专利名称：自对准低电阻栅极rf ldmos的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种自对准低电阻栅极RF LDMOS的制造方法。
背景技术：
随着无线通信应用需求的迅速增长，RF LDMOS (射频横向扩散MOS管)功率器件变得越来越重要。RF LDMOS功率器件不但具有良好的电学特性，而且可以与现有CMOS集成电路工艺完全兼容，易于实现大规模RF集成电路。但由于传统RF LDMOS器件多采用重掺杂的传统多晶硅栅电阻，其电阻率约40 100欧姆/cm，这在一定程度上限制了 RF LDMOS 器件在高速高频方面的应用。
栅的电阻增加在宽的器件驱动大的互连线能力中引起显著的延迟。栅电阻随器件尺寸的减小而增加，这是因为栅长变得越来越短，并且由于边缘效应，窄的栅线条会比宽的栅线条的方块电阻高。
多晶硅栅的第二个问题是，即使它们重掺杂，在与氧化层之间仍有不可忽略的栅电压降。随着电压的积累和栅氧厚度的减小，栅损失的部分电压变得越来越重要，这个现象称为“多晶硅耗尽”。
此外，多晶硅栅的第三个问题的是，在器件制造中，掺杂剂从栅向沟道的扩散问题。对于厚的栅氧，这可以被有效的抑止，但随着栅氧越来越薄，避免掺杂剂通过栅氧向沟道的扩散已经成为重要的工艺约束条件，它最终会影响器件的性能。
为了降低多晶硅栅的电阻率，常用的方法是使多晶硅形成金属硅化物，通常为 WSi (钨硅化物)。但是，典型的WSi的电阻率为5 20欧姆/cm，虽然有所降低，但还是无法满足高速或高频的需求。因此，通常对于此类器件不采用WSi来做，而是用金属栅器件特殊材料来做。金属栅具有非常小的电阻和最小的RC时间常数，目前制作金属栅的可行的材料包括钽(Tantalum)、钨、氮化钽(Tantalum Nitride)或是氮化钛(Titalium Nitride), 金属栅(以氮化钛为例)的制备工艺流程通常如下
1)淀积多晶硅；
2)栅极刻蚀；
3)形成侧墙；
4)自对准源/漏区注入；
5)光刻，用掩模版定义出需要形成低电阻的区域；
6)淀积金属钛，经过两次退火形成低电阻的金属栅。
上述工艺方法中，由于形成低电阻的区域是通过光刻定义出来的，存在套刻对准的偏差，因此限制了器件尺寸的缩小；另外，金属栅制作工艺比较复杂，也极大地限制了其产量，因此，基于硅的高速高频器件很难大规模量产。发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种自对准低电阻栅极RF LDMOS的制造方法，它可以降低RF LDMOS的栅极电阻，并可以优化RF LDMOS的制备工艺。
为解决上述技术问题，本发明的自对准低电阻栅极RF LDMOS的制造方法，在完成多晶硅淀积后，按照以下步骤制作金属栅
1)在多晶硅的栅极区域淀积氮化硅；
2)刻蚀形成多晶硅栅极；
3)淀积氧化层；
4)干法回刻，刻蚀形成栅极的侧墙；
5)炉管氧化，成长氧化层；
6)干法刻蚀掉栅极上面的氮化硅；
7)在栅极上淀积金属层，经两次高温退火，自对准地在栅极上形成低电阻金属栅。
本发明将低电阻栅和侧墙工艺同时集成，不仅提高了器件的高频特性，减少了器件尺寸对工艺的依存性，而且简化了 RF LDMOS的制备工艺流程，降低了工艺成本。
图1是本发明实施例的方法示意图
图2是本发明实施例的栅电阻的测:
图中附图标记说明如下
1 衬底
2 ；外延层
3 ；源
4 ；漏
5 ；栅氧
6 ；多晶硅栅极
7 ；氮化硅
8 ；氧化层(二氧化硅)
9 ；侧墙
10氧化层(二氧化硅)
11娃化钛具体实施方式
为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式，详述如下
本实施例的自对准低电阻栅极RF LDMOS的制造方法，其具体工艺流程为
步骤1，在硅衬底1上生长外延层2，制作源3、漏4，成长栅氧5 ；然后，在栅氧5上淀积多晶硅，再在多晶硅上需要制作栅极的区域淀积氮化硅7，通过刻蚀形成多晶硅栅极 6，如图1 (a)所示。氮化硅7的厚度为300 500埃米。
步骤2，用低压化学气相沉积法淀积一层厚度为200 300埃米的氧化层8，如图 1(b)所示。这样形成的氧化层8具有很好的保形性和致密性。
步骤3，干法回刻，刻蚀形成多晶硅栅极6的侧墙9，如图1(c)所示。
步骤4，进炉管氧化，在源3、漏4区上面成长一层厚度大于300埃米的氧化层10， 如图1(d)所示。
多晶硅栅极6上面由于有氮化硅7的保护，不会形成氧化层。而多晶硅栅6的侧壁由于有侧墙9的保护，因此，在炉管成长氧化层10的过程中，不会在多晶硅栅极6的侧壁消耗过多的多晶硅，从而不会影响器件的特性。
步骤5，利用氮化硅7对氧化层10刻蚀的高选择比(通常大于10)，干法刻蚀掉多晶硅栅极6上面的氮化硅7，而氧化层损失小于100埃米。如图1(e)所示。
步骤6，在多晶硅栅极6上，淀积一层厚度为100 2000埃米的钛金属层(也可以用钨或镍等其他可以与硅形成合金的金属)，经过两次高温退火，自对准地在栅极上形成低电阻的硅化钛11金属栅。
由于源3、漏4区域有氧化层10 (作为金属淀积的阻挡层)的保护，而栅极两侧又有侧墙9的保护，不会因栅极尺寸的缩小而影响器件的特性，因此，退火后能够自对准地在栅极上形成硅合金。
步骤7，按照常规工艺流程进行后续的工艺，完成RF LDMOS的制备。
经实际电流电压曲线测量(取0. 2伏对应的电流值来计算电阻)，按照上述方法制备的RFLDM0S的栅电阻(由硅化钛11和多晶硅栅极6共同组成)为1.32欧姆/方块，如图2所示，远小于按照传统方法做出的电阻值。
权利要求
1.自对准低电阻栅极RFLDMOS的制造方法，其特征在于，在完成多晶硅淀积后，按照以下步骤制作金属栅1)在多晶硅的栅极区域淀积氮化硅；2)刻蚀形成多晶硅栅极；3)淀积氧化层；4)干法回刻，刻蚀形成栅极的侧墙；5)炉管氧化，成长氧化层；6)干法刻蚀掉栅极上面的氮化硅；7)在栅极上淀积金属层，经两次高温退火，自对准地在栅极上形成低电阻金属栅。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述氮化硅的厚度为300 500 埃米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤幻，用低压化学气相沉积法淀积所述氧化层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤幻，所述氧化层的厚度为200 300埃米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤幻，所述氧化层的厚度大于300埃米。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6)，干法刻蚀时，氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比大于10。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤7)，所述金属层的材质为钛、钨或镍。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤7)，所述金属层的厚度为100 2000埃米。
全文摘要
本发明公开了一种自对准低电阻栅极RF LDMOS的制造方法，该方法在完成多晶硅淀积后，按照以下步骤制作金属栅1)在多晶硅的栅极区域淀积氮化硅；2)栅极刻蚀；3)淀积氧化层；4)栅极侧墙刻蚀；5)进炉管成长氧化层；6)干法刻蚀掉氮化硅；7)淀积金属层，经两次高温退火，自对准地在栅极上形成低电阻金属栅。该方法通过同时集成低电阻栅和侧墙工艺，不仅提高了RF LDMOS器件的高频特性，减少了器件尺寸对工艺的依存性，而且简化了RF LDMOS的制备工艺流程，降低了工艺成本。
文档编号H01L21/336GK102522327SQ20111043449
公开日2012年6月27日 申请日期2011年12月22日 优先权日2011年12月22日
发明者遇寒 申请人:上海华虹Nec电子有限公司