专利名称：聚合物、使用它的有机薄膜以及有机薄膜元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及聚合物、使用它的有机薄膜以及有机薄膜元件。
背景技术：
含有具有电荷(电子或空穴)输送性的有机材料的薄膜，在有机薄膜晶体管、有机 太阳电池、光传感器等有机薄膜元件中的应用令人期待，目前，有机P型半导体(显示空穴 输送性)以及有机η型半导体(显示电子输送性)的开发盛行。作为有机ρ型半导体材料，低聚噻吩、聚噻吩等具有噻吩环的化合物由于能达到 稳定的自由基阳离子状态，因而期待其显示出高空穴输送性。特别是长链低聚噻吩，由于共 轭长度变长，预测能更有效地输送空穴，但在直链状分子的情况下，由于固体状态下的分子 排列的规则性欠佳，因此分子间相互作用不充分，还无法充分利用其潜在能力。另一方面，被称为树形化合物(dendrimer)或超支化聚合物(hyperbranched polymer)的具有超支化结构的化合物备受瞩目。树形化合物或超支化聚合物与直链状的化 合物不同，具有粘度低、在有机溶剂中的溶解性良好、通过导入官能团来表现功能等特点。 另外，关于具有分支结构的低聚噻吩也有各种报道(参照专利文献1)。专利文献1 日本专利第3074277号
发明内容
但是，从采用了有机半导体材料的有机薄膜元件的实用化的观点出发，不仅要求 具有高电荷输送性，还要求能通过涂布来廉价地制造。若用涂布来形成均质的膜，则有机半 导体材料在有机溶剂中的溶解性很重要。但是，上述公知的材料的性能均不令人十分满意。为此，本发明的目的在于提供电荷输送性以及溶剂中的溶解性优异、能几乎均质 地形成薄膜、能用作有机P型半导体的聚合物。本发明的目的还在于提供含有该聚合物的 有机薄膜、以及具备该有机薄膜的有机薄膜元件。为了实现上述目的，本发明提供如下聚合物，其含有下述通式(1)所示的重复结 构，L和X分别独立地由多个自身共轭的共轭形成结构连接构成，作为上述共轭形成结构， 含有至少1个亚噻吩基结构。
权利要求
一种聚合物，其含有下述通式(1)所示的重复结构，L和X分别独立地由多个自身共轭的共轭形成结构连接构成，作为所述共轭形成结构，含有至少1个亚噻吩基结构，式中，X表示可以具有取代基的1价有机基团，L表示可以具有取代基的2价有机基团，T表示可以具有取代基的3价有机基团，其中，式中的X之间、L之间以及T之间分别表示相同的基团。FPA00001197537800011.tif
2.根据权利要求1所述的聚合物，其中，X、L及T整体上共轭。
3.根据权利要求1或2所述的聚合物，其中，L是下述通式(2)所示的2价有机基团，
4.根据权利要求1 3中任一项所述的聚合物，其中，T是下述通式(3) (7)所示的 3价有机基团中的任一种，
5.根据权利要求1 4中任一项所述的聚合物，其中，X是下述通式(8)所示的1价有机基团，
6.根据权利要求1 5中任一项所述的聚合物，其中，所述通式(1)所示的重复结构是 下述通式(9)所示的重复结构，式中，R"、R12、R13和R14分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基或 可以具有取代基的1价杂环基，这些基团中的一部分或全部的氢原子可以被氟原子取代， 予以说明，当R11、R12、R13和R14多个存在时，它们可分别相同或不同，R15表示氢原子或可以 具有取代基的1价基团，s和t分别独立地表示2 12的整数，其中，式中的R11之间、R12之 间、R13之间、R14之间以及R15之间分别表示相同的基团，式中的s之间以及t之间分别为相 同的整数。
7.根据权利要求1 6中任一项所述的聚合物，其具有至少1个所述通式(1)所示的 重复结构和至少1个下述通式(10)所示的重复结构，
8.一种有机薄膜，其含有权利要求1 7中任一项所述的聚合物。
9.一种有机薄膜元件，其具备权利要求8所述的有机薄膜。
10.一种有机薄膜晶体管，其具备权利要求8所述的有机薄膜。
全文摘要
本发明的聚合物含有下述通式(1)所示的重复结构，L和X分别独立地由多个自身共轭的共轭形成结构连接构成，作为上述共轭形成结构，含有至少1个亚噻吩基结构。[式中，X表示可以具有取代基的1价有机基团，L表示可以具有取代基的2价有机基团，T表示可以具有取代基的3价有机基团。其中，式中的X之间、L之间以及T之间分别表示相同的基团。]
文档编号H01L51/05GK101952345SQ20098010494
公开日2011年1月19日 申请日期2009年2月9日 优先权日2008年2月13日
发明者上田将人, 安苏芳雄, 辛川诚 申请人:国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社