078]操作电路，适用于对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环和擦除循环，
[0079]其中，操作电路对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流值之间的差异而在选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异。
[0080]技术方案2.如技术方案I所述的半导体器件，其中，操作电路在对选择晶体管执行擦除循环之后执行编程操作。
[0081]技术方案3.如技术方案I所述的半导体器件，其中，操作电路在参考单元电流值被确定之后，以从第一存储块至最后存储块的顺序方式对选择晶体管执行编程循环。
[0082]技术方案4.如技术方案I所述的半导体器件，还包括:
[0083]电流测量电路，适用于确定参考单元电流值。
[0084]技术方案5.如技术方案4所述的半导体器件，其中，电流测量电路通过经由位线从位于存储阵列的中间的存储块测量单元电流值来确定参考单元电流值。
[0085]技术方案6.如技术方案4所述的半导体器件，其中，电流测量电路适用于经由位线来测量选定存储块的单元电流值。
[0086]技术方案7.如技术方案4所述的半导体器件，其中，操作电路适用于在电流测量电路测量选定存储块的单元电流值时将操作电压施加至选定存储块。
[0087]技术方案8.如技术方案7所述的半导体器件，其中，操作电路适用于将第一正电压施加至选定存储块的位线，将接地电压施加至公共源极线，以及将第二正电压施加至存储单元和选择晶体管。
[0088]技术方案9.如技术方案I所述的半导体器件，其中，选择晶体管包括耦接至位线的漏极选择晶体管和耦接至公共源极线的源极选择晶体管，以及
[0089]操作电路基于单元电流值与参考单元电流值之间的差异来对漏极选择晶体管执行编程循环。
[0090]技术方案10.如技术方案I所述的半导体器件，其中，选择晶体管中的每个包括电荷储存层，电荷储存层包括氮化物层。
[0091]技术方案11.一种半导体器件，包括:
[0092]存储器件，包括存储块；以及
[0093]电流测量电路，适用于经由位线来测量选定存储块的单元电流值，
[0094]其中，存储器件对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流之间的差异而在包括在选定存储块中的选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异。
[0095]技术方案12.如技术方案11所述的半导体器件，其中，电流测量电路通过经由位线从位于存储阵列的中间的存储块测量单元电流值来确定参考单元电流值。
[0096]技术方案13.如技术方案12所述的半导体器件，其中，存储器件在参考单元电流值被确定之后以从第一存储块至最后存储块的顺序方式来对选择晶体管执行编程循环。
[0097]技术方案14.如技术方案11所述的半导体器件，其中，存储器件适用于在电流测量电路测量选定存储块的单元电流值时，将第一正电压施加至选定存储块的位线，将接地电压施加至公共源极线，以及将第二正电压施加至存储单元以及选择晶体管。
[0098]技术方案15.如技术方案11所述的半导体器件，其中，选择晶体管包括耦接至位线的漏极选择晶体管和耦接至公共源极线的源极选择晶体管，
[0099]存储器件基于单元电流值与参考单元电流值之间的差异来对漏极选择晶体管执行编程循环。
[0100]技术方案16.如技术方案11所述的半导体器件，其中，选择晶体管中的每个包括电荷储存层，电荷储存层包括氮化物层。
[0101]技术方案17.—种半导体器件，包括:
[0102]存储阵列，包括存储块；
[0103]操作电路，适用于在基于补偿值来改变用于存储单元和选择晶体管的编程条件时，对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环；以及
[0104]电流测量电路，适用于基于参考单元电流值和选定存储块的单元电流值来确定补偿值。
[0105]技术方案18.如技术方案17所述的半导体器件，其中，电流测量电路通过经由位线从位于存储阵列的中间的存储块测量单元电流值来确定参考单元电流值。
[0106]技术方案19.如技术方案17所述的半导体器件，其中，电流测量电路在包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管处于擦除状态时测量单元电流值。
[0107]技术方案20.—种半导体器件的操作方法，所述方法包括:
[0108]确定参考单元电流值；
[0109]测量选定存储块的单元电流值；
[0110]基于选定存储块的单元电流值以及参考单元电流值来确定补偿值；
[0111]当基于补偿值来改变用于存储单元和选择晶体管的编程条件时，对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环；以及
[0112]迭代单元电流值的测量、补偿值的确定以及编程循环的执行，直到选定存储块是最后块。
[0113]技术方案21.如技术方案20所述的操作方法，其中，通过经由位线从位于存储阵列的中间的存储块测量单元电流值来确定参考单元电流值。
[0114]技术方案22.如技术方案20所述的操作方法，其中，当包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管处于擦除状态时，测量单元电流值。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括: 存储阵列，包括存储块；以及 操作电路，适用于对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环和擦除循环， 其中，操作电路对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流值之间的差异而在选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，操作电路在对选择晶体管执行擦除循环之后执行编程操作。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，操作电路在参考单元电流值被确定之后，以从第一存储块至最后存储块的顺序方式对选择晶体管执行编程循环。4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括: 电流测量电路，适用于确定参考单元电流值。5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，电流测量电路通过经由位线从位于存储阵列的中间的存储块测量单元电流值来确定参考单元电流值。6.如权利要求4所述的半导体器件，其中，电流测量电路适用于经由位线来测量选定存储块的单元电流值。7.如权利要求4所述的半导体器件，其中，操作电路适用于在电流测量电路测量选定存储块的单元电流值时将操作电压施加至选定存储块。8.一种半导体器件，包括: 存储器件，包括存储块；以及 电流测量电路，适用于经由位线来测量选定存储块的单元电流值， 其中，存储器件对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流之间的差异而在包括在选定存储块中的选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异。9.一种半导体器件，包括: 存储阵列，包括存储块； 操作电路，适用于在基于补偿值来改变用于存储单元和选择晶体管的编程条件时，对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环；以及 电流测量电路，适用于基于参考单元电流值和选定存储块的单元电流值来确定补偿值。10.一种半导体器件的操作方法，所述方法包括: 确定参考单元电流值； 测量选定存储块的单元电流值； 基于选定存储块的单元电流值以及参考单元电流值来确定补偿值； 当基于补偿值来改变用于存储单元和选择晶体管的编程条件时，对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环；以及 迭代单元电流值的测量、补偿值的确定以及编程循环的执行，直到选定存储块是最后块。
【专利摘要】一种半导体器件包括：存储阵列，包括存储块；以及操作电路，适用于对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环和擦除循环，其中，操作电路对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流值之间的差异而在选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异。
【IPC分类】H01L27/115, G11C16/10
【公开号】CN105575429
【申请号】CN201510745542
【发明人】全裕男, 沈根守, 吴海顺, 朴凤烈
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年11月5日
【公告号】US20160125946