度时，S/A电路64可以在没有过驱动操作的情况下感测和放大位线BL和互补位线BLB之间的电压差。温度信号TS可以在激活操作未应用到半导体器件6中的所有存储体(未示出)时更新。在S/A电路64的执行期间，由于不更新温度信号TS，所以可以减少故障。
[0057]如图10中所示，半导体系统的实施例可以包括控制器7和半导体器件8。半导体器件8可以包括:模式信号发生器81、温度信号发生器82、功率控制信号发生器83和感测放大器(S/A)电路84。
[0058]控制器7可以产生命令信号CMD、地址信号ADD和温度码信号TC0DE〈1:N>。控制器7可以将产生的命令信号CMD、地址信号ADD和温度码信号TC0DE〈1:N>传送至半导体器件8。命令信号CMD和地址信号ADD可以经由公共传输线(未示出)或相应的传输线(未示出)传送至半导体器件8。控制器7可以包括温度传感器71。温度传感器71可以产生包括关于内部温度的信息的温度码信号TC0DE〈1:N>。温度码信号TC0DE〈1:N>可以具有与内部温度的多个不同范围中的一个范围相对应的逻辑电平组合。例如，如果内部温度低于0摄氏度则温度码信号TC0DE〈1:2>可以具有“00”的逻辑电平组合；如果内部温度在0摄氏度至45摄氏度的范围内则温度码信号TC0DE〈1:2>可以具有“01”的逻辑电平组合；如果内部温度在45摄氏度至90摄氏度的范围内则温度码信号TC0DE〈1:2>可以具有“10”的逻辑电平组合；以及如果内部温度大于90摄氏度则温度码信号TC0DE〈1:2>可以具有“11”的逻辑电平组合。如果温度码信号TC0DE〈1:2>具有“01”的逻辑电平组合，则温度码信号TC0DE〈1>可以具有逻辑“高(1)”电平，并且温度码信号TC0DE〈2>可以具有逻辑“低(0)”电平。如果温度码信号TC0DE〈1:2>具有“10”的逻辑电平组合，则温度码信号TC0DE〈1>可以具有逻辑“低(0) ”电平，并且温度码信号TCODE〈2>可以具有逻辑“高(1) ”电平。在不同的实施例中温度码信号TCODE〈l:N>的比特的数目“N”和与内部温度的各种范围相对应的温度码信号TCODE〈l:N>逻辑电平组合可以变化。
[0059]模式信号发生器81可以接收命令信号CMD和地址信号ADD以作为输入，并且在响应中产生模式信号IDLE。模式信号IDLE可以在激活操作未应用于半导体器件8中的所有存储体(未示出)时使能。在一个实施例中，使能的模式信号IDLE的逻辑电平可以具有逻辑“高”电平。在一个实施例中，使能的模式信号IDLE的逻辑电平可以具有逻辑“低”电平。在一个实施例中，模式信号IDLE可以被使能至掉电模式。这可以降低功耗。在其它实施例中，模式信号IDLE可以被使能至半导体器件8的不同操作模式。
[0060]温度信号发生器82可以响应于模式信号IDLE和温度码信号TC0DE〈1:N>来产生温度信号TS。温度信号TS可以基于预定的内部温度改变逻辑电平。例如，温度信号TS可以在内部温度高于45摄氏度时具有逻辑“高”电平，而在内部温度低于45摄氏度时具有逻辑“低”电平。温度信号发生器82可以在模式信号IDLE使能时根据温度码信号TC0DE〈1:N>产生温度信号TS，而在模式信号IDLE禁止时锁存温度信号TS。
[0061]功率控制信号发生器83可以根据温度信号TS产生第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN。功率控制信号发生器83可以产生根据温度信号TS被使能的第三功率控制信号SAP3。更具体地，功率控制信号发生器83可以在内部温度相对高于预定温度时，基于具有逻辑“高”电平的温度信号TS在预定时段期间产生第三功率控制信号SAP3以作为使能的信号。功率控制信号发生器83可以在内部温度相对低于预定温度时，基于具有逻辑“低”电平的温度锁存信号TS_LAT产生第三功率控制信号SAP3以作为禁止的信号。在一个实施例中，功率控制信号发生器83可以配置成根据半导体器件8内部温度的变化将第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN中的一个使能。在一个实施例中，功率信号发生器83可以配置成根据半导体器件8内部温度的变化将第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN中的至少两个信号使能。
[0062]S/A电路84可以响应于第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN来感测和放大选中的位线(未示出)与选中的互补位线(未示出)之间的电压电平差。供应至S/A电路84的第三功率控制信号SAP3可以在内部温度相对高于预定温度时使能，而在内部温度相对低于预定温度时禁止。
[0063]图10中所示的半导体系统可以根据内部温度将第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。不同于图1中所示的半导体系统，图10中所示的半导体系统可以利用温度码信号TC0DE〈1:N>控制第三功率控制信号SAP3的驱动，并且图10中所示的温度传感器71可以包括在控制器7中。
[0064]在一个实施例中，半导体系统可以根据半导体器件8的内部温度将供应至S/A电路84的第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。半导体系统的一个实施例可以在半导体器件8的内部温度相对高于预定温度时将第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。半导体系统的一个实施例可以在半导体器件8的内部温度相对低于预定温度时，不将第一功率信号RT0驱动至第三驱动电压VDD2。这可导致功耗降低。由于半导体器件8的内部温度降低所以存储单元的数据保持时间可以得以增加。当半导体器件8的内部温度相对低于预定温度时，S/A电路84可以在没有过驱动操作的情况下感测和放大位线BL与互补位线BL之间的电压差。温度信号TS可以在激活操作未应用到半导体器件8中的所有存储体(未示出)时更新。由于在S/A电路84的执行期间不更新温度信号TS，所以可以减少故障。
[0065]尽管上面已经描述了某些实施例，但是对于本领域技术人员而言将理解的是，描述的实施例仅仅是举例说明。因此，不应当基于所描述的实施例来限制本文中所描述的半导体器件和包括半导体器件的半导体系统。确切地说，本文中所描述的半导体器件和包括半导体器件的半导体系统应当在结合以上描述和附图时根据所附权利要求来限制。
[0066]通过本发明的实施例可以看出，本发明提供了下面技术方案:
[0067]技术方案1.一种半导体器件，包括:
[0068]功率控制信号发生器，其适于响应于温度锁存信号来产生被使能的第一功率控制信号，所述温度锁存信号在预定模式下响应于对温度信号进行锁存来产生；以及
[0069]感测放大器电路，其适于响应于所述第一功率控制信号来产生具有第一驱动电压的第一功率信号，以及适于利用所述第一功率信号作为电源电压来感测和放大位线的电压电平。
[0070]技术方案2.如技术方案1所述的半导体器件，其中，激活操作在所述预定模式下未被应用到到所有存储体。
[0071]技术方案3.如技术方案1所述的半导体器件，其中，所述温度信号的电平在内部温度相对高于预定温度时改变。
[0072]技术方案4.如技术方案3所述的半导体器件，其中，所述第一功率控制信号在所述温度信号处于第一逻辑电平时使能，而在所述温度信号处于第二逻辑电平时禁止。
[0073]技术方案5.如技术方案1所述的半导体器件，还包括:
[0074]存储体激活信号发生器，其适于响应于命令信号和地址信号来产生存储体激活信号；以及
[0075]信号合成器，其适于响应于所述存储体激活信号来在所述预定模式下产生使能的模式信号。
[0076]技术方案6.如技术方案1所述的半导体器件，
[0077]其中，所述感测放大器电路适于在通过字线选择存储单元之后的第一时段期间，响应于第二功率控制信号来产生具有第二驱动电压的第一功率信号；
[0078]其中，所述感测放大器电路适于在所述第一时段结束之后的第二时段期间，响应于第三功率控制信号来产生具有第三驱动电压的第一功率信号；以及
[0079]其中，所述感测放大器电路适于在所述第二时段结束之后的第三时段期间，响应于所述第一功率控制信号来产生具有所述第一驱动电压的第一功率信号。
[0080]技术方案7.如技术方案6所述的半导体器件，其中，所述第一驱动电压相对高于所述第二驱动电压，而所述第二驱动电压相对高于所述第三驱动电压。
[0081]技术方案8.—种半导体器件,包括:
[0082]模式信号发生器，其适于在预定模式下响应于命令信号和地址信号来产生使能的模式信号；以及
[0083]温度信号发生器，其适于响应于所述模式信号来基于温度