专利名称：制造露出元件的功能部的半导体器件的方法
技术领域：
本发明涉及一种制造半导体器件的方法，在该半导体器件中，元 件的功能部被露出。
背景技术：
近年来，随着技术的发展，元件的功能部露出的半导体器件已进 入实际使用。在将光信号从半导体器件的外部直接输入到将光信号转 换成电信号的光学元件的受光部的该半导体器件中，存在对于如下结
构的需求其能够防止光信号的衰减，通过使用黑色树脂能够改善半
导体器件的防潮性能，并且在无铅安装期间能够获得合适的回流条件。
特别地，在将蓝光用作光信号的光记录技术中，用于将光信号转 换成电信号的受光器件的环氧树脂由于蓝光而变质，并且该环氧树脂 相对于蓝光的透光特性下降。结果，受光器件变得不可用。因此，需 要从光路去除环氧树脂以使功能部露出的半导体器件。
期望的是，将具有上述结构的半导体器件应用于MEMS (微机电 系统)；在其中将活动部设置在诸如机电消声器的功能元件中，并且 所述活动部不用树脂密封的设备；以及用于摄像机的固态成像元件。
图7A至7F是示出制造成像半导体器件的方法的横截面图，在该 成像半导体器件中，从光路去除环氧树脂以使功能部露出，其公开于
5曰本专利申请特开(JP-A) No.2006-237051中。图8A至8G是示出制 造成像半导体器件的方法的横截面图，在该成像半导体器件中，从光 路去除环氧树脂以使功能部露出，其公开于JP-ANo.2003-332542中。
在JP-A No.2006-237051中，如图7A所示，将光致抗蚀剂涂覆到 其上设置有多个半导体元件5的半导体晶片1的功能部上，并在该抗 蚀剂上进行曝光、显影、以及蚀刻，以形成抗蚀剂保护膜2。然后，进 行切割以获得半导体元件5。然后，如图7B和7C所示，将其上均形 成有抗蚀剂保护膜2的半导体元件5安装在电路板6上，并通过布线7 使半导体元件5与电路板6彼此电连接。然后，如图7D所示，进行树 脂密封，以用树脂8覆盖半导体元件5、布线7、以及保护膜2。同样 用树脂8覆盖保护膜2的上表面。
然后，如图7E所示，对树脂进行抛光，以使保护膜2露出。通过 蚀刻去除露出的保护膜2，以使半导体元件5的功能部露出。
然后，如图7F所示，提供覆盖玻璃(覆盖带)11，以便保护功能 部，并且单独地切割半导体元件。这样，完成成像半导体器件。
在JP-A No.2003-332542中，如图8A所示，在期望的位置处，将 固态成像元件10单独地结合至基部30。然后，如图8B所示，单独形 成柔性的保护膜36，以覆盖固态成像元件10露出表面的受光区域。
然后，如图8C所示，通过金属线40将基部30电连接至固态成像 元件IO。然后，如图8D所示，将具有平面挤压表面的模具与基部30 一起用于挤压其上形成有保护膜36的固态成像元件10，以利用密封材 料42填充由模具的挤压表面、保护膜36、相邻的固态成像元件10包
围的间隙部。
然后，如图8E所示，在树脂模制之后，去除保护膜36。然后，如图8F所示，以在其间夹持有密封材料42的情况下将透光板46粘附 于基部30的整个表面，以便覆盖每个固态成像元件10的露出的受光 表面。然后，沿其间的切割线切割相邻的固态成像元件10，以获得单 独的半导体器件。
然而，当使用在JP-ANo.2006-237051中公开的方法时，出现了一 些问题。
以下问题全部由在去除抗蚀剂保护膜2之前对覆盖保护膜2的上 表面的树脂8进行抛光的处理所引起的。保护膜2的上表面因以下原 因需要用树脂8覆盖。当通过涂敷法，利用具有厚度为O.lmm或更厚 的光致抗蚀剂制成保护膜2时，在膜的厚度上存在变化，并且在树脂 密封期间难于用密封模具均匀地夹紧保护膜2。因此，需要用树脂8覆 盖保护膜2的上表面。问题说明如下。
第一个问题是需要对树脂8进行抛光的处理，这导致生产率降低。
抛光处理的增加导致制造处理数量的增加和制造时间的增加。尤 其地，抛光处理需要将待抛光的半导体器件安装至支承构件的准备处 理，以及从支承构件去除抛光了的薄半导体器件的后处理。因此，增 加了除抛光处理以外的处理。结果，制造时间极大地受处理增加的影 响。
第二个问题是半导体器件的质量劣化。
当通过上述树脂抛光处理对树脂8进行抛光时，由于抛光处理所 引起的振动而切断布线线路，或者其他更糟的情况，损坏了半导体元 件。结果，半导体器件的质量劣化。
在JP-A No.2003-332542中公开的方法中，制造成本因以下原因而增加。
在JP-A No.2003-332542中，将保护膜36单独地粘附于固态成像 元件IO。单独的保护膜36具有柔性，并且在期望的位置，预先将固态 成像元件10精确地安装至基部30。
因此，需要高度精确地将保护膜36单独地粘附于安装在基部上的 固态成像元件。
为了将单独的柔性保护膜36精确地粘附于安装在基部30上的固 态成像元件10的受光区域，例如，需要使用摄像机以检测保护膜36 和固态成像元件10的位置，并单独地控制它们以在它们之间执行粘附。 也就是说，将昂贵的设备用于粘附保护膜36，并且需要检测保护膜和 固态成像元件的位置，以便在它们之间进行粘附。因此，粘附需要一 定量的时间，并且增加了制造TAT。
如上所述，在JP-A No.2003-332542中，粘附保护膜的处理需要昂 贵的设备和时间。因此，容易想到生产率将降低，并且制造成本将增 加。当不提供设备和用于粘附的时间不充分时，保护膜36的位置精度 降低，并且成品率降低。结果，制造成本增加。
另外，预先单独地提供保护膜36。因此，保护膜的成本增加。
发明内容
在本发明中，提供一种制造半导体器件的方法，包括在晶片上 形成第一树脂层，该晶片具有设置在其中的功能部；将第一树脂层图 案化成预定的形状并在功能部上或在功能部周围形成第一树脂部；将 晶片分成元件；将元件安装在基部的上表面上；密封步骤，其使密封 模具的模制表面与第一树脂部的上表面和基部的下表面实现挤压接
触，并且在由密封模具的模制表面包围的间隙部当中，将第二树脂注入在第一树脂部周围的间隙部，以在第一树脂部周围形成第二树脂层； 以及去除第一树脂部，以使元件的一部分暴露于外部。在密封步骤中， 使第一树脂部的上表面与第二树脂层的上表面齐平，或者使第一树脂 部的上表面高于第二树脂层的上表面。
在将元件安装在基部的上表面上之前，将在其上形成有功能部的 晶片的第一树脂层图案化。因此，能在功能部上或在功能部周围整体 地形成第一树脂部。
在用于形成第二树脂层的密封步骤中，使密封模具的模制表面与 第一树脂部的上表面和基部的下表面实现挤压接触，并且在由密封模 具的模制表面包围的间隙部当中，将第二树脂注入在第一树脂部周围 的间隙部中，以在第一树脂部周围形成第二树脂层。因此，不需要对 第一树脂部进行抛光的处理。
根据本发明的上述方面，能够提供一种制造半导体器件的方法， 其能够减少浪费，并能改善半导体器件的可靠性和生产率。
结合附图，通过某些优选实施例的以下说明，本发明的以上和其
它目的、优点和特征将更明显，其中
图1A是示出根据本发明第一实施例的半导体器件的透视图； 图1B是示出根据本发明第一实施例的半导体器件的横截面图； 图2A至2E是示出根据本发明第一实施例的制造半导体器件的方
法的处理视图3A至3D是示出根据本发明第一实施例的制造半导体器件的方 法的处理视图4A至4C示出根据本发明第一实施例的制造半导体器件的方法 的密封步骤；
图5A是示出根据本发明第二实施例的半导体器件的透视图；图5B是示出根据本发明第二实施例的半导体器件的横截面图； 图6A是示出根据本发明第三实施例的半导体器件的透视图； 图6B是示出根据本发明第三实施例的半导体器件的横截面图； 图7A至7F是示出根据现有技术(JP-ANo.2006-237051)的制造
半导体器件的方法的处理视图；以及
图8A至8G是示出根据现有技术(JP-ANo.2003-332542)的制造
半导体器件的方法的处理视图。
具体实施例方式
现在将参考说明性的实施例来说明本发明。本领域的技术人员将 认识到的是，利用本发明的教导可以实现许多可选择的实施例，并且 本发明不限于为解释性目的而说明的实施例。
(第一实施例)
以下，将参考附图详细说明本发明的示范性实施例。在图中，相 同的部件由相同的附图标记指示，并且不再重复对其的重复说明。将 参考图2A至4C说明根据本发明第一实施例的制造半导体器件的方法。
根据第一实施例制造半导体器件220的方法包括在其上设置有 功能部(受光部120)的晶片110上形成第一树脂层130;将第一树脂 层130图案化成预定的形状，并在受光部120上或围绕该受光部120 形成第一树脂部(第一树脂膜140);将晶片110分成元件(受光元件 100);将受光元件100安装在基部(引线框180)的上表面上；密封 步骤，其使密封模具的模制表面与第一树脂膜140的上表面和引线框 180的下表面实现挤压接触，并且在由密封模具的模制表面围绕的间隙 部当中，将第二树脂(密封树脂)注入在第一树脂膜140周围的间隙 部，以在第一树脂膜140周围形成第二树脂层(密封树脂层200);以 及去除第一树脂模140，使得受光元件100的一部分暴露于外部。在密 封步骤中，使第一树脂膜140的上表面与密封树脂层200的上表面齐 平，或者使第一树脂膜140的上表面高于密封树脂层200的上表面。在根据第一实施例的制造半导体器件220的方法中，当利用薄膜 树脂形成第一树脂层130时，形成第一树脂膜140可包括在晶片110
上将第一树脂层130形成为膜的步骤，将薄膜的第一树脂层130图案 化成预定形状并且在受光部120上或在受光部120周围形成第一树脂 膜140的步骤。在受光元件的受光部上形成第一树脂膜 首先，如图2A所示，制备其上形成有多个受光元件的晶片110。 受光部120从布置在晶片110上的受光元件中的每个的表面露出。在 晶片UO上可布置有单个受光元件或多个受光元件。图2A示出布置在 晶片IIO上的多个受光元件中的两个受光元件。
然后，如图2B所示，将第一树脂层130形成于晶片IIO上。优选 地，第一树脂层130是具有均匀厚度的膜。
例如，在晶片110上能够形成具有的均匀厚度等于或大于0.05mm 的第一树脂层130。
另外，在晶片110上可由具有大致均匀厚度的第一树脂制成单个 的第一树脂层130或多个的第一树脂层130。不特定地限制第一树脂层 130的形状。
当第一树脂层130由液态树脂制成时，使用低粘度树脂，以便在 晶片110的整个表面上形成具有均匀厚度的膜。在该情况下，由于树 脂的粘度低，所以难于获得等于或大于0.05mm的厚度。
另一方面，使用高粘度树脂，以便在晶片110的整个表面上形成 具有等于或大于0.05mm的厚度的膜。由于将高粘度液态树脂涂覆在晶 片上，所以粘性阻力增加，并且在高度上的变化增加。结果，难于获得均匀的膜。
因此，当成膜处理结束时，测量第一树脂层130的厚度，并且优 选地使用具有有保证的厚度的膜状第一树脂层130。这样，能够获得具 有等于或大于0.05mm厚度的均匀的第一树脂层130。
通过涂覆液态第一树脂并使其干燥可获得用作第一树脂层130的膜。
在该实施例中，第一树脂层130覆盖晶片110的整个表面。优选 地，第一树脂层130的厚度等于或大于O.lmm。另外，优选的是，第 一树脂层130的厚度等于或小于0.15mm。
使用具有0.12mm厚度的膜，以获得具有0.12mm厚度的第一树脂 层130。
然后，如图2C所示，进行定位，使得受光部120与掩膜170的上 表面上用于曝光的预定位置对齐，并且进行曝光以图案化第一树脂层 130，使得形成第一树脂膜140。
然后，如图2D所示，进行显影处理，以去除除了第一树脂膜140 以外的第一树脂层130，从而形成覆盖受光部120的第一树脂膜140。
可在受光部120上或在受光部120周围形成第一树脂膜140。另 外，可形成第一树脂膜140，以便至少覆盖整个受光部120。
由此，可通过光刻法形成第一树脂膜140。然而，可通过其它方 法形成第一树脂膜140。例如，以下的光固化型树脂可用作用于光刻法 的第一树脂。在光刻法中，可适当地调整掩膜的孔径比、曝光量、显 影剂的浓度、显影剂的温度、或显影时间。，可
认为第一树脂膜140与晶片110之间的粘附力，即，第一树脂膜140 与受光元件ioo之间的粘附力不强。也就是说，可认为其间的粘附力较低。
然后，在其上形成有第一树脂膜140的晶片110上进行热处理， 以使第一树脂膜140完全固化，从而获得第一树脂膜140与晶片110、 即，第一树脂膜140与受光元件IOO之间强的粘附力。
优选的是，固化的第一树脂的弹性模量的上限在20'C的温度下等 于或小于6GPa，并且在200'C的温度下等于或小于3GPa。另外，优选 的是，该固化的第一树脂的弹性模量的下限在2(TC的温度下等于或大 于lGPa，并且在200。C的温度下等于或大于lOMPa。在该实施例中， 将用于第一树脂层130的第一树脂的弹性模量调整至在室温下为大约 2.4GPa，并且在200'C的温度下为大约15MPa。
通过动态粘弹性测量法来评估并获得弹性模量。
通过合适地改变可通过光、热、以及光和热的组合来固化的树脂 的种类；或者通过合适地改变在第一树脂中包含的材料、诸如硬化剂 的相对比例；或通过合适地设定制造条件，诸如用于固化的光的量以 及固化温度，能合适地调整第一树脂的弹性模量。可通过光、热、以 及光和热的组合来固化的树脂的实例包括光固化型树脂、热固型树脂、 以及光热固型树脂。在该实施例中，第一树脂可包括上述树脂。光固 化型树脂可通过光化反应固化，并且可见光或紫外线可用作使树脂固 化的光。另外，光热固型树脂可以是热固型树脂和光固化型树脂的混 合物。
树脂的详细实例包括诸如丙烯基树脂的光固化型树脂、诸如环氧树脂的热固型树脂、以及诸如丙烯基树脂和环氧树脂的光热固型树脂。
然后，如图2E所示，将晶片IIO分成受光元件100。也就是说， 将晶片IIO切割成单独的受光元件100。这样，获得受光元件IOO，其 中将第一树脂膜140设置在受光部120上或在受光部120周围。
如图1A和1B所示，将第一树脂膜140形成为圆柱形形状。在该 实施例中，第一树脂膜140的形状不局限于圆柱，而是其根据受光部 120的形状可以为椭圆柱或四棱柱。将分开的受光元件安装在引线框上以及丝焊 如图3A所示，在预定的位置，通过粘合剂将受光元件100粘附于 引线框180。然后，通过薄金属线190使受光元件100的预定部分与引 线框180彼此电连接。以其间具有预定距离的方式将受光元件100密 集地布置在引线框180上。通过树脂密封形成密封树脂层
如图3B所示，在第一树脂膜140周围涂覆第二树脂，以覆盖所有 的受光元件100、薄金属布线190、以及引线框180，从而形成密封树 脂层200。用于密封树脂层200的第二树脂例如可包括玻璃填料。以下， 将参考图3A至3D以及图4A至4C详细说明密封步骤。
如图4A所示，制备包括上模具230和下模具240的密封模具，该 上模具230和下模具240均具有作为模制表面的平坦表面。将在图3A 中所示的引线框180上的受光元件100固定在密封模具230与240之 间预定的位置处。
然后，如图4B所示，使密封模具的上模具230的模制表面与第一 树脂膜140的上表面实现挤压接触，并且使密封模具的下模具240的 模制表面与引线框180的下表面实现挤压接触。也就是说，使密封模具的上模具230的模制表面与第一树脂膜140的上表面以其间具有最 小间隙的方式实现紧密接触，并且使密封模具的下模具240的模制表 面与引线框180的下表面以其间具有最小间隙的方式实现紧密接触。
另外，可使密封模具的下模具240的模制表面与引线框180的下 表面以其间夹持膜的情况下实现挤压接触。
然后，如图4C所示，在保持挤压接触状态的同时，将通过热熔化 的第二树脂(密封树脂)注入由密封模具230和240的模制表面围绕 的间隙部，从而形成在第一树脂膜140周围填充的密封树脂层200。
此时，如上所述，通过外部挤压力使密封模具的上模具230的模 制表面牢固地粘附于第一树脂膜140的上表面，并且使受光元件100 牢固地粘附于第一树脂膜140。
优选的是，第一树脂膜140的弹性模量在2(TC的温度下等于或小 于6GPa，并且在200'C的温度下等于或小于3GPa。另外，优选的是， 第一树脂膜140的弹性模量在20'C的温度下等于或大于lGPa，并且在 20(TC的温度下等于或大于lOMPa。在该情况下，第一树脂膜140通过 密封模具的上模具230的挤压力而弹性变形，并吸收外部挤压力以保 护受光元件100。
另外，通过弹性变形能产生反作用力，以将第一树脂膜140粘附 于密封模具的上模具230上。这样，能够防止密封树脂流入第一树脂 膜140与密封模具的上模具230之间的粘合表面。
第一树脂膜140的弹性变形增强在第一树脂膜140与密封模具的 上模具230之间的粘附力。因此，能够将第一树脂膜140的上表面的 高度增加至在等于或大于Omm并且等于或小于0.05mm的范围内的大 于密封树脂层200的上表面的高度。如果第一树脂膜140的上表面高于密封树脂层200的上表面
0.05mm或更多，则使密封模具230的外部挤压力增大，并且使第一树 脂膜140塑性变形。结果，第一树脂膜140可能破裂。另一方面，如 果第一树脂膜140的上表面低于密封树脂层200的上表面，也就是说， 如果第一树脂膜140的上表面的高度小于密封树脂层200的上表面的 高度，则显然密封树脂流入第一树脂膜140的表面，即，第一树脂膜 140与密封模具的上模具230之间的粘合表面。
然后，去除密封模具230和240，并如图3B所示获得受光元件100， 该受光元件100具有上表面稍微从密封树脂层200的上表面突出的第 一树脂膜140。这样，集体地密封密集地布置在引线框180上的受光元 件100。去除第一树脂膜(暴露受光部)
如图3C所示，去除第一树脂膜140，以露出受光部120。暴露处 理使得允许从外部输入的光信号直接输入至露出的受光部120，从而防 止光信号的衰减。
另外，可将包括玻璃填料的黑色树脂用作密封树脂。在该情况下， 能够改善半导体器件220的防潮性能，并且在无铅安装期间能获得合 适的回流条件。
例如，特别地，在将蓝光用作光信号的光记录技术中，用于将光 信号转换成电信号的受光器件的环氧树脂由于蓝光而变质，并且该环 氧树脂相对于蓝光的透光特性下降。因此，需要从光路去除环氧树脂 以使功能元件的部分露出的半导体器件。
去除方法不局限于以下方法。首先，将在其上第一树脂膜140通 过密封树脂层200包围的引线框180浸入去除剂。第一树脂膜140的表面由于去除剂而膨胀，并溶解该表面的一部分。在该情况下，使第 一树脂膜140与受光元件100之间的粘附力和第一树脂膜140与密封
树脂层200之间的粘附力降低。
然后，从去除剂中取出引线框，并将粘合剂剥离带210粘附于形 成有第一树脂膜140的密封树脂层200的表面，以便紧密地粘附于第 一树脂膜140,然后将其剥离。
如上所述，第一树脂膜140与受光元件100之间的粘附力和第一 树脂膜140与密封树脂层200之间的粘附力由于去除剂而降低。因此， 能够利用剥离带210与第一树脂膜140之间的粘合力来去除第一树脂 膜140。结果，如图3C所示，能够获得去除了第一树脂膜140的受光 元件100。将引线框划分成为单独半导体器件
然后，如图3D所示，将引线框180分成单独的受光元件100，从 而获得具有期望形状的半导体器件200。
如图1B所示，半导体器件220包括设置在引线框180的上表面上 的受光元件100和密封树脂层200，该密封树脂层200由第二树脂制成， 并填充在作为设置于受光元件100中的开口的受光部120 (功能部)周 围。此外，通过薄金属线l卯使受光元件100电连接至引线框180。
接下来，将说明第一实施例的效果。图1A是示出根据本发明第一 实施例的半导体器件的透视图。图1B是沿图1中的线A-A'截取的横截 面图。
首先，能够改善制造良品率。在JP-A-2006-237051中公开的半导 体器件制造方法需要对覆盖保护膜2的上表面的树脂8进行抛光的处 理。然而，根据本实施例，密封树脂不会渗透到第一树脂膜140的上表面中，并且不需要抛光处理。因此，能够减少制造处理的数量。另 外，在例如不受由抛光所引起的振动的影响的情况下制造半导体器件。 因此，还能够改善半导体器件的可靠性。
在JP-A-2003-332542中公开的半导体器件制造方法中，需要将保 护膜36精确地粘附于安装在单独的基部上的固态成像元件。然而，根 据本实施例，将第一树脂层130粘附于晶片110的整个表面，并且集 体地和精确地形成第一树脂层130。因此，提高了生产率，并改善了第 一树脂层130的形状和位置精确度。结果，形成了高质量的第一树脂 层130。
第二，能够减少浪费。在JP-A-2006-237051中公开的半导体器件 制造方法中，对覆盖保护膜2的上表面的树脂8进行抛光。因此，生 成抛光的树脂8和抛光剂的浪费。然而，根据本实施例，密封树脂不 渗透到第一树脂膜140的上表面中，并且不需要抛光加工。因此，能 够减少浪费。
另外，可将膜夹持于引线框180的下表面与密封模具的下模具240 的模制表面之间，以增加它们之间的挤压接触力。
通过上述效果，能够提供一种用于处理光的半导体器件和制造半 导体器件220的方法，其不需要对形成半导体器件220的树脂进行抛 光的处理，并且能够改善制造良品率、减少浪费、和改善半导体器件 220的可靠性。
在该实施例中，第一树脂膜140的厚度为0.12mm。然而，能合适 地调整第一树脂膜140的厚度。如果第一树脂膜140的高度等于或大 于0.12mm，则可进一步增加第一树脂层130的厚度。能调整第一树脂 层130的厚度，使得通过密封步骤使密封树脂层200的厚度等于或小 于第一树脂层130的厚度。第一树脂膜140的厚度等于或大于O.lmm，优选地等于或小于 0.15mm，并且能合适地调整密封树脂层200的厚度，使得薄金属线190 不会从密封树脂层200突出。
根据该实施例，在晶片110的受光部120上或在受光部120周围 形成第一树脂膜140中，将树脂膜用作第一树脂膜140。在该情况下， 在第一树脂膜140与密封模具的上模具230的接触表面中，能够使第 一树脂膜140的最厚部分的厚度均匀。这样，形成第一树脂膜140，使 得第一树脂膜140的上表面与密封树脂层200的上表面齐平，或者第 一树脂膜140的上表面高于密封树脂层200的上表面。然后，用被稍 微挤压的第一树脂膜140对密封树脂层200进行密封。因此，在第一 树脂膜140的上表面与密封模具230的模制表面之间不存在间隙，并 且防止密封树脂层200渗透到第一树脂膜140的上表面中。
由于第一树脂膜140具有弹性，所以当密封模具的上模具230与 第一树脂膜140的上表面实现挤压接触时，第一树脂膜140能用作密 封模具230的挤压力的缓冲器。这样，能够减少向受光元件100施加 的挤压力，并防止诸如裂纹的元件缺陷。
通过覆盖晶片110的整个表面，并且例如通过光刻法对其进行精 确地蚀刻，来整体地形成由第一树脂制成的第一树脂膜140，其中，在 所述晶片110上，利用第一树脂层130来形成受光部120。
如上所述，在根据本实施例的制造半导体器件220的方法中，第 一树脂膜140的上表面在无密封树脂层200的情况下通过树脂密封。 因此，不需要根据现有技术的对密封树脂层200进行抛光的处理。结 果，能够改善生产率并降低产品成本。
在将晶片IIO分成单独的受光元件100之前，在晶片110上形成第一树脂膜140。能够利用，例如，光刻法来整体地并且精确地形成第 一树脂膜140。因此，能够改善半导体器件的生产率和质量。
另外，根据本实施例的制造方法不包括抛光处理。因此，不会出
现当对半导体器件220进行抛光时的振动。结果，能够改善半导体器
件的产品质量。
另外，不产生由于抛光所引起的浪费。因此，能够减少浪费并降 低制造成本。
尽管以上已参考
了本发明的实施例，但本发明不局限于 此。能使用不同于以上结构的各种结构。
(第二实施例)
图5A和5B分别为透视图和横截面图，示出在根据本发明第二实 施例的制造半导体器件的方法中的第一树脂部(框架150)的形状。
在第一实施例中，第一树脂膜140具有圆柱形结构。然而，在第 二实施例中，第一树脂部(框架150)具有带有开口的框架形结构，受 光元件100的表面的一部分通过该开口露出。第二实施例的其它结构 与第一实施例相同。
根据第二实施例的制造半导体器件220的方法与根据第一实施例 的方法相同，并且不再重复其说明。
实验结果证明通过框架150获得了与第一实施例中相同的效果。
当将框架150形成为框架形状时，在去除框架150的处理中，能 比根据第一实施例剥离第一树脂膜140更容易地剥离框架150。这是因为具有框架形状的框架150带有去除剂的接触面积大于根 据第一实施例的第一树脂膜140的接触面积，并且能容易地使框架150 膨胀和溶解。
在半导体器件的第二实施例中，具有框架形状的框架150使得能 够进一步改善生产率。
(第三实施例)
图6A和6B分别为透视图和横截面图，示出在根据第三实施例的 制造半导体器件的方法中的第一树脂部(凹面构件160)的形状。
在第一实施例中，第一树脂膜140具有圆柱形结构。然而，第三 实施例的特征在于第一树脂部(凹面构件160)的凹面部的厚度在局部 较薄。第三实施例的其它结构与第一实施例相同。
根据第三实施例的制造半导体器件的方法与根据第一实施例的方 法相同，并且不再重复其说明。
实验结果证明通过凹面构件160的结构获得了与第一实施例中相 同的效果。
由于凹面构件160的凹面部的厚度在局部较薄，所以在去除凹面 构件160的处理中，能比根据第一实施例剥离第一树脂膜140更容易 地剥离凹面构件160。
这是因为具有凹面部的凹面构件160带有去除剂的接触面积大于 根据第一实施例的第一树脂膜140的接触面积，并且能容易地使凹面 构件160膨胀和溶解。
此外，对于包括较小受光部120的受光元件100该实施例比第二实施例更有效。理由如下。当将第一树脂层130加工成框架150时，
在显影期间应完全去除框架150的中心。然而，当受光部120较小时， 由于处理精度的限制，不能处理框架150。
在包括小受光部120的受光元件100中，当在作为凹面构件160 的中心部的凹面部中预先形成薄树脂膜时，能够以与处理框架150的 情况大致相类似的方式，容易地去除凹面构件160。
显然，本发明不局限于以上实施例，并且在不偏离本发明的范围 和精神的情况下可以进行更改和改变。
权利要求
1.一种制造半导体器件的方法，包括在晶片上形成第一树脂层，所述晶片具有设置在其中的功能部；将所述第一树脂层图案化成预定的形状，并在所述功能部上或在所述功能部周围形成第一树脂部；将所述晶片分成元件；将所述元件安装在基部的上表面上；使密封模具的模制表面与所述第一树脂部的上表面和所述基部的下表面形成挤压接触，并且在由所述密封模具的所述模制表面包围的间隙部当中，将第二树脂注入在所述第一树脂部周围的所述间隙部，以在所述第一树脂部周围形成第二树脂层；以及去除所述第一树脂部，以使所述元件的一部分暴露于外部，其中，在形成所述第二树脂层的所述步骤中，使所述第一树脂部的上表面与所述第二树脂层的上表面齐平，或者使所述第一树脂部的上表面高于所述第二树脂层的上表面。
2. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，使所述元件的一部分暴露于外部的所述步骤包括将所述第 一树脂部浸入去除剂，以利用粘合带去除所述第一树脂部。
3. 根据权利要求l所述的制造半导体器件的方法，其中，用于所述第一树脂部的第一树脂为光固化型树脂、热固型 树脂、或光热固型树脂中的任何一种。
4. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，用于所述第一树脂部的固化的第一树脂的弹性模量为在 2(TC的温度下等于或小于6GPa，以及在200°C的温度下等于或小于 3GPa。
5. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，用于所述第一树脂部的固化的第一树脂的弹性模量为在20'C的温度下等于或大于lGPa，以及在20(TC的温度下等于或大于 lOMPa。
6. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一树脂部的上表面比所述第二树脂层的上表面高出 Omm以上且0.05mm以下的范围。
7. 根据权利要求l所述的制造半导体器件的方法， 其中，所述第一树脂部的厚度等于或大于0.1mm。
8. 根据权利要求l所述的制造半导体器件的方法， 其中，所述第一树脂部的厚度等于或小于0.15mm。
9. 根据权利要求l所述的制造半导体器件的方法， 其中，利用薄膜树脂制成所述第一树脂层。
10. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法， 其中，形成所述第一树脂部的所述步骤包括 在所述晶片上将所述第一树脂层形成为膜；以及 将膜状的所述第一树脂层图案化成预定的形状，以在所述功能部上或在所述功能部周围形成第一树脂膜。
11. 根据权利要求l所述的制造半导体器件的方法，还包括 在去除所述第一树脂部的所述步骤之后，将所述基部分成所述元件。
12. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，在形成所述第二树脂层的所述步骤中，所述密封模具的所述模制表面与所述基部的下表面以在其间夹持膜的情况下实现挤压接 触。
13. 根据权利要求l所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一树脂部被形成为以使得至少覆盖整个的所述功能 部，或者所述第一树脂部被形成为框架，所述功能部的一部分或整个 的所述功能部通过所述框架露出。
14. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法， 其中，所述第一树脂部为凹面构件，以及 所述凹面构件的凹面部的厚度在局部较薄。
全文摘要
本发明提供一种制造露出元件的功能部的半导体器件的方法。该种制造半导体器件的方法包括在具有受光部的晶片上形成第一树脂层；将第一树脂层图案化成预定的形状，并在受光部上形成第一树脂膜；将晶片分成受光元件；将受光元件安装在引线框的上表面上；在第一树脂膜周围形成密封树脂层的密封步骤；以及去除第一树脂膜，使得受光元件的一部分暴露于外部，并且在密封步骤中，使第一树脂膜的上表面与密封树脂层的上表面齐平，或者使第一树脂膜的上表面高于密封树脂层的上表面。
文档编号H01L21/50GK101667546SQ20091017177
公开日2010年3月10日 申请日期2009年9月2日 优先权日2008年9月2日
发明者内田建次, 平泽宏希 申请人:恩益禧电子股份有限公司