技术总结
一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁；形成覆盖所述栅极结构的第一介质层；形成覆盖所述第一介质层的第二介质层，所述第二介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数；回刻蚀所述第二介质层，形成第二侧墙；以所述第二侧墙为掩膜刻蚀所述第一介质层，形成第一侧墙，所述第一侧墙具有水平部分和垂直部分，所述第一侧墙覆盖的部分鳍部构成负遮盖区。本发明的鳍式场效应晶体管栅极结构与源区和漏区的导电插塞之间的寄生电容小。
技术研发人员：三重野文健;殷华湘
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201310009265
技术研发日：2013.01.10
技术公布日：2017.07.14