存储器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器件。
【背景技术】
[0002]根据用户的需求对存储器件中的存储单元编程或擦除。当编程或擦除存储单元时，对存储单元的位线和字线施加高压以使存储单元能够存储逻辑数据“O”或“I”。当读取存储单元时，检测存储单元的输出电流或阈值电压以获取存储在存储单元中的逻辑数据。
【发明内容】
[0003]为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括:从存储器件中的矩阵的多个存储单元中选择目标存储单元；通过将选择电压施加至属于所述矩阵的线的所述目标存储单元和第一位置相关的单元，编程或擦除属于所述矩阵的线的所述目标存储单元；以及实施第一刷新操作以刷新所述第一位置相关的存储单元。
[0004]在上述方法中，其中，所述第一刷新操作包括:读取存储在所述第一位置相关的存储单元中的数据；以及将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。
[0005]在上述方法中，其中，所述第一刷新操作包括:确定所述第一位置相关的存储单元的电压电平是否低于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平高于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。
[0006]在上述方法中，其中，所述第一刷新操作还包括:确定所述第一位置相关的存储单元的电流电平是否低于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平高于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。
[0007]在上述方法中，其中，所述第一刷新操作还包括:确定所述第一位置相关的存储单元的电压电平是否高于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平低于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。
[0008]在上述方法中，其中，所述第一刷新操作还包括:确定所述第一位置相关的存储单元的电流电平是否高于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平低于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。
[0009]在上述方法中，还包括:通过实施多个子刷新操作来实施第二刷新操作以刷新保留在所述矩阵的线中的除所述目标存储单元和所述第一位置相关的存储单元之外的所有第二位置相关的存储单元，所述多个子刷新操作的每个包括:读取存储在所述第二位置相关的存储单元的一个中的数据；以及将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。
[0010]在上述方法中，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括:确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电压电平是否低于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平高于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。
[0011]在上述方法中，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括:确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电流电平是否低于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平高于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。
[0012]在上述方法中，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括:确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电压电平是否高于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平低于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。
[0013]在上述方法中，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括:确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电流电平是否高于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平低于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。
[0014]根据本发明的另一方面，还提供了一种系统，包括:选择模块，配置为从存储器件中的布置成矩阵的多个存储单元中选择目标存储单元；处理模块，配置为编程或擦除属于所述矩阵的线的所述目标存储单元，用于编程或擦除所述目标存储单元的操作包括将选择电压施加至属于所述矩阵的线的所述目标存储单元和位置相关的存储单元；以及刷新模块，配置成对所述位置相关的存储单元实施第一刷新操作，所述第一刷新操作包括:读取存储在所述位置相关的存储单元中的数据；和将所述数据重新写入至所述位置相关的存储单
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[0015]在上述系统中，其中，所述刷新模块还配置为实施:确定所述位置相关的存储单元的电压电平是否低于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平高于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述位置相关的存储单元。
[0016]在上述系统中，其中，所述刷新模块还配置为实施:确定所述位置相关的存储单元的电流电平是否低于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平高于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述位置相关的存储单元。
[0017]在上述系统中，其中，所述刷新模块还配置为实施:确定所述位置相关的存储单元的电压电平是否高于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平低于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述位置相关的存储单元。
[0018]在上述系统中，其中，所述刷新模块还配置为实施:确定所述位置相关的存储单元的电流电平是否高于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平低于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述位置相关的存储单元。
[0019]在上述系统中，其中，所述多个存储单元位于多条位线和多条字线的相应交叉点处。
[0020]在上述系统中，其中，通过所述存储器件的所述多条字线的一条电连接所述线中的所述多个存储单元。
[0021]在上述系统中，其中，通过所述存储器件的所述多条位线的一条电连接所述线中的所述多个存储单元。
[0022]根据本发明的又一方面，还提供了一种包括非暂时性计算机可读介质的计算机程序产品，所述介质具有存储在所述介质上的指令，当通过处理器执行所述指令时，所述指令使所述处理器执行以下操作:从存储器件中的矩阵的多个存储单元中选择目标存储单元；通过将选择电压施加至属于所述矩阵的线的所述目标存储单元和第一位置相关的存储单元，编程或擦除属于所述矩阵的线的所述目标存储单元；以及实施第一刷新操作以刷新所述第一位置相关的存储单元。
【附图说明】
[0023]通过参考附图阅读各个实施例的以下详细描述，可以更完全地理解本发明，附图如下:
[0024]图1是根据本发明的一些实施例的示出非易失性存储器件的存储单元阵列的配置的电路图；
[0025]图2是示出利用刷新操作编程和擦除图1中所示的存储单元阵列的存储单元的步骤的流程图；
[0026]图3A至图3C是示出与图1中所示的存储单元阵列的整个存储单元上的单元电流值相对应的位计数分布曲线的示意图；以及
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