存储器件的制作方法
【专利说明】存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2014年7月22日提交的申请号为10-2014-0092653的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003]本发明的示例性实施例涉及存储器件。
【背景技术】
[0004]随着存储器的集成度增加，存储器中的字线之间的间隔减小。字线之间的间隔的变窄增加了相邻字线之间的耦合效应。
[0005]每当数据输入至存储器单元/从存储器单元输出时，字线在激活状态和非激活状态之间切换。然而，如上所述随着相邻字线之间的耦合效应增加，与相邻于频繁激活字线设置的字线耦接的存储器单元的数据可能损坏或丢失。这种现象被称作为字线干扰。字线干扰可能在存储器单元被刷新之前损坏存储器单元的数据。
[0006]图1说明存储器中包括的单元阵列的一部分，且描述字线干扰效应。附图描述字线干扰现象。
[0007]在图1中，附图标记‘WLK’表示频繁激活字线，附图标记‘WLK-1 ’和‘WLK+1 ’表示与频繁激活字线WLK相邻设置的字线。另外，附图标记‘CELLJT表示与频繁激活字线WLK耦接的存储器单元，附图标记‘CELL_K-1’表示与字线WLK-1耦接的存储器单元。附图标记‘CELL_K+1’表示与字线WLK+1耦接的存储器单元。存储器单元CELL_K、CELL_K_1和CELL_K+1分别包括单元晶体管TR_K、TR_K-1和TR_K+1和单元电容器CAP_K、CAP_K_1和CAP_K+1。
[0008]在图1中，当频繁激活字线WLK被激活或去激活时，字线WLK-1和字线WLK+1的电压由于字线WLK与字线WLK-1和WLK+1之间出现的耦合效应而上升或下降，影响了储存在单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷量。因此，当字线WLK被频繁激活且因此字线WLK在激活状态和非激活状态之间切换时，储存在存储器单元CELL_K-1和CELL_K+1包括的单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷量的变化增大，从而劣化了存储器单元CELL_K-1和CELL_K+1的数据。
[0009]另外，字线WLK在激活状态和非激活状态之间切换时产生的电磁波引起电子进入或离开与相邻字线WLK-1和WLK+1耦接的存储器单元的单元电容器的运动，从而损坏存储器单元的数据。
[0010]将特定字线(例如，字线WLK)被重复激活多于预定次数、因而与相邻字线(例如，字线WLK-1和WLK+1)耦接的存储器单元的数据受到频繁激活字线WLK影响的现象称为“行击效应(row hammer effect)”。用于解决行击效应的方法是，对与频繁激活字线WLK相邻设置的相邻字线WLK-1和WLK+1执行激活操作的方法。通过对相邻字线WLK-1和WLK+1执行激活操作，与相邻字线WLK-1和WLK+1耦接的存储器单元的数据被再次编程，防止了数据被损坏。然而，这种用于解决行击效应的方法可能不能应用至冗余字线，这将在以下参照图2描述。
[0011]图2说明字线WL0至WL511和冗余字线RWL0至RWL7。图2示出了用冗余字线RWL2替代字线WL3的情况。
[0012]当如在图2中所示用冗余字线RWL2替代字线WL3、且字线WL3被重复访问多于预定次数时，实际上是冗余字线RWL2被激活多于预定次数。在这种情况下，激活与字线WL3相邻设置的相邻字线WL2和WL4对防止行击效应不起作用。这是因为，不是与字线WL2和WL4耦接的存储器单元由于对字线WL3的频繁访问而可能丢失其数据，而是与冗余字线RWL1和RWL3耦接的存储器单元由于对字线WL3的频繁访问而可能丢失其数据。
【发明内容】
[0013]本发明的实施例针对防止冗余区域中的行击效应的多种技术。
[0014]根据本发明的一个实施例，一种存储器件包括:多个冗余字线，其中每个与多个冗余存储器单元耦接；以及冗余刷新电路，适于顺序地刷新所述多个冗余字线之中的被选中作为用于额外的刷新操作的目标字线的第一冗余字线。
[0015]所述第一冗余字线可以基于所述多个冗余字线之中的用于修复操作的第二冗余字线的数量而被选中作为所述目标字线。
[0016]所述多个冗余字线之中的用于修复操作的冗余字线可以被包括在所述第一冗余字线中。
[0017]在所述存储器件中，在偶数编号的冗余字线全部用于修复操作之后，奇数编号的冗余字线可以用于修复操作。
[0018]所述第一冗余字线可以基于所述奇数编号的冗余字线之中的用于所述修复操作的第三冗余字线的数量而被选中作为所述目标字线。
[0019]当所述奇数编号的冗余字线之中没有字线用于所述修复操作时，没有目标字线用于所述额外的刷新操作。
[0020]在所述存储器件中，在奇数编号的冗余字线全部用于所述修复操作之后，偶数编号的冗余字线可以用于修复操作。
[0021]所述第一冗余字线可以基于用于修复操作的第四冗余字线的数量而被选中作为所述目标字线。
[0022]当所述偶数编号的冗余字线之中没有字线用于所述修复操作时，没有目标字线用于所述额外的刷新操作。
[0023]根据本发明的另一个实施例，一种存储器件包括:多个正常字线，其中每个与多个正常存储器单元耦接；多个冗余字线，其中每个与多个冗余存储器单元耦接；正常刷新电路，适于当刷新信号被使能时，顺序地刷新所述多个正常字线之中的未修复的正常字线和所述多个冗余字线之中的用于修复操作的第一冗余字线；以及冗余刷新电路，适于当冗余刷新信号被使能时，顺序地刷新所述多个冗余字线之中的被选中作为额外的刷新操作的目标字线的第二冗余字线。
[0024]每当所述刷新信号被使能预定次数时，所述冗余刷新信号可以被使能。
[0025]所述冗余刷新电路可以包括:计数单元，适于在每当所述冗余刷新信号被使能时增加码的值；刷新使能信号发生单元，适于通过对所述码进行译码来产生对应于所述多个冗余字线的多个刷新使能信号；以及初始化单元，适于当所述码的值达到设置值时初始化所述码，其中，所述设置值基于所述第二冗余字线的数量来确定。
[0026]所述第二冗余字线可以基于所述第一冗余字线的数量而被选中作为所述目标字线。
[0027]所述第一冗余字线可以被包括在所述第二冗余字线中。
[0028]在所述存储器件中，在偶数编号的冗余字线全部用于修复操作之后，奇数编号的冗余字线可以用于修复操作。
[0029]所述第二冗余字线可以基于用于所述修复操作的第三冗余字线的数量而被选中作为所述目标字线。
[0030]当所述奇数编号的冗余字线之中没有字线用于修复操作时，可以没有目标字线用于所述额外的刷新操作。
[0031]在所述存储器件中，在奇数编号的冗余字线全部用于所述修复操作之后，偶数编号的冗余字线可以用于所述修复操作。
[0032]所述第二冗余字线可以基于用于所述修复操作的第四冗余字线的数量而被选中作为所述目标字线。
[0033]当所述偶数编号的冗余字线之中没有字线用于所述修复操作时，可以没有目标字线用于所述额外的刷新操作。
[0034]根据本发明的另一个实施例，一种存储器件包括:多个冗余字线，适于修复多个正常字线；正常刷新电路，适于针对刷新操作而顺序地刷新所述多个冗余字线之中的用于修复所述多个正常字线的第一冗余字线；以及冗余刷新电路，适于针对当所述刷新操作被执行了预定次数时执行一次的额外的刷新操作，顺序地刷新所述第一冗余字线之中的被选中作为目标字线的第二冗余字线。
[0035]所述第二冗余字线可以基于所述第一冗余字线的数量而被选中作为所述目标字线。
【附图说明】
[0036]图1说明存储器中包括的单元阵列的一部分且描述字线干扰效应。
[0037]图2说明字线WL0至WL511和冗余字线RWL0至RWL7。
[0038]图3是说明根据本发明的一个实施例的存储器件的框图。
[0039]图4说明在冗余刷新信号发生器350中产生的冗余刷新信号R_REF。
[0040]图5是说明根据本发明的另一个实施例的存储器件的框图。
[0041]图6是说明图5中所示的冗余行电路320的框图。
[0042]图7是说明图5中所示的冗余刷新电路540的框图。
[0043]图8A和图8B说明图5至图7的存储器件的第一应用实例。
[0044]图9A和图9B说