一种半导体材料芯片高效研磨剂的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种半导体材料芯片高效研磨剂，包括下列重量份数的物质：除蜡水1-9份，酸洗剂14-25份，磷化液1-3份，钝化液1-3份，陶化剂1-3份，氢氧化钙4-8份，八水合氢氧化钡7-10份，氢氧化钠7-16份，酒石酸钾钠7-10份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1-3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙3-8份，硬脂酸4-13份，分散剂1份。本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。
【专利说明】一种半导体材料芯片高效研磨剂
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体材料芯片高效研磨剂。
【背景技术】
[0002]在半导体芯片的加工制造过程中，随着采用嵌入式(damascene)工序(一种费用相当便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件结构的工序)的逐步普及，对芯片中的金属导线进行化学机械研磨(CMP, chemical mechanical planarization)抛光亦变得必不可少。钨以其极好的对通孔和沟槽的填充性能、低的电子迁移和电阻以及优异的耐腐蚀性，被广泛地用于半导体芯片加工制造的工艺过程中。如作为金属触点、通孔导线和层间互连线等。传统上，钨可以采用等离子体的方法刻蚀，称作钨回蚀。不过，钨回蚀是一种成本高且会造成较大环境污染的工艺。与此相反，钨的C如:Ip工艺，在成本和环保两方面要好得多。尤其重要的是，采用CMP的钨抛光方法，有助于提高嵌入式工序对芯片的配线密度，进而获得更高的芯片性能。因此，在半导体制造业中，钨CMP己迅速成为一种被广泛使用的技术。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体材料芯片高效研磨剂。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是:
一种半导体材料芯片高效研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:除蜡水1-9份，酸洗剂14-25份，磷化液1-3份，钝化液1-3份，陶化剂1-3份，氢氧化钙4_8份，八水合氢氧化钡7-10份，氢氧化钠 7-16份，酒石酸钾钠7-10份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1_3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙3-8份，硬脂酸4-13份，分散剂I份。
[0005]本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。
【具体实施方式】
[0006]实施例1
一种半导体材料芯片高效研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:除蜡水1-9份，酸洗剂14-25份，磷化液1-3份，钝化液1-3份，陶化剂1-3份，氢氧化钙4_8份，八水合氢氧化钡7-10份，氢氧化钠7-16份，酒石酸钾钠7-10份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1_3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙3-8份，硬脂酸4-13份，分散剂I份。
【权利要求】
1.一种半导体材料芯片高效研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:除蜡水1-9份，酸洗剂14-25份，磷化液1-3份，钝化液1-3份，陶化剂1_3份，氢氧化钙4_8份，八水合氢氧化钡7-10份，氢氧化钠7-16份，酒石酸钾钠7-10份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1_3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙 3-8份，硬脂酸4-13份，分散剂I份。
【文档编号】C09K3/14GK103436226SQ201310387785
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月31日 优先权日:2013年8月31日
【发明者】张竹香 申请人:青岛承天伟业机械制造有限公司