沟槽型MOS晶体管制造方法与流程

技术特征：
1.一种沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于包括：提供衬底，所述衬底包括有源区和外围区；在所述衬底上形成层间介质层，刻蚀所述层间介质层以形成有源区通孔和外围区保护环；进行阱区离子注入和外围区离子注入；在所述有源区通孔和外围区保护环中形成硼磷硅玻璃；去除所述有源区通孔中的硼磷硅玻璃，同时去除外围区保护环中的部分硼磷硅玻璃；进行源漏区离子注入；再次在所述有源区通孔和外围区保护环中形成硼磷硅玻璃；刻蚀所述有源区通孔中的硼磷硅玻璃以形成侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述衬底形成与有源区接触的接触孔。2.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，两次形成硼磷硅玻璃的厚度皆为3.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，两次形成硼磷硅玻璃皆为采用沉积和回流工艺。4.如权利要求3所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃回流工艺的回流温度为700℃-900℃。5.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成层间介质层之前，还包括：所述衬底中形成有沟槽；在所述沟槽中形成栅极结构。6.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，所述阱区离子注入、外围区离子注入及源漏区离子注入为N型注入。7.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述通孔中的硼磷硅玻璃。8.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，在进行源漏区离子注入之后，在再次在所述通孔和保护环中形成硼磷硅玻璃之前，还包括：沉积侧墙的氧化层；对所述源漏极进行退火处理。9.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，在形成与有源区接触的接触孔之后，还包括：形成接触孔阻挡层和金属层。