专利名称：叠层陶瓷电子部件的制造方法及其制造装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及叠层陶瓷电子部件的制造方法及其制造装置。
背景技术：
移动电话和计算机等信息移动体通信相关的近年的电子设备逐渐朝小型轻量化发展，在内置的无源部件中也同样要求小型轻量化。在作为无源部件的叠层陶瓷电容器那样的叠层陶瓷电子部件中也强烈要求小型大容量化。
为了实现叠层陶瓷电容器的大容量化，进行陶瓷层及内部电极层的薄层化和多叠层化尤为重要。
图13A是现有的叠层陶瓷电容器1001的立体图。图13B和图13C分别是图13A所示的叠层陶瓷电容器1001的线13B和线13C的剖视图。随着薄层化多叠层化，电容器1001的形成有内部电极层1012的部分的厚度与未形成内部电极层1012的部分的厚度的厚度差1001A增加，因厚度差1001A造成的陶瓷层1013的粘着力降低，存在烧结陶瓷层1013后产生侧面的破裂或层间剥离的情况。由于电容器1001的外形形状带有圆角，所以存在安装时无法吸附的情况。
图13D是另一现有的叠层陶瓷电容器1002的立体图。图13E和图13F分别是图13D所示的叠层陶瓷电容器1002的线13E和线13F的剖视图。提出解决图13B所示的厚度差1001A造成的上述问题，形成没有厚度差1001A的图13D所示的电容器1002的方法。
图14A～图14F是特开平6-96991号公报所公开的表示现有的叠层陶瓷电容器的制造方法的陶瓷层片的剖视图。
如图14A所示，在支承膜1014A上形成以规定形状图案形成的多个内部电极层1012，由此制作内部电极层片1014C。另外，如图14B所示，在支承膜1014B上的整个面上形成陶瓷层1013，由此制作多个陶瓷层片。进而，在陶瓷层1013上的至少角部和外周部形成厚度差抑制层1011，由此制作多个复合陶瓷厚度差抑制层片1016。厚度差抑制层1011和陶瓷层1013由同一材料构成。
然后，如图14C所示，在基座1022上重叠多个陶瓷层1013，通过加热压接制作陶瓷基材层1027。接着，以内部电极层1012与陶瓷基材层1027相对的方式，在陶瓷基材层1027上叠层内部电极层片1014C，加热压接后，只剥离支承膜1014A，在陶瓷基材层1027的表面1027A上形成内部电极层1012。
然后，如图14D所示，以厚度差抑制层1011与陶瓷基材层1027相对的方式，在陶瓷基材层1027的表面1027A上叠层复合陶瓷厚度差抑制层片1016并加热压接。之后，剥离支承膜1014B，在陶瓷基材层1027的表面1027A上形成复合陶瓷厚度差抑制层片1016。厚度差抑制层1011位于未形成内部电极层1012的陶瓷基材层1027的表面1027A上。陶瓷层1013位于内部电极1012上和厚度差抑制层1011上。
重复图14A～图14D所示的工序，如图14E所示，叠层多个陶瓷层1013、多个内部电极层1012和多个厚度差抑制层1011而制作有效层部1001B。
然后，在有效层部1001B上叠层设于支承膜上的陶瓷层1013，从支承膜侧加热压接，只剥离支承膜形成陶瓷层1013。重复规定次数陶瓷层1013的加热压接和支承膜的剥离，制作陶瓷基材层1028，如图14F所示，制作叠层体坯块(green block)1001C。
然后，根据需要对获得的叠层体坯块1001C进行加热加压，沿厚度方向1001D切断，切出各个叠层体。之后，对叠层体进行煅烧，通过烧焊外部电极1019制作叠层陶瓷电容器1002。
在特开2002-313665号公报中公开有对内部电极层片1014C进行对位的现有的方法。利用识别相机对内部电极层1012进行拍摄并对位，由此制作叠层体坯块1001C。
在特开2002-343675号公报中公开有对内部电极层1012和厚度差抑制层1011进行对位的其它现有的方法。将在陶瓷层1013上印刷的内部电极层1012和在陶瓷层1013上印刷的厚度差抑制层1011对合并使其嵌合。
相对于厚度3μm以下、进而2μm以下的内部电极层1012，需要将厚度差抑制层1011的厚度减薄到同程度的3μm以下、进而2μm以下。在上述现有的方法中，在厚度差抑制层1011的厚度减薄到3μm以下、进而2μm以下的情况下，无法正确特定厚度差抑制层1011的形成位置，难以在未形成内部电极层1012的部分高精度对位厚度差抑制层1011。
图15是现有的叠层陶瓷电容器的陶瓷层片的剖视图。如图15所示，若内部电极层1012和厚度差抑制层1011的位置错开重叠，则重叠的部分1051的厚度大，厚度差抑制层1011和内部电极1012均不存在的部分产生间隙1052。在叠层时的加热压接中，存在对内部电极层1012和厚度差抑制层1011重叠的部分1051施加规定大小以上的压力而变形的情况。另外，在叠层时的加热压接中，存在如下情况不对产生间隙1052的部分施加规定压力，而将陶瓷层1013加热压接到叠层体坯块1001C之后，在剥离支承膜1014时，产生未转印陶瓷层1013的部分。
另外，若内部电极层1012和厚度差抑制层1011的位置错开，则存在陶瓷层1013的相对的内部电极层1012之间的部分增厚，无法获得期望的电气特性的情况。另外，若为了特定厚度差抑制层1011的位置而耗费时间，则陶瓷电容器1002的生产性降低。
另外，在特开2002-313665号公报中公开的方法中，相对于定位标识，光源和识别相机处于同一方向。在定位标识和形成有该定位标识的陶瓷层的对比度大时，能够高精度识别定位标识。但是，在定位标识和陶瓷层的对比度小时，无法高精度识别定位标识，从而无法高精度对位内部电极层和厚度差抑制层。
因此，提出如下方法通过控制内部电极层所包含的金属粉末的形状，利用内部电极层和陶瓷层的反射光所造成的对比度之差，对内部电极层和陶瓷层进行对位。但是，如内部电极层和陶瓷层，在选择不同种类材料时该方法有效，但在由同一材料构成的陶瓷层和厚度差抑制层中，难以明确对比度。例如，若使陶瓷层所含有的陶瓷粉末粒子和厚度差抑制层所含有的陶瓷粉末粒径不同，则存在煅烧时的烧结收缩率产生差值，烧结后产生裂纹或剥落的情况。
另外，在特开2002-343675号公报中公开的方法中，将内部电极层和厚度差抑制层在一张内部电极层片及厚度差抑制层片整个面上对合并使其嵌合而叠层。但是，将厚度3μm以下进行2μm以下的内部电极层和厚度差抑制层与数cm四方到数十cm四方面积的一张内部电极层片及厚度差抑制层片相互以高精度进行对位则比较难。
发明内容
制作具有在第一支承体的同一表面上设置的内部电极层和多个第一定位标识的内部电极层片。制作具有在第二支承体的同一表面上设置的由陶瓷构成的厚度差抑制层和多个第二定位图案的陶瓷层片。根据多个第一定位标识确定内部电极层片的第一基准点。根据多个第二定位标识确定陶瓷层片的第二基准点。使第一基准点位于规定位置的同时，使内部电极位于由陶瓷构成的基材层上，由此在基材层的表面上叠层内部电极层片。使第二基准点位于规定位置的同时，使厚度差抑制层不与内部电极层重叠且在内部电极层的周围位于基材层上，由此在基材层上叠层陶瓷层片。使陶瓷层位于内部电极层上和厚度差抑制层上，由此制造叠层陶瓷电子部件。
根据该方法，能够减少内部电极层和厚度差抑制层的位置偏移造成的叠层陶瓷部件的不良。
图1是本发明实施方式的叠层陶瓷部件的立体图；图2A是图1所示的叠层陶瓷部件的线2A-2A的剖视图；图2B是图1所示的叠层陶瓷部件的线2B-2B的剖视图；图3A是用于说明本发明实施方式的叠层陶瓷部件的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图3B是用于说明本发明实施方式的叠层陶瓷部件的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图3C是用于说明本发明实施方式的叠层陶瓷部件的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图3D是用于说明本发明实施方式的叠层陶瓷部件的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图3E是用于说明本发明实施方式的叠层陶瓷部件的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图3F是用于说明本发明实施方式的叠层陶瓷部件的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图4A是实施方式的叠层陶瓷部件的内部电极层片的立体图；图4B是实施方式的叠层陶瓷部件的陶瓷层片的立体图；图5A是实施方式的叠层陶瓷部件的内部电极层片的局部立体图；图5B是图5A所示的内部电极层片的线5B-5B的剖视图；图6A是实施方式的叠层陶瓷部件的陶瓷层片的局部立体图；图6B是图6A所示的陶瓷层片的线6B-6B的剖视图；图6C是实施方式的叠层陶瓷部件的另一陶瓷层片的局部立体图；图6D是图6C所示的陶瓷层片的线6D-6D的剖视图；图7是实施方式的叠层陶瓷部件的制造装置的概略图；图8是实施方式的叠层陶瓷部件的另一制造装置的概略图；图9是实施方式的叠层陶瓷部件的又一制造装置的概略图；图10A是实施方式的叠层陶瓷部件的内部电极层片的俯视图；图10B是实施方式的叠层陶瓷部件的陶瓷层片的俯视图；图11表示实施方式的叠层陶瓷电容器的样品的评价结果；图12A是实施方式的叠层陶瓷电容器的另一内部电极层片的剖视图；图12B是实施方式的叠层陶瓷电容器的另一陶瓷层片的剖视图；图12C是实施方式的叠层陶瓷电容器的另一陶瓷层片的剖视图；图13A是现有的叠层陶瓷电容器的立体图；图13B是图13A所示的叠层陶瓷电容器的线13B-13B的剖视图；图13C是图13A所示的叠层陶瓷电容器的线13C-13C的剖视图；图13D是另一现有的叠层陶瓷电容器的立体图；图13E是图13D所示的叠层陶瓷电容器的线13E-13E的剖视图；图13F是图13D所示的叠层陶瓷电容器的线13F-13F的剖视图；图14A是用于说明现有的叠层陶瓷电容器的制造工序的陶瓷层片的剖视图；
图14B是用于说明现有的叠层陶瓷电容器的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图14C是用于说明现有的叠层陶瓷电容器的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图14D是用于说明现有的叠层陶瓷电容器的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图14E是用于说明现有的叠层陶瓷电容器的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图14F是用于说明现有的叠层陶瓷电容器的制造工序的陶瓷层片的剖视图；图15是用于制造现有的叠层陶瓷电容器的陶瓷层片的剖视图。
图中11-厚度差抑制层；12-内部电极层；13-陶瓷层；14A-支承膜；14B-支承膜；15A1-基准点(第-基准点)；15A11～15A14-定位标识(第一定位标识)；15Ak-基准点(第一基准点)；15Ak1～15Ak4-定位标识(第一定位标识)；15B1-基准点(第二基准点)；15B11～15B14-定位标识(第二定位标识)；15Bk-基准点(第二基准点)；15Bk1～15Bk4-定位标识(第二定位标识)；16-复合陶瓷层；17-光源；18-相机；19-外部电极；20-数据处理部；21-片供给部；27-下基材层；28-上基材层；29-片选择部；701-内部电极层片；702-陶瓷层片；5001-识别部；5002-叠层部；5003-加压部；5004-剥离部。
具体实施例方式
图1是作为本发明实施方式的叠层陶瓷部件的叠层陶瓷电容器501的立体图。图2A和图2B分别是图1所示的叠层陶瓷电容器501的线2A和线2B的剖视图。电容器501具备电容器块501A和在电容器块501A的两端设置的外部电极19。电容器块501A由多个陶瓷层13和在陶瓷层13之间设置的内部电极层12和厚度差抑制层11构成。内部电极层12连接于外部电极19。
以下，对叠层陶瓷电容器501的制造方法进行说明。
图3A～图3F是对用于制造叠层陶瓷电容器501的叠层体坯块的制造工序进行说明的剖视图。
首先，对内部电极层12的制作方法进行说明。制作相对于100重量份的Ni等金属粉末，适量混合了2重量份以上10重量份以下的乙基纤维素等有机粘合剂、和萜品醇等有机溶剂的导电膏。在作为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等透光性有机膜的支承膜14A的表面114A上印刷导电膏并干燥，在表面114A上同时形成厚度2μm的多个内部电极层12和定位标识15A11～15A14，由此制作图3A所示的内部电极层片701。即，支承膜14A作为支承内部电极层12的支承体而起作用，在该支承体的表面上设有内部电极层12。内部电极层12采用相邻内部电极层12的间隔D11为500μm而设计的图案进行印刷。即，在内部电极层片701中，内部电极12和定位标识15A11～15A14，配置在作为支承它们的支承体的支承膜14A的表面114A上。支承膜14A的表面114A与其支承体的表面相对应。在支承膜14A的表面114A上设有未形成内部电极层12的部分1114A。
图4A是内部电极层片701的立体图。图5A是内部电极层片701的局部立体图。图5B是图5A所示的内部电极层片701的线5B-5B的剖视图。定位标识15A11～15A14形成在内部电极层片的四角。定位标识15A11～15A14为直径1.00mm的圆形，定位标识15A11和15A12的中心间的距离、定位标识15A12和15A14的中心间的距离、定位标识15A13和15A14的中心间的距离、定位标识15A11和15A13的中心间的距离全部为100.00mm，且配置在正方形的四角。定位标识15A11～15A14如图5A所示从支承膜14A突出，实际上如图5B所示，根据导电膏的印刷后的渗析所造成的形状变化，具有比设计值的直径1.00mm稍大的1.03mm的直径D12。
其次，对陶瓷层13的制作方法进行说明。
相对于以钛酸钡等电介质陶瓷粉末为主成分的100重量份的原料粉末，混合2重量份以上10重量份以下的聚乙烯醇缩丁醛等有机粘合剂、2重量份以上8重量份以下的邻苯二甲酸酯等可塑剂、适量的醋酸丁酯等有机溶剂，制作陶瓷浆。利用刮刀等的片成形法，在作为透光性有机膜的支承膜14B的表面114B上涂敷陶瓷浆，然后干燥，如图3B所示，在表面114B上制作具有陶瓷层13的陶瓷层片。陶瓷层13的厚度为3μm。进而，利用同样的方法，制作具有支承膜、和在该支承膜上设置的厚度50μm的陶瓷层的陶瓷层片。
其次，对厚度差抑制层11的制作方法进行说明。
如图3B所示，采用将用于制作陶瓷层13的陶瓷浆以陶瓷层13的表面113A上线宽达到500μm的方式设计的图案，在表面113A上同时印刷厚度差抑制层11和定位标识15B11～15B14。使陶瓷浆干燥，制作复合陶瓷片16，获得由支承膜14B和支承膜14B的表面114B上的复合陶瓷片16构成的陶瓷层片702。即，在陶瓷层片702中，支承膜14B和陶瓷层13作为支承厚度差抑制层11的支承体而起作用，在该支承体的表面上设有厚度差抑制层11。陶瓷层13的表面113A与该支承体的表面对应。在陶瓷层13的表面113A上设有未形成厚度差抑制层11的部分1113A。在将内部电极层片701和陶瓷层片702以表面114A和表面114B朝向相同方向的方式重叠时，厚度差抑制层11位于表面114A的未形成内部电极层12的部分1114A上，且内部电极层12位于表面113A的未形成厚度差抑制层11的部分1113A上。厚度差抑制层11干燥后具有与内部电极层12相同的厚度2μm。
图4B是陶瓷层片702的立体图。在陶瓷层13上形成的定位标识15B11～15B14设计为成为以陶瓷层13的表面113A为底且以厚度差抑制层11为侧面的直径1.00mm的圆形的凹部。即，定位标识15B11～15B14与定位标识15A11～15A14具有同一形状。定位标识15B11～15B14配置在定位标识15B11和15B12的中心间的距离、定位标识15B12和15B14的中心间的距离、定位标识15B13和15B14的中心间的距离、定位标识15B11和15B13的中心间的距离全部为100.00mm的正方形的四角。即，在将内部电极层片701和陶瓷层片702以表面114A和表面114B朝向相同方向的方式重叠时，定位标识15B11～15B14配置为与内部电极层片701的定位标识15A11～15A14位于大致相同位置。
图6A是陶瓷层片702的局部立体图。图6B是图6A所示的陶瓷层片702的线6B-6B的剖视图。定位标识15B11～15B14使用陶瓷浆与厚度差抑制层11同时形成在陶瓷层13的表面113A上。如图6A所示，定位标识15B11～15B14以与从内部电极层12突出的定位标识15A11～15A14相反的图案，即采用陶瓷浆而形成，作为以陶瓷层13的表面113A的一部分为底的凹部而形成。定位标识15B11～15B14的外周部15B111～15B141的厚度D13即侧面的高度为厚度差抑制层11的厚度，即2μm。定位标识15B11～15B14为直径D14的圆，根据陶瓷浆的印刷后的渗析所造成的形状变化，实际上是比设计值的直径1.00mm稍小的直径0.97mm的圆。
图6C是叠层陶瓷电容器501的另一陶瓷层片1702的局部立体图。图6D是图6C所示的陶瓷层片1702的线6D-6D的剖视图。在陶瓷层片1702中，代替图6A和图6B所示的定位标识15B11～15B14而具备定位标识115B11～115B14。定位标识115B11～115B14不在它们的周围印刷陶瓷浆，而具有与内部电极层片701的定位标识15A11～15A14大致相同的形状，且从陶瓷层13突出。
在特开2002-313665号公报所公开的现有的方法中，在定位标识与形成有该定位标识的陶瓷层的对比度大的情况下，能够高精度识别定位标识。但是，在定位标识与陶瓷层的对比度小的情况下，无法高精度识别定位标识，从而无法高精度对位内部电极层和厚度差抑制层。
在实施方式中，可在陶瓷浆中相对于100重量份的陶瓷粉末，以0.1重量份以上3重量份以下的范围添加作为蓝色、深蓝色或黑色等着色剂的有机系偶氮染料，形成厚度差抑制层11及定位标识15B11～15B14、115B11～115B14。该陶瓷粉末呈乳白色，在定位标识15B11～15B14、115B11～115B14与厚度差抑制层11均薄的情况下，与陶瓷层13的对比度不明确，定位困难。因此，为了明确定位标识15B11～15B14、115B11～115B14与成为印刷该定位标识的被印刷体的陶瓷层13的对比度，在陶瓷浆中添加蓝色、深蓝色或黑色等暗色的着色剂。相对于100重量份的陶瓷粉末，着色剂小于0.1重量份的情况下，有时对比度不明确，定位困难。另外，若着色料大于3重量份，则内部电极层12所含的金属粉末的暗色与厚度差抑制层11的色调变为相同。在将由此作成的叠层体坯块分片切断时，有时无法明确判断切断位置。另外，若着色剂的添加量大于3重量份，则对个片进行脱脂煅烧时，有时着色剂的残渣会残留于烧结后的陶瓷层，而造成气孔等结构缺陷。因此，在陶瓷浆中，相对于100重量份的陶瓷粉末，优选添加0.1重量份以上3重量份以下的着色剂。
然后，如图3C所示，在基座22上叠层形成于支承膜上的厚度50μm的陶瓷层，从支承膜侧加压压接后，只剥离支承膜。重复该操作规定次数，形成由陶瓷构成的下基材层27。然后，以定位标识15A11～15A14配置于规定位置的方式对图3A所示的内部电极层片701的内部电极层12进行定位，并将贴合在下基材层27的表面27A上。之后，从支承膜14A侧对内部电极层12进行加热压接，只剥离支承膜14A，从而将内部电极层12转印并形成在下基材层27的表面27A上。
然后，如图3D所示，以定位标识15B11～15B14为基准，将图3B所示的陶瓷层片702的复合陶瓷片16叠层在下基材层27的表面27A上。厚度差抑制层11位于下基材层27的表面27A上未形成内部电极层12的部分27B上。即，下基材层27的表面27A上的厚度差抑制层11位于内部电极层12的周围。之后，从支承膜14B侧对复合陶瓷片16进行加热压接，只剥离支承膜14B，获得叠层体5011。由于在未形成内部电极层12的部分形成有厚度差抑制层11，所以陶瓷层13的表面113A的相反的表面113B平坦。
然后，使用内部电极层片701，与图3C同样，在陶瓷层13的表面113B上形成内部电极12。而且，使用陶瓷层片702，与图3D同样，在内部电极12和陶瓷层13的表面113B上形成复合陶瓷片16。于是，交替形成内部电极12和复合陶瓷片16，如图3E所示，在下基材层27的表面27A上制作有效层部501B。
然后，如图3F所示，在有效层部501B的表面501C上，叠层形成于支承膜上的厚度50μm的陶瓷层。从支承膜层对陶瓷层进行加热压接后，只剥离支承膜。重复该操作规定次数，形成上基材层28，制作叠层体坯块501D。
然后，对叠层体坯块501D进行加热加压，按规定尺寸切断，分割为个片的叠层体坯块。
然后对获得的叠层体坯块进行脱脂，之后煅烧。之后，在内部电极层12露出的端面形成外部电极19，获得叠层陶瓷电容器501。
如图3A～图3F所示，根据实施方式，内部电极层12支承于作为有机膜的支承膜14A上，厚度差抑制层11支承于在作为有机膜的支承膜14B上形成的陶瓷层13上。由此，根据分别叠层形成于支承膜上的内部电极层、陶瓷层、厚度差抑制层的方法，能够以较少的叠层次数并以高生产性制造叠层陶瓷电容器501。另外，在陶瓷层13上形成内部电极层12的情况下，因内部电极层12的形成时对陶瓷层13带来的损伤，内部电极层12具有相互短路的可能性。例如，在使用导电性膏剂通过丝网印刷法等在陶瓷层13上形成内部电极层12时，因印刷时的机械的损伤或导电性膏剂中所含的有机溶剂的薄板腐蚀(sheet attack)，有时陶瓷层13膨润而产生龟裂。该情况下，具有导电性膏剂渗入龟裂中而与其它内部电极层12短路的可能性。在陶瓷层13上形成厚度差抑制层11时，该问题不易产生，能够容易且高成品率地制造叠层陶瓷电容器。
在此，对内部电极层片701和陶瓷层片702的叠层及对位进行说明。
图7是实施方式的叠层陶瓷部件501的制造装置1的概略图。图10A是内部电极层片701的俯视图。在制造装置1中，夹着定位标识15A11～15A14、15B11～15B14相对配置有光源17和识别相机18。制造装置包括由多个光源17和多个相机18构成的识别部5001、片供给部21、叠层部5002、加压部5003、和剥离部5004。
首先，在片供给部21上配置第一片内部电极层片701，对吸附用空洞部26进行减压而固定在片供给部21上。然后，对于定位标识15A11～15A14，使从识别部5001的光源17发出的光通过设于片供给部21的空洞部24，利用相机18对透过定位标识15A11～15A14的光进行拍摄，获得定位标识15A11～15A14的图像。由数据处理部20对获得的图像进行图像处理，求出图10A所示的定位标识15A11～15A14的各个中心点的坐标(XA11、YA11)～(XA14、YA14)。进而，数据处理部20根据这些中心点的坐标求出连结定位标识15A11和15A14的直线LA11、与连结定位标识15A12和15A13的直线LA21的交点的坐标((XA1+XA2+XA3+XA4)/4，(YA1+YA2+YA3+YA4)/4)，将基准点15A1确定为该交点。进而，求出基准点15A1处的直线LA11、LA21所成的角度θA1。
然后，在将第一片内部电极层片701固定于片供给部21的状态下，向叠层部5002的基座22的上方移动。之后，调整片供给部26的朝向和位置，使得基准点15A1和直线LA11、LA21位于规定位置，以在固定于基座22上的下基材层27上形成内部电极层12的方式配置内部电极层片701后，使吸附用空洞部26返回到常压，将内部电极层片701叠层在下基材层27上。
然后，利用加压部5003的冲头23从支承膜14A侧对在基座22上的下基材层27上叠层的第一片内部电极层片701进行加热加压。之后，在剥离部5004处剥离支承膜14A，在下基材层27上形成最下面的内部电极层12。
然后，在片供给部21上配置第一片陶瓷层片702，对吸附用空洞部26进行减压而固定于片供给部21。然后，对于定位标识15B11～15B14，使从识别部5001的光源17发出的光通过设于片供给部21的识别用空洞部24，利用识别相机18对透过定位标识15B11～15B14的光进行拍摄，获得定位标识15B11～15B14的图像。由数据处理部20对获得的图像进行图像处理，求出图10B所示的定位标识15B11～15B14的各个中心点的坐标(XB11、YB11)～(XB14、YB14)。进而，数据处理部20根据这些中心点的坐标求出连结定位标识15B11和15B14的直线LB11、与连结定位标识15B12和15B13的直线LB21的交点的坐标((XB1+XB2+XB3+XB4)/4，(YB1+YB2+YB3+YB4)/4)，将基准点15B1确定为该交点。进而，求出基准点15B1处的直线LB11、LB21所成的角度θB1。
然后，在将第一片陶瓷层片702固定于片供给部21的状态下，向叠层部5002的基座22的上方移动。之后，调整片供给部21的朝向和位置，，以在具有内部电极层12的下基材层27上形成厚度差抑制层11的方式配置陶瓷层片702后，使吸附用空洞部26返回到常压，将陶瓷层片702叠层在下基材层27上。
在将陶瓷层片702叠层在下基材层27上时，为了使厚度差抑制层11配置在下基材层27的未设有内部电极层12的部分27B上且不配置在内部电极层12上，对陶瓷层片702的对位进行说明。第一片内部电极层片701如图10A所示，定位标识15A11～15A14与基准点15A1具有角度θA1。调整片供给部21的位置，使得内部电极层片701的基准点15A1与陶瓷层片的基准点15B1一致、且通过基准点15A1角度θA1/2的直线LA31即角度θA1的二等分线LA31与通过基准点15B1角度θB1/2的直线LB31即角度θB1的二等分线LB31一致。
之后，利用加压部5003的冲头23从支承膜14B侧将陶瓷层片702加热压接到形成有内部电极层12的下基材层27上。之后，在剥离部5004处剥离支承膜14B，在下基材层27的部分27B上形成厚度差抑制层11，在厚度差抑制层11和内部电极层12上形成陶瓷层13。
之后，同样交替使用内部电极层片701和陶瓷层片702，如图2A所示，在相同表面上形成内部电极层12和厚度差抑制层11，且交替形成内部电极层12和陶瓷层13。即，交替形成厚度差抑制层11和陶瓷层13。
在叠层陶瓷电容器501中，如图2A所示，叠层多片(N片)内部电极层12，交替连接于外部电极19。
与基材层27上配置的第一片内部电极层片701的定位标识15A11～15A14、基准点15A1、角度θA1同样，第二片内部电极层片701具有定位标识15A21～15A24、基准点15A2、角度θA2，第k(1≤k≤N)片内部电极层片701具有定位标识15Ak1～15Ak4、基准点15Ak、角度θAk。在将第k片内部电极层片701叠层在陶瓷层13的表面113B上时，调整片供给部21，使得第一片内部电极层片701的基准点15A1与基准点15Ak一致，且直线LA31与通过基准点15Ak成为角度θAk/2的直线LA3k即角度θAk的二等分线LA3k一致。另外，为了将第奇数片内部电极12连接于外部电极19的一方，将第偶数片内部电极12连接于外部电极19的另一方，沿图10A的Y方向将内部电极层片701分层按规定距离交替错开叠层在陶瓷层13上。
在多个内部电极层12之间设有陶瓷层13。与第一片内部电极层12上配置的第一片陶瓷层片702的定位标识15B11～15B14、基准点15B1、角度θB1同样，第二片陶瓷层片702具有定位标识15B21～15B24、基准点15B2、角度θB2，第k(1≤k≤N)片陶瓷层片702具有定位标识15Bk1～15Bk4、基准点15Bk、角度θBk。在将第k片陶瓷层片702叠层在内部电极12和下基材层27的部分27B上时，调整片供给部21，使得第一片内部电极层片701的基准点15A1与基准点15B1一致，且直线LA31与通过基准点15B1成为角度θB1/2的直线LB31即角度θB1的二等分线LB31一致。之后，交替叠层第(N-1)片内部电极层片701和第(N-1)片陶瓷层片702。在将第k片陶瓷层片702叠层在内部电极12和下基材层27的部分27B上时，调整片供给部21，使得第一片陶瓷层片702的基准点15B1与基准点15Bk一致，且直线LB31与通过基准点15Bk成为角度θBk/2的直线LB3k即角度θBk的二等分线LB3k一致。
图8是实施方式的叠层陶瓷部件501的另一制造装置2的概略图。制造装置2在制造装置1的基础上还具备片选择部29。片选择部29判定由数据处理部20求出的定位标识15Ak1～15Ak4、15Bk1～15Bk4的位置是否在规定范围之外，除去定位标识的位置在规定范围之外的内部电极层片701及陶瓷层片702，只选择定位标识的位置处于规定范围内的内部电极层片701及陶瓷层片702，并送给叠层部5002。片供给部21将具有规定范围之外位置的定位标识的内部电极层片和陶瓷层片置于片承受部25。
图9是叠层陶瓷部件501的又一制造装置3的概略图。在制造装置3中，代替图7所示的制造装置1的识别部5001具备识别部6001。识别部6001不同于识别部5001，光源17针对片供给部21与相机18位于同一侧。
利用图7～图9分别表示的制造装置1～制造装置3，制作叠层体坯块，并制作了叠层体陶瓷电容器的试料1～试料8和比较例。这些叠层陶瓷电容器的试料，具有外形尺寸纵3.2mm、横1.6mm、高度1.6mm，煅烧后的内部电极层12间的电介质陶瓷层13的厚度2μm，及煅烧后的内部电极层12的厚度1.5μm。另外，这些试料分别由300片内部电极层片701和陶瓷层片702而具有300层内部电极层12。图11表示叠层陶瓷电容器的样品和其评价结果。
在制造装置1～3中，数据处理部20求出内部电极层片701的定位标识15Ak1～15Ak4的中心点的坐标(XAk1、YAk1)～(XAk4、Yak4)，分别算出作为正方形一边的定位标识15Ak1与15Ak2间的距离、定位标识15Ak2与15Ak4间的距离、定位标识15Ak3与15Ak4间的距离、定位标识15Ak1与15Ak3间的距离。进而，数据处理部20算出了成为正方形对角线的定位标识15Ak1与15Ak4间的距离和定位标识15Ak2与15Ak3间的距离。同样，数据处理部20求出陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4的中心点的坐标(XBk1、YBk1)～(XBk1、YBk1)，分别算出作为正方形一边的定位标识15Bk1与15Bk2间的距离、定位标识15Bk2与15Bk4间的距离、定位标识15Bk3与15Bk4间的距离、定位标识15Bk1与15Bk3间的距离。进而，数据处理部20算出了成为正方形对角线的定位标识15Bk1与15Bk4间的距离和定位标识15Bk2与15Bk3间的距离。
在制造装置1中制作了试料1～5的叠层陶瓷电容器501。在试料1中，陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4如图6A和图6B所示，是以设于厚度差抑制层11的陶瓷层13的表面113A的一部分为底的凹部。在试料2中，陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4如图6C和图6D所示，具有由厚度差抑制层11的陶瓷浆而形成的从陶瓷层13的表面113A突出的定位标识形状115B11～115B14的形状。在试料3中，在试料2的陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4中添加了0.10％的着色剂。在试料4中，在试料2的陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4中添加了1.00％的着色剂。在试料5中，在试料2的陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4中添加了3.00％的着色剂。
在制造装置2中制作了试料6～8的叠层陶瓷电容器。将成为正方形一边的定位标识15Ak1与15Ak2间的距离、定位标识15Ak2与15Ak4间的距离、定位标识15Ak3与15Ak4间的距离、定位标识15Ak1与15Ak3间的距离、定位标识15Bk1与15Bk2间的距离、定位标识15Bk2与15Bk4间的距离、定位标识15Bk3与15Bk4间的距离、定位标识15Bk1与15Bk3间的距离以99.95mm以上100.05mm以下即设计尺寸100mm且±0.05％的公差T1作为规定的范围，且成为正方形对角线的定位标识15Ak1与15Ak4间的距离、定位标识15Ak2与15Ak3间的距离、定位标识15Bk1与15Bk4间的距离、定位标识15Bk2与15Bk3间的距离以141.35mm以上141.49mm以下即141.42mm的设计尺寸且±0.05％的公差T1作为规定的范围。片供给部21将具有位于选择了片选择部29的规定范围的定位标识的内部电极层片701送给叠层部5002，制作了试料6的叠层陶瓷电容器。试料6与试料2同样，从内部电极层片701和陶瓷层片702获得。然后，将成为正方形一边的定位标识15Ak1与15Ak2间的距离、定位标识15Ak2与15Ak4间的距离、定位标识15Ak3与15Ak4间的距离、定位标识15Ak1与15Ak3间的距离、定位标识15Bk1与15Bk2间的距离、定位标识15Bk2与15Bk4间的距离、定位标识15Bk3与15Bk4间的距离、定位标识15Bk1与15Bk3间的距离以99.97mm以上100.03mm以下即设计尺寸100mm且±0.03％的公差T1作为规定的范围，且成为正方形对角线的定位标识15Ak1与15Ak4间的距离、定位标识15Ak2与15Ak3间的距离、定位标识15Bk1与15Bk4间的距离、定位标识15Bk2与15Bk3间的距离以141.38mm以上141.46mm以下即141.42mm的设计尺寸且±0.03％的公差T1作为规定的范围。片供给部29将具有位于其规定范围的定位标识的内部电极层片701送给叠层部5002，制作了试料7的叠层陶瓷电容器。试料7与试料2同样，从内部电极层片701和陶瓷层片702获得。另外，试料8在试料7的陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4中添加了1.00％的着色剂。
在制造装置3中制作了比较例的叠层陶瓷电容器。在比较例中，陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4如图6A和图6B所示，是设于厚度差抑制层11的凹部。在比较例中，在陶瓷层片702中未添加着色剂。
图11将各试料的叠层陶瓷电容器所用的陶瓷层片702的定位标识15Bk1和15Bk4间的距离的平均值M1和标准偏差σ1与评价结果一并表示。内部电极层片701的定位标识15Ak1和15Ak4间的距离的平均值和标准偏差分别为141.43mm和0.007mm。
因内部电极层12和厚度差抑制层11的重叠所造成的陶瓷层13的不均匀，有时产生叠层时的加热压接的异常的压力分布，陶瓷层13不被部分地转印而作成不良的叠层体坯块501D。另外，因内部电极层12和厚度差抑制层11的重叠，有时制作具有规定范围外的静电容量的不良的试料。图11表示作为试料的评价结果，非不良的良品的叠层体坯块501D的良品率和具有规定范围的静电容量的良品试料的良品率。
在由制造装置3制作的比较例中，由于厚度差抑制层11薄到2μm，所以定位标识15Bk1～15Bk4对比度低而无法识别，无法叠层用于形成厚度差抑制层11的陶瓷层片702。
与此相对，在制造装置1和2中，在识别部5001中从光源17透过定位标识15Bk1～15Bk4的光具有鲜明的对比度，由相机18接收该光，由此能够识别定位标识15Bk1～15Bk4。由此能够叠层陶瓷层片702。
在试料2～8中，陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4具有与内部电极层片的定位标识15Ak1～15Ak4相同的形状，即从陶瓷层13突出的形状。由此，陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4间的距离的平均值与内部电极层片701的定位标识15Ak1～15Ak4间的距离的平均值大致相同，定位标识15Bk1～15Bk4间的距离的标准偏差小。因此，定位标识15Ak1～15Ak4、15Bk1～15Bk4能够高精度识别，其结果，叠层体坯块501D的良品率和基于静电容量的叠层陶瓷电容器501的良品率比试料1大。
在试料3～5、8中，陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4添加蓝色、深蓝色或黑色等有机系偶氮染料，着色为与陶瓷层13(通常为乳白色)不同的颜色。由此，能够高精度识别陶瓷层片702的位置，其结果，叠层体坯块501D的良品率和基于静电容量的叠层陶瓷电容器501的良品率在试料3～5中比试料2大，试料8比试料6和试料7大。
另外，在制造装置2中，通过只选择定位标识15Ak1～15Ak4、15Bk1～15Bk4间的距离处于作为规格值的规定范围的内部电极层片701及陶瓷层片702，制作叠层体坯块501D，能够高精度识别内部电极层片701和陶瓷层片702的位置，从而能够更容易地对它们进行对位。其结果，叠层体坯块501D的良品率和基于静电容量的叠层陶瓷电容器501的良品率在试料6～8中比试料1～5大。在实施方式中，只选择了定位标识间的距离处于规定范围的内部电极层片701及陶瓷层片702，但通过只选择角度θAk、θBk处于作为规格值的规定范围的内部电极层片701及陶瓷层片702，制作叠层体坯块501D，也具有同样的效果。
通过本实施方式的上述方法利用制造装置1或2制造的叠层陶瓷电容器501，即使随着内部电极层12的薄层化而厚度差抑制层11薄层化，也能够容易且高精度定位并叠层厚度差抑制层11，能够抑制内部电极层12和厚度差抑制层11的重叠引起的不良、即陶瓷层13未部分地转印的不良和具有规定范围外的静电容量的不良的产生。
根据本实施方式，定位标识15Bk1～15Bk4使用陶瓷浆与厚度差抑制层11同时形成在陶瓷层13上，利用具有厚度差抑制层11的部分和没有厚度差抑制层11的部分起到定位标识的作用。由此，可不必分别形成厚度差抑制层11和定位标识15Bk1～15Bk4而能够以高生产性形成，在多个陶瓷层片702间，厚度差抑制层11和定位标识15Bk1～15Bk4的位置精度大致相同，所以陶瓷层片701能够以高精度叠层。
另外，如图11所示，在实施方式的叠层陶瓷电容器中，内部电极层片701的定位标识15Ak1～15Ak4从作为支承体的支承膜14A突出，具有图5A和图5B所示的形状。陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4具有图6A和图6B所示的形状、或从作为支承体的陶瓷层13突出的图6C和图6D所示的定位标识115B11～115B14的形状。通过使内部电极层片701的定位标识15Ak1～15Ak4和陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4形成相同形状，可将内部电极层12的导电膏和厚度差抑制层11的陶瓷浆的印刷渗析和印刷凹陷、印刷干燥时引起的厚度不均等的形状变化相互大致同样地进行控制。由此，利用相机18能够高精度识别定位标识15Ak1～15Ak4和定位标识15Bk1～15Bk4，从而能够对它们进行高精度定位。因此，在陶瓷层片702的定位标识15Bk1～15Bk4具有图6A和图6B所示的形状时，通过使内部电极层片701的定位标识15Ak1～15Ak4也同样形成图6A和图6B所示的形状，能够获得同样的效果。
在本实施方式中，图3A所示的有机膜的支承膜14A和内部电极层12所构成的内部电极层片701、和图3B所示的有机膜的支承膜14B和陶瓷层13及厚度差抑制层11所构成的陶瓷层片702交替地叠层。支承膜14A作为支承内部电极层12的支承体而起作用，支承膜14B和陶瓷层13作为支承厚度差抑制层11的支承体而起作用。
图12A、图12B和图12C分别是实施方式的叠层陶瓷电容器的其它内部电极层片2701、陶瓷层片2702和陶瓷层片2703的剖视图。
内部电极层片2701具备支承膜14A、支承膜14A上的陶瓷层2013、陶瓷层2013上的内部电极层12。即，支承膜14A和支承膜14A上的陶瓷层2013作为支承内部电极层12的支承体而起作用。陶瓷层片2702具备支承膜14B、支承膜14B上的厚度差抑制层11。即，支承膜14B作为支承厚度差抑制层11的支承体而起作用。陶瓷层片2703具备支承膜14C、支承膜14C上的陶瓷层3013。
可交替叠层内部电极层片2701和陶瓷层片2702而制作实施方式的陶瓷电容器501。在该电容器中，陶瓷层2013代替陶瓷层13而使用。在该电容器中，厚度差抑制层11可不与内部电极层12重叠地位于内部电极层12的周围，具有与实施方式同样的效果。
另外，可对陶瓷层片2702、陶瓷层片2703和图3A所示的内部电极层片701进行叠层，制作实施方式的陶瓷电容器501。即，在基材层27的上面27A上使内部电极层片701的面114A相对而叠层，将内部电极层12转印到基材层27的上面27A上，然后剥离支承膜14A。此时，在面27A上形成未设有内部电极层12的部分27B。在转印了内部电极12的基材层27上叠层陶瓷层片2702。此时，厚度差抑制层11在面27A的未形成内部电极12的部分27B位于内部电极12的周围。然后，剥离支承膜14B，将厚度差抑制层11转印到面27A的部分27B上。在转印到基材层27的上面27A上的内部电极层12和厚度差抑制层13上叠层陶瓷层片2703，将陶瓷层3013叠层到内部电极层12和厚度差抑制层13上，然后剥离支承膜14C。由此，获得图3D所示的叠层体5011。在该电容器中，陶瓷层3013代替陶瓷层13而使用。在该电容器中，厚度差抑制层11可不与内部电极层12重叠地位于内部电极层12的周围，具有与实施方式同样的效果。
也可使用内部电极层片2701和陶瓷层片702来制作实施方式的陶瓷电容器501。在该电容器中，预先叠层内部电极层片2701和陶瓷层片702，制作在陶瓷层14B、2013之间夹有内部电极层12和厚度差抑制层13的多个叠层体。然后，叠层这些叠层体而制作叠层陶瓷电容器。在该电容器中，陶瓷层2013与陶瓷层13抵接，作为图3E所示的陶瓷层13而起作用。在该电容器中，厚度差抑制层11可不与内部电极层12重叠地位于内部电极层12的周围，具有与实施方式同样的效果。
在本实施方式中，即使形成内部电极层12和厚度差抑制层11的印刷方法不同，也能够高精度对位这些层。但是，为了进一步高精度对位，优选使用照相凹版印刷法等同一印刷手法形成内部电极层12和厚度差抑制层11。
根据本实施方式，在内部电极层片和陶瓷层片的叠层加压时，通过与温度上升耦合而控制压力上升，能够更加高精度叠层内部电极层片和陶瓷层片。
另外，在本实施方式中，厚度差抑制层11与内部电极层12同片数配置，但厚度差抑制层11的片数和位置没有限制。即使考虑内部电极层12的厚度差的整体而加厚厚度差抑制层11并减少片数，也能够获得同样的效果。另外，厚度差抑制层11等间隔叠层、或任意叠层均能够获得同样的效果。
另外，在本实施方式中，使陶瓷层13、内部电极层12和厚度差抑制层11的厚度相同，且使内部电极层12和厚度差抑制层11的层数相同，但即使它们不同也能够获得同样的效果。
作为本发明实施方式的叠层陶瓷部件对叠层陶瓷电容器501进行了说明，但对同一平面上具有不同部分的层进行叠层的其它叠层陶瓷电子部件也能够由实施方式的上述方法制造，能够获得同样的效果。
(产生上的可利用性)本发明的制造方法和制造装置能够降低内部电极层和厚度差抑制层的位置偏移所造成的不良，对叠层陶瓷电子部件的制造有用。
权利要求
1.一种叠层陶瓷电子部件的制造方法，包括制作至少一个内部电极层片的步骤，该至少一个内部电极层片分别具有具有表面的第一支承体、在所述第一支承体的所述表面上设置的内部电极层、和在所述第一支承体的所述表面上设置的多个第一定位标识；制作至少一个陶瓷层片的步骤，该至少一个陶瓷层片分别具有具有表面的第二支承体，在所述第二支承体的所述表面上设置的由陶瓷构成的厚度差抑制层、和在所述第二支承体的所述表面上设置的多个第二定位标识；根据所述至少一个内部电极层片的所述多个第一定位标识确定所述至少一个内部电极层片的第一基准点的步骤；根据所述至少一个陶瓷层片的所述多个第二定位标识确定所述至少一个陶瓷层片的第二基准点的步骤；以使所述第一基准点位于规定位置的同时使所述内部电极位于由陶瓷构成的基材层的表面上的方式，将所述至少一个内部电极层片中的一个叠层在所述基材层的所述表面上的步骤；以使所述第二基准点位于所述规定位置的同时使所述厚度差抑制层不与所述内部电极层重叠且在所述内部电极层的周围位于所述基材层的所述表面上的方式，将所述至少一个陶瓷层片中的一个叠层在所述基材层的所述表面上的步骤；使陶瓷层位于所述内部电极层上的步骤；使所述陶瓷层位于所述厚度差抑制层上的步骤。
2.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述第一支承体还具有具有与所述第一支承体的所述表面对应的表面的第一支承膜，所述第二支承体还具有具有表面的第二支承膜，在所述第二支承膜的所述表面上设有所述陶瓷层，所述陶瓷层具有与所述第二支承体的所述表面对应的表面，所述制造方法还包括在将所述至少一个内部电极层片中的所述一个叠层在所述基材层的所述表面上的步骤之后，将所述第一支承膜从所述内部电极层剥离的步骤；在将所述至少一个陶瓷层片中的所述一个叠层在所述基材层的所述表面上的步骤之后，将所述第二支承膜从所述陶瓷层剥离的步骤。
3.根据权利要求2所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述第一支承膜是有机膜。
4.根据权利要求2所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述第二支承膜是有机膜。
5.根据权利要求2所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述多个第二定位标识具有与所述陶瓷层不同的颜色。
6.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述第一支承体还具有具有表面的第一支承膜，在所述第一支承膜的所述表面上设有所述陶瓷层，所述陶瓷层具有与所述第一支承体的所述表面对应的表面，所述第二支承体还具有具有与所述第二支承体的所述表面对应的表面的第二支承膜，所述制造方法还包括在将所述至少一个内部电极层片中的所述一个叠层在所述基材层的所述表面上的步骤之后，将所述第一支承膜从所述内部电极层剥离的步骤；在将所述至少一个陶瓷层片中的所述一个叠层在所述基材层的所述表面上的步骤之后，将所述第二支承膜从所述陶瓷层剥离的步骤。
7.根据权利要求6所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述第一支承膜是有机膜。
8.根据权利要求6所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述第二支承膜是有机膜。
9.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，制作所述至少一个内部电极层片的步骤包括在所述第一支承体的所述表面上涂敷导电膏形成所述内部电极层的步骤；和与在所述第一支承体的所述表面上涂敷所述导电膏而形成所述内部电极层的步骤的同时，在所述第一支承体的所述表面上涂敷所述导电膏而形成所述多个第一定位标识的步骤，制作所述至少一个陶瓷层片的步骤包括在所述第二支承体的所述表面上涂敷陶瓷浆而形成所述厚度差抑制层的步骤；和与在所述第二支承体的所述表面上涂敷所述陶瓷浆而形成所述厚度差抑制层的步骤的同时，在所述第二支承体的所述表面上涂敷所述陶瓷浆而形成所述多个第二定位标识的步骤。
10.根据权利要求9所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述多个第一定位标识由所述导电膏形成且从所述第一支承体的所述表面上突出，所述多个第二定位标识由所述陶瓷浆而形成且从所述第二支承体的所述表面上突出。
11.根据权利要求9所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述多个第一定位标识是以所述第一支承体的所述表面的一部分为底的由所述导电膏形成的凹部，所述多个第二定位标识是以所述第二支承体的所述表面的一部分为底的由所述陶瓷浆而形成的凹部。
12.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，还包括从所述至少一个内部电极层片中选择所述至少一个内部电极层片中的所述一个的步骤；从所述至少一个陶瓷层片中选择所述至少一个陶瓷层片中的所述一个的步骤。
13.根据权利要求12所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，还包括对分别通过所述多个第一定位标识中的两个、以第一角度交叉的两个第一直线进行定义的步骤；对分别通过所述多个第二定位标识中的两个、以第二角度交叉的两个第二直线进行定义的步骤，从所述至少一个内部电极层片中选择所述至少一个内部电极层片中的所述一个的步骤包括根据所述第一角度从所述至少一个内部电极层片中选择所述至少一个内部电极层片中的所述一个的步骤，从所述至少一个陶瓷层片中选择所述至少一个陶瓷层片中的所述一个的步骤的步骤包括根据所述第二角度从所述至少一个陶瓷层片中选择所述至少一个陶瓷层片中的所述一个的步骤的步骤。
14.根据权利要求13所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，从所述至少一个内部电极层片中选择所述至少一个内部电极层片中的所述一个的步骤包括判定所述第一角度是否在规定范围内的步骤，从所述至少一个陶瓷层片中选择所述至少一个陶瓷层片中的所述一个的步骤的步骤包括判定所述第一角度是否在规定范围内的步骤。
15.根据权利要求12所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法，其中，从所述至少一个内部电极层片中选择所述至少一个内部电极层片中的所述一个的步骤包括判定所述多个第一定位标识间的距离是否处于规定范围的步骤，从所述至少一个陶瓷层片中选择所述至少一个陶瓷层片中的所述一个的步骤的步骤包括判定所述多个第二定位标识间的距离是否处于规定范围的步骤。
16.一种叠层陶瓷电子部件的制造装置，具备供给部，其供给至少一个内部电极层片和至少一个陶瓷层片，所述至少一个内部电极层片分别具有具有表面的第一支承体、在所述第一支承体的所述表面上设置的内部电极层、和在所述第一支承体的所述表面上设置的多个第一定位标识，所述至少一个陶瓷层片分别具有具有表面的第二支承体，在所述第二支承体的所述表面上设置的由陶瓷构成的厚度差抑制层、和在所述第二支承体的所述表面上设置的多个第二定位图案；光源；相机，其对从所述光源通过所述多个第一定位标识的光、和从所述光源通过所述多个第一定位标识的光进行拍摄；数据处理部，其根据所述相机所拍摄的通过所述多个第一定位标识的所述光确定第一基准点，且根据所述相机所拍摄的通过所述多个第二定位标识的所述光确定第二基准点；叠层部，其以使所述第一基准点位于规定位置的同时使所述内部电极层位于由陶瓷构成的基材层的表面上的方式，将所述至少一个内部电极层片中的一个叠层在所述基材层的所述表面上，且以使所述第二基准点位于所述规定位置的同时使所述厚度差抑制层不与所述内部电极层重叠且在所述内部电极层的周围位于所述基材层的所述表面上的方式，将所述至少一个陶瓷层片中的一个叠层在所述基材层的所述表面上。
17.根据权利要求16所述的叠层陶瓷电子部件的制造装置，其中，所述第一支承体具有第一支承膜，所述第二支承体具有第二支承膜，所述叠层陶瓷电子部件的制造装置还具备剥离部，该剥离部将所述第一支承膜和所述第二支承膜分别从所述第一支承体和所述第二支承体剥离。
18.根据权利要求16所述的叠层陶瓷电子部件的制造装置，其中，还具备片选择部，其从所述至少一个内部电极层片中选择所述至少一个内部电极层片中的所述一个，且从所述至少一个陶瓷层片中选择所述至少一个陶瓷层片中的所述一个。
19.根据权利要求18所述的叠层陶瓷电子部件的制造装置，其中，所述数据处理部求出所述多个第一定位标识间的距离、和所述多个第二定位标识间的距离，所述片选择部根据所述多个第一定位标识间的所述距离，从所述至少一个内部电极层片中选择所述至少一个内部电极层片中的所述一个，且根据所述多个第一定位标识间的所述距离，从所述至少一个陶瓷层片中选择所述至少一个陶瓷层片中的所述一个。
全文摘要
制作具有在第一支承体的同一表面上设置的内部电极层和多个第一定位标识的内部电极层片。制作具有在第二支承体的同一表面上设置的由陶瓷构成的厚度差抑制层和多个第二定位图案的陶瓷层片。根据多个第一定位标识确定内部电极层片的第一基准点。根据多个第二定位标识确定陶瓷层片的第二基准点。使第一基准点位于规定位置的同时，使内部电极位于由陶瓷构成的基材层上，由此在基材层的表面上叠层内部电极层片。使第二基准点位于规定位置的同时，使厚度差抑制层不与内部电极层重叠且在内部电极层的周围位于基材层上，由此在基材层上叠层陶瓷层片。使陶瓷层位于内部电极层上和厚度差抑制层上，由此制造叠层陶瓷电子部件。根据该方法，能够减少内部电极层和厚度差抑制层的位置偏移造成的叠层陶瓷部件的不良。
文档编号H01G13/00GK101019196SQ20058003058
公开日2007年8月15日 申请日期2005年10月4日 优先权日2004年10月13日
发明者镰田雄树, 及川悟, 坂口佳也, 尾笼刚, 坂口知也 申请人:松下电器产业株式会社