读介质，其中参考电压大于第一阈值电压值。
[0067]示例19可以包括示例14-16中任一个的一个或多个计算机可读介质，其中所述交叉点非易失性存储器是相变存储器(PCM)。
[0068]示例20可以包括一种被配置成刷新存储器单元的电压值的装置，所述装置包括:刷新包括分别具有设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值的多个存储器单元的交叉点非易失性存储器中的第一存储器单元的第一电压值的构件，第一存储器单元的第一电压值被设置成第一阈值电压，并且其中刷新的构件包括将第一存储器单元的第一电压值与参考电压相比较的构件;在通过刷新构件的刷新之后检测在读取一个或多个存储器单元的相应电压值时产生错误的多个存储器单元中的一个或多个存储器单元的构件;将所述一个或多个存储器单元的数目与错误阈值相比较的构件；以及在所述一个或多个存储器单元的数目小于错误阈值的情况下通过将第二阈值电压重写到第二存储器单元而不更改第一存储器单元的第一电压值来刷新交叉点非易失性存储器中的第二存储器单元的第二电压值的构件。
[0069]示例21可以包括示例20的装置，还包括:在所述一个或多个存储器单元的数目大于错误阈值的情况下，通过将第一阈值电压重写到第一存储器单元来刷新第一存储器单元的第一电压值的构件。
[0070]示例22可以包括示例20或21的装置，其中第一阈值电压小于第二阈值电压。
[0071]示例23可以包括示例20或21的装置，其中所述参考电压大于第一阈值电压值。
[0072]示例24可以包括示例20或21的装置，其中所述交叉点非易失性存储器是相变存储器(PCM)。
[0073]尽管本文已经出于描述的目的而图示和描述了某些实施例，但是本申请意图覆盖本文所讨论的实施例的任何适配或变型。因此，明确意图是本文所描述的实施例仅由权利要求限制。
[0074]在本公开叙述“一”或“第一”元件或其等同物的情况下，这样的公开包括一个或多个这样的元件，其既不要求也不排除两个或更多这样的元件。另外，用于所标识的元件的次序指示符(例如第一、第二或第三)用于区分元件，并且不指示或暗示这样的元件的所要求或限制的数目，它们也不指示这样的元件的特定位置或次序，除非以其它方式具体陈述。
【主权项】
1.一种刷新存储器单元的电压值的存储器控制器，所述存储器控制器包括: 读取逻辑，其被配置成读取具有多个存储器单元的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值，其中多个存储器单元具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值；以及 写入逻辑，其与读取逻辑耦合并且被配置成刷新被设置成第二阈值电压的多个存储器单元中的第一一个或多个的电压值而不更改被设置成第一阈值电压的多个存储器单元中的第二一个或多个的电压值。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中第二阈值电压高于第一阈值电压。3.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述交叉点非易失性存储器是相变存储器(PCM)。4.根据权利要求1-3中任一项所述的存储器控制器，其中所述写入逻辑被配置成执行写入操作以将多个存储器单元中的第--个或多个中的每一个存储器单元的电压值重置成第二阈值电压以刷新多个存储器单元中的第一一个或多个的电压值。5.根据权利要求1-3中任一项所述的存储器控制器，其中所述读取逻辑被配置成通过将多个存储器单元中的第二一个或多个中的每一个存储器单元的电压值与参考电压相比较来刷新多个存储器单元中的第二一个或多个的电压值。6.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中所述参考电压大于第一阈值电压值并且小于第二阈值电压值。7.根据权利要求1-3中任一项所述的存储器控制器，还包括与读取逻辑和写入逻辑耦合的错误校正逻辑，所述错误校正逻辑被配置成: 识别在通过读取逻辑读取多个存储器单元中的第三一个或多个存储器单元的电压值时产生错误的第三一个或多个存储器单元；以及 检测多个存储器单元中的第三一个或多个存储器单元的计数是否超过错误阈值。8.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中所述写入逻辑还被配置成: 响应于通过错误校正逻辑检测到多个存储器单元中的第三一个或多个存储器单元的计数超过错误阈值，执行写入操作以在存储器单元被设置成第一阈值电压的情况下将第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值重置成第一阈值电压；以及 响应于通过错误校正逻辑的检测，执行写入操作以在存储器单元被设置成第二阈值电压的情况下将第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值重置成第二阈值电压。9.一种刷新存储器单元的电压值的方法，包括: 通过存储器控制器，刷新包括分别具有被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值的多个存储器单元的交叉点非易失性存储器中的第一存储器单元的第一电压值，第一存储器单元的第一电压值被设置成第一阈值电压，并且其中刷新包括将第一存储器单元的第一电压值与参考电压相比较； 通过存储器控制器并且在刷新之后，检测在读取一个或多个存储器单元的相应电压值时产生错误的多个存储器单元中的一个或多个存储器单元； 通过存储器控制器，将所述一个或多个存储器单元的数目与错误阈值相比较；以及 在所述一个或多个存储器单元的数目小于错误阈值的情况下，通过存储器控制器，通过将第二阈值电压重写到第二存储器单元而不更改第一存储器单元的第一电压值来刷新交叉点非易失性存储器中的第二存储器单元的第二电压值。10.根据权利要求9所述的方法，还包括: 在所述一个或多个存储器单元的数目大于错误阈值的情况下，通过存储器控制器，通过将第一阈值电压重写到第一存储器单元来刷新第一存储器单元的第一电压值。11.根据权利要求9或10所述的方法，其中第一阈值电压小于第二阈值电压。12.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述参考电压大于第一阈值电压值。13.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述交叉点非易失性存储器是相变存储器(PCM)o14.包括刷新存储器单元的电压值的指令的一个或多个计算机可读介质，所述指令被配置成当由计算设备执行指令时，使计算设备的存储器控制器: 刷新包括被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的多个存储器单元的交叉点非易失性存储器中的第一存储器单元的第一电压值，其中刷新包括将第一存储器单元的第一电压值与参考电压相比较；以及 通过将第二阈值电压重写到第二存储器单元来刷新交叉点非易失性存储器中的第二存储器单元的第二电压值。15.根据权利要求14所述的一个或多个计算机可读介质，其中所述指令还被配置成使存储器控制器: 在第一电压值的刷新和第二电压值的刷新之后，检测在读取一个或多个存储器单元的相应电压值时产生错误的多个存储器单元中的一个或多个存储器单元； 通过存储器控制器，将所述一个或多个存储器单元的数目与错误阈值相比较；以及 在所述一个或多个存储器单元的数目大于错误阈值的情况下，通过存储器控制器，刷新所述一个或多个存储器单元的相应电压值。16.根据权利要求15所述的一个或多个计算机可读介质，其中刷新所述一个或多个存储器单元的相应电压值包括: 将第一阈值电压重写到被设置成第一阈值电压的一个或多个存储器单元中的存储器单元的第一子集;以及 将第二阈值电压重写到被设置成第二阈值电压的一个或多个存储器单元中的存储器单元的第二子集。17.根据权利要求14-16中任一项所述的一个或多个计算机可读介质，其中第一阈值电压值小于第二阈值电压值。18.根据权利要求14-16中任一项所述的一个或多个计算机可读介质，其中所述参考电压大于第一阈值电压值。19.根据权利要求14-16中任一项所述的一个或多个计算机可读介质，其中所述交叉点非易失性存储器是相变存储器(PCM)。
【专利摘要】本文公开了包括与刷新存储器单元相关联的系统、方法和装置的实施例。在实施例中，存储器控制器可以被配置成执行诸如相变存储器（PCM）之类的交叉点非易失性存储器中的一个或多个存储器单元上的读取操作。一个或多个存储器单元可以具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值。基于读取，存储器控制器可以识别被设置成第二阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元，并且刷新那些单元的电压值而不更改被设置成第一阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值。可以描述或要求保护其它实施例。
【IPC分类】G11C11/21, G11C13/00
【公开号】CN105474323
【申请号】CN201480047332
【发明人】K.潘加尔, R.K.拉马努延, R.W.法伯, R.森达拉姆
【申请人】英特尔公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2014年8月26日
【公告号】US9257175, US20150089120, WO2015047630A1