加热装置和退火装置的制作方法

专利名称：加热装置和退火装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有LED (Light Emitting Diode)元件的加热装置和包括该加热装置的退火装置。
背景技术：
一般来说，为了制造半导体集成电路，对硅基板等半导体晶片反复进行成膜处理、氧化扩散处理、改性处理、蚀刻处理、退火处理等各种处理。在这些处理之中，在离子注入后为了使晶片中掺杂的杂质原子活性化而进行的退火处理中，为了将杂质的扩散抑制到最小限度，需要使半导体晶片更快速地升降温。 在现有的退火装置中，使用卤素灯等进行晶片的加热，但是卤素灯从点亮到作为热源稳定为止至少要I秒左右。因此，最近提案有以开关的响应性更优良的、能比卤素灯更快速升降温的LED元件作为加热源使用的退火装置(例如参照日本特表2005-536045号公报(对应于国际公开W02004/015348号))。在上述退火装置中使用的加热装置例如以图8所示的方式形成。图8是表示具有LED元件的现有技术的一般的加热装置的一例的图，(A)表示剖视图，(B)表示俯视图。这样的加热装置设置为与在处理容器(未图示)内设置的半导体晶片的表面相对，利用从各LED元件辐射的光线(热线)加热晶片W。该装置具有由例如铜等金属板构成的散热基板2。在图示的例中，在散热基板2的上表面侧隔着由焊锡等构成的接合层4设置有由氮化铝等陶瓷构成的绝缘板6。在该绝缘板6的表面排列有多个四边形的配线元件8以成为规定的配线图案，在各配线元件8上搭载有LED元件10。相邻的LED元件10彼此由金属配线11串联连接。在该情况下，为了增加每单位面积的发光量，LED元件10的集成度增大。如上述那样的现有技术的加热装置，存在以下情况，即，以构成散热基板2的铜板与形成绝缘板6的陶瓷材料或树脂之间的线性膨胀系数不同为起因，在进行了软钎焊的接合层4产生剥落，或在绝缘板6自身产生破裂。另外，为了增大LED元件10的光输出而投入大量电力时，虽然LED元件10的发热增加，但是在LED元件10处于高温时发光效率降低。在LED元件10的冷却不充分的情况下，为了弥补发光效率降低量而增大向LED元件10的投入电力时，LED元件10的发热进一步增加，即使增大向LED元件10的投入电力，也很快达到光输出不增大的饱和状态。因此，为了提高LED元件10的发光效率，需要高效率地排放从该LED元件10产生的热。但是，在由焊锡构成的接合层4中存在气泡时，散热变得不均匀，不能高效率地散热。

发明内容
本发明提供一种能够均匀且高效率地进行LED元件散热的加热装置和退火装置。根据本发明，提供一种加热装置，其具有LED模块，该LED模块包括金属制的散热基板；在上述散热基板上直接形成的绝缘层；排列在上述绝缘层上构成配线图案的多个配线元件；在上述多个配线元件上设置的LED元件；和将相邻的上述LED元件间串联电连接的金属配线。另外，根据本发明，提供一种加热装置，其具有LED模块，该LED模块包括金属制的散热基板；在上述散热基板上形成的绝缘层；排列在上述绝缘层上构成配线图案的多个配线元件；在上述多个配线元件上分别设置的多个LED元件；和将相邻的上述LED元件间串联电连接的金属配线，在上述加热装置中，在将存在于上述配线元件之间的绝缘部件的绝缘击穿电场设为“a”、将上述配线元件之间的电位差的最大值设为“Vm”的情况下，相邻的所述配线元件之间的间隙宽度“d”设定为满足关系式“Vm/a〈d”的宽度。另外，根据本发明，提供一种退火装置，其对被处理体进行退火处理，该退火装置包括收纳上述被处理体的处理容器；在上述处理容器内支承上述被处理体的支承装置；向上述处理容器内供给处理气体的气体供给装置；对上述处理容器内的气体进行排放的排气装置；和在上述处理容器内设置的上述加热装置。
根据本发明，能够均匀且高效率地进行LED元件的散热。


图I是表示使用本发明实施方式的加热装置的退火装置的概略结构的剖视图。图2是表示加热装置的顶面(表面)的俯视图。图3是表示加热装置的第一实施方式中设置的LED元件的局部放大图。图4是示意性地表示LED元件组的连接状态的一例的图。图5是用于说明加热装置制造方法的工序图。图6是表示加热装置的第二实施方式中设置的LED元件的局部放大图。图7是将加热装置的第二实施方式中的电流和光输出的关系与现有技术的加热装置比较表示的表。图8是表示具有LED元件的现有技术的一般加热装置的一例的图。
具体实施例方式以下，基于附图对本发明的加热装置和退火装置的一个实施例进行详细描述。图I是表示使用本发明实施方式的加热装置的退火装置的概略结构的剖视图，图2是表示加热装置的顶面(表面)的俯视图，图3是表示加热装置的第一实施方式中设置的LED元件的局部放大图，图4是示意性地表示LED元件组的连接状态的一例的图，图5是用于说明加热装置制造方法的工序图。在此，以被处理体是由硅基板构成的半导体晶片、且将在表面注入有杂质的晶片退火的情况为例进行说明。如图I所示，该退火装置12具有由铝或铝合金形成的中空的处理容器14。该处理容器14包括筒状的侧壁14A ;与侧壁14A的上端部接合的顶板14B ;和与侧壁14A的底部接合的底板14C。在侧壁14A，形成有能够搬出搬入作为被处理体的半导体晶片W的大小的搬出搬入口 16，在该搬出搬入口 16安装有形成为能够开闭的闸阀18。在处理容器14内，设置有支承晶片W的支承装置20。该支承装置20具有多根例如3根支承销22 (图I中只表示了 2根)，和与这些支承销22的下端部连结的升降臂24。各升降臂24能够利用未图示的驱动器升降，由此，能够以支承销22的上端部支承晶片W的状态升降晶片W。在顶板14B圆周边缘部的一部分设置有气体供给装置26。该气体供给装置26由在顶板14B上形成的气体导入口 28和与该气体导入口 28连结的气管30构成，能够利用未图示的流量控制器控制流量的同时向处理容器14内导入需要的处理气体。在此，能够使用N2等惰性气体或Ar、He等稀有气体作为处理气体。另外,在顶板14B内形成有使冷却顶板14B的制冷剂流动的上侧制冷剂通路29。在底板14C的圆周边缘部的一部分形成有气体排气口 32，在该气体排气口 32设置有对处理容器14内的气体进行排气的排气装置34。该排气装置34具有与气体排气口 32连接的气体排气管36，该气体排气管36设置在压力调节阀38和排气泵40之间。在底板14C内形成有使冷却底板14C的制冷剂流动的下侧制冷剂通路41。 在顶板14B的中央，形成有大口径的开口，并且在该开口设置有正面侧的加热装置42，来加热晶片W的正面(上表面)。另外，在底板14C的中央部，形成有大口径的开口，并且在该开口以与正面侧的加热装置42相对的方式设置有背面侧的加热装置44，来加热晶片W的背面(下表面)。此处“晶片W的正面”指进行成膜、蚀刻等各种处理的面。另外，在背面侧的加热装置44的加热能力足够大的情况下，也能够省略正面侧的加热装置42。〈加热装置的说明〉接着，对加热装置进行说明。由于此处正面侧的加热装置42和背面侧的加热装置44具有除了上下颠倒外其余全部相同的结构，所以此处对正面侧的加热装置42进行说明，对背面侧的加热装置44标记相同的参照符号，省略其说明。正面侧的加热装置42具有在顶板14B的开口处隔开一点间隙嵌入的元件安装头46。元件安装头46由铜、铝或铝合金等热传导性高的材料形成。元件安装头46，在形成于其上侧的圆形环状的安装凸缘46A的部分，以在与顶板14B之间隔着由聚醚酰亚胺(Polyetherimide)等构成的热绝缘体48的状态被顶板14B支承。在热绝缘体48的上下设置有由0环等构成的密封材料50，保持该部分的密封性。在元件安装头46的下表面，形成有具有比晶片W的直径稍大的直径的元件安装凹部52，遍及该元件安装凹部52的上表面(凹部52里面的平面)的至少能够覆盖晶片W全部表面大小的区域，设置有多个LED模块54。在兀件安装凹部52的开口部分,安装有由例如由石英板构成的透光板55。LED模块54向晶片W辐射光(热线)。在LED模块54的上方，即与晶片W相反一侧,设置有冷却机构58。该冷却机构58具有在元件安装头46内设置的矩形截面的制冷剂通路60，在该制冷剂通路60的一端的制冷剂入口 61连接有制冷剂导入管60A，并且在另一端的制冷剂出口 63连接有制冷剂排出管60B。通过使制冷剂在制冷剂通路60中流动来吸收由LED模块54产生的热，能够冷却LED模块54。能够使用Fluorinert或GALDEN (商品名)等作为制冷剂。制冷剂通路60能够形成为例如遍及大致整个元件安装头46的曲折状。在LED模块54的相反侧，设置有供电用的控制盒64，在这里设置有对应于各LED模块54的控制板66。对各LED模块54供电的供电线68从控制板66延伸。如图2 (A)所示，此处LED模块54形成为例如边长是25mm左右的正六边形，互相接近地密集配置为相邻的边几乎接触的状态。能够设置一个或多个LED模块54，在晶片W的直径是300mm的情况下，能设置例如80个左右的LED模块54。图2 (B)是各LED模块的放大俯视图，一个LED模块54构成为在其表面横竖排列多个LED元件70。在该情况下，各LED元件70的尺寸是0. 5mmX0. 5mm左右的正方形，在一个LED模块54上搭载有1000 2000个左右的LED元件70。属于一个LED模块54的多个LED元件70，分割成多个组，同一组内的LED元件70彼此串联电连接。此处对LED元件的安装状态进行更详细的说明。图3放大表示上述LED元件的部分，(A)表示剖面图，(B)表示俯视图。如图3所示，LED模块54具有由例如铜、铝等热传导性好的金属板形成的散热基板72。该散热基板72的厚度是例如3 IOmm左右。在散热基板72上直接形成有绝缘层74。S卩，该绝缘层74和散热基板72之间没有隔着现有技术的加热装置中使用的焊锡那样的接合层4 (参照图8)，而是如上述那样在散热基板72的表面直接形成有绝缘层74。作为构成绝缘层74的材料，能够使用氧化铝(A1203)、氮化铝(A1N)、碳化硅(SiC) 等陶瓷材料、类金刚石碳(Diamond-like carbon)、或热传导性好且绝缘性高的树脂等。另夕卜，作为绝缘层74的制作方法,能够使用喷涂成膜法、CVD (Chemical Vapor Deposition)成膜法或印刷成膜法等。具体而言，在使用氧化铝或氮化铝的情况下适用喷涂成膜法，在使用碳化硅或类金刚石碳的情况下适用CVD成膜法，在使用树脂的情况下适用印刷成膜法，每一种情况下绝缘层74都以牢固地附着在散热基板72上的状态形成。另外，作为上述的树脂，能够使用例如粉末状的铝和环氧树脂的混合物。绝缘层74的厚度优选为例如20 150 ii m左右。在绝缘层74的厚度比20 U m还薄的情况下，有产生漏电流的可能性，相反在厚度比150 y m还厚的情况下，有热传导性降低冷却效率变差的可能性。在绝缘层74的表面，形成有以规定的图案排列四边形的配线元件76而成的配线图案。此处，相邻的配线元件76彼此为了确保两者间的绝缘性，隔着微小间隙78排列，例如，设置成在水平面内纵向和横向均等地分布(参照图2 (B))。另外，配线元件76也可以不横竖对齐而是随机配置。配线元件76是例如由铜构成、厚度是10 IOOiim左右、尺寸是0. 82mmX0. 55mm左右的长方形。配线元件76之间的间隙78的宽度最窄的部分例如是0.35_左右。另外，配线元件76的材料不限定于铜，能够使用从由铜、钨、钽、钥、铌构成的组中选择的一种材料。在各配线元件76上搭载有LED元件70。此时，LED元件70的下部电极(未图示)与配线元件76通过焊锡等连接。而且，相邻的LED元件70之间用金属配线82串联电连接。金属配线82通过引线接合而设置，电连接与处于LED元件70的上部的电极(未图示)相邻的配线元件76。结果，如所述，多个LED元件70串联连接。图4是示意性地表示LED元件组的连接状态的一例的图。在图4中，表示在一个LED模块54内将LED元件70分割成两组的例子，同一组内的LED元件70串联连接。另外，也可以在一个LED模块54内将LED元件70分割成两组以上。各组的前端和后端的LED元件70，分别与每个LED模块54上安装的电极84A和电极84B连接，成为能够对各LED元件70供给电力。在该情况下，电极84A和电极84B分别与端部的两根供电线68连接。结果，LED元件70的各组处于并联连接的状态。包括露出到相邻的配线元件76之间的绝缘层74的表面，相对于光(热线)，透明的保护用树脂86覆盖配线元件76和LED元件70的全部表面，由此LED模块54的全部表面被密封。另外，也有对该保护用树脂86附加反射镜(reflector)或对应各LED元件70的镜片(lens)的情况。此处参照图5对LED模块54的制作过程进行说明。首先，如图5 (A)所示，提供由金属板构成的散热基板72，在其表面如图5 (B)所示那样直接形成绝缘层74。作为该绝缘层74的形成方法，如所述能够使用喷涂成膜法、CVD成膜法、印刷成膜法等。此处，使用陶瓷喷涂成膜法喷涂氧化铝等陶瓷材料。在利用陶瓷材料的喷涂形成绝缘层74的情况下，如图5 (C)所示，进行研磨绝缘层74表面的喷涂面研磨，进一步，在该表面进行封孔处理。该封孔处理通过使树脂浸溃在绝缘层74表面来进行。接着，如图5 (D)所示，在该绝缘层74的表面形成用于形成配线图案的薄金属膜88。作为该金属膜88的形成方法，能够使用例如铜电镀或铜喷涂。接着，如图5 (E)所示，通过对金属膜88进行图案蚀刻，形成由多个配线元件76 (88)构成的配线 图案。接着，如图5 (F)所示，在各配线元件76上安装LED元件70，在相邻的LED元件70之间通过引线接合连接金属配线82，另外，设置保护用树脂86，由此完成LED模块54。回到图1，退火装置12的全部动作的控制，例如处理温度、处理压力、气体流量、正面侧的加热装置42和背面侧的加热装置44的开 关等各种控制，通过由计算机构成的控制部90执行，该控制需要的能够在计算机读取的程序存储在存储介质92。作为该存储介质92，能够使用软盘、⑶(Compact Disc)、⑶-ROM、硬盘、闪光存储器或DVD等。接着，对使用退火装置12进行的退火处理进行说明。首先，利用未图示的搬送设备，从预先形成为减压气氛的未图示的预真空室(load lock)和传递室(transferchamber)等,通过开放的闸阀18,将由例如娃基板构成的半导体晶片W向预先形成为减压气氛的处理容器14内搬入。在该晶片W的正面，如上述那样形成有非晶硅、金属和氧化膜等，处于形成有具有因加热光的波长而异的吸收率的各种细微区域的表面状态。该搬入的晶片W，通过升降驱动升降臂24，被转移到设置在升降臂24上的支承销22上。使上述搬送机构退避后，关闭闸阀18，处理容器14内被密封。接着，利用气体供给装置26的气管30控制流量，同时让处理气体此处例如N2气或Ar气等流动，将处理容器14内维持在规定的压力。与此同时，在顶板14B设置的正面侧的加热装置42和在底板14C设置的背面侧的加热装置44都通电，正面侧的加热装置42的各LED元件70和背面侧的加热装置44的各LED元件70都点亮，分别辐射加热光，从上下两面加热晶片W，进行退火处理。该情况下的处理压力是例如100 IOOOOPa左右，处理温度(晶片温度)是例如800 1100°C左右，各LED元件70的点亮时间是I IOsec左右。由此，由于晶片W的正面和背面被从各LED元件70辐射的发射波长中具有一定程度的宽度的加热光照射，所以能够不依赖晶片W的正面状态，加热晶片W的正面侧和背面侧使得面内温度大致均匀。另外，虽然由于在各加热装置42、44产生的大量的热，各元件安装头46被加热，但是通过使制冷剂在设置于该元件安装头46上的各冷却设备58的制冷剂通路60中流动，能够高效率地冷却各元件安装头46。具体而言，在上述各加热装置42、44中，从各控制板66通过供电线68对各LED模块54供给电力，然后驱动LED模块54的串联连接的多个LED元件70，从各LED元件70如图3 (A)中箭头94所示那样辐射加热光。该结果是，晶片W从其正面和背面这两面侧被快速加热。另外此时，在各LED元件70上产生大量的热。对于现有技术的加热装置，散热基板72和由陶瓷材料或者树脂等构成的绝缘板6通过焊锡的接合层4接合。因此，由于该接合部分的导热率低，不能高效率地冷却，所以产生以线膨胀系数差为原因的剥落，或者接合层4中存在气泡等而变得散热不均匀(参照图8)。但是，在本实施方式中，如上述，绝缘层74不通过接合层4 (参照图8)而例如利用喷涂法、CVD法或印刷法直接形成在散热基板72上，而且利用这些制法制成的绝缘层74是20 150 iim左右，非常薄。其结果是，能够提高冷却效率，充分冷却LED元件70，能够防止LED元件70温度过高。而且，使用上述那样的制法的结果是，能够防止LED元件70处于高温，由此能够提高散热基板72和绝缘层74之间的接合强度，能够抑制在这里发生剥落。另外，因为本发明中不需要担心混入气泡的焊锡等的接合层4 (参照图8)，所以能 够对绝缘层74的整体在面内均匀地进行冷却而不产生热分布。另外，因为能够如上述那样充分冷却成为高温时发光效率有降低倾向的LED元件70，所以也能够提高LED元件70自身的发光效率。接着，对第二实施方式进行说明。如上述，在使用了 LED元件的加热装置中，为了提高LED元件的发光效率，高效率地冷却LED元件是重要的。在该第二实施方式中，有助于散热的配线元件76的面积尽可能地设置得大。图6表示第二实施方式中设置的LED元件的局部放大图，(A)表示剖视图，(B)表示俯视图。另外，在图6中，对于与之前的图3中说明了的部分相同的结构部分，标上相同的参照符号，省略说明。如图6所示，此处如上述在绝缘层74上形成的由金属构成的配线元件76的面积设置得尽可能的大，从该配线元件76通过绝缘层74向散热基板72高效率地传递热，实现了更高效率的散热。配线元件76还具有如上述的散热功能，面积尽可能的大使高效率的散热成为可能。在该情况下，在设置有LED元件70的水平面内，横竖相邻排列的各配线元件76之间的间隙78的宽度“d”，基于帕邢定律被设定为在两者间不发生放电的大小。具体而言，上述相邻的配线元件76之间的间隙78的宽度“d”，在设存在于配线元件76之间的绝缘部件的绝缘击穿电场为“a”、配线元件76之间的电位差的最大值为“Vm”的情况下，被设定为满足关系式“Vm/a〈d”的宽度。S卩，以在相邻的配线元件76之间不发生放电的方式设定间隙78的宽度“d”比“Vm/a”的值大。另外，此处“存在于配线元件76之间的绝缘部件”是密封LED元件70的保护用树脂86。作为保护用树脂86，一般使用例如镜片用硅树脂，其绝缘击穿电场根据种类为20 30kV/mm程度。而且,鉴于安全性,采用绝缘击穿电场为10kV/mm时，宽度“d”的最小值为“Vm/10k”。另外，一般而言，施加在一个LED元件70上的电压是I 5伏左右，相邻的LED元件70之间的电压的最大值，根据施加的电压和各LED元件的排列图案，例如是100伏左右。因此，宽度“d”的最小值为10_2mm，推测出宽度“d”需要设定为10_2mm以上。另外宽度“d”的值，也可以是在一个LED模块内混合存在根据LED元件70的排列位置而异的值。另外，宽度“d”的最大值为相邻的LED元件70之间的距离。另外，虽然在图6所示的第二实施方式中在散热基板72之上直接形成有配线层74，但也可以将上述的间隙78的宽度“d”的设定应用于图8所示的在散热基板72的上表面隔着接合层4设置有绝缘板6的结构。这种情况下，也能够提升LED元件70的散热效果，提高发光效率。此处，将在散热基板72的上表面隔着接合层4设置有绝缘板6的图8的加热装置中应用上述的间隙78的宽度“d”的设定而增大了配线元件76的面积的结构作为实施例，将图8所示的现有结构作为比较例，进行了运行试验，对其结果进行说明。图7是表示试验结果的图表。横轴表示流到LED元件的电流( 单位任意)，纵轴表示LED元件的光输出(单位任意)。在试验使用的加热装置中，都安装了 72个/cm2的LED元件。比较例的配线元件是尺寸为0. 82mmX0. 55mm的长方形，间隙的宽度“d”是0. 35mm。实施例的配线元件是尺寸为0.83mmX0.75mm的长方形，间隙的宽度“d”是0. 15mm。从图7从可以明显看出，实施例(空心三角A)和比较例(实心三角▲)在从电流少的状态逐渐增加电流的情况下，都表现出同样的曲线，光输出增加。但是，在比较例中光输出达到饱和状态快。相对于此，由于在实施例的加热装置中能够提高冷却效率，所以到达饱和状态的速度变慢，能够相应地增大可投入的电流。此外，在上述实施方式中，被处理体是半导体晶片，但是在该半导体晶片中包括硅基板或GaAs、SiC、GaN等化合物半导体基板。另外，被处理体不限定于这样的基板，也可以是用于液晶显示装置的玻璃基板或陶瓷基板等。
权利要求
1.一种加热装置，其特征在于 具有LED模块，所述LED模块包括 金属制的散热基板； 在所述散热基板上直接形成的绝缘层； 排列在所述绝缘层上构成配线图案的多个配线元件； 在所述多个配线元件上分别设置的多个LED元件；和 将相邻的所述LED元件串联电连接的金属配线。
2.如权利要求I所述的加热装置，其特征在于 所述绝缘层使用喷涂成膜法、CVD (Chemical Vapor Deposition)成膜法和印刷成膜法中的任意一种方法形成。
3.如权利要求I或2所述的加热装置，其特征在于 所述绝缘层由包含陶瓷材料的材料形成。
4.如权利要求I 3中任一项所述的加热装置，其特征在于 所述绝缘层的厚度在20 150iim的范围内。
5.如权利要求I 4中任一项所述的加热装置,其特征在于 在将存在于所述配线元件之间的绝缘部件的绝缘击穿电场设为“a”、所述配线元件之间的电位差的最大值设为“Vm”的情况下，相邻的所述配线元件之间的间隙宽度“d”设定为满足关系式“Vm/a〈d”的值。
6.一种加热装置，具有LED模块，该LED模块包括 金属制的散热基板； 在所述散热基板上形成的绝缘层； 排列在所述绝缘层上构成配线图案的多个配线元件； 在所述多个配线元件上分别设置的多个LED元件；和 将相邻的所述LED元件串联电连接的金属配线， 所述加热装置的特征在于 在将存在于所述配线元件之间的绝缘部件的绝缘击穿电场设为“a”、所述配线元件之间的电位差的最大值设为“Vm”的情况下，相邻的所述配线元件之间的间隙宽度“d”设定为满足关系式“Vm/a〈d”的宽度。
7.如权利要求6所述的加热装置，其特征在于 所述绝缘层直接设置在所述散热基板上。
8.如权利要求6所述的加热装置，其特征在于 所述绝缘层隔着接合层设置在所述散热基板上。
9.如权利要求I 8中任一项所述的加热装置，其特征在于 存在于所述配线元件之间的所述绝缘部件是用于密封所述LED元件的部件。
10.如权利要求I 9中任一项所述的加热装置，其特征在于 还包括设置有冷却机构的元件安装头，在所述元件安装头设置有一个或多个所述LED模块。
11.如权利要求I 10中任一项所述的加热装置，其特征在于 所述配线元件由从铜、钨、钽、钥、铌构成的组中选择的一种材料构成。
12.一种退火装置，对被处理体进行退火处理，其特征在于，包括 收纳所述被处理体的处理容器； 在所述处理容器内支承所述被处理体的支承装置； 向所述处理容器内供给处理气体的气体供给装置； 对所述处理容器内的气体进行排气的排气装置；和 在所述处理容器内设置的权利要求I 11中任一项所述的至少一个加热装置。
13.如权利要求12所述的退火装置，其特征在于 设置有两个所述加热装置，分别与在所述处理容器内收纳的所述被处理体的上表面和下表面相对。
全文摘要
加热装置具有LED模块(54)，该LED模块(54)包括金属制的散热基板(72)；在散热基板上直接形成的绝缘层(74)；排列在绝缘层上构成配线图案的多个配线元件(76)；在多个配线元件上分别设置的多个LED元件(70)；和将相邻的所述LED元件串联电连接的金属配线(82)。利用该结构，能够均匀且高效率地进行LED元件的散热。
文档编号H01L21/265GK102754191SQ20118000945
公开日2012年10月24日 申请日期2011年3月7日 优先权日2010年3月9日
发明者大矢和广, 米田昌刚, 铃木智博 申请人:东京毅力科创株式会社