中，可以根据在图1-8中介绍和讨论的实施例来说明该方法。在备选示例实施例中，可以用多种其他顺序来执行这些框图。方法开始于块902，在损坏密封之前测量MEMS器件内的内部环境的参数。接下来，在块904中，用校准解封能量来损坏密封。然后，在块906中，当密封损坏时，形成耦合内部环境与外部环境的通路。在块908中，在密封损坏之后测量内部环境的参数。以及，然后在块910中，基于测量来校准MEMS器件。
[0056]还可以用一个或更多个下述块来增强该方法，下述块以非特定顺序示出。在块912中，测量以下参数组成的组中的至少一个参数:空腔压力、谐振频率和电容。在块914中，在对MEMS器件进行晶圆处理之后进行测量。在块916中，在对MEMS器件进行晶圆切割之后进行测量。在块918中，在对MEMS器件进行封装之后进行测量。
[0057]除非明确陈述了特定顺序，否则可以用任意顺序执行包括以上附图中的流程的框。此外，本领域技术人员将认识到尽管现在仅讨论了一个示例实施例，说明书中的材料可以用各种方式组合，以得到其他示例。将在由这【具体实施方式】部分和其他部分所提供的上下文内理解接下来讨论的方法。
[0058]在一些示例实施例中，上述方法步骤被实现为功能和软件指令，该功能和软件指令体现为为一组可执行的指令，所述可执行的指令在计算机或机器上执行，计算机或机器由所述可执行指令编程和控制。加载这些指令，以供在处理器(例如一个或更多个CPU)上执行。处理器包括微处理器、微控制器、处理器模块或子系统(包括一个或更多个微处理器或微控制器)或其他控制或计算设备。处理器可以指单个组件或多个组件。
[0059]在其他示例中，这里所示的方法和与其相关联的数据和指令在相应存储设备中存储，相应存储设备被实现为一个或更多个非瞬时机器可读或计算机可读或计算机可使用的存储媒体或介质。这种计算机可读或计算机可使用的存储介质或媒体被认为是产品(或制造产品)的一部分。产品或制造产品可以指任意制造的单个组件或多个组件。如这里定义的，非瞬时机器可读或计算机可读介质或媒体排除了信号，但是这种媒体或介质可以能够接收和处理来自信号和/或其他瞬时介质的信息。存储媒体包括不同形式的存储器，包括半导体存储器设备，例如DRAM或SRAM、可擦除和可编程的只读存储器(EPR0M)、电可擦除和可编程只读存储器(EEPR0M)和闪存，磁盘(例如固定的、软盘和可移除光盘)、包括磁带在内的其他磁性介质，以及光学介质(例如压缩光盘(CD)或数字多功能光盘)。
[0060]在本说明书中，已经按照所选的细节集合介绍了示例实施例。然而，本领域技术人员应该理解，可以实施包括这些细节的不同的选定集合的许多其它示例实施例。意图在于，所附权利要求书覆盖所有可能的示例实施例。
【主权项】
1.一种MEMS器件，包括: 具有内部环境的空腔； 密封，所述密封将所述内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离，其中所述密封易于响应于校准解封能量而被损坏，并且，在所述密封损坏时，形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路；以及， 校准电路，所述校准电路能够在所述密封损坏之前以及在所述密封损坏之后测量所述内部环境。2.根据权利要求1所述的MEMS器件，还包括: 气密密封的第二器件；以及 其中所述校准电路能够响应于在所述密封损坏之前和在所述密封损坏之后测量所述内部环境而生成用于所述第二器件的校准值。3.根据权利要求2所述的MEMS器件， 其中所述第二器件是压力传感器。4.根据权利要求1所述的MEMS器件， 其中所述MEMS器件被嵌入在封装中；以及 其中当在所述封装内时，所述密封易于响应于所述校准解封能量而被损坏。5.根据权利要求1所述的MEMS器件， 其中所述解封能量是以下各项组成的组中的至少一个:热源和穿刺器。6.根据权利要求5所述的MEMS器件， 其中所述热源是以下各项组成的组中的至少一个:电流和激光。7.根据权利要求1所述的MEMS器件， 其中所述密封是熔丝；以及 其中所述熔丝能够响应于电流而损坏所述密封。8.根据权利要求1所述的MEMS器件， 其中所述密封易于受到的损坏包括以下各项组成的组中的至少一项:破裂、裂口、断裂、压裂、龟裂、剥离、压人、穿刺、钻孔、蒸发、烧蚀和熔化。9.根据权利要求1所述的MEMS器件， 其中所述密封包括热隔离区域，所述热隔离区域降低损坏所述密封所需的解封能量的功率。10.根据权利要求1所述的器件， 其中所述密封包括具有每单位面积的功率耗散的区域，其降低损坏所述密封所需的解封能量的功率。11.根据权利要求1所述的MEMS器件， 其中所述密封包括导线和隔离沟。12.根据权利要求1所述的MEMS器件， 其中所述密封包括具有弯曲形状的导线。13.根据权利要求1所述的MEMS器件， 还包括将所述空腔耦合到所述密封的通道； 其中所述通道具有的宽度比空腔的宽度小一个数量级。14.根据权利要求1所述的MEMS器件， 还包括将所述空腔的拐角耦合到所述密封的通道。15.根据权利要求1所述的MEMS器件， 还包括将所述空腔耦合到所述密封的通道； 其中所述通道包括主通道和以下各项组成的组中的至少一个:闭塞的侧通道和尖角。16.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中， 所述MEMS器件是压力传感器； 所述空腔被膜覆盖；以及 所述密封是由与膜相同的材料形成的。17.一种校准MEMS器件的方法，所述MEMS器件具有将所述MEMS器件内的内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离的密封，所述方法包括: 在所述密封损坏之前测量所述MEMS器件内的内部环境的参数； 用校准解封能量损坏所述密封； 其中，当所述密封损坏时，形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路； 在所述密封损坏之后测量所述内部环境的参数；以及 基于所述测量来校准所述MEMS器件。18.根据权利要求17所述的方法， 其中，所述MEMS器件包括气密密封的第一器件和校准器件；以及所述方法还包括:响应于在第二器件上的密封损坏之前和在第二器件上的密封损坏之后测量所述第二器件的内部环境，来校准所述第一器件。19.根据权利要求17所述的方法，其中测量包括: 测量以下参数组成的组中的至少一个参数:空腔压力、谐振频率、品质因子、电容、电容-电压响应、电容压力响应和电容温度响应。20.根据权利要求17所述的方法，其中测量包括: 在对所述MEMS器件进行晶圆处理之后进行测量。21.根据权利要求17所述的方法，其中测量包括: 在对所述MEMS器件进行晶圆切割之后进行测量。22.根据权利要求17所述的方法，其中测量包括: 在对所述MEMS器件进行封装之后进行测量。23.根据权利要求17所述的方法，其中测量包括: 在将所述MEMS器件最终组装在最终应用中的印刷电路板上之后进行测量。
【专利摘要】一个示例公开了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：具有内部环境的空腔；将所述内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离的密封，其中所述密封易于响应于校准解封能量而被损坏，并且，在所述密封损坏时，形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路；以及，能够在所述密封损坏之前和在所述密封损坏之后测量所述内部环境的校准电路。
【IPC分类】B81C99/00, B81B7/00
【公开号】CN105293422
【申请号】CN201510317079
【发明人】马特吉·戈森斯, 威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林, 皮特·杰勒德·斯蒂内肯, 卡斯珀·范德阿奥斯特, 雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格
【申请人】ams国际有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年6月10日
【公告号】EP2955151A1, US20150362395, WO2015189288A1