1.一种四管电压基准电路，包括第一nmos管(mn1)、第二nmos管(mn2)、第一pmos管(mp1)和第二pmos管(mp2)，其特征在于：
所述第一nmos管(mn1)与第二nmos管(mn2)的漏极连接后接有电源电压vdd；
所述第一nmos管(mn1)的栅极和源极短接，所述第一pmos管(mp1)的源极和衬底短接，所述第二pmos管(mp2)的栅极和漏极短接，且三者短接后连接并作为基准电路的输出电压vctat；
所述第一pmos管(mp1)的栅漏短接并连接第一nmos管(mn1)和第二nmos管(mn2)的衬底，且三者连接后接地；
所述第二nmos管(mn2)的栅源短接，所述第二pmos管(mp2)的源极和衬底短接，且两者短接后连接并作为基准电路的输出基准电压。
2.如权利要求1所述的一种四管电压基准电路，其特征在于：所述第一nmos管(mn1)和第二nmos管(mn2)均为阈值电压≤0.5v的nmos管。
3.如权利要求1所述的一种四管电压基准电路，其特征在于：所述第一pmos管(mp1)和第二pmos管(mp2)均为阈值电压≥0.7v的nmos管。。
4.如权利要求1所述的一种四管电压基准电路，其特征在于：所述第一nmos管(mn1)、第二nmos管(mn2)、第一pmos管(mp1)和第二pmos管(mp2)均工作在压阈值区。
5.如权利要求1所述的一种四管电压基准电路，其特征在于：所述输出电压vctat的公式如下：
其中m1、m2分别是第一nmos管mn1和第一pmos管mp1的亚阈值斜率因子，vt为热电压,μ1、μ2分别是第一nmos管mn1和第一pmos管mp1的电子迁移率；c0x1分别为第一nmos管mn1和第一pmos管mp1的栅氧化电容值；vth1、vth2分别是第一nmos管mn1和第一pmos管mp1的阈值电压；(w/l)n1、(w/l)p1分别是第一nmos管mn1和第一pmos管mp1的宽长比。
6.如权利要求1所述的一种四管电压基准电路，其特征在于：所述输出基准电压vref的公式如下：
其中(w/l)n2、(w/l)p2分别是第二nmos管mn2和第二pmos管mp2的宽长比。
化简得公式如下：