专利名称：：元件密封接合结构及其工艺的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种密封接合结构，且特别是涉及一种同时达到元件密封及封装效果的密封接合结构及其工艺。
背景技术：
：综观医疗电子产品的发展趋势，注入式(implantable)微型封装元件及生物相容性(biocompatibility)技术扮演相当重要的角色，若无法达到生物相容性及密封性的要求，对注入微型封装元件的人体或动物而言，体液的侵蚀、降解或肌肉组织的活动所产生的破坏而使有毒物质侵入活体内，将有相当大的危险性。在采用钛金属盖(titaniumcan)的生医电子封装元件中，以多层陶瓷基板的电极将信号导通至外部。此多层陶瓷基板的制作是采用低温共烧陶瓷(LTCC，Low-TemperatureCofiredCeramics)技术，以金、银、铜等低阻抗金属作为电极，再使用平版印刷来涂布电路，最后在摄氏850度到900度中烧结而形成整合式陶瓷元件，并将此整合式陶瓷元件装入于钛金属盖的气闭密封空间中，而完成密封的工艺。近年来，为了达到微型化的要求，采用半导体集成电路工艺及封装技术，可制作出各式各样的微型封装元件，其以硅芯片、玻璃或高分子聚合物为基材，并结合微机电技术与生物医学技术，设计及制作具有微小化、快速、平行处理能力的生物及医疗用检测元件，例如基因芯片、蛋白质芯片、检体处理芯片及生物感测芯片等，充分运用分子生物学、分析化学、生化反应等原理，在微小面积上快速进行大量生化感测或反应。此外，对于心律调整器(pacemaker)、神经刺激器(neurostimulator)或血糖监测器(bloodglucosemonitor)等注入式微型封装元件而言，为了避免有毒物质侵入活体内，密封材料及封装可靠度在安全上扮演着非常重要的角色。
发明内容本发明提出一种元件密封接合结构，用以将元件封装于基板上，该元件密封结合结构包括缓冲凸块层、多个导电接合部、以及密封接合部。缓冲凸块层配置于该元件与该基板之间，该缓冲凸块层包括多个第一部分以及第二部分，且该第二部分环绕于该些第一部分的外围。多个导电接合部电性连接于该元件与该基板之间，其中各个导电接合部包括覆盖于各该第一部分的第一电极以及该基板上的第二电极，且各该第一电极与各该第二电极电性连接。密封接合部环绕于该些导电接合部的外围，该密封接合部包括该基板上的接合环，且该接合环与该第二部分相互接合，以使该元件与该基板之间形成密封空间。本发明提出一种元件密封接合工艺。首先，提供预定形成元件的基材；形成缓冲层于该元件上；图案化该缓冲层，以形成包括多个第一部分以及第二部分的缓冲凸块层，其中该第二部分环绕于该些第一部分的外围；形成第一电极于各该第一部分上；提供基板，该基板形成有多个第二电极以及接合环，该接合环围绕于该些第二电极的外围。配置该元件于该基板上，其中各该第一电极对应于各该第二电极并与各该第二电极电性连接，且该接合环对应与该第二部分相互接合，以使该元件与该基板之间形成密封空间。本发明提出一种元件密封接合结构，用以将元件封装于基板上，该元件密封结合结构包括缓冲凸块层、多个导电接合部、以及密封接合部。缓冲凸块层配置于该元件与该基板之间，该元件具有多个接垫，而该缓冲凸块层具有环状部分，且该环状部分环绕于该些接垫的外围。多个导电接合部电性连接于该元件与该基板之间，其中各个导电接合部包括该元件上电性连接各该接垫的金属凸块以及该基板上的第二电极，且各该金属凸块与各该第二电极电性连接。密封接合部环绕于该些导电接合部的外围，该密封接合部包括该基板上的接合环，且该接合环与该环状部分相互接合，以使该元件与该基板之间形成密封空间。本发明提出一种元件密封接合工艺。首先，提供预定形成元件的基材，该元件具有多个接垫；形成缓冲层于该元件上；图案化该缓冲层，以形成具有环状部分的缓冲凸块层，其中该环状部分环绕于该些接垫的外围；形成多个金属凸块于该元件上，且各该金属凸块与各该接垫电性连接；提供基板，该基板形成有多个第二电极以及接合环，该接合环围绕于该些第二电极的外围。配置该元件于该基板上，其中各该金属凸块对应于各该第二电极并与各该第二电极电性连接，且该接合环对应与该环状部分相互接合，以使该元件与该基板之间形成密封空间。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。图IA及图IB为本发明二实施例的元件密封接合结构的剖面示意图。图2A图2E为图IA的元件密封接合结构的制作方法的流程示意图。图3A及图3B为本发明另二实施例的元件密封接合结构的剖面示意图。图4A及图4B为本发明另二实施例的元件密封接合结构的剖面示意图。图5A及图5B为本发明另二实施例的元件密封接合结构的剖面示意图。图6A及图6B为本发明另二实施例的元件密封接合结构的剖面示意图。附图标记说明10011010元件密封接合结构100元件100S有源表面100P保护层102接垫104金属层104a:凸块底金属层110，缓冲材料110:缓冲凸块层IlOa:第一部分IlOb:第二部分IlOc:第三部分IlOd:环状部分120:导电接合部130密封接合部140基板W基材Sl第一电极S2:第二电极S3:金属凸块Hl第一粘着金属层H2第二粘着金属层H3第三粘着金属层Rl接合环C密封空间150基板152导通孔S3第三电极S4神经刺激电极160承载器162接垫170生物相容性涂层IOOa第一元件150a:第一基板IOOb第二元件150b第二基板具体实施例方式图IA及图IB为本发明二实施例的元件密封接合结构的剖面示意图。图2A图2E为图IA的元件密封接合结构的制作方法的流程示意图。请参考图1A，元件密封接合结构1001包括缓冲凸块层110、多个导电接合部120、以及密封接合部130。其中，缓冲凸块层110例如以图案化的工艺形成多个第一部分IlOa以及环绕于这些第一部分IlOa的外围的第二部分IlOb(环状部分)。缓冲凸块层110的材料可为高分子材料的聚合物，例如是环氧树脂或聚酰亚胺树脂等，其作法是将高分子材料涂布在预定形成元件100的基材(例如是硅晶片)上，再进行曝光、显影工艺或光蚀刻、干蚀刻等工艺，以使高分子材料形成预定的图案(多个第一部分IlOa以及环绕于这些第一部分IlOa的外围的第二部分IlOb)。有关缓冲凸块层110的图案化工艺及详细的结构，请参考图2A图2D。首先，提供基材W，例如是半导体基材，用以形成一个或多个集成电路元件100(仅绘示其一)，此元件100具有有源表面100S以及保护层100P，而接垫102(仅绘示其一)配置于有源表面100S上，且保护层100P覆盖有源表面100S并显露出接垫102。接着，请参考图2B及图2C，以溅镀或蒸镀方式全面性形成金属层104于保护层100P以及接垫102上，并形成缓冲材料110’(高分子材料或感光型的高分子材料)于元件100上。接着，请参考图2D，图案化缓冲材料110’，例如是进行曝光、显影工艺或光蚀刻、干蚀刻工艺，以形成包括多个第一部分IlOa(仅绘示其一)以及第二部分IlOb的缓冲凸块层110，其中第二部分IlOb环绕于这些第一部分IlOa的外围，因此，第二部分IlOb也就是将多个第一部分IlOa完整包覆于的环状凸起结构，同时具有缓冲及密封的功效。之后，请参考图2E，以溅镀或蒸镀的方式形成第一电极Sl(其材料例如为铜、铝或金)于各个第一部分IlOa上(例如覆盖第一部分IlOa的侧壁及上表面)，且金属层104经过蚀刻之后成为凸块底金属层104a，并与覆盖于各个第一部份IlOa的第一电极Sl电性连接。在本实施例中，这些第一部分IlOa与第二部分IlOb以同一道图案化工艺一并完成，以减少工艺的步骤，并使后续的密封工艺以及元件封装步骤能同时进行。此外，这些第一部分IlOa与第二部分IlOb之间例如以蚀刻形成间距，使两者在结构上相互分离。但在另一实施例中，这些第一部分IlOa与第二部分IlOb之间在结构上相互连接，同样具有缓冲及密封的功效。如图IB所示的另一实施例，元件密封接合结构1002包括缓冲凸块层110、多个导电接合部120、以及密封接合部130。其中，缓冲凸块层110例如以图案化的工艺形成多个第一部分IlOa以及环绕于这些第一部分IlOa的外围的第二部分110b。有关缓冲凸块层110的制作方法请参考图2A图2D的步骤，在此不再详述。本实施例与图IA的元件密封结合结构及图2A图2D的工艺不同的是，这些第一部分IlOa与第二部分lib之间具有第三部分(连接部)110c，且在结构上相互连接为一体(材料相同)，未经由蚀刻而形成间距，故能加强密封的接合强度，并同时达到元件密封及封装的效果。接着，请参考图IA及图1B，导电接合部120电性连接于元件100与基板140(例如是印刷电路板)之间，用以将电信号经由基板140输入到元件100或经由基板140输出到外部，而各个导电接合部120包括覆盖于各个第一部分IlOa的第一电极Sl以及基板140上的第二电极S2，且各个第一电极Sl与各个第二电极S2例如通过第一粘着金属层Hl(镍金合金或钛钨合金)电性连接。此外，密封接合部130环绕于这些导电接合部120的外围。密封接合部130包括基板140上的接合环Rl(其材料例如是铜、铝或金)，环绕于这些第二电极S2的外围，且该接合环Rl与第二部分IlOb例如通过第二粘着金属层H2(镍金合金或钛钨合金)以及第三粘着金属层H3(镍金合金或钛钨合金)相互接合而形成气闭密封结构，以使元件100与基板140之间形成密封空间C。在上述的二实施例中，第一粘着金属层Hl例如以溅镀或蒸镀的方式形成于各个第一电极Sl上(参见图2E)，而第二粘着金属层H2(可与第一电极Sl同一道步骤形成)以及第三粘着金属层H3例如分别形成于第二部分IOOb以及接合环Rl上，而当元件100配置于基板140上时，还可进行热压合步骤，以使各个第一粘着金属层Hl电性接合于各个第一电极Sl与各个第二电极S2之间，而第二粘着金属层H2与第三粘着金属层H3紧密地接合(共晶接合)于接合环Rl与第二部分IlOb之间，以加强密封的接合强度。但第一粘着金属层HI、第二粘着金属层H2与第三粘着金属层H3仅为本发明的实施例，并非用以限制本发明。图3A及图3B为本发明另二实施例的元件密封接合结构的剖面示意图。请参考图3A及图3B，此元件密封接合结构1003、1004用以将元件100封装于基板150(例如是软性电路板)上，而基板150的第一表面上除了具有多个第二电极S2以及接合环Rl之外，基板150的第二表面还包括多个第三电极S3。这些第三电极S3通过基板150的导通孔152分别与这些第二电极S2电性连接。此外，各个第三电极S3上还包括神经刺激电极S4(或导电贴片)，可用于经皮电神经刺激器(TENS,TranscutaneousElectroNerveStimulator)中。各个神经刺激电极S4可经由其尖端放电，以提供电治疗或肌肉复健所需的刺激电流。另外，图4A及图4B为本发明另二实施例的元件密封接合结构的剖面示意图，其中图4A为具有生物相容性涂层170的元件密封接合结构1005的剖面示意图，而图4B为堆叠型封装的元件密封接合结构1006的剖面示意图。请先参考图4A，以心律调整器、神经刺激器或血糖监测器等注入式生医元件为例，此元件密封接合结构1005用以将元件100(例如单芯片元件)封装于基板150上，而基板150可通过多个导电体S5(例如焊球)与承载器160的接垫162电性连接，以将信号传递到活体的外部，且基板150上还包括生物相容性涂层170(例如是硅胶等无毒性高分子聚合物)，其覆盖于元件100的周围，除了加强元件100的覆盖率及密封性，更不会对活体的组织产生危害。接着，请参考图4B，堆叠型封装的元件密封接合结构1006用以将各个元件100(例如注入式生医元件或其他用途的单芯片元件)封装在各个基板150上，以形成堆叠型多芯片封装元件，其中第一元件IOOa的第一电极Sl与第一基板150a的第二电极S2电性连接，接着第一基板150a的第三电极S3经由多个导电体S5(例如焊球)及穿过第二元件IOOb的多个导电穿孔S6与第二元件IOOb的金属接垫102电性连接，接着第二元件IOOb的第一电极Sl与第二基板150b的第二电极S2电性连接，接着第二基板150b的第三电极S3经由多个导电体S5(例如焊球)与承载器160的接垫162电性连接，以将信号传到外部。如同图4A所述，各个基板150上还包括生物相容性涂层170(例如是硅胶等无毒性高分子聚合物)，其覆盖于各个元件100的周围，除了加强各个元件100的覆盖率及密封性，更不会对活体的组织产生危害。当然，生物相容性涂层170亦可以其他高分子涂层(例如环氧树脂)取代，并非用以限制本发明。再者，图5A及图5B为本发明另二实施例的元件密封接合结构的剖面示意图。请参考图5A及图5B，此元件密封接合结构1007、1008用以将元件100封装于基板140、150上，而基板140、150的第一表面上具有多个第二电极Sl以及接合环R1。此外，基板150的第二表面还包括多个第三电极S3。各个第三电极S3通过基板150的导通孔152分别与各个第二电极S2电性连接。此外，在图5B中，各个第三电极S3上还包括神经刺激电极S4(或导电贴片)，可用于经皮电神经刺激器(TENS)中。各个神经刺激电极S4可经由其尖端放电，以提供电治疗或肌肉复健所需的刺激电流。然而，图5A及图5B的实施例与上述二实施例(参见图1A、3A)不同的是，缓冲凸块层110的第一部分IlOa不是经由凸块底金属层104a形成在接垫102的上方，而是形成在接垫102附近的保护层上，接着再经由溅镀或蒸镀的方式形成第一电极Sl于各个接垫102与各个第一部分IlOa之间(例如覆盖各个接垫102与各个第一部分IlOa的侧壁及上表面)，以使各个接垫102通过各个第一电极Sl与各个第二电极S2电性连接。有关图5A及图5B的缓冲凸块层110的工艺与上述的图2D及图2E的缓冲凸块层110的工艺类似，不同之处在于省略图2B的凸块底金属层104的工艺，且于图案化缓冲凸块层Iio之后，再以溅镀或蒸镀的方式形成第一电极Si，以电性连接各个接垫102。因此，缓冲凸块层110的第一部分IlOa的位置不限定位于接垫102的上方，亦可经由重布线的第一电极Sl往内侧延伸，以适合不同需求的接点设计。接着，图6A及图6B为本发明另二实施例的元件密封接合结构的剖面示意图。请参考图6A及图6B，元件密封接合结构1009、1010包括缓冲凸块层110、多个导电接合部120、以及密封接合部130。其中，缓冲凸块层110是以高分子材料的聚合物来制作环状部分IlOd(图6B中)，并采用导电材料来制作多个金属凸块S3(取代原先的第一部分110a)，且金属凸块S3可通过凸块底金属层104a与各个接垫102电性连接，以使第一电极Si、金属凸块S3以及第二电极S2构成具有电性连接功能的导电接合部120，而环绕于这些金属凸块S3周围的环状部分IlOd与密封接合部130接合，同时具有密封及缓冲的功效，以使元件100与基板140之间形成密封空间C。有关图6A及图6B的金属凸块S3的工艺与上述的图2D及图2E的缓冲凸块层110的工艺类似，不同之处在于以电镀方式形成金属凸块S3于接垫102上，且于形成金属凸块S3之后，再以溅镀或蒸镀的方式形成第一电极Si，以覆盖各个金属凸块S3。在本实施例中，上述的金属凸块S3的材料若为金时，可直接通过第一粘着金属层Hl与第二电极S2电性连接，而不需先形成第一电极Sl于金属凸块S3上。另外，金属凸块S3的材料若为铜或铜合金时，可通过金属凸块S3上的第一电极Sl做为抗氧化层(例如镍/金层)，以避免铜表面的氧化。综上所述，本发明提出多种元件密封接合结构及其工艺，可应用在各式各样的微型封装元件上，例如基因芯片、蛋白质芯片、检体处理芯片及生物感测芯片等，或者是注入式生医元件中。除了通过缓冲凸块层来加强密封的接合强度，还可同时达到元件密封及封装的效果，避免有毒物质侵入活体内。此外，缓冲凸块层以同一道图案化工艺完成，不需额外制作多个光掩模及进行多道光掩模工艺，以减少工艺的步骤，并使后续的密封工艺以及元件封装步骤能同时进行，进而简化元件密封及封装工艺及降低生产成本。虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属
技术领域：
中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。权利要求一种元件密封接合结构，用以将元件封装于基板上，该元件密封结合结构包括缓冲凸块层，配置于该元件与该基板之间，该缓冲凸块层包括多个第一部分以及第二部分，且该第二部分环绕于所述第一部分的外围；多个导电接合部，电性连接于该元件与该基板之间，其中各个导电接合部包括覆盖于各该第一部分的第一电极以及该基板上的第二电极，且各该第一电极与各该第二电极电性连接；以及密封接合部，环绕于该多个导电接合部的外围，该密封接合部包括该基板上的接合环，且该接合环与该第二部分相互接合，以使该元件与该基板之间形成密封空间。2.如权利要求1所述的元件密封接合结构，其中该多个第一部分与该第二部分之间形成有间距，且在结构上相互分离。3.如权利要求1所述的元件密封接合结构，其中该多个第一部分与该第二部分之间具有第三部分，且在结构上相互连接。4.如权利要求1所述的元件密封接合结构，其中该缓冲凸块层的材料包括高分子材料。5.如权利要求1所述的元件密封接合结构，其中各该第一电极与各该第二电极之间还包括第一粘着金属层。6.如权利要求1所述的元件密封接合结构，其中该接合环与该第二部分之间还包括第二粘着金属层以及第三粘着金属层。7.如权利要求1所述的元件密封接合结构，其中该基板还包括多个第三电极，而该多个第三电极通过该基板分别与该多个第二电极电性连接。8.如权利要求7所述的元件密封接合结构，其中各该第三电极上还包括神经刺激电极。9.如权利要求1所述的元件密封接合结构，其中该基板上还包括生物相容性涂层，覆盖于该元件的周围。10.如权利要求9所述的元件密封接合结构，其中该元件为注入式生医元件。11.如权利要求1所述的元件密封接合结构，其中该元件具有多个接垫，而各该第一部分经由凸块底金属层配置于各该接垫上，该凸块底金属层与覆盖于各该第一部份的该第一电极电性连接。12.如权利要求1所述的元件密封接合结构，其中该元件具有多个接垫，而该第一电极形成于各该接垫与各该第一部分之间，且各该接垫通过各该第一电极与各该第二电极电性连接。13.如权利要求1所述的元件密封接合结构，其中该元件包括单芯片元件或堆叠型多芯片封装元件。14.一种元件密封接合工艺，包括提供预定形成元件的基材；形成缓冲层于该元件上；图案化该缓冲层，以形成包括多个第一部分以及第二部分的缓冲凸块层，其中该第二部分环绕于该多个第一部分的外围；形成第一电极于各该第一部分上；提供基板，该基板形成有多个第二电极以及接合环，该接合环围绕于该多个第二电极的外围；以及配置该元件于该基板上，其中各该第一电极对应于各该第二电极并与各该第二电极电性连接，且该接合环对应与该第二部分相互接合，以使该元件与该基板之间形成密封空间。15.如权利要求14所述的元件密封接合工艺，其中图案化该缓冲层的步骤中，该多个第一部分与该第二部分之间经蚀刻而形成有间距，且在结构上相互分离。16.如权利要求14所述的元件密封接合工艺，其中图案化该缓冲层的步骤中，该多个第一部分与该第二部分之间分别形成有第三部分，且在结构上相互连接。17.如权利要求14所述的元件密封接合工艺，其中形成第一电极于各该第一部份之后，还包括形成第一粘着金属层于各该第一电极上；形成第二粘着金属层于该第二部分上；形成第三粘着金属层于该接合环上；以及将该元件配置于该基板时，还进行热压合步骤，以使各该第一粘着金属层电性接合于各该第一电极与各该第二电极之间，而该第二粘着金属层与该第三粘着金属层接合于该接合环与该第二部分之间。18.如权利要求14所述的元件密封接合工艺，其中提供该基板的步骤中，该基板还包括多个第三电极，该多个第三电极通过该基板分别与该多个第二电极电性连接。19.如权利要求18所述的元件密封接合工艺，其中提供该基板的步骤中，还包括形成神经刺激电极于各该第三电极上。20.如权利要求14所述的元件密封接合工艺，其中配置该元件于该基板上时，还包括形成生物相容性涂层，覆盖于该元件的周围。21.—种元件密封接合结构，用以将元件封装于基板上，该元件密封结合结构包括缓冲凸块层，配置于该元件与该基板之间，该元件具有多个接垫，而该缓冲凸块层具有环状部分，且该环状部分环绕于该多个接垫的外围；多个导电接合部，电性连接于该元件与该基板之间，其中各个导电接合部包括该元件上电性连接各该接垫的金属凸块以及该基板上的第二电极，且各该金属凸块与各该第二电极电性连接；以及密封接合部，环绕于该多个导电接合部的外围，该密封接合部包括该基板上的接合环，且该接合环与该环状部分相互接合，以使该元件与该基板之间形成密封空间。22.如权利要求21所述的元件密封接合结构，其中该缓冲凸块层的材料包括高分子材料。23.如权利要求21所述的元件密封接合结构，其中各该金属凸块与各该第二电极之间还包括第一粘着金属层。24.如权利要求21所述的元件密封接合结构，其中该接合环与该环状部分之间还包括第二粘着金属层以及第三粘着金属层。25.如权利要求21所述的元件密封接合结构，其中该基板还包括多个第三电极，而该多个第三电极通过该基板分别与该多个第二电极电性连接。26.如权利要求25所述的元件密封接合结构，其中各该第三电极上还包括神经刺激电极。27.如权利要求21所述的元件密封接合结构，其中该基板上还包括生物相容性涂层，覆盖于该元件的周围。28.如权利要求27所述的元件密封接合结构，其中该元件为注入式生医元件。29.如权利要求21所述的元件密封接合结构，其中各该金属凸块经由凸块底金属层配置于各该接垫上，该凸块底金属层与覆盖于各该金属凸块上的第一电极电性连接。30.如权利要求21所述的元件密封接合结构，其中该元件包括单芯片元件或堆叠型多芯片封装元件。31.一种元件密封接合工艺，包括提供预定形成元件的基材，该元件具有多个接垫；形成缓冲层于该元件上；图案化该缓冲层，以形成具有环状部分的缓冲凸块层，其中该环状部分环绕于该多个接垫的外围；形成多个金属凸块于该元件上，且各该金属凸块与各该接垫电性连接；提供基板，该基板形成有多个第二电极以及接合环，该接合环围绕于该多个第二电极的外围；以及配置该元件于该基板上，其中各该金属凸块对应于各该第二电极并与各该第二电极电性连接，且该接合环对应与该环状部分相互接合，以使该元件与该基板之间形成密封空间。32.如权利要求31所述的元件密封接合工艺，其中形成多个金属凸块于该元件上之后，还包括形成第一粘着金属层于各该金属凸块上；形成第二粘着金属层于该环状部分上；形成第三粘着金属层于该接合环上；以及将该元件配置于该基板时，还进行热压合步骤，以使各该第一粘着金属层电性接合于各该金属凸块与各该第二电极之间，而该第二粘着金属层与该第三粘着金属层接合于该接合环与该环状部分之间。33.如权利要求31所述的元件密封接合工艺，其中提供该基板的步骤中，该基板还包括多个第三电极，该多个第三电极通过该基板分别与该多个第二电极电性连接。34.如权利要求33所述的元件密封接合工艺，其中提供该基板的步骤中，还包括形成神经刺激电极于各该第三电极上。35.如权利要求31所述的元件密封接合工艺，其中配置该元件于该基板上时，还包括形成生物相容性涂层，覆盖于该元件的周围。全文摘要本发明公开了一种元件密封接合结构及其工艺。该元件密封接合结构包括缓冲凸块层、多个导电接合部、以及密封接合部。缓冲凸块层配置于元件与基板之间，其包括多个第一部分以及第二部分，且该第二部分环绕于这些第一部分的外围。各个导电接合部包括覆盖于各个第一部分的第一电极以及基板上的第二电极，且各个第一电极与各个第二电极电性连接。密封接合部包括基板上的接合环，且接合环与第二部分相互接合，以使元件与基板之间形成密封空间。文档编号H01L21/56GK101807558SQ20091000413公开日2010年8月18日申请日期2009年2月12日优先权日2009年2月12日发明者杨琮富,陆苏财申请人:财团法人工业技术研究院