技术总结
太阳能电池（11；21；31），其具有设置在太阳能电池（11；21；31）的背面的介电覆层；所述介电覆层至少部分地被至少一个平面触头（12；22；32）所覆盖，而该所述至少一个平面触头（12；22；32）的一条边界线（14；24；34）具有至少一个凹处（16a，16b；26a，26b，26c）。还提供了用于制造该太阳能电池的方法。
技术研发人员：安德里亚斯·特佩;阿道夫·闵塞尔;简·薛昂;马赛厄斯·海恩;彼得·温特尔
受保护的技术使用者：RCT溶液有限责任公司
文档号码：201180060886
技术研发日：2011.10.14
技术公布日：2016.11.30