一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装层，所述封装层包括依次叠层设置的碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层，所述碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅化合物，所述混合阻挡层的材质为氮化物掺杂金属硒化物形成的混合材料，该有机电致发光器件采用多层材料层交替封装，致密性高，可有效地减少氧和水汽对有机电致发光器件的侵蚀，从而显著地提高有机电致发光器件的寿命。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典 型结构是在透明阳极和阴极层之间夹有多层有机材料薄膜(空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子输送层和电子注入层)，当电极间施加一定的电压后，发光层就会发光。近年来，有 机电致发光器件由于本身制作成本低、响应时间短、发光亮度高、宽视角、低驱动电压以及 节能环保等特点已经在全色显示、背光源和照明等领域受到了广泛关注，并被认为是最有 可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。
[0003] 目前，有机电致发光器件存在寿命较短的问题，这主要是因为有机材料薄膜很疏 松，易被空气中的水汽和氧气等成分渗入后迅速发生老化。在实际工作时，阴极层被腐蚀 10%就会严重影响器件的工作。因此，有必要提供一种能够有效阻隔水氧渗透的有机电致 发光器件的封装方法。
【发明内容】
[0004] 为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方 法。该有机电致发光器件的封装层采用多层碳氮化硅阻挡层与混合阻挡层交替封装，致密 性高，可有效地减少氧和水汽对有机电致发光器件的侵蚀，从而显著地提高有机电致发光 器件的寿命。本发明方法适用于以导电玻璃为基板制备的有机电致发光器件，也适用于以 塑料或金属为基底制备的柔性有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电 致发光器件。
[0005] -方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发 光功能层、阴极层和封装层，其特征在于所述封装层包括依次叠层设置的碳氮化硅阻挡层 和混合阻挡层，所述碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅化合物，所述混合阻挡层的材质为 氮化物掺杂金属硒化物形成的混合材料，所述金属硒化物为三硒化二锑（Sb2Se3)、硒化钥 (MoSe2)、三硒化二铋（Bi2Se3)、硒化铌（NbSe2)、硒化钽（TaSe2)、或硒化亚铜（Cu2Se),所述 氮化物为氮化硅（Si3N4)、氮化铝（A1N)、氮化硼（BN)、氮化铪（HfN)、氮化钽（TaN)或氮化钛 (TiN)0
[0006] 优选地，在所述氮化物掺杂金属硒化物形成的混合材料中，所述金属硒化物的掺 杂质量分数为10?30%。
[0007] 优选地，所述碳氮化娃阻挡层的厚度为IOOnm?150nm，所述混合阻挡层的厚度均 为IOOnm?150nm。
[0008] 优选地，所述碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层依次交替重复设置3?5次。
[0009] 优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子 传输层和电子注入层。
[0010] 优选地，所述阳极基板为导电玻璃基板或导电塑料或金属薄膜基板。
[0011]空穴注入层采用行业内常用材料，优选为Ν，Ν'-二苯基-N，Ν' -(1-萘 基）_1，1'-联苯-4, 4'-二胺（NPB)掺杂MoO3 (三氧化钥）。
[0012] 空穴传输层采用行业内常用材料，优选为4, 4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺 (TCTA)0
[0013] 发光层采用行业内常用材料，优选为1，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)掺杂三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy) 3)。
[0014] 电子传输层采用行业内常用材料，优选为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)。
[0015] 电子注入层采用行业内常用材料，优选为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)掺 杂叠氮化铯（CsN3)。
[0016] 阴极层可以为非透明金属阴极层(铝、银、金等)，也可以为透明阴极层（介质层夹 杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等)。
[0017] 优选地，阴极层为非透明金属阴极层，材质优选为铝、银、金。
[0018] 所述封装层采用碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层依次交替叠层设置的方式沉积在 阴极层表面，可以保护发光功能层和阴极层在后续操作过程中免遭破坏；所述封装层中的 混合阻挡层为氮化物掺杂金属硒化物形成的混合材料，结构致密，能够有效地阻隔水氧渗 透进入器件内部，其中，氮化物阻水性能高，金属硒化物硬度不大，具有内应力小的优点，氮 化物掺杂金属硒化物形成的混合阻挡层在有效阻隔水氧的同时还可以缓解膜层应力；所述 碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅化合物，其抗腐蚀能力强，平整度高，是非常好的衬底， 能进一步延长水、氧渗透路径，有效阻挡外界水汽和氧气对有机电致发光器件的侵蚀，从而 延长器件寿命。
[0019] 另一方面，本发明提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0020] (1)在洁净的导电基板上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基板； 采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上制备发光功能层和阴极层；
[0021] (2)在阴极层上制备封装层，制备方法如下：
[0022] (a)碳氮化硅阻挡层的制作：
[0023] 采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD)在所述阴极层表面沉积碳氮化硅阻 挡层，所述碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅化合物，所述沉积碳氮化硅阻挡层的过程 中采用的气源为甲基硅烷（丽S)、氨气（NH3)和氢气（H2)，其中，所述氢气的流量为190? 21〇SCCm，所述甲基硅烷的流量为4?lOsccm，所述氨气的流量为甲基硅烷流量的20?30 倍；
[0024] (b)混合阻挡层的制作：
[0025] 通过磁控溅射的方法在所述碳氮化硅阻挡层上制备混合阻挡层，所述混合阻 挡层的材质为氮化物掺杂金属硒化物形成的混合材料，所述金属硒化物为三硒化二锑 (Sb2Se3)、硒化钥（MoSe2)、三硒化二铋（Bi2Se3)、硒化铌（NbSe2)、硒化钽（TaSe2)、或硒化亚 铜（Cu2Se)，所述氮化物为氮化硅（Si3N4)、氮化铝（AlN)、氮化硼（BN)、氮化铪（HfN)、氮化钽 (TaN)或氮化钛（TiN)，所述磁控溅射过程中的本底真空度为IXKT5Pa?IX10_3Pa。
[0026] 优选地，在所述氮化物掺杂金属硒化物形成的混合材料中，所述金属硒化物的掺 杂质量分数为10?30%。
[0027] 优选地，所述碳氮化硅阻挡层的厚度为IOOnm?150nm，所述混合阻挡层的厚度均 为IOOnm?150nm。
[0028] 优选地，所述碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层依次交替重复设置3?5次。
[0029] 优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子 传输层和电子注入层。
[0030] 优选地，所述阳极基板为导电玻璃基板或导电塑料或金属薄膜基板。
[0031] 空穴注入层采用行业内常用材料，优选为Ν，Ν'-二苯基-N，Ν' -(1-萘 基）_1，1'-联苯-4, 4'-二胺（NPB)掺杂MoO3 (三氧化钥）。
[0032] 空穴传输层采用行业内常用材料，优选为4, 4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺 (TCTA)0
[0033] 发光层采用行业内常用材料，优选为1，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)掺杂三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy) 3)。
[0034] 电子传输层采用行业内常用材料，优选为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)。
[0035] 电子注入层采用行业内常用材料，优选为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)掺 杂叠氮化铯（CsN3)。
[0036] 阴极层可以为非透明金属阴极层(铝、银、金等)，也可以为透明阴极层（介质层夹 杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等)。
[0037] 优选地，阴极层为非透明金属阴极层，材质优选为铝、银、金。
[0038] 通过上述步骤制得所述有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极导电基板、 发光功能层、阴极层和封装层。
[0039] 所述有机电致发光器件的制备方法采用PECVD在阴极上制备碳氮化硅阻挡层，能 获得平整度高、膜层均匀的碳氮化硅阻挡层，此外，该PECVD方法能在温度较低的条件下进 行，能防止高温操作对器件有机层的损害，该器件的制备方法制得了多层材料层交替封装 结构，制备方法简便，采用的封装材料比较廉价，易于大面积制备，该方法尤其适用于封装 柔性有机电致发光器件。
[0040] 本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：
[0041] (1)本发明有机电致发光器件的碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层的存在可以保护发 光功能层和阴极层，采用多层材料层交替设置，致密性高，可有效地减少氧气和水汽对有机 电致发光器件的侵蚀，显著地提高有机电致发光器件的寿命；
[0042] (2)本发明有机电致发光器件的防水性能（WVTR)达到7· 5X10_6g/m2 .day，寿命达 13, 500小时以上（T70@1000cd/m2:即起始亮度为1000cd/m2,亮度衰减到70%所用的时间）；
[0043] (3)本发明方法适用于封装以导电玻璃为阳极基板制备的有机电致发光器件，也 适用于封装以塑料或金属为阳极基底制备的柔性有机电致发光器件。本发明方法尤其适用 于封装柔性有机电致发光器件；
[0044] (4)本发明有机电致发光器件材料廉价，封装方法工艺简单，易大面积制备，适于 工业化大规模使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0045] 图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0046] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0047] 实施例1
[0048] 如图1所示的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例提供了一种有机电致发 光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0049] (1)在阳极基板上制备发光功能层20和阴极层30
[0050]a.导电玻璃基板的前处理
[0051] 取ITO玻璃基板10,依次进行丙酮清洗一乙醇清洗一去离子水清洗一乙醇清洗， 均用超声波清洗机进行清洗，单项洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗 净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的 功函数；ITO厚度为IOOnm;
[0052] b.发光功能层20和阴极层30的制备
[0053] 采用真空蒸镀的方法在ITO玻璃基板10上依次形成空穴注入层、空穴传输层、发 光层、电子传输层和电子注入层，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子 注入层构成发光功能层20,方法如下：
[0054] 空穴注入层的制备：在ITO玻璃基板10上蒸镀由NPB掺杂MoO3形成的混合材料， MoO3的掺杂质量分数为30%，该层厚度为10nm，真空度3XKT5Pa,蒸发速度0.1A/S;
[0055] 空穴传输层的制备：在空穴注入层上蒸镀空穴传输层，采用4, 4'，4''-三(咔 唑-9-基）三苯胺（TCTA)作为空穴传输材料，真空度3X10_5Pa，蒸发速度0.丨Α/s，蒸发厚度 30nm；
[0056] 发光层的制备：在空穴传输层上蒸镀发光层，发光层的主体材料米用1，3, 5-三 (1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)，客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱 (Ir(ppy) 3)，掺杂质量分数5%，真空度3XKT5Pa,蒸发速度0.2A/S，蒸发厚度20nm;
[0057] 电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)作 为电子传输材料，真空度3XKT5Pa,蒸发速度〇.丨Α/s,蒸发厚度IOnm;
[0058] 电子注入层的制备：在电子传输层上蒸镀电子注入层，将CsN3掺入Bphen中，掺杂 质量分数30%，真空度3XKT5Pa,蒸发速度〇. 2A/S,蒸发厚度20nm;
[0059] 再在电子注入层上蒸镀制备阴极层30,金属阴极层30采用铝（Al)，厚度为lOOnm， 真空度3XKT5Pa,蒸发速度5A/S。
[0060] (2)在阴极层30上制备封装层40
[0061]a.碳氮化娃阻挡层401的制作：
[0062] 采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD)在所述阴极层30表面沉积碳氮化硅 阻挡层401，所述碳氮化硅阻挡层401的材质为氮碳化硅，所述沉积碳氮化硅阻挡层401的 厚度为llOnm，所述沉积碳氮化硅阻挡层401的过程中采用的气源为甲基硅烷（MMS)、氨气 (NH3)和氢气（H2)，其中，所述H2的流量为190sccm，所述MMS的流量为5sccm，所述NH3/MMS 的比值为20 ;
[0063]b.混合阻挡层402的制作：
[0064] 通过磁控溅射的方法在所述碳氮化硅阻挡层401上制备混合阻挡层402,所述混 合阻挡层402的材质为TiN掺杂金属Cu2Se,Cu2Se的掺杂质量分数为20%，所述混合阻挡层 402的厚度为120nm，所述磁控溅射过程中的本底真空度为IXKT3Pa;
[0065] 交替重复制备碳氮化硅阻挡层401和混合阻挡层402分别3次，形成封装层40,得 到有机电致发光器件，如图1所示，本实施例提供的有机电致发光器件依次包括ITO玻璃基 板10、发光功能层20、阴极层30、封装层40,所述封装层为碳氮化硅阻挡层401和混合阻挡 层402的叠层组合重复3次而成，其中，所述碳氮化硅阻挡层401的厚度为110nm，所述混合 阻挡层402的厚度为120nm。
[0066]本实施例提供的有机电致发光器件的具体结构可以表不为ITO(IOOnm) / NPB: 30wt%Mo0s (IOnm)/TCTA(30nm) /TPBI: 5wt°/〇(Ir(ppy) 3) (20nm)/Bphen(IOnm) / Bphen:30wt%CsN3/Al(100nm) / 氮碳化娃（110nm)/TiN:20wt%Cu2Se(120nm) / 氮碳化娃 (IlOnm)/TiN: 20wt%Cu2Se(120nm) / 氮碳化硅（IlOnm)/TiN: 20wt%Cu2Se(120nm);其中，斜杠 "/"表示层状结构，"wt%"表示质量百分数，氮碳化硅为本发明实施例1制备的碳氮化硅化 合物。
[0067] 本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能(WVTR)为7. 5X KT6g/ m2 ·day，寿命为13, 504小时。
[0068]实施例2
[0069] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0070] (1)在阳极基板上制备发光功能层和阴极层
[0071] 同实施例一；
[0072] (2)在阴极层上制备封装层
[0073]a.碳氮化硅阻挡层的制作：
[0074] 采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD)在所述阴极层表面沉积碳氮化硅阻挡 层，所述碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅，所述沉积碳氮化硅阻挡层的的厚度为140nm， 所述沉积碳氮化硅阻挡层的过程中采用的气源为甲基硅烷(MMS)、氨气（NH3)和氢气（H2), 其中，所述H2的流量为205sccm，所述MMS的流量为8sccm，所述NH3/MMS的比值为24 ;
[0075] b.混合阻挡层的制作：
[0076] 通过磁控溅射的方法在所述碳氮化硅阻挡层上制备混合阻挡层，所述混合阻挡层 的材质为AlN掺杂MoSe2,MoSe2的掺杂质量分数为10%，所述混合阻挡层的厚度为lOOnm，所 述磁控溅射过程中的本底真空度为IXKT5Pa;
[0077] 交替重复制备碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层4次，形成封装层，得到有机电致发 光器件。
[0078] 本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR)为6.IXΚΓ6,g/ m2 ·day，寿命为13, 563小时。
[0079] 实施例3
[0080] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0081] (1)在阳极基板上制备发光功能层和阴极层
[0082] 同实施例一；
[0083] (2)在阴极层上制备封装层
[0084]a.碳氮化硅阻挡层的制作：
[0085] 采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD)在所述阴极层表面沉积碳氮化硅阻挡 层，所述碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅，所述沉积碳氮化硅阻挡层的的厚度为140nm， 所述沉积碳氮化硅阻挡层的过程中采用的气源为甲基硅烷(MMS)、氨气（NH3)和氢气（H2), 其中，所述H2的流量为21〇SCCm，所述丽S的流量为6SCCm，所述NH3/MMS的比值为21;
[0086]b.混合阻挡层的制作：
[0087] 通过磁控溅射的方法在所述碳氮化硅阻挡层上制备混合阻挡层，所述混合阻挡层 的材质为BN掺杂Bi2Se3,Bi2Se3的掺杂质量分数为23%，所述混合阻挡层的厚度为120nm， 所述磁控溅射过程中的本底真空度为IXKT5Pa;
[0088] 交替重复制备碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层3次，形成封装层，得到有机电致发 光器件。
[0089] 本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR)为6. 5XKT6g/ m2 ·day，寿命为13, 541小时。
[0090] 实施例4
[0091] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0092] (1)在阳极基板上制备发光功能层和阴极层
[0093] 同实施例一；
[0094] (2)在阴极层上制备封装层
[0095]a.碳氮化娃阻挡层的制作：
[0096] 采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD)在所述阴极层表面沉积碳氮化硅阻挡 层，所述碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅，所述沉积碳氮化硅阻挡层的的厚度为130nm， 所述沉积碳氮化硅阻挡层的过程中采用的气源为甲基硅烷(MMS)、氨气（NH3)和氢气（H2), 其中，所述H2的流量为190sccm，所述丽S的流量为lOsccm，所述NH3/MMS的比值为20; [0097] b.混合阻挡层的制作：
[0098] 通过磁控溅射的方法在所述碳氮化硅阻挡层上制备混合阻挡层，所述混合阻挡层 的材质为HfN掺杂NbSe2,NbSe2的掺杂质量分数为20%，所述混合阻挡层的厚度为140nm，所 述磁控溅射过程中的本底真空度为5XKT5Pa;
[0099] 交替重复制备碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层3次，形成封装层，得到有机电致发 光器件。
[0100] 本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能(WVTR)为7.OXKT6g/ m2 ·day，寿命为13, 528小时。
[0101] 实施例5
[0102] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0103] (1)在阳极基板上制备发光功能层和阴极层
[0104] 同实施例一；
[0105] (2)在阴极层上制备封装层
[0106]a.碳氮化娃阻挡层的制作：
[0107] 采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD)在所述阴极层表面沉积碳氮化硅阻挡 层，所述碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅，所述沉积碳氮化硅阻挡层的的厚度为lOOnm， 所述沉积碳氮化硅阻挡层的过程中采用的气源为甲基硅烷(MMS)、氨气（NH3)和氢气（H2), 其中，所述H2的流量为190sccm，所述丽S的流量为4sccm，所述NH3/MMS的比值为30 ;
[0108]b.混合阻挡层的制作：
[0109] 通过磁控溅射的方法在所述碳氮化硅阻挡层上制备混合阻挡层，所述混合阻挡层 的材质为TaN掺杂TaSe2,TaSe2的掺杂质量分数为20%，所述混合阻挡层的厚度为130nm，所 述磁控溅射过程中的本底真空度为5XKT5Pa;
[0110] 交替重复制备碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层3次，形成封装层，得到有机电致发 光器件。
[0111] 本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能(WVTR)为7. 3XKT6g/ m2 ·day，寿命为13, 517小时。
[0112] 实施例6
[0113] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0114] ( 1)在阳极基板上制备发光功能层和阴极层
[0115] 同实施例一；
[0116] ( 2 )在阴极层上制备封装层
[0117]a.碳氮化硅阻挡层的制作：
[0118] 采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD)在所述阴极层表面沉积碳氮化硅阻挡 层，所述碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅，所述沉积碳氮化硅阻挡层的的厚度为150nm， 所述沉积碳氮化硅阻挡层的过程中采用的气源为甲基硅烷(MMS)、氨气（NH3)和氢气（H2), 其中，所述H2的流量为200sccm，所述丽S的流量为7sccm，所述NH3/MMS的比值为25 ;
[0119]b.混合阻挡层的制作：
[0120] 通过磁控溅射的方法在所述碳氮化硅阻挡层上制备混合阻挡层，所述混合阻挡层 的材质为Si3N4掺杂Sb2Se3,Sb2Se3的掺杂质量分数为30%，所述混合阻挡层的厚度为150nm， 所述磁控溅射过程中的本底真空度为IXKT5Pa;
[0121] 交替重复制备碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层5次，形成封装层，得到有机电致发 光器件。
[0122] 本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR)为6.OXKT6g/ m2 ·day，寿命为13, 585小时。
[0123] 综上，本发明提供的有机电致发光器件的制备方法可有效地减少水汽和氧对有机 电致发光器件的侵蚀，显著地提高有机电致发光器件的寿命，并且能够保护阴极层免遭破 坏。
[0124] 封装膜层致密性至关重要，根据器件测试结果可选择合适的工艺条件。以上所述 是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发 明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装 层，其特征在于，所述封装层包括依次叠层设置的碳氮化硅阻挡层和混合阻挡层，所述碳氮 化硅阻挡层的材质为碳氮化硅化合物，所述混合阻挡层的材质为氮化物掺杂金属硒化物形 成的混合材料，所述金属硒化物为三硒化二锑、硒化钥、三硒化二铋、硒化铌、硒化钽或硒化 亚铜，所述氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽或氮化钛。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，在所述氮化物掺杂金属硒化 物形成的混合材料中，所述金属硒化物的掺杂质量分数为10?30%。
3. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳氮化硅阻挡层的厚度 为100nm?150nm，所述混合阻挡层的厚度均为100nm?150nm。
4. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳氮化硅阻挡层和混合 阻挡层依次交替重复设置3?5次。
5. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光功能层包括依次层 叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
6. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： (1) 在洁净的导电基板上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基板；采用 真空蒸镀的方法在阳极导电基板上制备发光功能层和阴极层； (2) 在阴极层上制备封装层，制备方法如下： (a) 碳氮化娃阻挡层的制作： 采用等离子体增强化学气相沉积法在所述阴极层表面沉积碳氮化硅阻挡层，所述碳氮 化硅阻挡层的材质为碳氮化硅化合物，所述沉积碳氮化硅阻挡层的过程中采用的气源为甲 基娃烧、氨气和氢气，其中，所述氢气的流量为190?210sccm，所述甲基娃烧的流量为4? lOsccm，所述氨气的流量为甲基硅烷流量的20?30倍； (b) 混合阻挡层的制作： 通过磁控溅射的方法在所述碳氮化硅阻挡层上制备混合阻挡层，所述混合阻挡层的材 质为氮化物掺杂金属硒化物形成的混合材料，所述金属硒化物为三硒化二锑、硒化钥、三硒 化二铋、硒化铌、硒化钽或硒化亚铜，所述氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽 或氮化钛，所述磁控溅射过程中的本底真空度为1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa。
7. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述氮化物掺 杂金属硒化物形成的混合材料中，所述金属硒化物的掺杂质量分数为10?30%。
8. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述碳氮化硅阻 挡层的厚度为l〇〇nm?150nm，所述混合阻挡层的厚度均为lOOnm?150nm。
9. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述碳氮化硅阻 挡层和混合阻挡层依次交替重复设置3?5次。
10. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光功能层 包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
【文档编号】H01L51/56GK104425748SQ201310384535
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年8月29日 优先权日:2013年8月29日
【发明者】周明杰, 钟铁涛, 王平, 陈吉星 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司