技术总结
本发明的一种在衬底形成图案的方法，包括：在衬底上形成光刻胶，所述光刻胶包括氢，所述衬底包括钛；以及对所述衬底进行反应离子刻蚀工艺形成图案，其中所述反应离子刻蚀工艺使用的刻蚀气体为CF4，CF4的流量为5～10sccm，向刻蚀反应腔内施加的线圈功率为250～300w。本发明的方法降低光刻胶和衬底的蚀刻选择比，使光刻胶的厚度变薄，ABS图案的沟槽间距变小，从而提高ABS图案的分辨率并提高磁头的性能。
技术研发人员：尹辉;张军和;金则清
受保护的技术使用者：新科实业有限公司
文档号码：201510262256
技术研发日：2015.05.21
技术公布日：2017.01.04