具有对酸不稳定的基团的共聚物,光刻胶组合物、涂覆的基材以及形成电子器件的方法
【专利说明】具有对酸不稳定的基团的共聚物，光刻胶组合物、涂覆的基 材从及形成电子器件的方法
[0001] 领域
[0002] 本发明设及具有对酸不稳定的基团的共聚物，W及该共聚物在光刻胶组合物中的 应用。
[000引介绍
[0004] 远紫外巧UV)福射是被空气强吸收的，因此EUV工具在高真空下操作，W具有最大 的源强度。高真空提高了低分子量光刻胶组分的脱气，它们可W沉积在光学元件上。所得 的沉积物降低了掩模和成像镜的反射率，导致到达晶片表面的EUV能下降，导致较低的生 产量和降低的生产率。污染物也可能影响反射光的偏振，而该对于EUV曝光工具的成图案 能力非常重要。因此，需要具有降低的脱气效应的光刻胶聚合物。
[0005] 概述
[0006] 一个实施方式是包含来自W下单体的重复单元的共聚物：对酸不稳定的通式（I) 的单体
[0007]
【主权项】
1. 一种共聚物，其包含源自以下单体的重复单元： 通式（I)的对酸不稳定的单体： 其中
R1是未取代或取代的C i_18烷基； R2是未取代或取代的C i_18烷基，未取代或取代的C 7_18芳基 烷基，或未取代或取代的C6_18芳基； R3是-H,-F,-CH 3，或-CF3;和 Ar是未取代或取代的C6_18芳基； 前提是R2和Ar共包括至少9个碳原子； 内酯取代的单体； PKa小于或等于12的碱溶性单体；和 光致生酸单体。
2. 如权利要求1所述的共聚物，其特征在于，R 1是C μ烷基。
3. 如权利要求1或2所述的共聚物，其特征在于，R2是C μ烷基，苯基，或C η烷基取代 的苯基。
4. 如权利要求1-3中任一项所述的共聚物，其特征在于，Ar是苯基，C η烷基取代的苯 基，联苯基或萘基。
5. 如权利要求1-4中的任一项所述的共聚物， 其特征在于，所述内酯取代的单体包括：
其中，所述碱溶性单体包括：
其中，所述光致生酸单体包括：
6. 如权利要求1所述的共聚物，其特征在于，所述对酸不稳定的单体包括：
或其组合。
7. 如权利要求1所述的共聚物， 其特征在于，所述对酸不稳定的单体包括：
或其组合； 其中，所述内酯取代的单体包括：
其中，所述碱溶性单体包括：
其中，所述光致生酸单体包括：
8. -种包含如权利要求1-7任一项所述的共聚物的光刻胶组合物。
9. 一种涂覆的基材，其包括： (a) 基材，在该基材的表面上具有待图案化的一个层或多个层；以及 (b) 如权利要求8所述的光刻胶组合物的层，其位于所述待图案化的一个层或多个层 之上。
10. -种形成电子器件的方法，其包括： (a) 在基材上施加如权利要求8所述的光刻胶组合物的层； (b) 以图案化方式将所述光刻胶组合物层对活化辐射曝光；以及 (c) 对经曝光的光刻胶组合物层进行显影，以提供光刻胶浮雕图像。
【专利摘要】一种共聚物，其包括源自内酯取代的单体、pKa小于或等于12的碱溶性单体、光致生酸单体和对酸不稳定的单体的重复单元，所述对酸不稳定的单体具有通式其中，R1、R2、R3和Ar如本文所定义。该共聚物可用作光刻胶组合物的组分，所述光刻胶组合物可涂覆在具有一个或多个待图案化的层的基材上，或者用于形成电子器件的方法中。
【IPC分类】G03F7-039, G03F7-004, G03F7-16, C08F220-18, C08F220-38, C08F220-28, G03F7-00
【公开号】CN104725555
【申请号】CN201410818081
【发明人】O·昂格伊, V·简恩, J·F·卡梅隆, J·W·撒克里, S·M·高利
【申请人】罗门哈斯电子材料有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2014年12月19日
【公告号】US20150177614