一种测试基板翘曲的方法及装置与流程

本申请涉及一种基板测试技术领域，尤其涉及一种测试基板翘曲的方法及装置。

背景技术：

在薄膜基板工艺中基板成膜后，薄膜基板的翘曲成为影响薄膜基板质量的一大因素。薄膜基板翘曲，会导致当光波入射到薄膜基板上的薄膜上时产生发射光束的波前畸变，更为甚者，薄膜应力可能会导致薄膜性能恶化甚至导致薄膜龟裂和剥落。

显示、半导体等行业对于行业中使用的玻璃板、强化玻璃等为代表的基板成膜后表面形状翘曲的品质要求逐渐变得严格是不争的事实。目前基板翘曲测试多为静止、离线测试，鲜有在线测试，从而不利于提高薄膜基板品质监控效率。

技术实现要素：

本申请实施例提供一种测试基板翘曲的方法及装置，用以解决现有技术中基板翘曲测试多为静止、离线测试，鲜有在线测试，从而不利于提高薄膜基板品质监控效率的问题。

本申请实施例采用下述技术方案：

本申请实施例提供的一种测试基板翘曲的方法，包括：

将基板接触单元向基板靠近，确定所述基板接触单元上设置的接触传感器接触到所述基板的板面时所经过的第一时间；

在所述基板成膜后，将所述基板接触单元向成膜后基板靠近，确定所述接触传感器接触到所述成膜后基板的板面时所经过的第二时间；

根据所述第一时间、所述第二时间和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的翘曲量。

可选地，所述基板接触单元上设置有多个接触传感器；

确定所述基板接触单元上设置的接触传感器接触到所述基板的板面时所经过的第一时间，具体包括：

分别针对每个所述接触传感器执行：确定从所述基板接触单元向所述基板靠近开始，直至该接触传感器接触所述基板的板面时所经过的第一时间。

可选地，确定所述基板接触单元上设置的接触传感器接触到所述基板的板面时所经过的第一时间后，将所述基板接触单元向成膜后基板靠近前，所述方法还包括：

将所述基板接触单元回到向所述基板靠近前的所在位置。

可选地，确定所述接触传感器接触到所述成膜后基板的板面时所经过的第二时间，具体包括：

分别针对每个所述接触传感器执行：确定从所述基板接触单元向所述成膜后基板靠近开始，直至该接触传感器接触所述成膜后基板的板面时所经过的第二时间。

可选地，根据所述第一时间、所述第二时间和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的翘曲量，具体包括：

根据所述第一时间、所述第二时间，确定所述第一时间与所述第二时间的时间长度差值；

根据所述时间长度差值和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的翘曲量。

可选地，根据所述第一时间、所述第二时间和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的翘曲量，具体包括：

分别针对每个所述接触传感器执行：根据该接触传感器对应的第一时间、第二时间，确定该第一时间与该第二时间的时间长度差值，根据该时间长度差值和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的板面接触该接触传感器之处的翘曲量。

可选地，所述基板与所述成膜后基板是以相同的放置方式放置于工作载台上的；

所述基板接触单元是以上升的方式，向放置于工作载台上的所述基板或所述成膜后基板靠近的。

本申请实施例提供的一种测试基板翘曲的装置，包括基板接触单元、设置于所述基板接触单元上的接触传感器、连接所述接触传感器的处理单元；所述基板接触单元，用于向基板靠近，以及在所述基板成膜后，将所述基板接触单元向成膜后基板靠近；

所述接触传感器，用于接触所述基板的板面或所述成膜后基板的板面；

所述处理单元，用于确定所述基板接触单元上设置的接触传感器接触到所述基板的板面时所经过的第一时间，确定所述接触传感器接触到所述成膜后基板的板面时所经过的第二时间，根据所述第一时间、所述第二时间和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的翘曲量。

可选地，所述设置于所述基板接触单元上的接触传感器有多个。

可选地，所述装置还包括：

工作载台，用于以相同的放置方式放置所述基板与所述成膜后基板；

所述基板接触单元是以上升的方式，向放置于工作载台上的所述基板或所述成膜后基板靠近。

本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：可以通过在基板成膜前后动态地、在线地测试获取的数据，确定成膜后基板的翘曲量，相比于现有技术中静止、离线的基板翘曲测试方式，及时性较好，进而也有利于提高薄膜基板品质监控效率，因此，可以部分或全部地解决现有技术中的问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例提供的一种测试基板翘曲的方法的流程示意图；

图2为本申请实施例提供的一种测试基板翘曲的装置的结构示意图；

图3a为本申请实施例提供的测试基板翘曲的方案原理示意图之一；

图3b为本申请实施例提供的测试基板翘曲的方案原理示意图之二；

图4为本申请实施例提供的在一种实际应用场景下，利用图2中的装置测试基板翘曲的一种具体实施流程示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

图1为本申请实施例提供的一种测试基板翘曲的方法的流程示意图。

图1中的流程可以包括以下步骤：

S101：将基板接触单元向基板靠近，确定所述基板接触单元上设置的接触传感器接触到所述基板的板面时所经过的第一时间。

在本申请实施例中，对基板的材质并不做限定，可以是玻璃或陶瓷等材质。

在本申请实施例中，基板接触单元可以是面向基板的板面，向基板靠近。基板接触单元面向基板的板面的那一面上可以设置有一个或多个接触传感器，基板接触单元向基板靠近，直至基板接触单元上设置的各接触传感器接触到基板的板面。

第一时间可以是从基板接触单元从向基板靠近开始，直至基板接触单元上设置的某个接触传感器接触到所述基板的板面时所经过的时间。当然，第一时间也可以是从基板接触单元从向基板靠近之后的某个时间点开始，直至基板接触单元上设置的某个接触传感器接触到所述基板的板面时所经过的时间。

S102：在所述基板成膜后，将所述基板接触单元向成膜后基板靠近，确定所述接触传感器接触到所述成膜后基板的板面时所经过的第二时间。

在本申请实施例中，对于成膜后基板上的薄膜材质并不做限定，可以是氧化物或其他化合物等材质；对于所述薄膜的用途也不做限定，可以是用于改善光学性能，也可以是用于防腐蚀等。

在本申请实施例中，在基板成膜后，由于薄膜本身的张力问题，可能会造成成膜后基板的翘曲，通过本申请的方案可以在线测试成膜后基板相比于成膜前基板发生的翘曲。

在本申请实施例中，在基板成膜后，可以将基板接触单元按照与步骤S101类似的方式，向成膜后基板靠近，确定接触传感器接触到成膜后基板的板面时所经过的第二时间。由于基板在成膜发生了翘曲，若翘曲处为接触传感器与成膜后基板的板面的接触之处，则接触传感器接触到基板的板面所经过的时间可能会相应地发生变化，也即，确定出的第二时间与在步骤S101中确定出的第一时间可能会相应地存在差异。因此，可以以第一时间和第二时间作为测试基板翘曲的依据。

在本申请实施例中，第一时间、第二时间可以是接触传感器直接记录的，也可以是其他功能模块或设备根据接触传感器采集的传感数据间接计算的。

S103：根据所述第一时间、所述第二时间和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的翘曲量。

在本申请实施例中，根据第一时间、第二时间，可以确定所述成膜后基板与接触传感器的接触之处是否发生了翘曲。

进一步地，根据第一时间、第二时间，再结合基板接触单元在向基板、成膜后基板靠近时的运动速度，可以确定所述翘曲对应的翘曲量。其中，基板接触单元在向基板时的运动速度，与基板接触单元在向成膜后基板靠近时的运动速度可以相同，也可以不相同，其中，前一种方式可以减少后续确定翘曲量时的计算量，因此，在本申请中可以优选地采用前一种方式。

通过上述方法，可以通过在基板成膜前后动态地、在线地测试获取的数据，确定成膜后基板的翘曲量，相比于现有技术中静止、离线的基板翘曲测试方式，及时性较好，进而也有利于提高薄膜基板品质监控效率，因此，可以部分或全部地解决现有技术中的问题。

基于上述方法，本申请实施例还提供了上述方法的一些具体实施方案，以及扩展方案，下面进行说明。

在本申请实施例中，由于成膜后基板的板面上的各处的翘曲程度可能不同，为了更全面地掌握成膜后基板不同位置的翘曲程度，可以在基板接触单元上设置有多个接触传感器，不同的接触传感器用于接触板面的不同位置。比如，可以一部分接触传感器可以用于接触板面的中间区域，另一部分可以用于接触板面的四周区域，等等。

如上分析，基板接触单元上可以设置有多个接触传感器，则对于步骤S101，确定所述基板接触单元上设置的接触传感器接触到所述基板的板面时所经过的第一时间，具体可以包括：分别针对每个所述接触传感器执行：确定从所述基板接触单元向所述基板靠近开始，直至该接触传感器接触所述基板的板面时所经过的第一时间。

进一步地，为了便于在基板成膜后，再次使基板接触单元向成膜后基板靠近，应当将适时地将基板接触单元归位，而不是一直保持接触传感器与基板接触的状态。具体地，对于步骤S101和S102，确定所述基板接触单元上设置的接触传感器接触到所述基板的板面时所经过的第一时间后，将所述基板接触单元向成膜后基板靠近前，还可以执行：所述基板接触单元回到向所述基板靠近前的所在位置。

更进一步地，对于步骤S102，确定所述接触传感器接触到所述成膜后基板的板面时所经过的第二时间，具体可以包括：分别针对每个所述接触传感器执行：确定从所述基板接触单元向所述成膜后基板靠近开始，直至该接触传感器接触所述成膜后基板的板面时所经过的第二时间。

通过上面的步骤，每个接触传感器都有一个对应的第一时间和一个对应的第二时间。

在本申请实施例中，对于步骤S103，根据所述第一时间、所述第二时间和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的翘曲量，具体可以包括：根据所述第一时间、所述第二时间，确定所述第二时间与所述第一时间的时间长度差值；根据所述时间长度差值和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的翘曲量。

进一步地，具体到每个接触传感器，可以分别针对执行上一段中的动作。则对于步骤S103，根据所述第一时间、所述第二时间和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的翘曲量，具体可以包括：分别针对每个所述接触传感器执行：根据该接触传感器对应的第一时间、第二时间，确定该第二时间与该第一时间的时间长度差值，根据该时间长度差值和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的板面接触该接触传感器之处的翘曲量。

假定基板接触单元在向基板时的运动速度，与基板接触单元在向成膜后基板靠近时的运动速度相同，基板与成膜后的基板处于相同的位置，基板接触单元是以相同的方式向基板、成膜后基板靠近。

假定基板接触单元上设置有n个接触传感器。这n个接触传感器中，第i个接触传感器对应的第一时间记作t_i，第i个接触传感器对应的第二时间记作t_i'，i为不小于1且不大于n的整数，基板接触单元的运动速度为V。

可以确定出第i个接触传感器对应的第二时间与第与时间的时间长度差值为：Δt_i＝t_i'-t_i。

进而，可以确定出第i个接触传感器接触成膜后基板的板面之处的翘曲量为：S_i＝V*Δt_i＝V*(t_i'-t_i)。

上面是以本申请的方案的一种实施方式示例。在实际应用中，基板接触单元在向基板时的运动速度，与基板接触单元在向成膜后基板靠近时的运动速度也可以不相同，基板与成膜后的基板也可以不处于相同的位置，基板接触单元也可以以相同的方式向基板、成膜后基板靠近，在这些情况下，可以先综合考虑这些因素带来的影响，对上述公式进行相应的改进后，再用于确定翘曲量。需要说明的是，具体实施方式之间的区别超出影响本申请的方案的核心思路：即根据基板翘曲前后与接触传感器的接触时间差，确定基板的翘曲量。

在本申请实施例中，可以将基板与成膜后基板放置于水平面上，以减少重力带来的测试误差。比如，所述水平面可以是工作载台的台面，基板与成膜后基板可以是以相同的放置方式放置于工作载台上的，等等。

进一步地，基板接触单元可以是以上升(成膜后基板是向上翘曲的)的方式，向放置于工作载台上的基板或成膜后基板靠近的。

上面是本申请实施例提供的一种测试基板翘曲的方法，基于同样的思路，本申请实施例还提供了相应的一种测试基板翘曲的装置，如图2所示。

图2为本申请实施例提供的一种测试基板翘曲的装置的结构示意图。

图2中的装置可以包括：

基板接触单元21、设置于基板接触单元21上的接触传感器22、连接接触传感器22的处理单元23。

其中，基板接触单元21，可以用于向基板靠近，以及在所述基板成膜后，向成膜后基板靠近；

接触传感器22，用于接触所述基板的板面或所述成膜后基板的板面；图2中示出了3个接触传感器22，在实际应用中，接触传感器22也可以有1个或2个或3个以上。

处理单元23，用于确定基板接触单元21上设置的接触传感器22接触到所述基板的板面时所经过的第一时间，确定接触传感器22接触到所述成膜后基板的板面时所经过的第二时间，根据所述第一时间、所述第二时间和所述基板接触单元的运动速度，确定所述成膜后基板的翘曲量。

进一步地，设置于基板接触单元21上的接触传感器22可以有多个。

更进一步地，图2中的装置可以包括还可以包括：

工作载台24，用于以相同的放置方式放置所述基板与所述成膜后基板；

其中，基板接触单元21可以以上升的方式，向放置于工作载台24上的基板或成膜后基板靠近。

通过上述装置，可以通过在基板成膜前后动态地、在线地测试获取的数据，确定成膜后基板的翘曲量，相比于现有技术中静止、离线的基板翘曲测试方式，及时性较好，进而也有利于提高薄膜基板品质监控效率，因此，可以部分或全部地解决现有技术中的问题。

为了便于理解，本申请实施例还基于图2中的装置，提供了测试基板翘曲的方案原理示意图，如图3a、图3b所示，在图3a、图3b中省略了处理单元23。

图3a为本申请实施例提供的测试基板翘曲的方案原理示意图之一，具体是基板成膜前，装置向基板靠近直至各接触传感器接触到基板的板面的示意图。

图3b为本申请实施例提供的测试基板翘曲的方案原理示意图之二，具体是基板成膜后，装置向成膜后基板靠近直至各接触传感器接触到成膜后基板的板面的示意图。可以看到，成膜后基板的四周向上翘曲。

进一步地，本申请实施例还提供了在一种实际应用场景下，利用图2中的装置测试基板翘曲的一种具体实施流程示意图，如图4所示。

图4中的流程可以包括以下步骤：

S401：基板传送至工作载台上水平放置。

S402：装置从初始位置出发，上升直至各接触传感器接触基板。

S403：各接触传感器采集相关传感数据，传送给处理单元，由处理单元确定第一时间。

S404：基板成膜，成膜后基板在工作载台上水平放置。

S405：装置再次从初始位置出发，上升直至各接触传感器接触成膜后基板。

S406：各接触传感器采集相关传感数据，传送给处理单元，由处理单元确定第二时间。

S407：处理单元根据装置上升时的运动速度、第一时间和第二时间，确定成膜后基板的翘曲量。

本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。

内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。内存是计算机可读介质的示例。

计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。