“低”电平。在一个实施例中，模式信号IDLE可以被使能至掉电模式，并且可以降低功耗。在一个实施例中，模式信号IDLE可以被使能成半导体器件4的其它操作模式。
[0043]温度传感器42可以产生包括关于半导体器件4内部温度的信息的温度码信号TC0DE〈1:N>。温度码信号TC0DE〈1:N>可以具有与内部温度的不同范围相对应的不同逻辑电平组合。例如，如果内部温度低于0摄氏度，则温度码信号TC0DE〈1:2>可以具有“00”的逻辑电平组合；如果内部温度在0摄氏度至45摄氏度的范围内，则温度码信号TC0DE〈1: 2>可以具有“01”的逻辑电平组合；如果内部温度在45摄氏度至90摄氏度的范围内，则温度码信号TC0DE〈1:2>可以具有“10”的逻辑电平组合；以及如果内部温度在90摄氏度之上，则温度码信号TC0DE〈1:2>可以具有“11”的逻辑电平组合。如果温度码信号TC0DE〈1:2>具有“01”的逻辑电平组合，则温度码信号TC0DE〈1>可以具有逻辑“高(1) ”电平，并且温度码信号TC0DE〈2>可以具有逻辑“低(0)”电平。如果温度码信号TC0DE〈1:N>具有“10”的逻辑电平组合，则温度码信号TC0DE〈1>可以具有逻辑“低(0) ”电平，并且温度码信号TC0DE〈2>可以具有逻辑“高(1)”电平。在不同的实施例中温度码信号TC0DE〈1:N>的比特的数目“N”和与内部温度的不同范围相对应的温度码信号TC0DE〈1:N>的逻辑电平组合可以变化。
[0044]温度信号发生器43可以响应于模式信号IDLE和温度码信号TC0DE〈1:N>来产生温度信号TS。温度信号TS可以基于预定温度设定来改变逻辑电平。例如，温度信号TS可以在内部温度高于45摄氏度时具有逻辑“高”电平，而可以在内部温度低于45摄氏度时具有逻辑“低”电平。温度信号发生器43可以在模式信号IDLE使能时基于温度码信号TC0DE<1:N>产生温度信号TS。温度信号发生器43可以在模式信号IDLE禁止时锁存温度信号TS。
[0045]功率控制信号发生器44可以根据温度信号TS产生第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN。功率控制信号发生器44可以根据温度信号TS产生第三功率控制信号SAP3以作为使能的信号。更具体地，功率控制信号发生器44可以在内部温度相对高于预定温度时，基于具有逻辑“高”电平的温度信号TS，在预定时段期间产生第三功率控制信号SAP3以作为使能的信号。功率控制信号发生器44可以在内部温度相对低于预定温度时，基于具有逻辑“低”电平的温度锁存信号TS_LAT产生第三功率控制信号SAP3以作为禁止的信号。在一个实施例中，功率控制信号发生器44可以配置成根据半导体器件4内部温度的变化将第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2和第四功率控制信号SAN中的一个使能。在一个实施例中，功率控制信号发生器44可以配置成根据半导体器件4内部温度的变化将第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN中的至少两个信号使能。
[0046]S/A电路45可以响应于第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN来感测和放大选中的位线(未示出)与选中的互补位线(未示出)之间的电压电平差。供应至S/A电路45的第三功率控制信号SAP3可以在内部温度相对高于预定温度时使能，而在内部温度相对低于预定温度时禁止。
[0047]图8中所示的半导体系统可以根据内部温度将第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。不同于图1中所示的半导体系统，图8中所示的半导体系统可以利用温度码信号TC0DE〈1:N>控制第三功率控制信号SAP3的驱动。
[0048]在一个实施例中，半导体系统可以根据半导体器件4的内部温度将供应至S/A电路45的第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。半导体系统的一个实施例可以在半导体器件4的内部温度相对高于预定温度时将第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。在一个实施例中，半导体系统可以在半导体器件4的内部温度相对低于预定温度时不把第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。这可以导致功耗降低。由于半导体器件4的内部温度降低所以存储单元的数据保持时间可以得以增力口。当半导体器件4的内部温度相对低于预定温度时，S/A电路45可以在没有过驱动操作的情况下感测和放大位线BL与互补位线BLB之间的电压差。温度锁存信号TS_LAT可以在激活操作未应用到半导体器件4中的所有存储体(未示出)时更新。由于在S/A电路45的执行期间不更新温度锁存信号TS_LAT，所以可以减少故障。
[0049]如图9中所示，半导体系统的一个实施例可以包括控制器5和半导体器件6。半导体器件6可以包括:模式信号发生器61、温度信号锁存单兀62、功率控制信号发生器63和感测放大器(S/A)电路64。
[0050]控制器5可以产生命令信号CMD、地址信号ADD和温度信号TS。控制器5可以将产生的命令信号CMD、地址信号ADD和温度信号TS传送至半导体器件6。命令信号CMD和地址信号ADD可以经由公共传输线(未示出)或者经由相应的传输线(未示出)传送至半导体器件6。控制器5可以包括温度信号发生器51。温度信号发生器51可以基于内部温度产生具有电平的温度信号TS。温度信号TS可以基于预定的内部温度值改变逻辑电平。例如，温度信号TS可以在内部温度高于45摄氏度时具有逻辑“高”电平，而在内部温度低于45摄氏度时具有逻辑“低”电平。
[0051]模式信号发生器61可以接收命令信号CMD和地址信号ADD以作为输入，并且在响应中产生模式信号IDLE。模式信号IDLE可以在激活操作未被应用到半导体器件6中的所有存储体(未示出)时使能。在一个实施例中，使能的模式信号IDLE的逻辑电平可以具有逻辑“高”电平。在一个实施例中，使能的模式信号IDLE的逻辑电平可以具有逻辑“低”电平。在一个实施例中，模式信号IDLE可以被使能至掉电模式，并且可以降低功耗。在一个实施例中，模式信号IDLE可以被使能至半导体器件6的其它操作模式。
[0052]温度信号锁存单兀62可以响应于模式信号IDLE和温度信号TS来产生温度锁存信号TS_LAT。温度信号锁存单元62可以在模式信号IDLE使能时缓冲温度信号TS以产生温度锁存信号TS_LAT，并且可以在模式信号IDLE禁止时锁存温度锁存信号TS_LAT。
[0053]功率控制信号发生器63可以根据温度锁存信号TS_LAT产生第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN。功率控制信号发生器63可以产生根据温度锁存信号TS_LAT被使能的第三功率控制信号SAP3。更具体地，当内部温度相对高于预定温度时，功率控制信号发生器63可以响应于具有逻辑“高”电平的温度锁存信号TS_LAT在预定时段期间产生第三功率控制信号SAP3以作为使能的信号。当内部温度相对低于预定的温度时，功率控制信号发生器63可以响应于具有逻辑“低”电平的温度锁存信号TS_LAT来产生第三功率控制信号SAP3以作为禁止的信号。在一个实施例中，功率控制信号发生器63可以配置成基于内部温度的变化将第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2和第四功率控制信号SAN中的一个使能。在一个实施例中，功率控制信号发生器63可以配置成基于内部温度的变化将第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN中的至少两个使能。
[0054]S/A电路64可以响应于第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN来感测和放大选中的位线(未示出)与选中的互补位线(未示出)之间的电压电平差。供应至S/A电路64的第三功率控制信号SAP3可以在内部温度相对高于预定温度时使能，而在内部温度相对低于预定温度时禁止。
[0055]图9中所示的半导体系统可以根据内部温度将第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。不同于图1中所示的半导体系统，产生温度信号TS的温度信号发生器51可以是控制器5的部件。
[0056]在一个实施例中，半导体系统可以根据半导体器件6的内部温度将供应至S/A电路64的第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。当半导体器件6的内部温度相对高于预定温度时，半导体系统的一个实施例可以将第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。在一个实施例中，半导体系统可以在半导体器件6的内部温度相对低于预定温度时不将第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。这可以导致功耗降低。由于半导体器件6的内部温度降低所以存储单元的数据保持时间可以得以增加。当半导体器件6的内部温度相对低于预定温