1.一种超小间距纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将厚度为1-3mm铝片放入丙酮溶液浸泡5-15min，然后放入浓度为0.5-1.5mol/L的氢氧化钠溶液浸泡5-15min，最后放入酒精浸泡5-15min；
（2）将酒精浸泡之后的铝片放入高氯酸和酒精体积比为15-35%的溶液，利用10-30V的电压电化学抛光2-6min，抛光温度为0-4℃；
（3）将抛光后的铝片放入浓度为0.1-0.3 mol/L的草酸溶液中进行第一次氧化处理，铝片做阳极，铂片做阴极，氧化电压为30-50V，氧化时间为2-8小时，反应温度为4-8℃；
（4）将第一次氧化处理后的铝片放入铬酸、磷酸和蒸馏水的混合溶液中进行刻蚀，混合溶液的温度为45-75℃，刻蚀时间为60-90min；
（5）将刻蚀后的铝片放入质量分数为10%的磷酸溶液中进行第二次氧化处理，铝片做阳极，铂片做阴极，氧化温度为15℃，处理过程分为两个阶段，第一阶段氧化电压为40V，第一阶段氧化时间为3min，第二阶段氧化电压为80V，第二阶段氧化时间为2h；
（6）经过第二次氧化处理后形成多孔氧化铝模板，利用溅射仪在多孔氧化铝模板表面溅射得到超小间距纳米棒阵列，溅射电流为5-100mA，溅射时间为50-300s。
2.根据权利要求1所述的超小间距纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，步骤（4）中混合溶液的铬酸质量分数为1-3%，磷酸质量分数为4-8%。
3.根据权利要求1所述的超小间距纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，步骤（6）中多孔氧化铝模板厚度为200-1000nm，多孔氧化铝模板表面均匀分布纳米柱。
4.根据权利要求1所述的超小间距纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，步骤（6）中溅射仪采用的靶材为金、银、铂或铝靶。
5.根据权利要求1所述的超小间距纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，步骤（6）中超小间距纳米棒阵列的纳米棒大小和高度一致且分布均匀。