一种非易失性存储器的编程方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及非易失性存储器技术领域，具体涉及一种非易失性存储器的编程方法。
【背景技术】
[0002]非易失性存储器，又称为非挥发性存储器，简单地说，就是在断电情况下能够保持所存储的数据的存储器。随着非易失性存储器的相关技术的发展，非易失性存储器的应用越来越广泛。
[0003]非易失性存储器在擦除操作的过程中非正常停止，例如非易失性存储器所在芯片系统突然掉电、系统复位或者用户可以发送暂停指令来暂停擦除操作，这些原因都有可能造成擦除区域的单元过擦除，并且过擦除会对擦除区域所在的物理存储块(BLOCK)提供漏电流。如果对擦除区域所在的物理存储块进行编程操作，由于非易失性存储器的同一个物理存储块的单元的位线是贯通的，这样过擦除产生的漏电流会对编程过程产生影响，导致编程不成功或者发生编程错误。
[0004]现有技术中，在编程指令译码成功后，直接进行编程校验和编程操作，这样很可能会由于过擦除产生的漏电流导致编程不成功或编程错误，从而影响编程过程的正确性和稳定性。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供一种非易失性存储器的编程方法，解决了现有技术中由于过擦除产生的漏电流导致编程不成功或编程错误而影响编程过程的正确性和稳定性的技术问题。
[0006]本发明实施例提供了一种非易失性存储器的编程方法，包括:
[0007]对所述非易失性存储器的预编程区域的编程指令进行译码；
[0008]对所述预编程区域所在的物理存储块进行过擦除校验和过擦除修复操作；
[0009]对所述预编程区域进行编程校验和编程操作。
[0010]进一步地，对所述预编程区域所在的物理存储块进行过擦除校验和过擦除修复操作，具体为:
[0011]对所述物理存储块的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验，如果没有通过所述过擦除校验，则对所述修复单元进行过擦除修复操作并返回到对所述物理存储块的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验；
[0012]如果通过所述过擦除校验，则判断所述修复单元对应的修复地址是否是所述物理存储块的最后一个修复地址；
[0013]如果是所述最后一个修复地址，则结束对所述物理存储块的过擦除修复操作；
[0014]如果不是所述最后一个修复地址，则递增或者递减所述修复单元对应的修复地址并返回到对所述物理存储块的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验。
[0015]进一步地，所述过擦除校验的基准电压为O伏。
[0016]进一步地，所述过擦除校验的方法为将所述修复单元的阈值电压与所述过擦除校验的基准电压进行比较；
[0017]当所述修复单元的阈值电压大于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元通过所述过擦除校验；
[0018]当所述修复单元的阈值电压小于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元没有通过所述过擦除校验。
[0019]进一步地，对所述预编程区域进行编程校验和编程操作，具体为:
[0020]对所述预编程区域的预编程单元进行编程校验并判断是否通过所述编程校验，如果没有通过所述编程校验，则对所述预编程单元进行编程操作并返回到对所述预编程区域的预编程单元进行编程校验并判断是否通过所述编程校验；
[0021]如果通过所述编程校验，则判断所述预编程单元对应的编程地址是否是所述预编程区域的最后一个编程地址；
[0022]如果是所述最后一个编程地址，则结束对所述预编程区域的编程操作；
[0023]如果不是所述最后一个编程地址，则递增或者递减所述预编程单元对应的编程地址并返回到对所述预编程区域的预编程单元进行编程校验并判断是否通过所述编程校验。
[0024]进一步地，所述编程校验的基准电压为编程单元的阈值电压。
[0025]进一步地，所述编程校验的方法为将所述预编程区域的预编程单元的阈值电压与所述编程校验的基准电压进行比较；
[0026]当所述预编程区域的预编程单元的阈值电压大于所述编程校验的基准电压时，所述预编程单元通过所述编程校验；
[0027]当所述预编程区域的预编程单元的阈值电压小于所述编程校验的基准电压时，所述预编程单元没有通过所述编程校验。
[0028]本发明实施例提出的非易失性存储器的编程方法，通过在预编程区域的编程指令成功译码后，加入对预编程区域所在的物理存储块的过擦除校验和过擦除修复操作，并且在对物理存储块的过擦除修复操作结束后再对预编程区域进行编程校验和编程操作，这样能够消除由于过擦除产生的漏电流对编程过程的影响，从而保证了编程过程的正确性和稳定性。
【附图说明】
[0029]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0030]图1是根据本发明实施例的非易失性存储器的编程方法的流程图；
[0031]图2是图1中对预编程区域所在的物理存储块进行过擦除校验和过擦除修复操作的流程图；
[0032]图3是根据本发明实施例的擦除区域的阈值电压的分布图；
[0033]图4是图1中对预编程区域进行编程校验和编程操作的流程图；
[0034]图5是根据本发明实施例的预编程单元与编程单元的阈值电压分布图。
【具体实施方式】
[0035]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0036]在图1-5中示出了本发明的实施例。
[0037]本发明实施例提供了一种非易失性存储器的编程方法。图1是根据本发明实施例的非易失性存储器的编程方法的流程图。如图1所示，所述非易失性存储器的编程方法包括:
[0038]步骤S11、对非易失性存储器的预编程区域的编程指令进行译码。
[0039]所述预编程区域为编程指令中需要编程的区域，并且关于该预编程区域的相关信息例如预编程区域的大小、地址等也包含在编程指令里。对该编程指令进行译码且成功后，就可以对预编程区域进行编程校验和编程操作。
[0040]步骤S12、对预编程区域所在的物理存储块进行过擦除校验和过擦除修复操作。
[0041]在执行完步骤Sll之后，就可以对预编程区域进行编程校验和编程操作。但是，在进行对预编程区域进行编程校验和编程操作之前，需要执行本步骤。这是因为在预编程区域所在的物理存储块，有可能存在由于擦除操作没有正常结束而产生的过擦除，并且由过擦除产生的漏电流对后续的编程过程会产生影响，所以为了防止过擦除对编程过程的影响，需要在编程过程之前执行本步骤。
[0042]图2是图1中对预编程区域所在的物理存储块进行过擦除校验和过擦除修复操作的流程图。可选地，参见图2，对预编程区域所在的物理存储块进行过擦除校验和过擦除修复操作，具体为:
[0043]步骤S121、对物理存