以一个BLOCK作为修复单元为例，对修复地址进行递增可以为每一次增加或减少一个BLOCK的地址，相应地对一个BLOCK执行修复操作；也可以为每一次增加或减少两个或更多个BLOCK的地址，相应地对两个或更多个BLOCK逐个地执行修复操作。因此，可以根据实际情况，预先设定修复地址进行递增的规律。通过使修复单元对应的修复地址进行递增，能够使修复地址逐步覆盖非易失性存储器的所有存储空间的地址，从而实现对整个非易失性存储器的修复。
[0050]步骤107、暂停修复过程并记录非易失性存储器的当前的修复地址。
[0051 ] 所述修复过程包括对修复单元的修复校验或修复操作。
[0052]在步骤103或步骤104中，如果非易失性存储器有擦除或编程操作的请求，则执行本步骤，即暂停修复过程并记录非易失性存储器的当前的修复地址。在记录完非易失性存储器的当前的修复地址后，执行步骤108，即处理非易失性存储器的擦除或编程操作的请求。
[0053]在进行记录时，可以将当前的修复地址记录在与非易失性存储器对应设置的寄存器中，也可以记录在与非易失性存储器对应设置的其它存储器中。如果将当前的修复地址记录在非易失存储器中，在记录完当前的修复地址后，非易失性存储器进行擦除操作，很可能将记录的当前的修复地址信息擦除掉，那么接下来的修复操作就要从头开始。
[0054]步骤108、处理非易失性存储器的擦除或编程操作的请求。
[0055]在步骤102中如果非易失性存储器有擦除或编程操作的请求或完成步骤107即记录完非易失性存储器的当前的修复地址，则处理非易失性存储器的擦除或编程操作的请求。处理完非易失性存储器的擦除或编程操作的请求后，再返回到步骤102，即判断非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求。
[0056]步骤109、结束对非易失性存储器的修复操作。
[0057]在步骤105中，如果修复单元对应的修复地址是非易失性存储器的最后一个修复地址，则执行本步骤，即结束对非易失性存储器的修复操作。结束对非易失性存储器的修复操作，表明实现了对整个非易失性存储器的修复。
[0058]本发明实施例提出的非易失性存储器的修复方法，通过在非易失性存储器上电完成后，判断非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求，如果非易失性存储器没有擦除或编程操作的请求，则对非易失性存储器进行修复操作，并通过修复地址递增使得修复操作逐步覆盖整个非易失性存储器的存储空间，能够实现对整个非易失性存储器的修复，从而提高非易失性存储器的数据保持力。
[0059]注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种非易失性存储器的修复方法，其特征在于，包括: 完成对所述非易失性存储器的上电； 判断所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求，如果没有所述擦除或编程操作的请求，则对所述非易失性存储器的修复单元进行修复校验同时监测所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求； 如果没有所述擦除或编程操作的请求并且所述修复单元没有通过所述修复校验，则对所述修复单元进行修复操作同时监测所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求； 如果没有所述擦除或编程操作的请求并且所述修复单元通过所述修复校验或如果没有所述擦除或编程操作的请求并且完成所述修复操作，则判断所述修复单元对应的修复地址是否是所述非易失性存储器的最后一个修复地址； 如果是所述最后一个修复地址，则结束对所述非易失性存储器的修复操作，否则递增所述修复单元对应的修复地址并且返回到对所述非易失性存储器的修复单元进行修复校验同时监测所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，在判断所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求之后，还包括: 如果有所述擦除或编程操作的请求，则处理所述擦除或编程操作的请求并且返回到判断所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，在对所述非易失性存储器的修复单元进行修复校验并同时监测所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求之后和在对所述修复单元进行修复操作同时监测所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求之后，均还包括: 如果所述非易失性存储器有擦除或编程操作的请求，则暂停所述修复校验并记录所述非易失性存储器的当前的修复地址； 记录完所述当前的修复地址后，处理所述擦除或编程操作的请求。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，对所述修复单元进行修复校验的方式为将所述修复单元的阈值电压与所述修复校验的基准电压进行比较。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，所述修复校验的基准电压包括读电压和校验电压，其中，所述读电压小于所述校验电压。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，在进行所述修复校验时，先进行所述读电压的修复校验，再进行所述校验电压的修复校验。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复单元的阈值电压大于读电压且小于校验电压时，所述修复单元没有通过所述修复校验。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复单元的阈值电压大于读电压且大于校验电压时，所述修复单元通过所述修复校验。
9.根据权利要求6所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复单元的阈值电压小于校验电压且小于读电压时，所述修复单元通过所述修复校验。
【专利摘要】本发明公开了一种非易失性存储器的修复方法，包括：完成对非易失性存储器的上电；判断非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求，如果没有，则对非易失性存储器的修复单元进行修复校验同时监测是否有擦除或编程操作的请求；如果没有请求且没有通过修复校验，则对修复单元进行修复操作同时监测是否有擦除或编程操作的请求；如果没有请求且通过修复校验或完成修复操作，则判断修复单元对应的修复地址是否是最后一个修复地址；如果是最后一个修复地址，则结束修复操作，否则递增修复单元对应的修复地址并返回到对修复单元进行修复校验同时监测是否有擦除或编程操作的请求。本发明能够实现对整个非易失性存储器的修复，从而提高了其数据保持力。
【IPC分类】G11C29-44
【公开号】CN104681097
【申请号】CN201310616204
【发明人】薛子恒, 潘荣华
【申请人】北京兆易创新科技股份有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年11月27日