传感器。
[0013]实施例3
(O玻碳电极预处理:将玻碳电极依次用0.5 μπι、0.05 μHiAl2O3粉末进行表面抛光，然后用二次蒸馏水超声清洗，再用无水乙醇洗涤数次，用氮气吹干，将电极浸泡在含质量百分浓度为00%的γ-巯丙基三乙氧基硅烷的无水乙醇溶液中，室温浸泡4 h，取出后，用无水乙醇洗涤数次，干燥，得到预处理玻碳电极； (2)纳米金修饰玻碳电极的制备:将预处理玻碳电极放入0.12mol/L氯金酸溶液中，室温下浸泡12h，取出后用去离子水洗涤，再放入质量百分浓度为20%的水合肼溶液中2 h，取出后用去离子水洗涤，自然干燥，即得纳米金修饰玻碳电极；
(3)香豆素分子印迹聚合物的制备:在反应器中，分别加入，12mL的二甲基丙烯酸乙二醇酯，3mL甲基丙烯酸甲酯，80mLN，N-二甲基甲酰胺，2.0g偶氮二异丁酸二甲酯，3.0g香豆素，搅拌溶解，通氮气除氧10 min，氮气氛围，78°C搅拌反应10 h，将得到的产物用乙醇:盐酸体积比为20:1混合溶液萃取5h，除去模板分子，干燥，即得香豆素分子印迹聚合物；
(4)香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法:取适量的香豆素分子印迹聚合物分散于0.5%的明胶溶液中，制得25g/L的香豆素分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液12 μ L滴加到纳米金修饰玻碳电极上，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得香豆素分子印迹电化学传感器。
[0014]实施例4
(O玻碳电极预处理:将玻碳电极依次用0.5 μπι、0.05 μHiAl2O3粉末进行表面抛光，然后用二次蒸馏水超声清洗，再用无水乙醇洗涤数次，用氮气吹干，将电极浸泡在含质量百分浓度为22%的γ-巯丙基三乙氧基硅烷的无水乙醇溶液中，室温浸泡4.5h，取出后，用无水乙醇洗涤数次，干燥，得到预处理玻碳电极；
(2)纳米金修饰玻碳电极的制备:将预处理玻碳电极放入0.12mol/L氯金酸溶液中，室温下浸泡10.5h，取出后用去离子水洗涤，再放入质量百分浓度为20%的水合肼溶液中2 h，取出后用去离子水洗涤，自然干燥，即得纳米金修饰玻碳电极；
(3)香豆素分子印迹聚合物的制备:在反应器中，分别加入，22mL的二甲基丙烯酸乙二醇酯，2.5mL甲基丙稀酸甲酯，70mLN, N- 二甲基甲酰胺，1.5g偶氮二异丁酸二甲酯，4.0g香豆素，搅拌溶解，通氮气除氧10 11^11，氮气氛围，75°(:搅拌反应10.5 h，将得到的产物用乙醇:盐酸体积比为20:1混合溶液萃取3.5 h，除去模板分子，干燥，即得香豆素分子印迹聚合物；
(4)香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法:取适量的香豆素分子印迹聚合物分散于0.5%的明胶溶液中，制得25g/L的香豆素分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液12 μ L滴加到纳米金修饰玻碳电极上，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得香豆素分子印迹电化学传感器。
[0015]实施例5
(O玻碳电极预处理:将玻碳电极依次用0.5 μπι、0.05 μHiAl2O3粉末进行表面抛光，然后用二次蒸馏水超声清洗，再用无水乙醇洗涤数次，用氮气吹干，将电极浸泡在含质量百分浓度为28%的γ-巯丙基三乙氧基硅烷的无水乙醇溶液中，室温浸泡6 h，取出后，用无水乙醇洗涤数次，干燥，得到预处理玻碳电极；
(2)纳米金修饰玻碳电极的制备:将预处理玻碳电极放入0.12mol/L氯金酸溶液中，室温下浸泡11.5h，取出后用去离子水洗涤，再放入质量百分浓度为20%的水合肼溶液中2 h，取出后用去离子水洗涤，自然干燥，即得纳米金修饰玻碳电极；
(3)香豆素分子印迹聚合物的制备:在反应器中，分别加入，15mL的二甲基丙烯酸乙二醇酯，1mL甲基丙稀酸甲酯，69mLN, N-二甲基甲酰胺，2.0g偶氮二异丁酸二甲酯，2.5g香豆素，搅拌溶解，通氮气除氧10 11^11，氮气氛围，80°(:搅拌反应11.5 h，将得到的产物用乙醇:盐酸体积比为20:1混合溶液萃取4.5 h，除去模板分子，干燥，即得香豆素分子印迹聚合物；
(4)香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法:取适量的香豆素分子印迹聚合物分散于0.5%的明胶溶液中，制得25g/L的香豆素分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液12 μ L滴加到纳米金修饰玻碳电极上，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得香豆素分子印迹电化学传感器。
[0016]实施例6
将上述实施例1~5所制备的香豆素分子印迹电化学传感器，用于香豆素的检测，步骤如下:
(1)标准溶液配制:配制一组包括空白标样在内的不同浓度的香豆素标准溶液，底液为pH 6.0的磷酸盐缓冲溶液；
(2)工作曲线绘制:将Ag/AgCl为参比电极，铂丝电极为辅助电极，本发明制备的电极为工作电极组成三电极系统，连接CHI660B电化学工作站，在K3 [Fe (CN) 6]溶液中，采用循环伏安法在-0.30-0.3V电位范围内进行检测，空白标样的响应电流记为/,，含有不同浓度的香豆素标准溶液的响应电流即为I1，响应电流降低的差值为Z I=10-11, Δ /与香豆素标准溶液的质量浓度at间呈线性关系，绘制Z I?^工作曲线；
(3)香豆素的检测:用待测样品代替步骤(I)中的香豆素标准溶液，按照步骤(2)的方法进行检测，根据响应电流降低的差值Z iiP工作曲线，得到待测样品中香豆素的含量；
所述K3 [Fe (CN)6]溶液的浓度为6mmol/L ;
所述pH 6.0的磷酸盐缓冲溶液的浓度在50 mmol/Lo
[0017]香豆素的浓度在5.0X10 8~1.0X10 4mol/L范围内呈良好的线性关系，检测限为4.2X10 smol/L将本发明制备的香豆素分子印迹电化学传感器成功用于药品、生物样品中香豆素的检测中，回收率在95.98-105.1%之间。
【主权项】
1.一种香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征是:在于该方法具有以下工艺步骤: (1)玻碳电极预处理:将玻碳电极依次用0.5 μπι、0.05 μπιΑ1203粉末进行表面抛光，然后用二次蒸馏水超声清洗，再用无水乙醇洗涤数次，用氮气吹干，将电极浸泡在含质量百分浓度为20~30%的γ -巯丙基三乙氧基硅烷的无水乙醇溶液中，室温浸泡4~6 h，取出后，用无水乙醇洗涤数次，干燥，得到预处理玻碳电极； (2)纳米金修饰玻碳电极的制备:将步骤(1)制备的预处理玻碳电极放入0.12mol/L氯金酸溶液中，室温下浸泡10~12h，取出后用去离子水洗涤，再放入质量百分浓度为20%的水合肼溶液中浸泡2 h，取出后用去离子水洗涤，自然干燥，即得纳米金修饰玻碳电极； (3)香豆素分子印迹聚合物的制备:在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基丙烯酸乙二醇酯:12~22%，甲基丙烯酸甲酯:2.5-10%, N，N-二甲基甲酰胺:63~83%，偶氮二异丁酸二甲酯:1.0~2.0%，香豆素:1.0~4.0%，各组分含量之和为百分之百，搅拌溶解，通氮气除氧10 min，氮气氛围，75~80°C搅拌反应10 -12 h，将得到的产物用乙醇与盐酸(体积比为乙醇:盐酸为20:1)混合溶液萃取3~5 h，除去模板分子，干燥，即得香豆素分子印迹聚合物； (4)香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法:取适量的香豆素分子印迹聚合物分散于0.5%的明胶溶液中，制得25g /L的香豆素分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液12 μ L滴加到步骤(2)制备的纳米金修饰玻碳电极上，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得香豆素分子印迹电化学传感器。2.根据权利要求1中所述的一种香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征是:步骤(3)中所述的二甲基丙烯酸乙二醇酯与甲基丙烯酸甲酯摩尔比为2:1。3.根据权利要求1中所述的一种香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征是:步骤(3)中所述的乙醇与盐酸体积比为20:1。4.根据权利要求1中所述的一种香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征是:步骤(3)中所述的氮气氛围为升温后氮气一直通入直到反应结束。5.根据权利要求1中所述的一种香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法所制备的香豆素分子印迹电化学传感器。
【专利摘要】本发明公开了一种香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征是：首先将玻碳电极用硅烷偶联剂和纳米金修饰。在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基丙烯酸乙二醇酯：12~22%，甲基丙烯酸甲酯：2.5~10%，N,N-二甲基甲酰胺：63~83%，偶氮二异丁酸二甲酯：1.0~2.0%，香豆素：1.0~4.0%，搅拌溶解，通氮气除氧10min，氮气氛围，75~80℃搅拌反应10~12h，用乙醇与盐酸混合溶液除去模板分子，干燥，即得香豆素分子印迹聚合物。再将聚合物涂到修饰电极上，制得香豆素分子印迹电化学传感器，该传感器与电化学工作站连接构成能够专一模板分子识别传感器。本发明制得的传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用。
【IPC分类】G01N27/26
【公开号】CN105353007
【申请号】CN201510853016
【发明人】李慧芝, 许崇娟, 张为民
【申请人】济南大学
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年11月30日