加易于清洁，表面上的灰尘只需少量水稍微冲洗即可清除。
[0023]下面结合具体实施例进行说明。
[0024]实施例1
[0025]一种在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，包括下述步骤:
[0026]Sll.将I克聚苯乙烯溶解于I升三氯甲烷中，形成浓度为lg/L的聚苯乙烯溶液；
[0027]S12.在所述聚苯乙稀溶液中添加2克纳米二氧化娃(其中，10nm 二氧化娃0.5克，50nm 二氧化硅1.5克)，充分搅拌均匀；
[0028]S13.采用滚涂方法将所述聚苯乙烯-纳米二氧化硅混合溶液均匀涂布于PS扩散板上，并在温度为120°C温度下热处理30分钟，获得具有纳米易清洁表面的PS扩散板。
[0029]该PS扩散板的纳米易清洁表面与水的接触角达到152°，其表面的灰尘只要用少量水稍微冲洗即干净。
[0030]实施例2
[0031]一种在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，包括下述步骤:
[0032]S21.将10克聚苯乙烯溶解于I升三氯甲烷中，形成浓度为10g/L的聚苯乙烯溶液；
[0033]S22.在所述聚苯乙烯溶液中添加50克纳米二氧化硅(其中，10nm 二氧化硅12.5克，50nm 二氧化硅37.5克)，充分搅拌均匀；
[0034]S23.采用喷涂方法将所述聚苯乙烯-纳米二氧化硅混合溶液均匀涂布于PS扩散板上，并在温度为160°C温度下热处理60分钟，获得具有纳米易清洁表面的PS扩散板。
[0035]该PS扩散板的纳米易清洁表面与水的接触角达到156°，其表面的灰尘只要用少量水稍微冲洗即干净。
[0036]实施例3
[0037]一种在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，包括下述步骤:
[0038]S31.将5克聚苯乙烯溶解于I升三氯甲烷中，形成浓度为5g/L的聚苯乙烯溶液；
[0039]S32.在所述聚苯乙烯溶液中添加15克纳米二氧化硅(其中，10nm 二氧化硅5克，50nm 二氧化硅10克)，充分搅拌均匀；
[0040]S33.采用浸涂方法将所述聚苯乙烯-纳米二氧化硅混合溶液均匀涂布于PS扩散板上，并在温度为150°C温度下热处理30分钟，获得具有纳米易清洁表面的PS扩散板。
[0041]该PS扩散板的纳米易清洁表面与水的接触角达到148°，其表面的灰尘只要用少量水稍微冲洗即干净。
[0042]实施例4
[0043]一种在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，包括下述步骤:
[0044]S41.将3克聚苯乙烯溶解于I升三氯甲烷中，形成浓度为3g/L的聚苯乙烯溶液；
[0045]S42.在所述聚苯乙烯溶液中添加12克纳米二氧化硅(其中，10nm 二氧化硅4克，50nm 二氧化硅8克)，充分搅拌均匀；
[0046]S43.采用浸涂方法将所述聚苯乙烯-纳米二氧化硅混合溶液均匀涂布于PS扩散板上，并在温度为130°C温度下热处理50分钟，获得具有纳米易清洁表面的PS扩散板。
[0047]该PS扩散板的纳米易清洁表面与水的接触角达到145°，其表面的灰尘只要用少量水稍微冲洗即干净。
[0048]实施例5
[0049]一种在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，包括下述步骤:
[0050]S41.将6克聚苯乙烯溶解于I升三氯甲烷中，形成浓度为6g/L的聚苯乙烯溶液；
[0051]S42.在所述聚苯乙稀溶液中添加30克纳米二氧化娃(其中，10nm 二氧化娃10克，50nm 二氧化硅20克)，充分搅拌均匀；
[0052]S43.采用浸涂方法将所述聚苯乙烯-纳米二氧化硅混合溶液均匀涂布于PS扩散板上，并在温度为150°C温度下热处理35分钟，获得具有纳米易清洁表面的PS扩散板。
[0053]该PS扩散板的纳米易清洁表面与水的接触角达到158°，其表面的灰尘只要用少量水稍微冲洗即干净。
[0054]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，包括下述步骤: 制备聚苯乙烯溶液:将聚苯乙烯溶解于有机溶剂中，形成聚苯乙烯溶液； 制备聚苯乙烯-纳米二氧化硅混合溶液:在所述聚苯乙烯溶液中添加所述聚苯乙烯2-5倍质量的纳米二氧化娃进行混合处理，形成聚苯乙稀-纳米二氧化娃混合溶液； 制备纳米易清洁表面:将所述聚苯乙烯-纳米二氧化硅混合溶液均匀涂布于PS扩散板上，进行加热处理。
2.如权利要求1所述在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，其特征在于，所述纳米二氧化娃由粒径分别为10nm和50nm的球形纳米二氧化娃组成。
3.如权利要求2所述在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，其特征在于，所述粒径分别为10nm和50nm的球形纳米二氧化娃的重量比为1: (2-3)。
4.如权利要求1-3任一所述在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，其特征在于，所述聚苯乙烯溶液中聚苯乙烯的浓度为l-10g/L。
5.如权利要求1-3任一所述在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，其特征在于，所述加热处理的加热温度为120-160°C，加热时间为30-60min。
6.如权利要求1-3任一所述在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，其特征在于，所述将聚苯乙烯-纳米二氧化硅混合溶液均匀涂布于PS扩散板上的涂布方式为滚涂、浸涂、喷涂中的一种。
【专利摘要】本发明适用于扩散板领域，提供了一种在PS扩散板上制备纳米易清洁表面的方法，包括下述步骤：将聚苯乙烯溶解于有机溶剂中，形成聚苯乙烯溶液；在所述聚苯乙烯溶液中添加所述聚苯乙烯2-5倍质量的纳米二氧化硅进行混合处理，形成聚苯乙烯-纳米二氧化硅混合溶液；将所述聚苯乙烯-纳米二氧化硅混合溶液均匀涂布于PS扩散板上，进行加热处理。获得的具有纳米易清洁表面的PS扩散板表面与水的接触角大于140°，其表面的灰尘只需少量水稍微冲洗即可清除。
【IPC分类】C09D7-12, C08J7-04, C08J7-00, C08L25-06, C09D125-04
【公开号】CN104693465
【申请号】CN201510038876
【发明人】袁志庆, 庄壮坤
【申请人】深圳市天诺通光电科技有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年1月26日