一种阵列基板的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种阵列基板的制备方法。
【背景技术】
[0002] 随着智能电子产品的普及，电容式触控屏被广泛的应用于手机、平板电脑等各种 电子产品中。目前较为多见的电容式触控屏有〇GS(One Glass Solution)、on-cell和 in-cell三种技术。其中，in-cell技术由于其制作工艺上的优势，相比OGS技术和on-cell 技术，具有更加轻薄、透光性更好、结构更加稳定等优点。
[0003] 发明人发现，为了减小寻址电极的阻值，采用in-cell技术的触控屏中，需要对寻 址电极搭配一金属结构。但该金属结构的出现将增加制备阵列基板的工艺复杂程度，降低 阵列基板的良品率。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种阵列基板的制备方法，以解决采用in-cell技术的触 控屏中，阵列基板的制备工艺复杂的技术问题。
[0005] 本发明提供了一种阵列基板的制备方法，该方法包括：
[0006] 依次形成透明导电薄膜和金属薄膜；
[0007] 采用光罩工艺，将所述透明导电薄膜形成寻址电极，同时将所述金属薄膜形成与 所述寻址电极搭配的金属结构，所述光罩工艺为半色调光罩工艺或灰色调光罩工艺。
[0008] 其中，采用光罩工艺，将所述透明导电薄膜形成寻址电极，同时将所述金属薄膜形 成与所述寻址电极搭配的金属结构包括：
[0009] 在所述金属薄膜之上形成预定厚度的光刻胶层；
[0010] 采用半色调光罩或灰色调光罩，对所述光刻胶层进行曝光和显影，所述光刻胶层 形成完全保留区域、部分保留区域以及完全去除区域；
[0011] 通过刻蚀工艺去除所述完全去除区域对应的透明导电薄膜和金属薄膜，形成所述 寻址电极；
[0012] 利用灰化工艺，去除所述部分保留区域的光刻胶；
[0013] 通过刻蚀工艺去除所述部分保留区域对应的金属薄膜并剥离残留的光刻胶，形成 与所述寻址电极搭配的金属结构。
[0014] 其中，通过刻蚀工艺去除完全去除区域对应的透明导电薄膜和金属薄膜，形成寻 址电极包括：
[0015] 通过干刻工艺，去除所述完全去除区域对应的金属薄膜；
[0016] 通过湿刻工艺，去除所述完全去除区域对应的透明导电薄膜，形成寻址电极。
[0017] 其中，所述寻址电极包括驱动电极和感应电极。
[0018] 其中，所述半色调光罩或所述灰色调光罩包括不透光区域、半透光区域和全透光 区域，所述半透光区域的光强透过率为30%?50%。
[0019] 其中，采用溅射或热蒸发的方式沉积形成厚度为100A4000A的透明导电薄膜。
[0020] 其中，所述透明导电薄膜的材质为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟镓锌。
[0021] 其中，采用溅射或热蒸发的方式在所述透明导电薄膜之上沉积厚度为 1000A?6000A的金属薄膜。
[0022] 其中，所述光刻胶层的预定厚度为20000A。
[0023] 其中，所述完全保留区域和所述部分保留区域的厚度比为4:1。
[0024] 本发明带来了以下有益效果：在本发明实施例中，采用半色调光罩工艺或灰色调 光罩工艺，可在同一次光罩工艺中形成寻址电极以及与寻址电极搭配的金属结构。无需经 过两次光罩工艺分别图案化寻址电极和金属结构，有利于降低该阵列基板的制备工艺的复 杂程度，降低该阵列基板的制备工艺的成本，同时提高阵列基板的制成良品率。
[0025] 本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利 要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0026] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的 附图做简单的介绍：
[0027] 图1为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图；
[0028] 图2至图3为本发明实施例中的阵列基板的制备方法的流程图；
[0029] 图4至图11为本发明实施例中的阵列基板的制备过程示意图；
[0030] 图12为本发明实施例中的寻址电极的结构示意图。
[0031] 附图标记说明：
[0032] 1-衬底基板； 2-薄膜晶体管； 21-LTPS;
[0033]22一栅极； 23-栅极绝缘层； 24-源极；
[0034] 25一漏极； 3-第一绝缘层； 4一第二绝缘层；
[0035] 5一第二绝缘层； 6-过孔； 7-像素电极；
[0036] 8-遮光层； 9一公共电极； 10-寻址电极；
[0037] 11-金属结构； 12-透明导电薄膜；13-金属薄膜；
[0038] 14-光罩； 141一不透光区域；142-半透光区域；
[0039] 143-全透光区域； 15-光刻胶层； 151-完全保留区域；
[0040] 152-部分保留区域；16-第一走线； 17-第二走线。
【具体实施方式】
[0041] 以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用 技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明 的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合， 所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0042] 本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法。如图1所示，该阵列基板包括多 个像素单元，每个像素单元中设置有薄膜晶体管2和像素电极7。本发明实施例中的薄膜 晶体管2为采用低温多晶娃（Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)的顶栅型薄膜 晶体管。在该薄膜晶体管2中，LTPS21位于底层，栅极22位于LTPS21之上，且栅极22与 LTPS21之间设置有栅极绝缘层23。栅极22上方设置有第一绝缘层3,源极24和漏极25设 置于第一绝缘层3之上，并且源极24和漏极25通过过孔6与LTPS21连接且保持与栅极22 绝缘。源极24和漏极25之上还设置有第二绝缘层4和第三绝缘层5,像素电极7通过贯穿 第二绝缘层4和第三绝缘层5的过孔6连接至漏极25。
[0043] 为了防止来自背光源的光照射至LTPS21的导电沟道，使得导电沟道在光照情况 下出现光生电流，影响该薄膜晶体管2的性能。如图1所示，可在衬底基板1之上、LTPS21 之下设置有遮光层8,该遮光层8用于为LTPS21遮光。
[0044] 该阵列基板优选采用边缘场开关型（Fringe Field Switching，简称FFS)的驱动 方式。FFS的核心技术特性可简单描述为：通过同一平面内狭缝状像素电极7电极边缘所 产生的电场，使狭缝状电极间以及电极正上方的所有取向液晶分子都能够产生平面旋转， 从而提高了液晶层的透光效率。FFS技术可以提高液晶显示器的画面品质，具有高分辨率、 高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。
[0045] 因此，如图1所示，该阵列基板还设置有公共电极9,公共电极9位于第三绝缘层5 和第二绝缘层4之间，为板状结构。与该公共电极9配合的像素电极7则为具有狭缝的条 状结构。
[0046] 进一步的，为了实现触控功能，公共电极9可作为阵列基板的寻址电极10使用。该 阵列基板在应用中可采用显示与触控分时扫描的驱动方式，具体的：在显示图像时，公共电 极9为相应的像素单元提供公共电压，使公共电极9与像素电极7之间形成电场，并且一个 公共电极9可以对应一个或多个像素单元；在触控扫描时，公共电极9作为寻址电极10,用 于传输触控信号，供位于阵列基板的边缘的处理芯片分析、判断触控信号发生处，使得阵列