存储在交叉点非易失性存储器中的数据的刷新的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例一般地涉及存储器的技术领域。具体实施例包括刷新交叉点存储器的方法。
【背景技术】
[0002]本文提供的背景描述是出于一般地呈现本公开的上下文的目的。目前指定的发明人的工作(在一定程度上其被描述在本【背景技术】章节中)以及可能未以其它方式合适作为在提交时的现有技术的描述的各方面既未明确地也未隐含地被承认为针对本公开的现有技术。除非以其它方式在本文中指示，否则在本章节中描述的方案不是本公开中的权利要求的现有技术并且并不通过包括在本章节中而被承认为现有技术。
[0003]包括相变存储器(PCM)的交叉点非易失性存储器可以包括存储器单元的二维或三维网格。使用PCM的系统可以将存储器地址构造为来自一个或多个存储器阵列的多个存储器单元的组合。存储器单元状态可以通过可以注明为VT的电压阈值表示。在一些PCM中，每一个单元的电压值可以可设置(set)成分别可以表示逻辑“0”或“1”的两个电压阈值中的一个。存储器单元的电压值可以通过写入操作定位并且通过读取操作读取。在一些情况中，在给定存储器单元或存储器地址上的读取和写入操作背后的物理机制可能使一个或多个其它存储器单元或存储器地址丢失存储在它们中的数据或者以其它方式被扰动。
【附图说明】
[0004]将通过结合附图的以下详细描述来容易地理解实施例。为了促进该描述，相同的附图标记指定相同的结构元件。通过示例的方式而不是通过限制的方式在附图的各图中图示实施例。
[0005]图1图示了依照各种实施例的与本公开的教导合并的示例存储驱动器。
[0006]图2图示了依照各种实施例的存储器单元的示例。
[0007]图3图示了依照各种实施例的用于刷新存储器单元的示例过程。
[0008]图4图示了依照各种实施例的用于刷新存储器单元的可替换过程。
[0009]图5图示了依照各种实施例的用于刷新存储器单元的可替换过程。
[0010]图6图示了依照各种实施例的被配置成执行本文所描述的方法的示例系统。
【具体实施方式】
[0011]在以下详细描述中，参照形成其部分的附图，其中相同的附图标记自始至终指定相同的部分，并且其中通过图示的方式示出可以实践的实施例。要理解的是，可以利用其它实施例并且可以在不脱离于本公开的范围的情况下做出结构或逻辑改变。因此，以下详细描述不以限制性含义来考虑，并且实施例的范围由随附权利要求及其等同物限定。
[0012]本文讨论了与刷新存储器单元相关联的装置、方法和存储介质。在实施例中，交叉点非易失性存储器(例如PCM)可以包括具有可设置成第一阈值电压或第二阈值电压的相应电压值的多个存储器单元。然而，随着时间过去，设置成第一或第二阈值电压的存储器单元中的一个或多个的电压值可能开始漂移。存储器控制器可以被配置成在存储器单元上执行读取操作。读取操作可以重置(reset)被设置成第一阈值电压的存储器单元的电压值。也就是说，读取操作可以使存储器单元的电压值返回到第一阈值电压。读取操作还可以允许存储器控制器识别被设置成第二电压值的存储器单元。存储器控制器然后可以被配置成执行写入操作以将存储器单元的电压值重置回到第二阈值电压。
[0013]以最有助于理解所要求保护的主题的方式，可以将各种操作描述为依次的多个分立动作或操作。然而，描述的次序不应当解释为暗示这些操作必然是次序相关的。特别地，这些操作可以不以呈现的次序执行。所描述的操作可以以与所描述的实施例不同的次序执行。可以执行各种附加操作和/或可以在附加实施例中省略所描述的操作。
[0014]出于本公开的目的，短语“A和/或B”和“A或B”意指(A)、(B)或(A和B)。出于本公开的目的，短语“A，B和/或C"意指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A，B和C)。
[0015]描述可以使用短语“在一实施例中”或“在实施例中”，其可以每一个是指相同或不同实施例中的一个或多个。另外，如关于本公开的实施例所使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。
[0016]如本文所使用的，术语“模块”可以是指专用集成电路(ASIC)、电子电路、执行一个或多个软件或固件程序的处理器(共享、专用或群组)和/或存储器(共享、专用或群组)、组合逻辑电路和/或提供所描述的功能的其它合适组件、作为其部分或者包括以上所述。如本文所使用的，“计算机实现的方法”可以是指由一个或多个处理器、具有一个或多个处理器的计算机系统、诸如智能电话之类的移动设备(其可以包括一个或多个处理器)、平板计算机、膝上型计算机、机顶盒、游戏控制台等执行的任何方法。
[0017]参照图1，在各种实施例中，存储设备100可以包括诸如PCM之类的交叉点非易失性存储器104。信息可以通过存储器控制器110写入到交叉点非易失性存储器104和/或从其读取。存储器控制器110可以通过一个或多个通信线路116(例如存储器总线)的方式与交叉点非易失性存储器104耦合。读取或写入操作可以分别由读取逻辑或写入逻辑执行，所述读取逻辑和写入逻辑可以与彼此分离，或被组合，诸如读取/写入模块120。出于该讨论的目的，将讨论读取/写入模块120，并且可以假定其包括读取逻辑和写入逻辑二者。然而在其它实施例中，读取模块可以包含读取逻辑并且执行以下讨论的读取操作，并且写入模块可以包括写入逻辑并且执行以下讨论的写入操作，并且读取模块和写入模块可以与彼此分离。
[0018]如所示，读取/写入模块120可以是存储器控制器110的元件，而在一些实施例中，读取/写入模块120(或单独的读取模块和/或写入模块)可以与存储器控制器110分离，但是通信耦合到存储器控制器110。在一些实施例(未示出)中，读取/写入模块120可以是交叉点非易失性存储器104的元件或者以其它方式与其耦合。在一些实施例(未示出)中，读取/写入模块120可以跨存储器控制器110和交叉点非易失性存储器104 二者分布。在一些实施例中，读取/写入模块120可以实现为硬件、固件、软件或其某个组合。在实施例中，读取/写入模块120可以被配置成执行读取操作以读取交叉点非易失性存储器104的一个或多个存储器单元112的电压值，如以下描述的那样。此外，读取/写入模块120可以被配置成执行写入操作以设置或重置交叉点非易失性存储器104的一个或多个存储器单元112的电压值，如以下进一步描述的那样。在实施例中，交叉点非易失性存储器104的存储器单元112的电压值可以视为在通过读取/写入模块120的读取操作期间跨存储器单元112测量的电压值，如以下进一步详细描述的那样。
[0019]在一些实施例中，存储器控制器110和/或存储设备100可以经由诸如外围组件互连(PCI)或快速PCI总线之类的一个或多个外部通信线路106与计算系统的其它组件耦合。尽管未描绘，各种其它组件可以经由一个或多个通信线路106与存储设备100耦合，包括但不限于一个或多个中央处理单元(CPU)、易失性存储器(例如DRAM)、一个或多个输入/输出(I/O)设备、可替换处理单元(例如图形处理器)等。在各种实施例中，存储设备100可以是固态驱动器(SSD)或混合硬驱动器(HHD)。
[0020]在许多情况中，包括图1的示例，交叉点非易失性存储器104可以包括多个管芯(die)108。例如，在图1中，交叉点非易失性存储器104包括N个管芯108A可以是任何正整数。在其它实施例中，交叉点非易失性存储器104可以仅包括单个管芯108。如图1中所示，每一个管芯108可以具有一个或多个存储器单元112。将理解到，尽管示出每个管芯108三个存储器单元112，但是每一个管芯可以具有更多或更少的存储器单元112。此外，每一个管芯108不一定必须具有与另一管芯108相同量的存储器单元112。最后，数据可以布置在如本文所描述的不同分组中，例如存储器单元112可以布置为存储器的块或页。
[0021]如以上描述的，诸如交叉点非易失性存储器104之类的交叉点非易失性存储器或诸如交叉点非易失性存储器104的管芯108之类的交叉点非易失性存储器的每一个管芯可以包括被布置成二维或三维网格的多个存储器单元。图2描绘了诸如交叉点非易失性存储器104之类的交叉点非易失性存储器的存储器单元205的网格200。具体地，网格200可以是诸如交叉点非易失性存储器104的管芯108之类的管芯上的存储器单元205的网格。尽管在本文中将网格200描绘为二维网格，但是在实施例中网格200可以是三维网格。存储器单元205中的一个或多个可以被设置成第一阈