一种处理含铁氰化钾废水方法与流程

文档序号:12053437阅读:2026来源:国知局

本发明涉及环保技术领域,特别涉及一种新的处理含铁氰化钾废水的方法。



背景技术:

铁氰化钾主要应用于照相纸、颜料、制革、印刷、制药、肥料、媒染剂、电镀、造纸、钢铁等工业。

目前回收铁氰化钾工艺基本没有。普通的含氰废水次氯酸钠氧化处理不能处理铁氰化钾废液。

因此,需要提供一种新的回收处理铁氰化钾废水方法以避免以上问题。



技术实现要素:

本发明的主要目的在于提供一种新的处理含铁氰化钾废水的方法。

本发明通过如下技术方案实现上述目的:一种处理含铁氰化钾废水方法,其步骤包括:

(1)铝处理步骤:将含铁氰化钾废水加入铝片,室温静置,待溶液中无明显气泡产生后,过滤,得A溶液;

(2)沉淀步骤:将A溶液搅拌并加入沉铁剂溶液,反应至终点,过滤,得含氰污泥;

(3)滤液再处理步骤:将过滤溶液B并入废水处理系统,最终废水达国家排放标准;

具体的,所述铝处理步骤中加铝量为每100L废水加入1~2kg铝。

具体的,所述沉淀步骤中沉铁剂为亚铁盐。

具体的,所述沉淀步骤中沉铁剂加入搅拌转速为100~200rpm,反应温度控制在40~50℃。

具体的,所述沉淀步骤中终点为滴加亚铁盐溶液无蓝色沉淀、溶液pH6~7。

具体的,所述滤液再处理步骤中并入废水处理系统为废水经液碱调pH值9~10,过滤,滤液再经硫酸回调pH值6~9,过滤,滤液经蒸馏,冷凝水经活性炭吸附,废水排放或回用。

本发明含铁氰化钾废水处理方法的有益效果在于:

本发明通过铝预先处理,可以降低回收成本,加入沉铁剂使铁氰化钾完全沉淀;且反应所产生的氢气不会对环境产生危害。

具体实施方式

一种处理含铁氰化钾废水方法,其步骤包括:

(1)铝处理步骤:将含铁氰化钾废水加入铝片,室温静置,待溶液中无明显气泡产生后,过滤,得A溶液;

(2)沉淀步骤:将A溶液搅拌并加入沉铁剂溶液,反应至终点,过滤,得含氰污泥;

(3)滤液再处理步骤:将过滤溶液B并入废水处理系统,最终废水达国家排放标准。

下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。

实施例1

(1)将含铁氰化钾废水100L抽至反应槽中,加入1kg铝片,室温下静置,待溶液中无明显气泡产生后,过滤,得A溶液;废水中含有大量的氢氧化钾,直接加入沉铁剂,用量较大,成本高;用铝处理可以使铝与氢氧化钾反应,且反应至终点铝会沉淀。

铝处理的反应机理为:

2Al+2KOH+2H2O→2KAlO2+3H2

铝沉淀的反应机理为:

KAlO2+2H2O→Al(OH)3↓+KOH

反应时氢气直接排放至空气中,不会对环境产生危害。

(2)将A溶液再加入反应槽,反应温度控制在40℃,以100rpm转速搅拌并加入硫酸亚铁,反应至终点,过滤,得污泥。硫酸亚铁与铁氰化钾反应成铁氰化亚铁沉淀。

沉铁反应机理为:

3Fe2++2K3[Fe(CN)6]→Fe3[Fe(CN)6]2↓+3K+

(3)将过滤溶液并入废水处理系统,废水经液碱调pH值9~10,过滤,滤液再经硫酸回调pH值6~9,过滤,滤液经蒸馏,冷凝水经活性炭吸附,废水车间回用(废水总氰含量<0.5ppm)。

实施例2

(1)将含铁氰化钾废水100L抽至反应槽中,加入2kg铝片,室温下静置,待溶液中无明显气泡产生后,过滤,得A溶液;

(2)将A溶液再加入反应槽,反应温度控制在50℃,以200rpm转速搅拌并加入氯化亚铁,反应至终点,过滤,得污泥。

(3)将过滤溶液并入废水处理系统,废水经液碱调pH值9~10,过滤,滤液再经硫酸回调pH值6~9,过滤,滤液经蒸馏,冷凝水经活性炭吸附,废水车间回用(废水总氰含量<0.5ppm)。

实施例3

(1)将含铁氰化钾废水100L抽至反应槽中,加入1.5kg铝片,室温下静置,待溶液中无明显气泡产生后,过滤,得A溶液;

(2)将A溶液再加入反应槽,反应温度控制在40℃,以150rpm转速搅拌并加入氯化亚铁,反应至终点,过滤,得污泥。

(3)将过滤溶液并入废水处理系统,废水经液碱调pH值9~10,过滤,滤液再经硫酸回调pH值6~9,过滤,滤液经蒸馏,冷凝水经活性炭吸附,废水车间回用(废水总氰含量<0.5ppm)。

实施例4

(1)将含铁氰化钾废水100L抽至反应槽中,加入1kg铝片,室温下静置,待溶液中无明显气泡产生后,过滤,得A溶液;

(2)将A溶液再加入反应槽,反应温度控制在50℃,以200rpm转速搅拌并加入硫酸亚铁,反应至终点,过滤,得污泥。

(3)将过滤溶液并入废水处理系统,废水经液碱调pH值9~10,过滤,滤液再经硫酸回调pH值6~9,过滤,滤液经蒸馏,冷凝水经活性炭吸附,废水车间回用(废水总氰含量<0.5ppm)。

以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

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