技术特征：
技术总结
本发明公开了一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用，该材料是以二吲哚并三并咔唑作为核、富电子单元作为修饰基团的多臂结构化合物，其通式结构如下式1所示：其中，R为C1‑C30的直链或支链烷基的一种；Ar为富电子单元修饰基团。本发明的材料具有优异的热稳定性、较高的空穴迁移率、良好的溶解性以及非晶态特性，可以通过溶液法制备高质量的非晶薄膜；并且合成路线简短，产物易于分离，纯度高、产率高，在电致发光器件、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池或有机场效应晶体管等领域具有潜在的商业应用价值。
技术研发人员：赖文勇;孟成;李祥春;黄维
受保护的技术使用者：南京邮电大学
技术研发日：2018.06.18
技术公布日：2018.11.09