技术特征：
技术总结
本发明涉及一种蒽类化合物及其制法和应用，化合物结构式如式1所示：本发明化合物的结构使得电子和空穴在发光层的分布更加平衡，在恰当的HOMO能级下，提升了空穴注入和传输性能；在合适的LUMO能级下，又起到了电子阻挡的作用，提升激子在发光层中的复合效率；作为OLED发光器件的发光功能层材料使用时，蒽并咔唑结构搭配本发明范围内的支链可有效提高激子利用率和高荧光辐射效率，降低高电流密度下的效率滚降，降低器件电压，提高器件的电流效率和寿命。本发明化合物在OLED器件应用时，通过器件结构优化，可保持高的膜层稳定性，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。本发明所述化合物在OLED发光器件中具有良好的应用效果和产业化前景。
技术研发人员：汪康;王士凯;王进政;王钊;赵贺;陈明;王铁;马晓宇
受保护的技术使用者：吉林奥来德光电材料股份有限公司
技术研发日：2019.04.22
技术公布日：2019.06.14