一种高选择性R142b裂解制备偏氟乙烯的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种高选择性R142b裂解制备偏氟乙烯的方法。
【背景技术】
[0002] 目前，就全世界范围来看，聚偏氟乙烯（PVDF)产量是仅次于聚偏氟乙烯的一种氟 塑料，因此在含氟有机化合物中偏氟乙烯是仅次于偏氟乙烯的单体。而在氟弹性体中则几 乎都含有VDF组分。
[0003] 据相关文献记载，目前制备VDF主要有5种方法：第一种是CH2CC12 (VDC)氟化 法，专利US 4827055提到了一种VDC催化氟化制备VDF的方法，尽管VDF的产率较高，但是 因其催化剂寿命短且容易失活而难以实现工业化；第二种是1，1，1-三氟乙烷（HCFC-143a) 脱HF法，该方法有一个明显的缺点就是HCFC-143a的选择性和转化率不能兼顾，因此工业 化比较困难；第三种是1，1-二氟乙烷（HCFC-152a)脱氢法，专利EP 0461297提到了一种 HCFC-152a脱氢制备VDF的方法，但即使从最优工艺参数来看，反应的主要产物是VF，而VDF 的含量仅仅为14%左右，从VDF的产率来看不是一种制备VDF的优良方法；第四种是1，2-二 氯-1，1-二氟乙烷（HCFC-132b)，专利GB 2165241提到HCFC-132b在Na-Hg合金催化下 制备VDF的方法，反应中催化剂随着反应的进行消耗较大，而催化剂中的Hg会造成环境污 染，此方法也一直未实现工业化；第五种是1，1-二氟-1-氯乙烷（HCFC-142b)裂解脱HCl 法，是目前工业上最典型的生产方法。HCFC-142b裂解法比较多，包括无稀释热裂解、稀释热 裂解、催化裂解和促进剂裂解等。但是通过HCFC-142b裂解法得到的裂解气均有较多的杂 质：CH3F、CH3CHF2、C2H3F、C 2H2ClF等。这些杂质通过精馏除去比较困难，这些杂质积累到一 定程度时会增加精馏塔温度控制的难度，增加能耗。在DE1068695专利中虽然发明了通过 HCFC-142b于850°C通过银质或铂质热接管，得HCFC-142b转化率97%，可是VDF选择性只有 60%。聚合反应对VDF单体的纯度有严格的要求，一般需要在99. 95%以上，所以制备得到高 品质的VDF单体是目前迫切需要面对的一个问题。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是提供一种高选择性、高转化率的偏氟乙烯制备方法，具体的讲就 是通过合理的控制HCFC-142b进料流量和裂解反应温度，得到一种1，1-二氟-1-氯乙烷 (HCFC-142b)无稀释热裂解制备偏氟乙烯（VDF)的方法。
[0005] 本发明采用的技术方案是： 一种高选择性R142b裂解制备偏氟乙烯的方法，包括以下步骤： 步骤1 :将裂解炉升温至650~750°C，并使裂解炉温度均匀稳定； 步骤2 :控制原料缓冲罐进蒸汽调节阀控制原料缓冲罐压力为0. 22~0. 28 MPa ; 步骤3 :控制原料缓冲罐出料调节阀使原料以流量15~20m3/h的速度进入裂解炉进 行裂解反应，原料在裂解管中的停留时间为IOs~20s。
[0006] 本发明的优点是：通过对反应温度和原料停留时间的控制，极大的增加了反应的 选择性，同时又没有降低其转化率，从源头上减少杂质的产生，减少后序精馏处理的难度， 达到降低杂质生成又有较高产能的目的。
【具体实施方式】
[0007] 实施例1 一套生产能力2000t/a偏氟乙烯生产裂解装置。
[0008] 把裂解炉升温至650°C，待裂解炉温度均匀稳定后，通过控制原料缓冲罐进蒸汽 调节阀控制原料缓冲罐压力为〇. 22MPa，同时控制原料缓冲罐出料调节阀使原料以流量 15m3/h的速度进入裂解炉进行裂解反应，原料在裂解管中的停留时间为17s。待反应稳定 后取反应后裂解气分析。得分析结果如下表：
本发明通过对反应温度和原料停留时间的控制，极大的增加了反应的选择性，同时又 没有降低其转化率，从源头上减少杂质的产生，减少后序精馏处理的难度，达到降低杂质生 成又有较高产能的目的。
[0009] 实施例2 一套生产能力2000t/a偏氟乙烯生产裂解装置。
[0010] 把裂解炉升温至700°c，待裂解炉温度均匀稳定后，通过控制原料缓冲罐进蒸汽 调节阀控制原料缓冲罐压力为〇. 28MPa，同时控制原料缓冲罐出料调节阀使原料以流量 ISmVh的速度进入裂解炉进行裂解反应，原料在裂解管中的停留时间为14s。待反应稳定 后取反应后裂解气分析。得分析结果如下表：
本发明通过对反应温度和原料停留时间的控制，极大的增加了反应的选择性，同时又 没有降低其转化率，从源头上减少杂质的产生，减少后序精馏处理的难度，达到降低杂质生 成又有较高产能的目的。
[0011] 实施例3 一套生产能力2000t/a偏氟乙烯生产裂解装置。
[0012] 把裂解炉升温至750°C，待裂解炉温度均匀稳定后，通过控制原料缓冲罐进蒸汽 调节阀控制原料缓冲罐压力为〇. 25MPa，同时控制原料缓冲罐出料调节阀使原料以流量 20m3/h的速度进入裂解炉进行裂解反应，原料在裂解管中的停留时间为12s。待反应稳定 后取反应后裂解气分析。得分析结果如下表：
本发明通过对反应温度和原料停留时间的控制，极大的增加了反应的选择性，同时又 没有降低其转化率，从源头上减少杂质的产生，减少后序精馏处理的难度，达到降低杂质生 成又有较高产能的目的。
【主权项】
1. 一种高选择性R142b裂解制备偏氟乙烯的方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1 :将裂解炉升温至650~750°C，并使裂解炉温度均匀稳定； 步骤2 :控制原料缓冲罐进蒸汽调节阀控制原料缓冲罐压力为0. 22~0. 28MPa ; 步骤3 :控制原料缓冲罐出料调节阀使原料以流量15~20m3/h的速度进入裂解炉进 行裂解反应，原料在裂解管中的停留时间为IOs~20s。
【专利摘要】本发明公开了一种高选择性R142b裂解制备偏氟乙烯的方法，包括以下步骤：步骤1：将裂解炉升温至650-750℃，并使裂解炉温度均匀稳定；步骤2：控制原料缓冲罐进蒸汽调节阀控制原料缓冲罐压力为0.22～0.28MPa；步骤3：控制原料缓冲罐出料调节阀使原料以流量15-20m3/h（接触时间约17秒）的速度进入裂解炉进行裂解反应，本发明通过对反应温度和原料停留时间的控制，极大的增加了反应的选择性，同时又没有降低其转化率，从源头上减少杂质的产生，减少后序精馏处理的难度，达到降低杂质生成又有较高产能的目的。
【IPC分类】C07C17/25, C07C21/18
【公开号】CN104961622
【申请号】CN201510293160
【发明人】胡康林, 唐毅成, 廖赟辉, 徐志雄
【申请人】江苏三美化工有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年6月2日