行图案化处理以形成多个自容电极。
[0113]在步骤SI中，导电薄膜例如采用透明的金属氧化物材料，例如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌等。
[0114]在步骤S2中，多个自容电极排列成多个电极行和多个电极列，每个自容电极在多个自容电极所在面上的平面形状由主体部和从主体部的第一侧伸出的多个凸出部构成；该多个凸出部都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，第二方向与第一方向相交；在该多个自容电极所在面上，每相邻的两个多个凸出部与主体部之间围成一个凹陷部，该凹陷部中设置有另一自容电极的多个凸出部中的一个。
[0115]例如，上述多个凸出部可以分别为第一凸出部、第二凸出部和第三凸出部；在多个自容电极所在面上，第一凸出部、第二凸出部和主体部围成第一凹陷部，第二凸出部、第三凸出部和主体部围成第二凹陷部。例如，第一凹陷部可以与第一凸出部、第二凸出部和第三凸出部中的一个的形状一致，第二凹陷部可以与第一凸出部、第二凸出部和第三凸出部中的另一个的形状一致。
[0116]或者，例如，上述多个凸出部分别为第一凸出部和第二凸出部；在多个自容电极所在面上，第一凸出部、第二凸出部和主体部围成第一凹陷部。例如，第一凹陷部的形状可以与第一凸出部和第二凸出部中的一个的形状一致。
[0117]关于上述多个凸出部包括三个凸出部或两个凸出部的实施方式，可参考上述实施例一至实施例三中的相关描述，重复之处不再赘述。
[0118]在步骤S2中，图案化处理可以为任意的形成设定图案的工艺。例如，可以采用本领域常用的例如包括曝光、显影和刻蚀步骤的掩膜工艺。
[0119]在步骤S2中，例如，在触控基板上还形成有公共电极的情形中，在对该导电薄膜进行图案化处理的过程中还可以形成公共电极，以节省制作工艺。
[0120]此外，本实施例提供的触控基板的制作方法，例如还可以包括形成多条导线的步骤，在该步骤中，每条导线与一个自容电极电连接。
[0121]本发明的上述实施例详细介绍了触控基板中的自容电极的平面形状包括三个凸出部或两个凸出部的情形。当然，基于本发明的技术构思，还可以使自容电极的平面形状包括四个或更多个凸出部。这些凸出部与主体部围成多个凹陷部，并且这些凸出部中的至少部分分别与这些凹陷部中的至少部分的形状一致。
[0122]以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。
【主权项】
1.一种触控基板，包括排列成多个电极行和多个电极列的多个自容电极，其中， 每个所述自容电极在所述多个自容电极所在面上的平面形状由主体部和从所述主体部的第一侧伸出的多个凸出部构成； 所述多个凸出部都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向与所述第一方向相交； 其中， 在所述多个自容电极所在面上，每个所述自容电极的每相邻的两个所述凸出部与所述主体部之间围成一个凹陷部，所述凹陷部中设置有另一自容电极的多个凸出部中的一个。2.如权利要求1所述的触控基板，其中，所述多个凸出部分别为第一凸出部、第二凸出部和第三凸出部；在所述多个自容电极所在面上，所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述主体部围成第一凹陷部，所述第二凸出部、所述第三凸出部和所述主体部围成第二凹陷部；或者 所述多个凸出部分别为第一凸出部和第二凸出部；在所述多个自容电极所在面上，所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述主体部围成第一凹陷部。3.如权利要求2所述的触控基板，其中，所述多个凸出部分别为所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述第三凸出部，所述第一凹陷部与所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述第三凸出部中的一个的形状一致，所述第二凹陷部与所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述第三凸出部中的另一个的形状一致；或者 所述多个凸出部分别为所述第一凸出部和所述第二凸出部，所述第一凹陷部与所述第一凸出部和所述第二凸出部中的一个的形状一致。4.如权利要求1-3任一项所述的触控基板，其中， 在同一电极行中，每个自容电极在所述多个自容电极所在面上的平面形状包括的凸出部的凸出方向相同。5.如权利要求1-3任一项所述的触控基板，其中， 沿所述电极行的延伸方向，每个所述电极列的宽度等于每个所述自容电极的宽度。6.如权利要求1-3任一项所述的触控基板，其中， 沿所述第二方向，所述多个凸出部中的每个的尺寸都大于Omm且小于或等于5_。7.如权利要求1-3任一项所述的触控基板，其中， 所述主体部具有外侧边，所述外侧边位于所述主体部的第二侧，所述第二侧与所述主体部的所述第一侧相对； 沿所述第一方向，所述凹陷部的底端到所述外侧边的距离大于Omm且小于或等于6mm。8.如权利要求2或3所述的触控基板，其中， 所述主体部具有外侧边，所述外侧边位于所述主体部的第二侧，所述第二侧与所述主体部的所述第一侧相对； 所述多个凸出部分别为所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述第三凸出部； 沿所述第一方向，所述多个凸出部中的一个凸出部的顶端到所述外侧边的距离大于所述多个凸出部中的其余凸出部中的每个的顶端到所述外侧边的距离。9.如权利要求8所述触控基板，其中， 在同一电极行中，每个自容电极通过其包括的所述多个凸出部中的一个与另一个自容电极相邻。10.如权利要求8所述的触控基板，其中， 沿所述第二方向，所述第一凸出部、所述第二凸出部、所述第三凸出部、所述第一凹陷部和所述第二凹陷部的尺寸之和等于所述主体部的尺寸。11.如权利要求8所述的触控基板，其中， 所述第二凸出部的顶端到所述外侧边的距离大于所述第一凸出部和所述第三凸出部中的每个的顶端到所述外侧边的距离； 在所述多个自容电极所在面上，所述第一凹陷部与所述第一凸出部的形状一致，所述第二凹陷部与所述第三凸出部的形状一致。12.如权利要求11所述的触控基板，其中， 每个电极行的延伸方向与所述第一方向相同，每个电极列的延伸方向与所述第二方向相同； 在相邻的三个电极行中，位于中间的电极行中的自容电极的第一凸出部分别位于上一个电极行中的自容电极的第一凹陷部中，并且所述电极行中的自容电极的第三凸出部分别位于下一个电极行中的自容电极的第二凹陷部中。13.如权利要求8所述的触控基板，其中， 所述第一凸出部的顶端到所述外侧边的距离大于所述第二凸出部和所述第三凸出部中的每个的顶端到所述外侧边的距离； 在所述多个自容电极所在面上，所述第一凹陷部与所述第三凸出部的形状一致，所述第二凹陷部与所述第二凸出部的形状一致。14.如权利要求13所述的触控基板，其中， 每个电极行的延伸方向与所述第一方向相同，每个电极列的延伸方向与所述第二方向相同； 在每相邻的两个电极行中，其中一个电极行中的自容电极的第二凸出部分别位于另一个电极行中的自容电极的第二凹陷部中，并且所述电极行中的所述自容电极的第三凸出部分别位于所述另一个电极行中的自容电极的第一凹陷部中。15.如权利要求3所述的触控基板，其中， 所述多个凸出部分别为所述第一凸出部和所述第二凸出部； 在所述多个自容电极所在面上，所述第二凸出部和所述主体部围成第二凹陷部，所述第二凹陷部的形状与所述第一凸出部和所述第二凸出部中的另一个的形状一致。16.一种显示装置，包括如权利要求1-15任一项所述的触控基板。17.一种触控基板的制作方法，包括: 形成导电薄膜； 对所述导电薄膜进行图案化处理以形成排列成多个电极行和多个电极列的多个自容电极，其中，每个所述自容电极在所述多个自容电极所在面上的平面形状由主体部和从所述主体部的同一侧伸出的多个凸出部构成；所述多个凸出部都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向与所述第一方向相交；在所述多个自容电极所在面上，每个所述自容电极的每相邻的两个所述多个凸出部与所述主体部之间围成一个凹陷部，所述凹陷部中设置有另一自容电极的多个凸出部中的一个。
【专利摘要】一种触控基板及其制作方法和显示装置，该触控基板包括多个自容电极，每个自容电极在所述多个自容电极所在面上的平面形状由主体部和从所述主体部的第一侧伸出的多个凸出部构成；所述多个凸出部都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向与所述第一方向相交。在所述多个自容电极所在面上，每个所述自容电极的每相邻的两个所述多个凸出部与所述主体部之间围成一个凹陷部，所述凹陷部中设置有另一自容电极的多个凸出部中的一个。该触控基板可以在保证触控精度的前提下增大自容电极的尺寸，以减少走线数量。
【IPC分类】G06F3/044
【公开号】CN105159510
【申请号】CN201510531652
【发明人】蒲巡, 李红敏
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月26日