专利名称：输送装置和处理系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及输送用于太阳能电池的大型基板等被处理体的输送装置和具有该输 送装置的、对被处理体进行处理的处理系统。
背景技术：
在以太阳能电池、液晶显示器(IXD)为代表的平板显示器(FPD)等的制造过程中， 公知有包括对大型的玻璃基板逐张进行蚀刻或实施成膜等规定处理的处理室和在规定处 理之前将基板预加热到预处理温度的预加热室的单片方式的多腔室型的处理系统(例如， 专利文献1)。这样的处理系统具有设有输送大型的基板(被处理体)的输送装置的共用输送 室，在该共用输送室的周围包括交换处理前和处理后的被处理体的加载互锁真空室、上述 的预加热室和处理室。使用设于共用输送室的输送装置将被处理体从加载互锁真空室向预 加热室、从预加热室向处理室、从处理室向加载互锁真空室输送。专利文献1 日本特开平10-98085号公报在规定处理之前，利用预加热室将基板预加热到预处理温度的方式与在处理室内 将基板加热到处理温度的方式相比，具有能够缩短处理时间的优点。可是，存在以下的情 况基板的温度在将基板从预加热室输送到处理室的期间内下降，处理室中的再加热时间 较长。而且，在一次处理多个基板的批量方式中，存在以下的情况位于最上层的基板、 位于最下层的基板与上下存在有被加热的基板的位于中层的基板之间的温差大，难以高精 度地控制多个基板各自的温度。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够缩短被处理体在处理室中的再加热时间，并且 即使输送多个被处理体，也能高精度地控制上述多个被处理体各自的温度的输送装置和采 用了该输送装置的处理系统。为了解决上述课题，本发明的第1技术方案的输送装置包括基座；被处理体支承 体，其用于支承被处理体，相对于上述基座进入或退回来输送上述被处理体；反射体，其至 少设于上述被处理体支承体的上下两方，用于对来自支承在上述被处理体支承体上的上述 被处理体的辐射热进行反射。本发明的第2技术方案的处理系统包括共用输送室；预加热室，其与上述共用 输送室相连接、用于对上述被处理体进行预加热；处理室，其与上述共用输送室相连接，用 于对上述被处理体进行处理；加载互锁真空室，其与上述共用输送室相连接，用于交换上述 被处理体；上述第1技术方案的输送装置，其设于上述共用输送室中，用于输送上述被处理 体。根据该发明，能够提供一种能够缩短被处理体在处理室中的再加热时间，并且即使输送多个被处理体，也能高精度地控制上述多个被处理体各自的温度的输送装置和采用 了该输送装置的处理系统。
图1是概略地表示本发明的一实施方式的处理系统的俯视图。图2的(A)是概略地表示输送装置的一个例子的侧视图，图2的(B)是从图2的 (A)所示的箭头2B表示的方向观察到的主视图。图3是表示被处理体支承体相对于基座进入或退回的样子的图。图4是表示图4的㈧和图4的⑶输送中的被处理体的状态的图。图5是表示从被处理体放射热的状态的图。图6是表示从被处理体放射热的状态的图。图7是概略地表示输送装置的另一例的侧视图。
具体实施例方式以下，参照
本发明的一实施方式。在所参照的所有附图中，对相同的部分 标注相同的附图标记。在本说明中，作为被处理体的一个例子，列举了用于制造太阳能电池、FPD的大型 玻璃基板，一边例示一边说明对该大型玻璃基板实施规定处理例如蚀刻或成膜等的处理系 统。图1是概略地表示本发明的一实施方式的处理系统的俯视图。如图1所示，一实施方式的处理系统1包括共用输送室10 ；预加热室20，其与该 共用输送室10相连接、用于对被处理体G进行预加热；处理室30a、30b，其用于对被处理体 G实施蚀刻、成膜等处理；加载互锁真空室40，其用于在配置于大气侧的被处理体收容容器 (未图示)和被保持为真空的共用输送室10之间交换被处理体G ；输送装置50，其设于共用 输送室10中，用于输送被处理体G。共用输送室10俯视形状呈矩形状，分别经由闸阀61、 62a.62b.63使预加热室20、处理室30a、30b、加载互锁真空室40与共用输送室10的各侧面 连接。此外，在加载互锁真空室40的大气侧设有间阀64。另外，在本例子中，共用输送室 10的俯视形状构成为矩形状，但是共用输送室10的俯视形状也可以构成为多边形，例如六 边形或八边形，并形成追加有预加热室、处理室或加载互锁真空室的构成。在本例子中，共用输送室10、预加热室20、处理室30a、30b构成为真空腔室，分别 在各自内部具有用于载置被处理体G的载置台21、31a、31b，共用输送室10、预加热室20、 处理室30a、30b的内部被保持为规定的降压气氛。此外，作为真空预备室的加载互锁真空 室40用于在配置于大气侧的被处理体收容容器(未图示)和被保持为真空的共用输送室 10之间交换被处理体G，作为能够在大气气氛和降压气氛之间进行切换的真空预备室而发 挥作用。该处理系统1构成为一次将多张例如三张被处理体G沿高度方向水平载置并进行 处理的结构，利用未图示的大气侧输送装置，将多张被处理体G从外部的被处理体收容容 器经由间阀64搬入到加载互锁真空室40中，被搬入的被处理体G从加载互锁真空室40经 由闸阀63向共用输送室10输送，从该共用输送室10经由闸阀61向预加热室20输送，从该预加热室20经由闸阀62a或62b向处理室30a或30b输送。然后，在处理室30a或30b 中处理结束了的被处理体G从处理室30a或30b经由闸阀62a或62b向共用输送室10输 送，从该共用输送室10经由闸阀63向加载互锁真空室40输送，处理结束了的被处理体G 从加载互锁真空室40输送出。另外，在本例子中，处理室30a和处理室30b是进行相同处 理的处理室，但是也可以构成为进行不同处理的处理室。即，也可以构成为在处理室30a中 处理第一工序，在处理室30b中连续地处理所继续进行的第二工序。输送装置50在共用输送室10、预加热室20、处理室30a、30b和加载互锁真空室40 互相之间输送被处理体G。因此，输送装置50构成为能够在共用输送室10与预加热室20 之间、共用输送室10与处理室30a、30b之间和共用输送室10与加载互锁真空室40之间进 行进入_退回动作、升降动作和旋转动作。处理系统1的各构成部由控制部(计算机)70控制。控制部70包括具有微处理 器的处理控制器71，在该处理控制器71上连接有用户接口 72和存储部73，该用户接口 72 由供操作者进行用于管理处理系统1的命令的输入操作等的键盘、将处理系统1的工作状 况可视化地显示的显示器等构成；该存储部73存储有用于利用处理控制器71的控制来实 现在处理系统1中执行的各种处理的控制程序、用于使处理系统1根据处理条件来执行规 定处理的控制程序、制程程序。存储部73具有存储介质，制程程序等被存储在该存储介质 中。存储介质既可以是硬盘、半导体存储器，也可以是⑶_R0M、DVD、闪存等可携带的存储介 质。通过来自用户接口 72的指示等，根据需要从存储部73读出制程程序等，使处理控制器 71执行该制程程序等，由此在处理控制器71的控制下，在处理系统1中进行期望的处理。接着，说明处理系统1中的处理动作的一个例子。首先，打开闸阀64，利用大气侧被处理体输送装置(未图示)将多张例如三张未处 理的被处理体G搬入大气气氛的加载互锁真空室40，关闭间阀64，使加载互锁真空室40内 成为降压气氛。然后，打开间阀63，使输送装置50进入加载互锁真空室40，接收被搬入到加 载互锁真空室40内的未处理的被处理体G。接着，使输送装置50退回到共用输送室10，关 闭闸阀63。接着，使输送装置50旋转成与预加热室20相对。接着，打开闸阀61，使输送装 置50进入预加热室20，将未处理的被处理体G向预加热室20输送。接着，使输送装置50 退回到共用输送室10，关闭了闸阀61之后，在预加热室20中，开始对被处理体G进行预加 热。预加热结束后，打开间阀61，使输送装置50进入预加热室20，接收预加热结束的被处 理体G。接着，使输送装置50退回到共用输送室10，关闭间阀61。接着，使输送装置50旋 转成与处理室30a或30b相对。接着，打开间阀62a或62b，使输送装置50进入处理室30a 或30b，向处理室30a或30b输送预加热完毕的被处理体G。接着，使输送装置50退回到共 用输送室10，关闭闸阀62a或62b，开始在处理室30a或30b中的处理。处理结束后，打开 闸阀62a或62b，使输送装置50进入处理室30a或30b，接收处理完毕的被处理体G。接着， 使输送装置50退回到共用输送室10，关闭间阀62a或62b。接着，使输送装置50旋转成与 加载互锁真空室40相对。接着，打开间阀63，使输送装置50进入加载互锁真空室40，向加 载互锁真空室40输送处理完毕的被处理体G。接着，使输送装置50退回到共用输送室10， 关闭闸阀63，使加载互锁真空室40内处于大气气氛。之后，打开闸阀64，利用大气侧被处 理体输送装置(未图示)，从加载互锁真空室40搬出处理完毕的被处理体G。接着，说明输送装置50。
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图2的(A)是概略地表示输送装置50的一个例子的侧视图，图2的(B)是从图2 的(A)所示的箭头2B表示的方向观察到的主视图。如图2的㈧和图2的⑶所示，一个例子的输送装置50基本上由基座51和被 处理体支承体52构成，该被处理体支承体52用于支承被处理体G，相对于基座51进入或退 回来输送被处理体G。而且，输送装置50包括使基座51升降和旋转的升降旋转机构53和使被处理体支 承体52进入或退回的进入-退回机构54。升降旋转机构53使基座51升降和旋转，由此， 输送装置50本身升降和旋转。在本例中，被处理体支承体52具有基部55和从基部55沿水平方向延伸的支承构 件56(图中56a 56c)。基部55构成为能够在基座51上滑动，通过使进入-退回机构54 进入基部55或从基部55退回，如图3所示，被处理体支承体52相对于基座51进入或退回。此外，本例的被处理体支承体52在高度方向上具有多层支承构件56，能一次输送 多张被处理体G。在本例中，作为一个例子表示具有三层支承构件56a、56b、56c的输送装置 50，能一次输送三张被处理体G。而且，一个例子的输送装置50具有反射体80，该反射体80用于对来自被支承在被 处理体支承体52上的被处理体G的辐射热、主要是红外线进行反射。反射体80至少设于处于退回到基座51上的状态的被处理体支承体52的上下方， 被配置成隔着输送中的被处理体G。此外，如本例那样，在被处理体支承体52包括多层支承构件56a、56b、56c的情况 下，反射体80至少配置在最下层的支承构件56a的下方和最上层的支承构件56c的上方。通过这样配置反射体80，如图4的(A)所示，被处理体G在被上述反射体80夹持 的状态下被输送。而且，从输送中的被处理体G放射的热被配置在上下两方的反射体80反射。此外，本例的反射体80除了被配置在被处理体支承体52上下两方之外，还配置在 被处理体支承体52的侧部。由此，例如，如图4的(B)所示，反射体80形成为筒状的形状， 多个被处理体G在由筒状的反射体80包围的状态下被输送。反射体80对来自被支承在被处理体支承体52上的被处理体G的辐射热进行反 射。因此，至少反射体80的与被处理体G相对的面为能反射热的热反射面。在本例中，至 少筒状的反射体80的内侧的面为热反射面。热反射面由容易反射红外线的材质(例如铝) 作成，其表面优选镜面或对金属进行抛光的抛光面。
这样，一实施方式的处理系统1所包括的输送装置50具有用于对来自被处理体G 的辐射热进行反射的反射体80，被处理体G能够在由反射体80夹持或包围的状态下被输 送。在降压气氛下，以气体作为导热介质的冷却或由气体的对流而造成的冷却对被加热的 被处理体G的冷却影响小，而自被处理体G本身释放的辐射热(红外线)对被加热的被处 理体G的冷却影响大。因此，与不具有反射体80的输送装置相比，能够较大地抑制输送中 的被处理体G的温度的降低，例如能够较大地抑制从预加热室20向处理室30a或30b输送 时的温度的降低。由此，能够利用输送装置50缩短被处理体G在处理室中的再加热时间。此外，反射体80只要位于被处理体支承体52的上下两方即可，但是，若反射体80 例如构成为筒状，包围在退回基座51上的状态的被处理体支承体52的周围，则能进一步抑制输送中的被处理体G的温度的降低。而且，根据一实施方式的处理系统1所包括的输送装置50，也能得到如下那样的优点。例如，在输送装置50 —次输送多张被处理体G时，例如，在输送三张以上被处理体G时，存在最上层的被处理体G、最下层的被处理体G与中层的被处理体G之间的温差大的 这种情况。例如，如图5所示，即使配置于中层的被处理体G2放射热，也因为接收来自配置在 其上下方的被处理体G 1、G3的辐射热，所以其温度的降低被抑制。但是，最上层的被处理 体G3和最下层的被处理体Gl只在上方或下方的其中一侧具有被处理体，所以与中层的被 处理体G2相比，温度容易降低。因此，在输送三张以上被处理体G时，最上层的被处理体 G1、最下层的被处理体G3与中层的被处理体G2之间的温差大。相对于此，根据一实施方式的处理系统1所包括的输送装置50，如图6所示，对最 上层的被处理体G3而言，在其上部具有反射体80a，对最下层的被处理体Gl而言，在其下部 具有反射体80b。因此，即使输送三张以上被处理体G，也能抑制最上层的被处理体G1、最下 层的被处理体G3与中层的被处理体G2之间的温差变大，还能高精度地控制多个被处理体 各自的温度。以上，按照一实施方式说明了本发明，然而，本发明不限定于上述一实施方式，可 以进行各种的变形。此外，本发明的实施方式并不是只有上述一实施方式。例如，在上述一实施方式中，说明了至少在被处理体支承体52的上下两方设有反 射体80的例子，然而例如，也可以在被处理体支承体52的支承构件53的表面设有用于对 来自被处理体G的辐射热进行反射的反射体。而且，也可以将反射体设于基座51的表面。此外，在上述一实施方式中，表示了反射体80为筒状的例子，但是也可以是在基 座51上安装箱形的框、在该框上安装反射板这样的构造。此外，在上述一实施方式中，表示了一并输送并处理三张被处理体G的处理系统， 但是不限于此，例如，如图7所示，输送装置50也可以是只具有一层支承构件56，输送一张 被处理体G的构成。此外，虽未特别图示，但输送装置50还可以是具有三层以外的支承构 件、输送三张以外的多张被处理体G的构成。此外，在上述一实施方式中，作为被处理体支承体52的例子，表示了具有从基部 55沿水平方向延伸的支承构件56、基部55在基座51上滑动的例子，但是被处理体支承体 52不只限于该构成，也可以是能输送被处理体支承体52的任意结构。例如，还可以是支承 构件56也能滑动这样的结构。而且，作为输送方式，不只限于被处理体支承体52在基座51 上滑动的方式，例如，也可以是具有关节的SCARA型的输送方式。而且，在上述一实施方式中，作为被处理体，表示了用于制造太阳能电池和FPD的玻璃基板，然而被处理体不限定于被玻璃基板，也可以是半导体晶圆等其他基板。
权利要求
一种输送装置，其特征在于，包括基座；被处理体支承体，其用于支承被处理体，相对于上述基座进入或退回来地输送上述被处理体；反射体，其至少设于上述被处理体支承体的上下两方，用于对来自被支承在上述被处理体支承体上的上述被处理体的辐射热进行反射。
2.根据权利要求1所述的输送装置，其特征在于， 上述被处理体支承体在上述反射体之间设置有多层。
3.根据权利要求1或2所述的输送装置，其特征在于， 上述反射体呈筒状地包覆上述被处理体支承体。
4.根据权利要求1或2所述的输送装置，其特征在于，至少上述反射体的与上述被处理体相对的面为能反射热的热反射面。
5.根据权利要求1或2所述的输送装置，其特征在于，在上述被处理体支承体的表面还设有用于对来自上述被处理体的辐射热进行反射的 反射体。
6.根据权利要求1或2所述的输送装置，其特征在于，在上述基座的表面还设有用于对来自上述被处理体的辐射热进行反射的反射体。
7.一种处理系统，其特征在于，包括 共用输送室；预加热室，其与上述共用输送室相连接，用于对上述被处理体进行预加热； 处理室，其与上述共用输送室相连接，用于对上述被处理体进行处理； 加载互锁真空室，其与上述共用输送室相连接，用于交换上述被处理体； 权利要求1 6中任一项所述的输送装置，其设于上述共用输送室中，用于输送上述被 处理体。
全文摘要
本发明提供一种能够缩短被处理体在处理室中的再加热时间，并且即使输送多个被处理体，也能高精度地控制上述多个被处理体各自的温度的输送装置和处理系统。该输送装置包括基座(51)；被处理体支承体(52)，其用于支承被处理体(G)，相对于上述基座(51)进入或退回来输送被处理体(G)；反射体(80)，其至少设于被处理体支承体(52)的上下两方，用于对来自被支承在被处理体支承体(52)上的被处理体(G)的辐射热进行反射。
文档编号H01L21/677GK101989561SQ20101023377
公开日2011年3月23日 申请日期2010年7月20日 优先权日2009年7月31日
发明者山田洋平 申请人:东京毅力科创株式会社