密度为93.88%，电阻率为11.83 X10—4 Ω.cm。
[0050]实施例12
[0051]称取实例I中c组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在15MPa压力下模压成型，然后300MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为62.5%,然后在高温炉中升温到1400 V，氧气氛下保温5个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为94.01%，电阻率为8.74X10—4 Ω.cm。
[0052]实施例13
[0053]称取实例I中c组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在15MPa压力下模压成型，然后250MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为61.5%,然后在高温炉中升温到1450 V，氧气氛下保温5个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为98.50 %，电阻率为3.24 X10—4 Ω.cm。
[0054]实施例14
[0055]称取实例I中c组造粒后的氧化铟锡复合粉体2克，先在15MPa压力下模压成型，然后250MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为61.5%,然后在高温炉中升温到1500 V，氧气氛下保温5个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为91.01%，电阻率为2.39 X10—4 Ω.cm。
[0056]实施例15
[0057]称取实例I中c组造粒过的氧化铟锡复合粉体2克，先在15MPa压力下模压成型，然后250MPa下冷等静压得到素坯，素坯的相对密度为61.5%,然后在高温炉中升温到1600 V，氧气氛下保温5个小时制备出氧化铟锡靶材，靶材的相对密度为90.11%，电阻率为2.20 X10—4 Ω.cm。
【主权项】
1.高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于:以金属铟、四氯化锡、硝酸为原料，十六烷基三甲基溴化铵为分散剂，金属铟、四氯化锡的加入量依据混合溶液中换算后的氧化铟和氧化锡质量比In203:Sn02 = 90:10加入，用化学共沉淀法制备氧化铟锡复合粉体;所述化学共沉淀法是指把铟溶于硝酸，四氯化锡溶于二次去离子水中，待铟完全溶解后，将两种溶液混合后加入分散剂得到混合溶液，向混合溶液中加入碱性中和剂经共沉淀得到铟锡氢氧化物沉淀，洗涤杂质离子、固液分离、干燥、煅烧铟锡氢氧化物得到氧化铟锡复合粉体;然后在氧化铟锡复合粉体中加入复合烧结助剂球磨混合后，加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的粉体先模压成型得到初坯，再对初坯进行冷等静压得到素坯，最后把素坯在氧氛围中进行烧结得到氧化铟锡靶材。2.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于:所述的复合烧结助剂为Nb2O5和Bi2O3。3.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于:所述的粘结剂为聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸丁酯或聚乙烯醇缩丁醛。4.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于:所述的分散剂十六烷基三甲基溴化铵的质量为铟锡氢氧化物质量的0.5%?2%。5.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于:所述的复合烧结助剂中Nb2O5和Bi2O3的质量比为I?3，加入量为氧化铟锡复合粉体质量的2%?10%。6.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，所述的造粒过程中加入的粘结剂的比例为氧化铟锡复合粉体质量的0.5%-3.5%。7.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于:所述的模压压力为15MPa-35MPa。8.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于:所述的冷等静压的压力为250MPa-300MPa。9.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于:所述的烧结是将素坯在高温炉中保持最高温度在1300°C_1600°C，烧结4-10个小时。
【专利摘要】高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法是一种以常压烧结法制备ITO靶材的方法。本发明是利用化学共沉淀法制备氧化铟锡复合粉体，在氧化铟锡粉体中加入复合烧结助Nb2O5-Bi2O3球磨混合后，加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的氧化铟锡粉体模压成型得到初坯，再对初坯冷等静压得到素坯，最后素坯在高温氧氛围下烧结得到氧化铟锡靶材。本发明工艺简单，过程容易控制，降低了烧结温度的同时还提升了电性能，设备简单，所需生产成本较低，烧结出的氧化铟锡靶材成分均匀且相对密度高、电阻率低。
【IPC分类】C04B35/457
【公开号】CN105669186
【申请号】CN201511032741
【发明人】刘家祥, 梁飞, 李敏, 雷文
【申请人】北京化工大学
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年1月11日