一种发光二极管晶片热压翻转工艺用压块的制作方法

文档序号:7026158阅读:397来源:国知局
一种发光二极管晶片热压翻转工艺用压块的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种发光二极管晶片热压翻转工艺用压块,所述压块包括亚克力板层与绒布层,所述压块还包括覆铜箔酚醛纸压板层,所述覆铜箔酚醛纸压板层位于所述亚克力板层与所述绒布层之间,所述覆铜箔酚醛纸压板层上表面与所述亚克力板层下表面固定连接,所述覆铜箔酚醛纸压板层下表面与所述绒布层上表面固定连接。所述压块还包括矽胶层,所述矽胶层与所述亚克力板层上表面固定连接。本实用新型的有益效果在于,利用矽胶层柔软的特性和覆铜箔酚醛纸压板层结构,有效缓冲了在热压时产生的压力,从而改善LED产品贴附封装带时的压痕过深情况,利于下游用户取晶封装。
【专利说明】一种发光二极管晶片热压翻转工艺用压块
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体制备技术,具体的说是一种发光二极管晶片热压翻转工艺用压块。
【背景技术】
[0002]发光二极管,即LED (light-emitting diode)是一种把电能转换成光能的半导体发光器件,其核心部分由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为P-N结。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。
[0003]LED产品于出货时,需经过热压翻转工艺后,将LED晶片贴附于封装带上,以利于下游用户封装使用。
[0004]传统热压翻转工艺所用的压块由绒布层和亚克力板层组成,此类压块在热压时无缓冲效果,造成LED产品出货时其贴附在封装带时均发生压痕过深,黏力过大情况,造成下游用户封装过程不易取晶等问题。

【发明内容】

[0005]本实用新型的目的就是为了克服上述现有压块的不足之处,提供一种具有多层结构的热压翻转工艺用压块,能有效缓冲热压的压力,改善LED产品贴附封装袋时的压痕过深情况,以利下游用户取晶封装。
[0006]本实用新型的目的是通过如下技术措施来实现的:
[0007]—种发光二极管晶片热压翻转工艺用压块,所述压块包括亚克力板层与绒布层,所述压块还包括覆铜箔酚醛纸压板层,所述覆铜箔酚醛纸压板层位于所述亚克力板层与所述绒布层之间,所述覆铜箔酚醛纸压板层上表面与所述亚克力板层下表面固定连接,所述覆铜箔酚醛纸压板层下表面与所述绒布层上表面固定连接。
[0008]进一步地,所述压块还包括矽胶层,所述矽胶层与所述亚克力板层上表面固定连接。
[0009]进一步地,所述固定连接方式为粘接方式。
[0010]进一步地,所述覆铜箔酹醒纸压板层厚度为0.5 μ m-1.2 μ m。
[0011 ] 进一步地,所述矽胶层厚度为0.8 μ m——2.2 μ m。
[0012]本实用新型的有益效果在于,利用矽胶层柔软的特性和覆铜箔酚醛纸压板层结构,有效缓冲了在热压时产生的压力,从而改善LED产品贴附封装带时的压痕过深情况,利于下游用户取晶片进行封装。
【专利附图】

【附图说明】
[0013]图1为现有技术压块的示意图;[0014]图2为本实用新型一实施例示意图;
[0015]图3为本实用新型的又一实施例示意图;
[0016]图4为使用现有技术的压块进行热压翻转工艺后LED晶片产品的示意图;
[0017]图5为使用本实用新型的压块进行热压翻转工艺后LED晶片产品的示意图;
[0018]其中:1.矽胶层;2.亚克力板层;3.覆铜箔酚醛纸压板层;4.绒布层;5、封装带;
6、LED晶片;7、压痕。
【具体实施方式】
[0019]下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
[0020]在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平” “顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系为
基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0021]在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
[0022]实施例一
[0023]下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步的描述。
[0024]如图2所示,一种发光二极管晶片热压翻转工艺用压块,包括亚克力板层2、绒布层4,还包括覆铜箔酚醛纸压板层3,覆铜箔酚醛纸压板层3位于亚克力板层2与绒布层4之间,覆铜箔酚醛纸压板层3上表面与亚克力板层2下表面固定连接,覆铜箔酚醛纸压板层3的下表面与绒布层4的上表面固定连接。
[0025]实施例二
[0026]如图3所示,一种发光二极管晶片热压翻转工艺用压块,包括亚克力板层2、绒布层4,还包括覆铜箔酚醛纸压板层3,覆铜箔酚醛纸压板层3位于亚克力板层2与绒布层4之间,覆铜箔酚醛纸压板层3上表面与亚克力板层2下表面固定连接,覆铜箔酚醛纸压板层3的下表面与绒布层4的上表面固定连接,压块还包括矽胶层1,矽胶层I与亚克力板层2固定连接。
[0027]上述固定连接方式为粘接方式。
[0028]此外,矽胶层I的厚度可以为0.8μπι或1.5μπι或2.2μπι中的一种。
[0029]覆铜箔酚醛纸压板层的厚度可以为0.5μπι或0.8μπι或1.2μ m中的一种。
[0030]如图4,为采用现有技术压块对LED晶片进行热压翻转工艺,将LED晶片贴附于封装带上的效果图,图中明显可见LED晶片6贴附在封装带5上时出现的压痕7,黏附于封装带5的黏贴力过大,造成下游用户封装过程不易取晶片等问题,影响产品质量。而图5为采用本实用新型所述的技术方案后对晶片进行热压翻转工艺,将LED晶片贴附于封装带上的效果图,晶片6贴附在封装带5上时,未出现压痕7。
[0031] 尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
【权利要求】
1.一种发光二极管晶片热压翻转工艺用压块,所述压块包括亚克力板层与绒布层,其特征在于,所述压块还包括覆铜箔酚醛纸压板层,所述覆铜箔酚醛纸压板层位于所述亚克力板层与所述绒布层之间,所述覆铜箔酚醛纸压板层上表面与所述亚克力板层下表面固定连接,所述覆铜箔酚醛纸压板层下表面与所述绒布层上表面固定连接。
2.根据权利要求1所述的发光二极管晶片热压翻转工艺用压块,其特征在于,所述压块还包括矽胶层,所述矽胶层与所述亚克力板层上表面固定连接。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管晶片热压翻转工艺用压块,其特征在于,所述固定连接方式为粘接方式。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管晶片热压翻转工艺用压块,其特征在于,所述覆铜箔酚醛纸压板层厚度为0.5 μ m——1.2 μ m。
5.根据权利要求2所述的发光二极管晶片热压翻转工艺用压块,其特征在于,所述矽胶层厚度为0.8 μ m——2.2 μ m。
【文档编号】H01L33/00GK203553202SQ201320620081
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年10月9日 优先权日:2013年10月9日
【发明者】胡泰祥 申请人:元茂光电科技(武汉)有限公司
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