一种cobled封装结构及封装工艺的制作方法

文档序号:6787347阅读:123来源:国知局
专利名称:一种cob led封装结构及封装工艺的制作方法
技术领域
本发明涉及LED封装领域,尤其涉及一种COB LED封装结构及封装工艺。
背景技术
COB LED (Chip On Board,板上芯片封装),即将裸芯片用导电或非导电胶粘附在互联的基板上,然后进行引线键合实现其电连接,COB LED又叫COBLED source,或COB LEDmodule。如图1所示,现有的COB LED封装,多采用高反射率的铝基板5作为基板,在铝基板5上通过固晶胶2粘接有晶片I,在铝基板5上压合一层起绝缘作用的玻纤层4,玻纤层4上设置有铜箔3,晶片I位于玻纤层4的玻纤面8的内侧,且该晶片I通过金线6与铜箔3电连接;铝基板5上还设置有反光面7,该封装简单,可以提升出光光效。但是由于玻纤层4的厚度一般为0.2mm左右,玻纤层4的玻纤面8之间裸露在外面,在烘烤后,其颜色会变为黑色或者深褐色;在封装时,该玻纤层4与出光的荧光胶胶体结合在一起,使得变为黑色或者深褐色的部分被封装在封装器件出光的胶体内,形成严重吸光,且吸光率达到5% 10%,严重影响产品的出光效率。

发明内容
本发明的目的在于提供一种出光效率高、结构简单的COB LED封装结构及封装工艺。为达到此目的,本发明采用以下技术方案:一种COB LED封装结构,包括铝基板,所述铝基板上设置有玻纤层、晶片,所述玻纤层内侧的玻纤面上设置有金属圈,所述金属圈通过绝缘胶与所述玻纤面粘接,所述晶片位于所述金属圈的内侧。其中,所述晶片通过固晶胶与所述铝基板粘接。其中,所述金属圈为高反光率的薄金属圈。其中,所述玻纤层上粘接有铜箔,所述晶片通过金线与所述铜箔电连接。其中,所述铝基板上设置有反光面。一种用于制作所述的COB LED封装结构的COB LED封装工艺,包括以下步骤:步骤A:基板制作,预先将铝基板与玻纤层压合后,将金属圈套设在玻纤层内侧的玻纤面处,通过绝缘胶将金属圈与玻纤面粘接;步骤B:固晶焊线,在所述步骤A中处理后的铝基板上固晶焊线,使晶片位于所述金属圈的内侧。其中,所述步骤A之后,所述步骤B之前还包括:步骤Al:固化,将所述步骤A中粘接了金属圈的铝基板送入烤箱烘烤,使绝缘胶固化。其中,所述步骤B中的固晶焊线,具体为:
在所述铝基板上通过固晶胶粘接晶片;在所述玻纤层上粘接铜箔,所述晶片通过金线与所述铜箔电连接。其中,所述步骤B之后还包括:步骤B1:封胶,在所述晶片上涂覆荧光胶,待荧光胶固化后,在荧光胶外涂覆外封胶水,完成LED封装。本发明的有益效果为:本发明的COB LED封装结构,通过在玻纤面的上设置金属圈,并将金属圈通过绝缘胶与玻纤面粘接固定,使晶片位于金属圈的内侧,不仅将玻纤面与晶片隔离开来,避免玻纤面裸露在外,进而可以避免封装时玻纤层与出光的荧光胶结合在一起,从而避免玻纤层吸光,提高了封装结构的出光效率,且该封装结构简单,容易实现;同时,金属圈本身为高反光率的薄金属圈,也可以提高光反射效率,进一步提高COB LED封装结构的出光效率。本发明的COB LED封装工艺简单,与传统的封装工艺得到的封装结构相t匕,可将COB LED封装结构的出光效率可以提高5 10%。


图1是现有的COB LED封装结构的截面示意图;图2是本发明的COB LED封装结构的截面示意图;图3是图2中的I处放大示意图。图中:卜晶片;2_固晶I父;3_铜箔;4_玻纤层;5_招基板;6_金线;7_反光面;8-玻纤面;1’ -晶片;2’ -固晶胶;3’ -铜箔;4’ -玻纤层;5’ -铝基板;6’ -金线;7’ -反光面;8’-玻纤面;9_绝缘胶;10_金属圈。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。如图2、图3所示,一种COB LED封装结构,包括铝基板5’,铝基板5’上设置有玻纤层4’、晶片I’,玻纤层4’内侧的玻纤面8’上设置有金属圈10,金属圈10通过绝缘胶9与玻纤面8’粘接,晶片I’位于金属圈10的内侧。该COB LED封装结构,通过在玻纤面8’的上设置金属圈10,并将金属圈10通过固晶胶2’与玻纤面8’粘接固定,使晶片I’位于金属圈10的内侧,不仅将玻纤面8’与晶片I’隔离开来,避免玻纤面8’裸露在外,进而可以避免封装时玻纤层8’与出光的荧光胶结合在一起,从而避免玻纤层4’吸光,提高了封装结构的出光效率,且该封装结构简单。在本发明中,晶片I’通过固晶胶2’与铝基板5’粘接。其中,玻纤层4’上粘接有铜箔3’,晶片I’通过金线6’与铜箔3’电连接。其中,铝基板5’上又设置有反光面7’,晶片I’发出的光线通过反光面7’反射,保证出光效率,减少光损失;同时,金属圈10为高反光率的薄金属圈,使得晶片I’的出光区域内,基本无任何吸光的物质,而且均为高反光率的反光面,也可以提高光反射效率,进一步提高COB LED封装结构的出光效率。一种用于制作上述COB LED封装结构的COB LED封装工艺,包括以下步骤:步骤A:基板制作,预先将铝基板5’与玻纤层4’压合后,将金属圈10套设在玻纤层4’内侧的玻纤面8’处,通过绝缘胶9将金属圈10与玻纤面8’粘接;
步骤B:固晶焊线,在步骤A中处理后的铝基板5’上固晶焊线,使晶片I’位于金属圈10的内侧。其中,步骤A之后,步骤B之前还包括:步骤Al:固化,将步骤A中粘接了金属圈10的铝基板5’送入烤箱烘烤,使绝缘胶9固化。其中,步骤B中的固晶焊线,具体为:在铝基板5’上通过固晶胶2’粘接晶片I’ ;在玻纤层4’上粘接铜箔3’,晶片I’通过金线6’与铜箔3’电连接。其中,步骤B之后还包括:步骤B1:封胶,在晶片I’上涂覆荧光胶,待荧光胶固化后,在荧光胶外涂覆外封胶水,完成LED封装。该COB LED封装工艺通过在基板制作时,预先将铝基板5’与玻纤层4’压合后,在玻纤层4’内侧的玻纤面8’处套设金属圈10,通过绝缘胶2’将金属圈10与玻纤面4’固接,最终通过金属圈10将玻纤面8’与晶片I’隔离开来,避免玻纤面8’裸露在外,进而可以避免封装时玻纤层4’与出光的荧光胶结合在一起导致吸光,也可避免在烘烤后变成黑色或者深褐色而吸收光,进而可以提高封装结构的出光光效,该COB LED封装工艺的工序简单,容易实现。该COB LED封装工艺简单,与传统的封装工艺得到的封装结构相比,可将COBLED封装结构的出光效率可以提高5 10%。以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理,而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释,本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式
,这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种COB LED封装结构,包括铝基板(5’),其特征在于:所述铝基板(5’ )上设置有玻纤层(4’)、晶片(I’),所述玻纤层(4’ )内侧的玻纤面(8’ )上设置有金属圈(10),所述金属圈(10)通过绝缘胶(9)与所述玻纤面(8’)粘接,所述晶片(I’)位于所述金属圈(10)的内侧。
2.根据权利要求1所述的一种COBLED封装结构,其特征在于:所述晶片(I’)通过固晶胶(2’ )与所述铝基板(5’ )粘接。
3.根据权利要求1所述的一种COBLED封装结构,其特征在于:所述金属圈(10)为高反光率的薄金属圈。
4.根据权利要求1所述的一种COBLED封装结构,其特征在于:所述玻纤层(4’)上粘接有铜箔(3’),所述晶片(I’)通过金线(6’)与所述铜箔(3’ )电连接。
5.根据权利要求1所述的一种COBLED封装结构,其特征在于:所述铝基板(5’ )上设置有反光面(7’)。
6.一种用于制作权利要求1至5任一项所述的COB LED封装结构的COBLED封装工艺,其特征在于:包括以下步骤: 步骤A:基板制作,预先将铝基板(5’ )与玻纤层(4’ )压合后,将金属圈(10)套设在玻纤层(4’ )内侧的玻纤面(8’)处,通过绝缘胶(9)将金属圈(10)与玻纤面(8’)粘接; 步骤B:固晶焊线,在所述步骤A中处理后的铝基板(5’)上固晶焊线,使晶片(I’)位于所述金属圈(10)的内侧。
7.根据权利要求6所述的一种COBLED封装工艺,其特征在于:所述步骤A之后,所述步骤B之前还包括: 步骤Al:固化,将所述步骤A中粘接了金属圈(10)的铝基板(5’)送入烤箱烘烤,使绝缘胶(9)固化。
8.根据权利要求6所述的一种COBLED封装工艺,其特征在于:所述步骤B中的固晶焊线,具体为: 在所述铝基板(5’ )上通过固晶胶(2’ )粘接晶片(I’ ); 在所述玻纤层(4’)上粘接铜箔(3’),所述晶片(I’)通过金线(6’)与所述铜箔(3’)电连接。
9.根据权利要求6所述的一种COBLED封装工艺,其特征在于:所述步骤B之后还包括: 步骤B1:封胶,在所述晶片(I’)上涂覆荧光胶,待荧光胶固化后,在荧光胶外涂覆外封胶水,完成LED封装。
全文摘要
本发明涉及一种COB LED封装结构,包括铝基板,所述铝基板上设置有玻纤层、晶片,所述玻纤层内侧的玻纤面上设置有金属圈,所述金属圈通过固晶胶与所述玻纤面粘接,所述晶片位于所述金属圈的内侧。本发明还涉及一种COB LED封装工艺,一种用于制作所述的COB LED封装结构的COB LED封装工艺,包括以下步骤步骤A基板制作,预先将铝基板与玻纤层压合后,将金属圈套设在玻纤层内侧的玻纤面处,通过绝缘胶将金属圈与玻纤面粘接;步骤B固晶焊线,在所述步骤A中处理后的铝基板上固晶焊线,使晶片位于所述金属圈的内侧。该COB LED封装工艺的工序简单,容易实现,通过该COBLED封装工艺得到的COB LED封装结构出光效率高,结构简单。
文档编号H01L33/60GK103078043SQ201310010870
公开日2013年5月1日 申请日期2013年1月11日 优先权日2013年1月11日
发明者付晓辉, 付建国 申请人:深圳市华高光电科技有限公司
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