种 公知方法施W分散处理者。
[0033] 关于基材膜的厚度，并无特别限定，可依据需求做决定，例如为40~250μm，优选 为50~200μm，更优选为60~150μm。
[0034] 关于基材膜的成形方法，例如有压延成形法、Τ模头押出法、膨胀法及诱铸法等。
[0035] 为防止将剥离膜从基材膜上剥离时的带电，亦可在基材膜的粘着剂接触面及/或 非接触面施行抗静电处理。可将抗静电剂混入树脂中。进行抗静电处理时可使用四级胺盐 单体等的抗静电剂。
[0036] 作为四级胺盐单体，例如有：（甲基）丙締酸二甲基胺基乙醋四级氯化物、（甲基） 丙締酸二乙基胺基乙醋四级氯化物、（甲基）丙締酸甲基乙基胺基乙醋四级氯化物、对二甲 基胺基苯乙締四级氯化物、及对二乙基胺基苯乙締四级氯化物，其中，优选使用（甲基）丙 締酸二甲基胺基乙醋四级氯化物。
[0037] 关于润滑剂W及抗静电剂的使用方法，并无特别限定，例如可在基材膜的一个面 上涂布粘着剂，而在其背面涂布润滑剂及/或抗静电剂，或者，也可W将润滑剂及/或抗静 电剂混入基材膜的树脂中并做成片。
[0038] 可在基材膜的一个面上层积粘着剂，而将另一个面作成平均表面粗糖度（Ra)为 0. 3~1. 5μπι的压花面。藉由将压花面设置于扩张装置的机械台侧，则在切割后的扩张工 序中能轻易地扩张基材膜。
[0039] 为了提高切割后的扩张性，可在基材膜的粘着剂非接触面上涂布润滑剂，或将润 滑剂混入基材膜中。
[0040] 关于润滑剂，只要是能降低粘合片与扩张装置的摩擦系数的物质皆可，对其并无 特别限定，例如可W是娃酬树脂或（改质）娃酬油等娃酬化合物、氣树脂、六方晶格氮化棚、 碳黑，或二硫化钢等。运些抗摩擦剂也可W混合多数成分。由于电子元件的制造是在洁净 室中进行，因此，宜使用娃酬化合物或氣树脂。娃酬化合物中，尤其是具有娃酬大分子单体 单元的共聚物，其与抗静电层的兼容性良好，并兼备抗静电性W及扩张性，因此较为适用。
[0041] <2.粘着剂层〉
[0042] 本实施方式中，组成粘着剂层的粘着剂组成物含有100质量份的（甲基）丙締酸 共聚物与0. 01~5质量份的异氯酸醋类硬化剂。
[0043] <2-1.(甲基）丙締酸共聚物〉 柳44](甲基）丙締酸共聚物含有40~90%的（甲基）丙締酸下醋单元、5~55%的 (甲基）丙締酸甲醋单元W及0. 1~10%的含径基的单体单元。
[0045](甲基）丙締酸下醋单元的含量为40~90%。若该含量低于此范围，则忍片保持 性会降低，若该含量高于此范围，则拾取性会降低。此外，（甲基）丙締酸下醋单元的含量 优选为50~80%。在此范围内可显示出忍片保持性及拾取性双方的优越特性。具体而言， 例如含量可W为 50%、55%、57. 5%、60%、62. 5%、65%、67. 5%、70%、72. 5%、75%、80%， 或者在所例示数值中任何两个数值之间的范围内亦可。
[0046](甲基）丙締酸甲醋单元的含量为5~55%。若其含量低于此范围，则会降低拾 取性，若其含量高于此范围，则会降低忍片保持性。其含量优选为15~45%。其含量在此 范围内可显示出忍片保持性及拾取性双方的优越特性。具体而言，例如含量可W为15%、 20 %、25 %、30 %、35 %、40 %、45 %，或者在所例示数值中任何两个数值之间的范围内亦可。
[0047] 作为含径基的单体，例如有（甲基）丙締酸2 -径基乙醋、（甲基）丙締酸2 -径 基丙醋、（甲基）丙締酸2 -径基下醋或2 -径基酸。含径基的单体单元的含量为0. 1~ 10%。若其含量低于此范围则忍片保持性会降低，若其含量高于此范围则拾取性会降低。此 夕F，含径基的单体单元的含量，优选为1~7质量％。在此范围内可显示出忍片保持性W及 拾取性双方的优越特性。具体而言，例如含量可W为1、2、3、4、5、6、7质量％，或者在所例示 数值中的任何两个数值之间的范围内亦可。
[0048] 此外，作为（甲基）丙締酸聚合物的制法，例如有乳化聚合、溶液聚合等方法。
[0049] <2-2.异氯酸醋类硬化剂〉
[0050] 相对于100份的（甲基）丙締酸共聚物，含有0. 01~10份的异氯酸醋类硬化剂。 若异氯酸醋类硬化剂的含量低于此范围则会拾取性降低，若其含量高于此范围则忍片保持 性会降低。此外，异氯酸醋类硬化剂的含量优选为0.1~5份。在此范围内可显示出忍片 保持性W及拾取性双方的优越特性。具体而言，例如其含量可W为0. 1份、0. 5份、1份、1. 5 份、2份、3份、4份、5份，或者在所例示数值中的任何两个数值之间的范围内亦可。
[0051] 作为异氯酸醋类硬化剂使用具有多数异氯酸醋基的化合物。关于具有多数异氯酸 醋基的化合物，可列举芳香族异氯酸醋、脂环族异氯酸醋，W及脂肪族异氯酸醋。
[0052] 作为芳香族异氯酸醋，可列举甲苯二异氯酸醋、4, 4-二苯基甲烧二异氯酸醋，W及 对苯二甲基二异氯酸醋。
[0053] 作为脂环族异氯酸醋，可列举异佛尔酬二异氯酸醋、亚甲基双（4-环己基异氯酸 醋）。
[0054] 作为脂肪族异氯酸醋，可列举六亚甲基二异氯酸醋、Ξ甲基六亚甲基二异氯酸醋。
[0055] 运些异氯酸醋化合物可W是二聚体或Ξ聚体，或者也可W是与多元醇化合物反应 后产生的加合物。
[0056] 为了调整粘着强度，在粘着剂组成物中添加带粘性树脂。对带粘性树脂并无特别 限定，例如可列举：松脂树脂、松脂醋树脂、祗締树脂、祗締酪树脂、酪树脂、二甲苯树脂、香 豆酬树脂、香豆酬-巧树脂、苯乙締树脂、脂肪族石油树脂、芳香族石油树脂、脂肪族芳香族 共聚合石油树脂、脂环族控树脂，W及其改质物、衍生物、氨添加物等。
[0057] 对带粘性树脂的混合量并没有特别限定，相对于100份的（甲基）丙締酸共聚物， 通常配合200份W下，优选为配合30份W下。
[0058] <2-3.添加剂等〉
[0059] 可在粘着剂组成物中添加例如硬化剂、聚合引发剂、软化剂、抗老化剂、填充剂、紫 外线吸收剂、光稳定剂、光聚合性化合物、光引发剂等各种添加剂。
[0060] <3.粘合片的制造〉
[0061] 作为在基材膜上形成粘着剂层而将其做成粘合片的方法，例如有用凹版涂布机、 缺角轮涂布机、棒涂机、刀涂机或漉涂机等涂布机，将粘着剂直接涂布于基材膜上的方法， 或是在剥离膜上涂布粘着剂并使其干燥后贴合至基材膜的方法。也可W用凸版印刷、凹版 印刷、平版印刷、柔版印刷、平凸印刷或丝网印刷等，将粘着剂组成物印刷至基材膜上。 阳06引粘着剂层的厚度优选为1~100μm，更优选为5~40μm。若粘着剂层过薄，则粘 着力下降，切割时的忍片保持性会发生恶化，导致从环状框架剥落的情形。若粘着剂层过 厚，导致粘着力高，会发生拾取性不良的情形。 阳〇6引 <4.电子元件的制造〉 W64]W下，说明使用上述粘合片制造电子元件的方法。此方法如W下说明，包括贴附工 序、切割工序W及拾取工序。另外，在贴附工序之后且切割工序之前，可任意地施W加溫工 序。 阳0化]W下对各个工序进行说明。
[0066] (1)贴附工序
[0067] 首先，在贴附工序中，将粘合片贴附于被粘体与环状框架上。作为被粘体，例如有 半导体晶圆或封装基板。 w側 似加溫工序
[0069] 其次，当被粘体与粘合片之间的粘着性不佳时，为了提高两者之间的粘着性，进行 加溫工序。加溫工序可藉由将该被粘体加溫至60~100°C而进行。
[0070] 做切割工序
[0071] 其次，于切割工序中，在被粘体贴附于粘合片的状态下进行被粘体的切割，将其做 成忍片。经由切割形成的各个忍片将成为电子元件。切割可使用切割刀片进行。由于在 紫外线及/或放射线照射前的粘合片的忍片保持性优异，因此，切割时，能够抑制忍片剥离 (忍片飞散）。 阳0巧 （4)拾取工序
[0073] 其次，于拾取工序中，待切割工序完了之后，从粘合片上拾取上述忍片。具体而言， 此工序例如可使用W下方法进行。从粘合片的基材膜侧照射紫外线及/或放射线（图中未 示出），之后，使粘合片呈放射状扩大而加宽忍片间隔，之后，用顶针等（图中未示出）向上 顶忍片。之后，使用真空筒夹或气动綴子等（图中未示出）吸附忍片，并拾取忍片。紫外线 及/或放射线的光源，可使用公知者。作为紫外线源，有低压水银灯、高压水银灯、超高压水 银灯、金属面化物灯。放射线宜使用电子束、α射线、β射线、丫射线。
[0074] 藉由照射紫外线及/或放射线，能使粘着剂组成物内的乙締基Ξ维网状化，而使 粘着剂组成物的粘着力下降。藉此，在照射紫外线及/或放射线前，由于粘着剂组成物具有 起初的高粘着力，因此，能显示出优异的忍片保持性，当照射紫外线及/或放射线后，由于 降低了粘着剂组成物的粘着力，因此能提高忍片的拾取