一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法。
【背景技术】
[0002] 甘草次酸（Glycyrrhetinic acid)分子式：C3(lH4604，分子量：470. 68384，CAS No. 471-53-4, MDL No. MFCD00003706, EINECS No. 207-444-6, RTECS No. RK0180000, BRN No. 2229654。（3B，20B)-3-羟基-11-氧代-齐墩果-12-烯-29-酸，（3 β，20 β )-3-羟 基-11-氧代-齐墩果-12-烯-29-酸，3 β -羟基-11-氧-12-齐墩果烯-30-酸，甘草亭酸， 18beta 甘草次酸。11-脱氧-18 β -甘草次酸：3 β -hydroxy-18 β -〇lean-12-en_30-〇ic，白 色针状结晶，溶于热甲醇和氯仿，二氯甲烷，微溶于无水乙醇和乙酸乙酯，不溶于水。11-脱 氧-18 α -甘草次酸：3 β -hydroxy-18 a -〇lean-12-en_30-〇ic，白色针状结晶，溶于热甲醇 和氯仿，二氯甲烧，微溶于无水乙醇和乙酸乙醋，不溶于水，m. p. 328. 1-330. 6°C ;结构式如 下：
[0003]
【主权项】
1. 一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法，以甘草次酸为原料，该方法包含以下步骤： (1) 11-脱氧-甘草次酸的制备 (2) 11-脱氧-甘草次酸的纯化。 (3) 11-脱氧-11，13(18)-二烯甘草萜醇的制备 (4) 11-脱氧-11，13(18)-二烯甘草萜醇的纯化。
2. 如权利要求1所述的一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法，其特征在于，步骤（1) 中所用还原剂为：Ni、Cu、Pt、PcU铝、锌粉、硼氢化钠、氢化锂铝、异丙醇铝、叔丁醇铝、雷尼 镍、钯-碳合金或锌汞齐中之一；所用溶剂为吡啶、吗啉、二氧六环、四氢呋喃、二甲基甲酰 胺、氯化亚砜或二甲基亚砜中之一。
3. 如权利要求1所述的一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法，其特征在 于，步骤（1)中所述的还原反应为：催化加氢、金属氢化物还原、麦尔外英-彭道 尔夫（Meerwein-Ponndorf)反应、克莱门森（Clemmensen)反应、乌尔夫-凯惜钠 (Wolff-Kishner)-黄鸣龙反应或坎尼查罗（Cannizzarro)反应中之一。
4. 如权利要求1所述的一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法，其特征在于，步骤 (2) 中以锌汞齐脱氧，室温搅拌20-30min后，控制温度在15-20°C之间，滴加浓盐酸，加入二 氧六环直至溶液变澄清，保持在KTC搅拌继续反应3h，用薄层色谱指监测反应过程，展开 剂：石油醚-乙酸乙酯（2 : 3)，显色剂：硫酸-甲醇（1 : 1)，反应完毕后，抽滤，得无色 澄清溶液，滤液减压蒸馏出二氧六环，残余物加去离子水，得白色沉淀旋蒸回收二氧六环， 得白色粉末状粗品，先用冰醋酸重结晶，后再用甲醇-丙酮（I : 1)重结晶，50-60°C真空干 燥。
5. 如权利要求1所述的一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法，其特征在于，步骤（2) 中反应完成后，过滤去除固体催化剂，减压浓缩，浓缩物中加入甲醇、乙醇、丙酮或乙酸乙酯 中之一，加入3-5%的活性炭，加热回流30min，过滤，滤渣用甲醇、乙醇、丙酮或乙酸乙酯中 之一洗涤，滤液与洗液合并浓缩，结晶。
6. 如权利要求1所述的一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法，其特征在于，步骤（3) 中脱氢反应溶剂为水、甲醇、乙醇、丙酮、吡啶、二甲基甲酰胺、喹啉、吗啉中任意一种、任意 两种或任意三种以任意比例混合；脱氢剂为碘；辅料为碳酸钠、碳酸氢钠、氢氧化钾或氢氧 化钠中之一。
7. 如权利要求1所述的一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法，其特征在于，步骤 (3) 中碘的用量为甘草次酸量的1-5% ;溶剂用量为甘草次酸量的5-8倍；反应温度在 70-100°C ;辅料用量为甘草次酸量的5-10%。
8. 如权利要求1所述的一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法，其特征在于，步骤（4) 中反应液在80±2°C，真空度_(0. 090-0. 095)Mpa下浓缩至比重1. 15-1. 20,于残留物中加 纯化水，搅拌lh，抽滤，滤饼用50±5°C饮用水洗涤，滤干，烘干粗品，加入有机溶剂氯仿、甲 醇、乙醇或丙酮中之一加热溶解，过滤，滤液加入3-5 %活性炭脱色30rnin，过滤，滤液浓 缩，结晶，温度80 ± 2 °C干燥7-8h。
9. 如权利要求1所述的一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法，其特征在于，步骤（4) 中反应液在-(〇. 090-0. 095)Mpa下浓缩至比重1. 15-1. 20,以等体积乙酸乙酯萃取萃取3-5 次，收集乙酸乙酯萃取液，加入5% (w/v)的活性炭在60°C下脱色30min，过滤，滤液浓缩至
【专利摘要】一种甘草次酸11-位羰基结构修饰方法，该方法包含以下步骤：1)11-脱氧-甘草次酸的制备；2)11-脱氧-甘草次酸的纯化；3)11-脱氧-11，13(18)-二烯甘草萜醇的制备；4)11-脱氧-11，13(18)-二烯甘草萜醇的纯化。以甘草次酸为原料，还原剂Ni、Cu、Pt、Pd、铝、锌、NaBH4、LiAlH4、异丙醇铝、叔丁醇铝、雷尼镍、钯-碳合金或锌汞齐，所用溶剂为吡啶、吗啉、二氧六环、二甲基甲酰胺、氯化亚砜或二甲基亚砜，还原反应有催化加氢、金属氢化物还原、Meerwein-Ponndorf反应、Clemmensen反应、乌尔夫-凯惜钠Wolff-Kishner-黄鸣龙反应或Cannizzarro反应，制得11-脱氧甘草次酸，用NaBH4/I2体系一步还原脱氢制得11-脱氧-11，13(18)-二烯甘草萜醇，此法的优点是将的两步反应变为一步反应，缩短了反应步骤，优化了合成工艺，反应收率大大提高。
【IPC分类】C07J63-00
【公开号】CN104861032
【申请号】CN201510120843
【发明人】李玉山
【申请人】李玉山
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年3月16日