技术特征：
技术总结
本发明公开了一种存储器阵列结构及其参考电流产生方法，该存储器阵列结构包括：第一存储器区块，用于存储数字信息和在第二存储区块的存储单元读出时产生参考电流；第二存储器区块，用于存储数字信息和在第一存储区块的存储单元读出时产生参考电流；行译码电路，用于在选定所需存储单元时将对应地址转换为对应行的电压；字线切换电路，用于在读出时选择被选中存储单元所在存储区块以外的存储区块的参考存储扇区对应列的参考存储单元；列译码电路，用于在选定所需存储单元时将对应地址转换为对应列的电压，通过本发明，可实现一种既可以跟踪字线等电压的变化，也可避免编程串扰的存储器阵列。
技术研发人员：杨光军
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2017.09.26
技术公布日：2018.01.16