技术总结
本发明提供一种沟槽型MOS晶体管制造方法。采用了两次形成硼磷硅玻璃的步骤，其中第一次形成硼磷硅玻璃封住了外围区保护环，之后去除有源区通孔中的硼磷硅玻璃，从而使得源漏极离子注入通孔变大，有利于提高注入质量，然后再次形成硼磷硅玻璃，完成了侧墙的形成，并且能够有效地提高外围区保护环的填充效果，进而提高了器件的质量。
技术研发人员：吴亚贞;刘宪周
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201310271012
技术研发日：2013.06.28
技术公布日：2016.11.30