用于蚀刻氟聚合物基片的方法和设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及用于处理氣聚合物基片的方法和设备，具体地，设及用于蚀刻氣聚合 物基片W增加此类基片表面粘附力的方法/设备。
【背景技术】
[0002] 聚四氣乙締（PT阳）的耐化学性是已经使运类氣聚合物在化学工业中，例如用于 在它们的天然侵蚀性的反应存在下涂覆反应器或管道非常需要的一个特征。PTFE已经代替 石棉-鉴于它的致癌性现已被法律禁止-在多个应用中如例如涂覆高溫电缆。此外，PTFE 的生物相容性已经使生物医学工业使用其来制造可植入的元件W及在用于人体中使用的 医疗装置上。一般氣聚合物的介电性的独特性质，并且具体是PTFE的介电性的独特性质已 经允许在印刷电路板行业中的新市场的发展。
[0003] 上述应用要求能够将PT阳粘合至下垫面（underlying surface)。
[0004] 恰恰是PTFE的化学结构妨碍其保持牢固地连接到各自的支撑的能力。为了消除 该方面，过去已经尝试了多个技术方案W将氣聚合物固定在多种基片上如钢装置或印刷电 路板。 阳0化]可用的方法之一包括碱金属和聚合物的氣之间的反应，然而，在反应条件下其可 无可争议被视为是爆炸性的，尤其是在四氨巧喃（TH巧或无水氨的存在下。然而，鉴于混合 物的低沸点（约-3rc)，使用氨的变型不允许蚀刻溶液的安全存储；相反地，尽管在室溫下 稳定的THF是极其可燃的。
[0006] 甚至后来提出的方法证明从环境观点来看或关于过程的安全性相当地不理想。
【发明内容】
[0007]因此，本发明第一个目的是提供能够完成工业规模且在非常安全的条件下的PTFE 的蚀刻的方法和相关设备。本发明的进一步的目的是提供能够大大减少在需负责的牺牲行 为中释放的污染物的量的一种方法和自身集成的一种设备，但是从环境的观点来看上述都 是清洁的。
[0008] 通过根据权利要求1所述的方法，和通过根据权利要求9所述的设备实现了运些 和其他的目的。相关的变型描述了优选的或有利的实施方式。
【附图说明】
[0009] 现在将借助于附图详细说明本发明的目的，其中：
[0010]-图1和5各自示出了根据本发明的方法的示意图和根据可能的实施方式选择性 分离浓酸溶液的示意图。
[0011] -图2、3和4各自示出了根据一种变型根据本发明的一部分蚀刻设备的透视图、截 面侧视图和俯视图。
【具体实施方式】
[0012] 在上述图中，相同的参考数字代表相同的或对应的部件。
[0013] 具体地，将参照进行给定步骤的设备1的相应装置的参考数字作出遵循的方法的 说明。因此，仅仅通过实施例的方式，参考数字4既指洗涂主表面的步骤又指进行此步骤的 去除槽（removalbath)。
[0014] 所述的用于增加氣聚合物基片10的表面粘附力的本蚀刻方法包括W连续带或薄 膜的形式沿着给料方向狂）进料22此类氣聚合物基片的第一步骤，其中此类基片限定至少 一个主表面12。优选地，此类基片是聚四氣乙締（PTF巧基片。进一步的实施方式预见氣 聚合物选自由W下所组成的组中：PTFE、氣化乙丙締（FE巧、全氣烷氧基（PFA)、聚偏氣乙締 (PVD巧-或类似物-或它们的混合物。
[0015] 因此，本方法是（半）连续的蚀刻方法，其至少在主表面进行，该主表面是在W下 讨论的步骤的最后证明具有改善的表面粘附力的表面。
[0016] 将本说明书中的术语"蚀刻"理解为是指适用于通过改善氣聚合物基片的附着性 使其适用于粘合到其他表面的化学过程。
[0017] 此外，将本发明中的术语"给料方向X"理解为是指不必须W直线供给基片，尽管一 些变型可提供直线。然而，也将此类术语且首先理解为与具有"复合"形状的氣聚合物带或 薄膜的主延伸方向大致平行的方向，也就是说一系列环线、曲线、直线段等。
[0018] 根据一个示出的实施方式，将全部的连续的氣聚合物带或薄膜进行蚀刻，W致在 运种情况下，界定带或薄膜的厚度的主表面12和反面32都将经受此类处理。同样地，可蚀 刻或不蚀刻连接此类表面12、32的连接表面36。
[0019] 换言之，一个实施方式提供了将整个基片浸入增粘溶液或（a化esion-promoting solution)至少被增粘溶液润湿。
[0020] 在另外的步骤中，通过包含碱金属处于糞中的络合物（acomplexofana化ali metalinnaphthalene)的增粘溶液，使至少一部分主表面12经受一个或多个蚀刻操作2。
[0021] 因此，此类步骤对于氣聚合物基片牢固地粘合在各种支撑物（其根据所期望的应 用变化）上是必要的，并且用于从基片的上述表面之一部分去除氣原子（脱氣作用）。
[0022] 优选地，使用的碱金属是钢，其被本发明的作者视为氣聚合物最可靠的化学研磨 剂（chemical油rasive)之一。进一步的实施方式可W提供裡、钟或它们的混合物（包含 其与钢的混合物）的使用。
[0023] 根据一个有利的实施方式，通过优选地在二乙二醇二甲基酸、碱金属和糞之间的 原位反应的增溶作用/反应20, 20'生产增粘溶液。
[0024] 与二乙二醇二甲基酸的使用有关的优点为在室溫（和稍高于室溫）高度稳定性、 闪点大约57°C的降低的可燃性、W及与水类似的产生增粘溶液的粘度，后者是一个显著的 技术优势。加入到其中是此类混合物"润湿"氣聚合物基片表面的足够习性（sufficient propensity)〇
[00巧]在本发明的再一个的步骤中，4通过包含乙酸水溶液或甲酸水溶液的洗涂液42洗 涂被增粘溶液润湿的部分主表面12。
[00%] 运样，从主溶液中去除了所有增粘溶液的残余物且因此蚀刻过程停止。可选地， 洗涂步骤4之后，提供将氣聚合物基片10的连续带或薄膜缠绕34在一个或多个收集线轴 (collectionbobbin)的步骤，其因此可存储。
[0027] 根据又一个优选的实施方式，通过在有机相（包含或由如二乙二醇二甲基酸组 成）中预洗涂的第一步骤14,和在如具有溫度高于室溫的水的水相中预洗涂的第二步骤16 可W进行用洗涂液42洗涂的步骤。
[002引因此，在洗涂和可选的预洗涂最后，证明几乎完成了增粘溶液的去除。
[0029] 根据一个特别有利的实施方式，可纯化有机相，例如蒸馈18,W及可W在第一预洗 涂步骤14中重新引入有机相。
[0030] 根据一个特别有利的变体，洗涂步骤之后可W是干燥氣聚合物基片10的连续带 或薄膜的步骤，例如在大约5〇°c-i〇(rc的溫度，优选大约60° -8〇°c的溫度。为了运个目 的，可W在W下讨论的去除槽4的下游提供烘箱。
[0031] 在本方法又一个进一步的步骤中，通过在升高的压力下反渗透操作6、8从洗涂液 42选择性地分离用于一些变体的乙酸或甲酸的浓溶液24。
[0032] 换言之，该分离步骤预见之前的反渗透操作6 (在第一压力P1)和之后的反渗透操 作8 (在第二压力P2)，其中，所述后面的操作在高于P1的压力下发生（P2 >P1或P> > P1)。例如，第二压力P2可W是在之前的操作6中使用的第一压力P1的大约2-10倍。
[0033] 在本方法的一个优选的变体中，分离步骤包括反渗透的第一（或之前的）操作6 和第二（或之后的）操作8,在产自第一