使用氩稀释的高压f的制作方法

专利名称：使用氩稀释的高压f的制作方法
背景技术：
通常通过成批处理步骤生产半导体产品，该成批处理步骤在真空室中使用气体沉积或者有选择地蚀刻基片上的半导体层。将来自这些沉积和蚀刻处理的大多数化学副产品以及未使用的反应物通过真空泵从该室中排出。然而，一些剩余物不可避免地沉积和堆积在该真空室的内壁上。为了保证高装置产量和质量，必须定期地将该剩余物从该室中去除。通常使用包含含氟清洗气体的气体混合物去除该剩余物，该清洗气体通常通过氩或氦稀释。
一种清洗真空沉积室的已知方法是用NF3等离子体操作的远程等离子体源(RPS)技术。附图1表示了标准的RPS设备和方法，其中NF3和稀释气体(所示的氩)流10进入RPS20(如MKS Instruments Astron系列，该系列使用低场环形等离子体技术，以便有效地分离该NF3输入气体，从而产生原子氟)。将原子氟30传送到真空室40，其与该真空室内墙上的不需要的剩余物化学反应，以便形成挥发性化合物50，将该挥发性化合物通过真空系统从该室中去除，该真空系统包括泵60和排出气流70。
当使用如图1所示的设备时，最初可以使用纯氩点燃该等离子体，然后在1-10slpm的流速范围内添加NF3。将压力保持恒定，并且以恒定的流动条件实施清洗，该恒定的流动条件包括NF3流加上不同量的氩。通常，该氩的流速小于NF3的流速。
使用NF3的一个缺点在于，在典型的10千瓦的RPS系统中不能将NF3等离子体在近似20Torr以上点燃。在使用NF3的商业应用中，一般以小于5Torr并且通常在0.5到3Torr的范围操作RPS系统，尽管在文献中建议可以使用高至10Torr的压力。因此，将上述商业操作的蚀刻速度限制在相对低的水平，这将在下面更详细地描述。
而且，NF3很昂贵。因此，特别是大型沉积系统如用于300mm晶片处理或平板显示制造的那些大型沉积系统，其需要高消耗量的NF3，该清洗过程会成为影响该最终装置的成本的重要部分。
本领域中对PECVD室的清洗方面仍需要改进。

发明内容
本发明提供F2在沉积室的清洗过程中的应用。
本发明还提供一种在高压下以及在稀释气体存在的情况下使用F2清洗沉积室的方法。
本发明还提供一种在高压下使用F2以高蚀刻速度进行基片蚀刻或晶片薄化的方法。


图1是表示在现有技术中已知的RFP清洗过程和设备的示意图。
图2是表示根据本发明用远程等离子体清洗沉积室的流程和顺序的示意图。
图3是表示根据本发明用现场等离子体清洗沉积室的流程和顺序的示意图。
图4是表示根据本发明的高速蚀刻晶片的流程和顺序的示意图。
具体实施例方式
本发明提供F2在沉积室的清洗过程中的应用，如果在高压条件下操作，其特别地有效。来自电解发生器(如BOC Edwards Generation-F系列)的F2是NF3的低成本替换物，特别是在沉积室的清洗应用中。根据本发明，可以通过在高压下使用F2实现非常高的蚀刻速度。此外，本发明发现，通过使用用大量氩稀释的F2，甚至可以获得更高的蚀刻速度。下面的表1和表2中表示了根据本发明的一些测试的结果。
根据本发明，发现F2具有比典型的RPS系统中的NF3更宽的操作窗口(operating window)。例如，MKS Astronex RPS具有～8kW指定的功率提取极限。当在6slm和17.5Torr使用NF3时达到这种极限。与此相反，通过使用F2，即使在18slm和100Torr操作也不会达到这种极限。在蚀刻速度测试中，其中使用化学计量上等价的流速，相似的系统压力并且不使用氩稀释剂，当使用NF3或F2时，在蚀刻速度中不存在统计上的重大差异。这可以从下面表1中所列的实验数据表示。
表1-蚀刻速度比较

本发明发现，当室压上升时，F2和NF3的蚀刻速度都更高，但是F2的蚀刻速度显著地高于NF3的蚀刻速度。特别地，当使用NF3时，观测到大约80nm/sec的最大蚀刻速度，而在高至大约170Torr的压力下使用F2时，可以得到大于250nm/sec的蚀刻速度。
此外，测试了在不同的氩稀释量时使用F2的效果。发现通过提高氩含量，根据本发明，可能具有更高的蚀刻速度。下面的表2包括一些实验结果。
表2-在不同的氩稀释量时使用F2的蚀刻速度



进一步发现，如果遵循正确的顺序，F2可以将等离子体保持到高至170Torr，并且可能出现更高的压力。通过在干涉仪上进行测试可以表示出本发明使用F2的增强效果。在三种不同的条件下测量将335纳米的材料从晶片去除所需的时间。首先，在不用氩稀释的2slpm的NF3以及近似3Torr运行的标准过程产生大约11nm/sec的蚀刻速度。其次，在增加了20Torr压力的2slpm的NF3以及6slpm氩的氩气流运行的过程产生大约78nm/sec的蚀刻速度。最后，发现了可以根据本发明得到更快的蚀刻速度，在170Torr的3slpm的F2以及20slpm的氩流速(例如，大约13％的F2在氩中)下运行的过程产生大约288nm/sec的蚀刻速度。
虽然上面清楚地表示了在沉积清洗操作中使用F2的增强效果，但是本发明进一步提供一种在高压下使用F2以高蚀刻速度进行基片蚀刻或晶片薄化的方法。
将F2引入蚀刻室的方法是重要的考虑因素。特别地，由于F2气体的反应性，直接将F2引入加热的室中会对该室的部件造成破坏。因此，在引入F2之前，有必要先冷却该室。这减慢了处理时间，并且增加了生产的总成本。
克服这些问题的一个方法是进行热活化F2的过程，该过程包括步骤(a)将F2气体与预热的情性气体反应以形成气体混合物；以及(b)使该气体混合物穿过蚀刻室以进行所需的蚀刻。可以在混合室中进行该反应步骤，以便产生该气体混合物，然后进一步在反应室中，以保证F2气体和加热的惰性气体之间足够的接触。该惰性气体优选地是氩，但是也可以是其它气体如氮，氦，及其混合物。
一种用于进行上面过程的系统，该系统包括混合室，该混合室能够使F2气体和预热的惰性气体反应以形成气体混合物；与该混合室气体连通的反应室，以保证F2气体与加热的惰性气体之间足够的接触，这种系统与处理室气体连通。
在操作中，典型地通过任意惰性气体输送管将该预热的惰性气体送入该混合室，该惰性气体输送管包括热导材料的填充层，该热导材料例如是细碎的金属如镍、哈斯特洛依合金、不锈钢及其组合。如果不关心对特殊过程的污染，也可以使用铜和铝合金。该惰性气体输送管可以通过任何适当的材料制造，该材料能够运送惰性气体，如镍、哈斯特洛依合金、不锈钢及其组合。该惰性气体输送管可以具有1/2英寸至大约2英寸的直径，优选地，大约1/2英寸至大约1英寸，更优选地，大约3/4英寸。该惰性气体的流速为大约1slpm至大约20slpm，优选地为1slpm至大约10slpm，更优选地为大约2slpm至大约6slpm。可以将该惰性气体输送管由加热器环绕，该加热器将该惰性气体预热到所需温度，典型地到大约400℃至大约650℃的温度。该加热器可以是任何适当的加热器，例如电阻式加热器、辐射加热器、燃气加热器及其任意的组合。
通过F2入口管将F2气体引入混合室。该F2入口管可以通过任何适当的材料制造，该材料能够输送F2气体，例如蓝宝石、致密的氧化铝、镍、哈斯特洛依合金及其组合。该F2入口管具有大约1/4英寸至大约3/4英寸的直径，优选地，大约1/4英寸至大约1/2英寸。F2气体的流速为大约1slpm至大约20slpm，优选地大约2slpm至大约6slpm。
加热的惰性气体和F2气体流入混合室，并在其中形成气体混合物。然后，这种气流流到反应室，该反应室由高惰性材料构成，如镍、致密的氧化铝、蓝宝石、氟化铝、氟化钙或者它们的组合。优选地，该反应室由蓝宝石构成，该蓝宝石是晶体氧化铝材料，该晶体氧化铝材料形成氟化铝钝化层。对该反应室的构造使用惰性材料很重要，以便避免由于F2反应的危险操作。在一个实施方式中，将蓝宝石入口管密封到镍外部管，其允许使用正常的弹性密封，如Viton或Klarez密封，而没有被F2气体破坏的风险。使反应室的大小合适，以便保证F2气体和加热的惰性气体之间足够的接触，例如，该反应室具有大约1/2英寸至大约1.5英寸的直径，优选地，大约1/2英寸至1英寸。
然后，将F2和高温惰性气体的混合物通过出口管输送到处理室，以便用作清洗或蚀刻剂。该出口管应当由惰性材料构成，以便避免与热活化F2气体反应。该出口管的适当的惰性材料包括与用于构成反应室的相同的材料，优选地为镍管内的蓝宝石。
附图2表示沉积室的远程等离子体清洗的流程图和顺序。这种清洗可以在SiO2、氮化硅、钨、氮化钨、硅化钨和多晶硅等之间进行。相似地，附图3表示沉积室的现场等离子体清洗的流程图和顺序。附图4表示高速晶片蚀刻的流程图和顺序，该高速晶片蚀刻受益于在高压和高氩稀释的条件下使用F2。
更详细地，附图2所示的系统包括氩源201，F2源202，以及RPS203，该RPS连接到处理室204，使用真空泵205、阀206和压力变换器207控制该处理室。根据本发明，一种操作附图2所示的系统的方法如下最初，在变换器207上，将RPS 203设置在近似0.5-3Torr，该变换器通过来自氩源201的1-2slpm的氩流控制真空泵205上的阀206。
然后，通过使用纯氩的RPS 203引进等离子体。
然后，从F2源202引入F2，并且从没有流动开始以每5秒增长不大于1slpm的增速慢慢地增加F2流速(即增加到2slpm需要至少10秒)。这有助于在添加氟的时候使该等离子体保持点燃。
然后，将氩流速增加到10-20slpm或者是最终用于特殊过程的F2流速的3倍到10倍之间。
利用变换器207将处理室204的压力增加到30到300Torr之间，同时保持等离子体，以便在氩流速增加期间或之后控制真空泵205上的阀206。
将F2流速增加到全流速，该全流速基于该处理室204的尺寸，例如，从2-200slpm。
将氩流速速保持在F2流速的3到10倍。
通过使用上面的顺序，可以清洗掉处理室204的表面沉积物。在该循环结束时，关闭F2流，然后关闭RPS 203上的等离子体电流，最后，关闭氩流。然后，可以继续生产过程。
附图3表示与附图2中所示的非常相似的系统。然而，附图2描述了使用远程等离子体源的系统，而附图3描述了现场清洗的系统。特别地，附图3的系统包括连接到处理室304的氩源301和F2源，该处理室具有电极310和320，使用真空泵305、阀306和压力变换器307控制该处理室。根据本发明，一种操作附图3所示的系统的方法如下最初，在变换器307上，将处理室304设置在近似0.5-3Torr，该变换器通过来自氩源301的1-2slpm的氩流控制真空泵305上的阀306。
然后，通过使用纯氩的电极310和320引进等离子体。
然后，从F2源302引入F2，该F2从没有流动开始以每5秒不大于1slpm的增速慢慢地增加流速(即增加到2slpm需要至少10秒)。这有助于在添加氟的时候使该等离子体保持点燃。然后，将氩流速度增加到10-20slpm或者是最终用于特殊过程的F2流速的3倍到10倍之间。
利用变换器307将该处理室304的压力增加到30到300Torr之间，同时保持等离子体，以便在氩流增速的期间或之后控制真空泵305上的阀306。
将F2流速增加到全流速，该全流速基于处理室304的尺寸，例如，从2-200slpm。
将氩流速保持在F2流速的3到10倍。
通过使用上面的顺序，可以清洗掉处理室304的表面沉积物。在该循环结束时，关闭F2流，然后，关闭电极310和320上的等离子体电流，最后，关闭氩流。然后，可以继续生产过程。
附图4表示进行高速晶片蚀刻的系统。更详细地，附图4所示的系统包括氩源401，F2源402和RPS 403，该RPS连接到处理室404，利用真空泵405、阀406和压力变换器407控制该处理室。根据本发明，一种操作附图4所示的系统的方法如下最初，在变换器407上，将RPS 403设置在近似0.5-3Torr，该变换器通过来自氩源401的1-2slpm的氩流控制真空泵405上的阀406。
然后，通过使用纯氩的RPS 403引进等离子体。
然后，从F2源402引入F2，该F2从没有流动开始以每5秒增长不大于1slpm的增速慢慢地增加流速(即增加到2slpm需要至少10秒)。这帮助该等离子体保持点燃，同时添加氟。然后，将氩流速增加到10-20slpm或者是最终用于特殊过程的F2流速的3倍到10倍之间。
利用变换器407将处理室404的压力增加到30到300Torr之间，同时保持等离子体，以便在氩流增速期间或之后，控制真空泵405上的阀406。
将F2流速增加到全流速，该全流速基于该处理室404的尺寸，例如，从2-200slpm。
将氩流速保持在F2流速的3到10倍。
通过使用上面的顺序，将处理室404中支撑在温度控制的加热器/冷却器420上的硅晶片410蚀刻薄化，直到获得所需的厚度或层去除。在该循环结束时，关闭F2流，然后，关闭RPS 403上的等离子体电流，最后，关闭氩流。然后，可以继续生产过程。
本发明可以为多种过程提供几种优点，并且可以在多种设备中进行。本发明的一个优点在于，可以按照上述顺序使用现有的硬件，但是以更高的清洗或蚀刻速度。这意味着，对沉积室的清洗来说，清洗阶段是生产周期的非生产部分，可以显著地减少该清洗阶段，因而可以提高设备的总生产量。同样地，对晶片蚀刻过程来说，通过本发明实现的高蚀刻速度使每小时处理的晶片的数量增加，因此使处理和设备的总成本减少。
实验数据实验1-RPS操作极限装配的真空系统包括NW404路交叉(4way cross)，将其底部连接到填充有镍的NW 100阀芯(spool piece)、真空控制阀、NWl00软阀芯以及BOCE EdwardsQDP80/500干燥泵上。连接到该4路交叉的左入口的是MKS Astronex远程等离子体源的出口。在该Astronex的入口侧是MFC控制的氩源以及NF3或者F2。安装在该4路交叉的顶部的是压力变换器，左手边是观察孔。
确定氩的控制流，并且点燃等离子体。确定气源(NF3或F2)的一组流速，并且中止氩流。用真空控制阀将系统中的压力从基数设置到一些最大值。在规则的间隔以及计划的压力下，测量从RPS提取的功率(kW)，并且用FlukeModel41B功率分析仪记录。当将要超过RPS的最大功率(10kw)产生的压力时，该等离子体熄灭。对几个流速重复这一过程，并且收集数据。
发现F2的RPS操作窗口(压力，流速)比NF3的更宽。对F2来说，高至18slm和100Torr，也不会破坏RPS的指定功率提取极限8kW，而当在6slm和17.5Torr使用NF3时，就达到该界限。虽然F2的这些数据表示了比现有的室清洗实践更高的压力和流动条件，但下面研究宽度参数(wide parameters)对在清洗和蚀刻速度的影响。
实验2-蚀刻速度比较使用实验1中所述的装置，除了用6路交叉代替4路交叉。将可拆卸的、水冷的晶片卡盘安装在一个端口上。将该卡盘设计成支撑小晶片样品，该晶片样品覆盖有2um的SiO2。安装在相对端口中的是观察孔。通过该端口引导简单的激光干涉仪，以便测量蚀刻速度。如下略述地操作流速和压力，测量蚀刻速度，并且以下面的方式记录。波长为670nm的激光穿透SiO2层，并且在该层的顶部和底部反射。根据反射光的相位，该两束光彼此增强或抵消。由于蚀刻过程使SiO2层变薄，因此来自检测器的信号将经过波峰以及波谷。测量波峰或波谷之间的时间可以给出nm/s的蚀刻速度，每个波长表示厚度上大约335nm的变化。这种实验的结果在上面的表1中表示。
如上所述，本实验表示，当使用NF3或F2时，在蚀刻速度上不存在统计上的显著差异，其中，使用化学计量上等价的流速，相似的系统压力，并且没有使用氩稀释剂。
实验3-优化在优化期间，在相对项中比较蚀刻速度。将相当于100％的蚀刻速度设置为所有操作中观察到的最慢蚀刻速度，其中对应于NF3的标准操作#2，其中将压力设置成5.5Torr，并且将Ar/NF3的比设置成3。在表3、4和5中表示该优化实验的结果。
表3-NF3优化

表4-F2优化

表5-最佳蚀刻速度

在表5中表示了NF3的两种结果，这是因为该NF3的最佳结果是在RPS超出其指定界限操作的点得到的。在优化期间，遵循统计的DOE过程。如表1中所示，以恒定的化学计量等价的流速操作系统压力和氩稀释剂比。开发F2的宽操作窗口，以便F2的优化变量延伸超过NF3所使用的。可以在表4中看到，在相对高的压力和高氩稀释剂比发现了NF3和F2的最佳蚀刻速度。然而，F2的最佳蚀刻速度至少高于NF3的46％。在RPS的指定界限，F2的最佳蚀速度至少高于NF3的78％。
上面的实验范围相对较窄。在上述其它的实验中，所示的高至170Torr的压力对F2来说是可能的。相信甚至更高的直到300Torr或更多的压力也是可能的，并且可以更进一步地增加蚀刻速度。如上所述，氩与F2之比可以在3比1至10比1的范围内。更优选地，根据本发明，可以使用4比1至8比1的氩与F2之比。更高的比率也是可能的和有用的。当前认为本发明最优选的参数是压力大于20Torr，氩与F2之比大于4比1。
本发明提供在高压和高气体(如氩)稀释的条件下F2在沉积室清洗上的用途。此外，根据本发明可以获得非常高的蚀刻速度，将该蚀刻速度用于表面蚀刻操作。
可以预见，按照前述描述和例子，本发明的其它实施方式和变形对本领域的技术人员将很容易变得显而易见，并且可以预期，这些实施方式和变形同样包含在如所附权利要求所述的本发明的范围内。
权利要求
1.一种清洗沉积真空室的方法，所述方法在大于20Torr的压力下利用F2等离子体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述的压力从20Torr到170Torr。
3.根据权利要求1所述的方法，其中还利用稀释气体，所述稀释气体选自由氩、氮、氦及其混合物构成的组合。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述稀释气体与F2之比在3∶1到10∶1的范围内。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述稀释气体与F2之比在4∶1到8∶1的范围内。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述稀释气体与F2之比是4∶1，并且所述压力从20Torr到170Torr。
7.一种在真空室中蚀刻基片的方法，所述方法在大于20Torr的压力下利用F2等离子体。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述压力从20Torr到170Torr。
9.根据权利要求7所述的方法，其中还利用稀释气体，所述稀释气体选自由氩、氮、氦及其混合物构成的组。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述稀释气体与F2之比在3∶1到10∶1的范围内。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述稀释气体与F2之比在4∶1到8∶1的范围内。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述稀释气体与F2之比是4∶1，并且所述压力从20Torr到170Torr。
13.一种清洗沉积真空室的方法，所述方法包括步骤将惰性气体以第一流速提供到混合区域；使用所述惰性气体引发等离子体；将F2气体以第一流速提供到所述混合区域，以产生混合的等离子体；将所述惰性气体的流速增加到第二流速；将所述混合的等离子体引入所述真空室；增加所述真空室的压力，同时保持所述混合的等离子体；将所述F2的所述流速增加到第二流速，同时将所述惰性气体的所述流速保持在所述F2的所述第二流速的3到10倍之间；清洗所述真空室。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述混合区域是远程等离子体源。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述混合区域在所述真空室内。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述惰性气体选自由氩、氮、氦及其混合物构成的组。
17.根据权利要求13所述的方法，其中所述增加F2流速的步骤包括以每5秒不大于1slpm的速度增加所述流速。
18.根据权利要求13所述的方法，其中所述F2的第二流速在2到200slpm的范围内。
19.根据权利要求13所述的方法，其中将所述惰性气体流速保持在所述F2流速的4到8倍。
20.根据权利要求13所述的方法，其中所述惰性气体的所述流速在1slpm到20slpm的范围内。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述惰性气体的所述流速在1slpm到10slpm的范围内。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述惰性气体的所述流速在2slpm到6slpm的范围内。
23.一种在真空室中蚀刻基片的方法，所述方法包括步骤将惰性气体以第一流速提供到混合区域；使用所述惰性气体引发等离子体；将F2气体以第一流速提供到所述混合区域，以产生混合的等离子体；将所述惰性气体的流速增加到第二流速；将所述混合的等离子体引入所述真空室；增加所述真空室的压力，同时保持所述混合的等离子体；将所述F2的所述流速增加到第二流速，同时将所述惰性气体的所述流速保持在所述F2的所述第二流速的3到10倍之间；蚀刻所述基片。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述的混合区域是远程等离子体源。
25.根据权利要求23所述的方法，其中所述混合区域在所述真空室内。
26.根据权利要求23所述的方法，其中所述惰性气体选自由氩、氮、氦及其混合物构成的组。
27.根据权利要求23所述的方法，其中所述增加所述F2的流速的步骤包括以每5秒不大于1slpm的流速增加所述流速。
28.根据权利要求23所述的方法，其中所述F2的所述第二流速在2到200slpm的范围内。
29.根据权利要求23所述的方法，其中将所述氩流速保持在所述F2流速的4到8倍。
30.根据权利要求23所述的方法，其中所述惰性气体的所述流速在1slpm到20slpm的范围内。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述惰性气体的所述流速在1slpm到10slpm的范围内。
32.根据权利要求31所述的方法，其中所述惰性气体的所述流速在2slpm到6slpm的范围内。
33.一种清洗沉积真空室的系统，所述系统包括F2气体源；惰性气体源；混合室，所述混合室连接到所述F2气体源和所述惰性气体源，其中所述F2气体与所述惰性气体反应以产生气体混合物；以及连接到所述混合室的真空室，设置所述真空室以接收所述气体混合物。
34.根据权利要求33所述的系统，其中还包括惰性气体入口管，所述惰性气体入口管连接在所述惰性气体源和所述混合室之间，构成所述惰性气体入口管的材料选自由镍、哈斯特洛依合金、不锈钢及其组合构成的组。
35.根据权利要求34所述的系统，其中所述入口管包含热导材料的填充层，所述热导材料选自由镍、哈斯特洛依合金、不锈钢、铜、铜合金、铝、铝合金及其组合构成的组。
36.根据权利要求34所述的系统，其中所述惰性气体入口管的直径在1/2英寸到2英寸范围内。
37.根据权利要求36所述的系统，其中所述惰性气体入口管的直径在1/2英寸到1英寸范围内。
38.根据权利要求37所述的系统，其中所述惰性气体入口管的直径为3/4英寸。
39.根据权利要求34所述的系统，其中还包括与所述惰性气体入口管连通的加热器，所述加热器的类型选自由电阻式加热器、辐射加热器、燃气加热器及其组合构成的组。
40.根据权利要求33所述的系统，进一步包括F2入口管，所述F2入口管连接在所述F2气体源和所述混合室之间，构成所述F2入口管的材料选自由蓝宝石、致密的氧化铝、镍，哈斯特洛依合金及其组合构成的组。
41.根据权利要求40所述的系统，其中所述F2入口管的直径为1/4英寸到3/4英寸。
42.根据权利要求41所述的系统，其中所述F2入口管的直径为1/4英寸到1/2英寸。
43.根据权利要求33所述的系统，其中还包括出口管，所述出口管连接在所述混合室和所述真空室之间。
44.一种在真空室中蚀刻基片的系统，所述系统包括F2气体源；惰性气体源；混合室，所述混合室连接到所述F2气体源合所述惰性气体源，其中所述F2气体与所述惰性气体反应，以形成气体混合物；以及连接到所述混合室的真空室，设置所述真空室以接收所述气体混合物。
45.根据权利要求44所述的系统，其中还包括惰性气体入口管，所述惰性气体入口管连接在所述惰性气体源和所述混合室之间，构成所述惰性气体入口管的材料选自由镍、哈斯特洛依合金、不锈钢及其组合构成的组。
46.根据权利要求45所述的系统，其中所述惰性气体入口管包含热导材料的填充层，所述热导材料选自由镍、哈斯特洛依合金、不锈钢、铜、铜合金、铝、铝合金及其组合构成的组。
47.根据权利要求45所述的系统，其中所述惰性气体入口管的直径在1/2英寸到2英寸范围内。
48.根据权利要求46所述的系统，其中所述惰性气体入口管的直径在1/2英寸到1英寸范围内。
49.根据权利要求47所述的系统，其中所述惰性气体入口管的直径为3/4英寸。
50.根据权利要求45所述的系统，其中还包括与所属惰性气体入口管连通的加热器，所述加热器的类型选自由电阻式加热器、辐射加热器、燃气加热器及其组合构成的组。
51.根据权利要求44所述的系统，其中还包括F2入口管，所述F2入口管连接在所述F2源和所述混合室之间，构成所述F2入口管的材料选自由蓝宝石、致密的氧化铝、镍、哈斯特洛依合金及其组合构成的组。
52.根据权利要求51所述的系统，其中所述F2入口管的直径为1/4英寸到3/4英寸。
53.根据权利要求52所述的系统，其中所述F2入口管的直径为1/4英寸到1/2英寸。
54.根据权利要求44所述的系统，其中还包括出口管，所述出口管连接在所述混合室和所述真空室之间。
全文摘要
本发明提供F
文档编号H01L21/3065GK1783423SQ20051007922
公开日2006年6月7日 申请日期2005年5月12日 优先权日2004年5月12日
发明者G·麦克法兰, R·霍格尔, C·贝利 申请人:波克股份有限公司