贴片部件及其制造方法

贴片部件及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种小型且具有正确的电阻值的可靠性高的贴片部件、例如贴片电阻器。贴片电阻器(10)包括：基板(11)；分别具有在所述基板(11)上形成的电阻体膜(20)以及按照与所述电阻体膜(20)相接的方式层叠的铝系布线膜(21)的多个电阻体；在所述基板(11)上设置的电极(11、12)；以及具有与所述多个电阻体的所述铝系布线膜(21)呈一体化的铝系布线膜并将所述多个电阻体分别连接于所述电极(11、12)的能切断的多个熔丝(F)。通过切断多个熔丝之中的任意熔丝，能够使得贴片电阻器的电阻值与期望的电阻值一致。此外，熔丝由铝系布线膜构成，还可微细地制作其布局，以提高切断工序中的加工精度。
【专利说明】贴片部件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及作为分立部件的贴片电阻器、贴片电容器、贴片电感器、贴片二极管等贴片部件及其制造方法。
【背景技术】
[0002]作为贴片部件的一例，例如贴片电阻器在现有技术中采用如下结构:其包括陶瓷等的绝缘基板、在其表面对材料膏剂进行丝网印刷而形成的电阻膜、以及与电阻膜连接的电极。并且，为了使贴片电阻器的电阻值与目标值相一致，进行对电阻膜照射激光线而设置微调槽的激光微调(laser trimming)(专利文献I参照)。
[0003]此外，专利文献2中公开了贴片电阻器的其他的现有例子。所公开的贴片电阻器构成为在金属制的片状的电阻体的下表面，一对电极隔着空隙分离而设置。对于该贴片电阻器而言，无法实现电阻值的校准等。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献I JP特开2001-76912号公报
[0007]专利文献2 JP特开2004-186541号公报
【发明内容】

[0008]发明的概要
[0009]发明要解决的课题
[0010]由于现有的贴片电阻器通过激光微调被进行调整，使得电阻值成为目标值，因此无法应对宽范围的电阻值。此外，对于贴片电阻器而言，由于逐年进行着小型化，因此即便要开发高电阻部件，也由于受到电阻膜的配置面积的制约，而难以实现高电阻化。再有，如果不提高贴片电阻器的形状尺寸精度，则容易招致基板安装时的搬运差错等的故障，因此形状尺寸精度的提高以及微细加工精度的提高是贴片电阻器的制造上的重要课题。
[0011 ] 上述课题并不限于贴片电阻器，对于贴片电容器、贴片电感器、贴片二极管等其他贴片部件而言，也同样是要解决的课题。本发明是鉴于这种背景而提出的，其主要目的在于提供一种小型且具有正确的特性值的可靠性高的贴片部件。此外，本发明的另一目的在于提供一种小型且可靠性高、具有正确的特性值的贴片部件的制造方法。
[0012]用于解决课题的手段
[0013]第I发明的贴片部件，其包括:基板；多个功能元件，分别具有在所述基板上所形成的铝系布线膜；电极，其设置在所述基板上；和能切断的多个熔丝，具有与所述多个功能元件的所述铝系布线膜呈一体化的铝系布线膜，且将所述多个功能元件与所述电极分别进行连接。第2发明在第I发明的贴片部件的基础上，所述功能元件包括电阻体，该电阻体具有在所述基板上所形成的电阻体膜以及与所述电阻体膜相接地层叠的铝系布线膜，所述贴片部件是贴片电阻器。[0014]第3发明在第I发明的贴片部件的基础上，所述功能元件包括电容器元件，该电容器元件具有在所述基板上所形成的电容膜以及与所述电容膜连接的铝系布线膜，所述贴片部件是贴片电容器。第4发明在第I发明的贴片部件的基础上，所述功能元件包括线圈元件，该线圈元件具有在所述基板上所形成的线圈形成膜以及与所述线圈形成膜连接的铝系布线膜，所述贴片部件是贴片电感器。
[0015]第5发明在第I发明的基础上，所述功能元件包括单向导电性元件，该单向导电性元件具有在所述基板上所形成的接合构造部以及与所述接合构造部连接的铝系布线膜，所述贴片部件是贴片二极管。第6发明在第I~第5发明的贴片部件的基础上，还包括由与所述熔丝的所述铝系布线膜呈一体化的铝系布线膜构成的电极焊盘，所述电极与所述电极焊盘相接。
[0016]第7发明在第I~第6发明的贴片部件的基础上，至少有一个所述熔丝被切断，且所述贴片部件还包括覆盖该熔丝的切断部地在所述基板上形成的绝缘性的保护膜。第8发明的贴片部件的制造方法包括:在基板上形成功能元件的工序；与所述功能元件相接地形成铝系布线膜的工序；通过使所述功能元件以及铝系布线膜图案化，形成多个功能元件和能切断的多个熔丝的工序，该多个功能元件具有所述功能元件以及所述铝系布线膜，该多个熔丝具有所述铝系布线膜且与所述多个功能元件分别连接；和与所述多个熔丝电连接地在所述基板上形成电极的工序。
[0017]第9发明在第8发明的贴片部件的制造方法的基础上，在使所述功能元件以及铝系布线膜图案化的工序中，还形成由所述铝系布线膜构成的电极焊盘，且与所述电极焊盘相接地形成所述电极。 第10发明在第8或第9发明的贴片部件的制造方法的基础上，形成所述功能元件的工序还包括形成电阻体膜的工序。
[0018]第11发明在第8~第10发明的任意一项的贴片部件的制造方法基础上，包括:测定所述贴片部件的整体电阻值的工序；和基于所述测定出的整体电阻值来选择应切断的熔丝的工序，所述选择出的熔丝被切断。第12发明在第11发明的贴片部件的制造方法的基础上，在测定所述贴片部件的整体电阻值之前，还包括用于使所述功能元件的特性稳定化的热处理工序。
[0019]第13发明在第11或第12发明的贴片部件的制造方法的基础上，还包括覆盖所述熔丝的切断部地在所述基板上形成绝缘性的保护膜的工序。第14发明的贴片电阻器的制造方法包括:在包含多个贴片电阻器区域的基板上形成电阻体膜的工序；与所述电阻体膜相接地层叠铝系布线膜的工序；通过使所述电阻体膜以及铝系布线膜图案化，从而在所述多个贴片电阻器区域分别形成多个电阻体和能切断的多个熔丝的工序，该多个电阻体具有所述电阻体膜以及所述铝系布线膜，该多个熔丝具有所述铝系布线膜且与所述多个电阻体分别连接；通过多点探测来统一测定所述多个贴片电阻器区域各自当中的整体电阻值的工序；基于所述整体电阻值的测定结果在所述多个贴片电阻器各自当中选择应切断的熔丝的工序；切断所述选择出的熔丝的工序；与所述多个熔丝电连接地在所述多个贴片电阻器区域分别形成电极的工序；和在多个贴片电阻器区域的边界区域切断所述基板从而分割为多个贴片电阻器的工序。
[0020]第15发明在第14发明的贴片电阻器的制造方法的基础上，在切断了所述熔丝之后，还包括通过多点探测来统一测定所述多个贴片电阻器区域各自当中的整体电阻值的工序。第16发明在第14或第15发明的基础上，在使所述电阻体膜以及铝系布线膜图案化的工序中，还形成由所述铝系布线膜构成的电极焊盘，且与所述电极焊盘相接地形成所述电极。
[0021]第17发明在第14~第16发明的任意一项的贴片电阻器的制造方法的基础上，在测定所述多个贴片电阻器区域各自的整体电阻值之前，还包括用于使所述电阻体的特性稳定化的热处理工序。第18发明在第14~第17发明的任意一项的贴片电阻器的制造方法的基础上，还包括覆盖所述熔丝的切断部地在所述基板上形成绝缘膜的工序。
[0022]发明的效果
[0023]根据第I发明，包含用于将多个功能元件与电极连接的多个熔丝，通过切断该多个熔丝之中的任意熔丝，能够使贴片部件的特性值与期望值一致。因此，能够形成通过同一设计就能应对多种特性值的贴片部件。此外，熔丝由铝系布线膜构成，可微细地制作其布局，也可提高切断工序中的加工精度。再有，能够使用用来制造半导体装置的装置、设备，来制作本发明涉及的分立的贴片部件。 [0024]根据第2至第5发明的任意一项发明，分别能够形成具有上述作用效果的贴片电阻器、贴片电容器、贴片电感器或者贴片二极管。根据第6发明，能够形成易于设置电极、且在微细的基板上正确地配置电极的贴片部件。此外，与第I发明同样，能够使用用来制造半导体装置的装置、设备，来制作出分立的贴片部件。
[0025]根据第7发明，能够形成用绝缘性的保护膜覆盖被切断的熔丝而使得耐水性得以提高的贴片部件。根据第8发明，能够以极细的图案正确地制作功能元件配置以及熔丝配置，能够制作出特性值稳定的贴片部件。此外，能够制作出可通过同一设计来应对多种类的特性值的贴片部件。
[0026]根据第9发明，能够制造出电极焊盘的图案化中电极的配置位置确定、小型且电极的配置位置正确的易于安装的贴片部件。根据第10发明，能够以极细的图案正确地制作功能元件配置以及熔丝配置，能够制作出特性值稳定的贴片电阻器。此外，能够制作出可通过同一设计来应对多种类的特性值的贴片电阻器。
[0027]根据第11发明，能够可靠地切断熔丝，制造出正确电阻值的贴片部件。根据第12发明，可实现电阻体特性的稳定化，能够提供电阻值稳定的贴片部件。根据第13发明，能够提供耐水性提高、可靠性提高的贴片部件的制造方法。
[0028]根据第14发明，能够提供一种能使用用来制造半导体装置的装置、设备来制造出多个分立的贴片电阻器的有效的制造方法。此外，制造出的各贴片电阻器成为具有正确的电阻值的贴片电阻器。根据第15发明，由于还测定熔丝切断后的电阻值，因此能够确保熔丝切断处理的可靠性，能够制造出提高了电阻值可靠性的贴片电阻器。
[0029]根据第16发明，能够提供一种良好地制作外部连接电极的贴片电阻器的制造方法。根据第17发明，能够使得贴片电阻器的电阻特性稳定，能够制造出小型且具有正确电阻值的贴片电阻器。根据第18发明，能够提供避免因熔丝切断时的熔丝碎片引起的不良的制造方法。此外，能够制造出耐水性得到提高的贴片电阻器。
【专利附图】

【附图说明】
[0030]图1 (A)是表示本发明的一实施方式涉及的贴片电阻器10的外观结构的示意性立体图，图1 (B)是表示贴片电阻器10被安装在基板上的状态的侧视图。
[0031]图2是贴片电阻器10的俯视图，是表示第I连接电极12、第2连接电极13以及电阻网络14的配置关系、电阻网络14的俯视下的结构的图。
[0032]图3A是对图2所示的电阻网络14的一部分进行放大而描绘出的俯视图。
[0033]图3B是为了说明电阻网络14中的电阻体R的结构而描绘出的长度方向的纵剖视图。
[0034]图3C是为了说明电阻网络14中的电阻体R的结构而描绘出的宽度方向的纵剖视图。
[0035]图4是以电路符号以及电路图表示电阻膜线20以及导体膜21的电特征的图。
[0036]图5(A)是包含对图2所示的贴片电阻器的俯视图的一部分进行放大而描绘出的熔丝膜F在内的区域的部分放大俯视图，图5(B)是表示沿着图5(A)的B-B的剖面构造的图。
[0037]图6是以图解的方式表示将图2所示的电阻网络14中的多个种类的电阻单位体进行连接的连接用导体膜C以及熔丝膜F的排列关系、和与连接于该连接用导体膜C以及熔丝膜F的多个种类的电阻单位体的连接关系的图。
[0038]图7是电阻网络14的电路图。 [0039]图8是贴片电阻器30的俯视图，是表示第I连接电极12、第2连接电极13以及电阻网络14的配置关系、以及电阻网络14的俯视下的结构的图。
[0040]图9是以图解的方式表示将图8所示的电阻网络14中的多个种类的电阻单位体进行连接的连接用导体膜C以及熔丝膜F的配置关系、和与连接于该连接用导体膜C以及熔丝膜F的多个种类的电阻单位体的连接关系的图。
[0041]图10是电阻网络14的电路图。
[0042]图11 (A)⑶是表示图10所示的电路的变形例的电路图。
[0043]图12是本发明的另一实施方式涉及的电阻网络14的电路图。
[0044]图13是表示显示了具体的电阻值的贴片电阻器中的电阻网络的结构例的电路图。
[0045]图14是用于说明本发明的另一实施方式涉及的贴片电阻器90的主要部分构造的示意性俯视图。
[0046]图15是表示贴片电阻器10的制造工序的一例的流程图。
[0047]图16是表示熔丝膜F的熔断工序以及其后形成的钝化膜22以及树脂膜23的示意性剖视图。
[0048]图17是表示从半导体晶片分离出各个贴片电阻器的处理工序的图解图。
[0049]图18说明从半导体晶片(硅晶片)切割出贴片电阻器的图解图。
[0050]图19(A)是表示第I参考例的一实施方式涉及的贴片电阻器alO的外观结构的示意性立体图，图19(B)是表示贴片电阻器alO被安装在基板上的状态的侧视图。
[0051]图20是贴片电阻器alO的俯视图，是表示第I连接电极al2、第2连接电极al3以及电阻网络al4的配置关系、以及电阻网络al4的俯视下的结构的图。
[0052]图21A是对图20所示的电阻网络al4的一部分进行放大而描绘出的俯视图。
[0053]图21B是为了说明电阻网络al4中的电阻体R的结构而描绘出的长度方向的纵剖视图。
[0054]图21C是为了说明电阻网络al4中的电阻体R的结构而描绘出的宽度方向的纵剖视图。
[0055]图22是以电路符号以及电路图表示电阻膜线a20以及导体膜a21的电特征的图。
[0056]图23(A)是包含对图20所示的贴片电阻器的俯视图的一部分进行放大而描绘出的熔丝膜F在内的区域的部分放大俯视图，图23(B)是表示沿着图23(A)的B-B的剖面构造的图。
[0057]图24是以图解的方式表示将图20所示的电阻网络al4中的多个种类的电阻单位体连接的连接用导体膜C以及熔丝膜F的排列关系、和与连接于该连接用导体膜C以及熔丝膜F的多个种类的电阻单位体的连接关系的图。
[0058]图25是电阻网络al4的电路图。
[0059]图26是贴片电阻器a30的俯视图，是表示第I连接电极al2、第2连接电极al3以及电阻网络al4的配置关系、以及电阻网络al4的俯视下的结构的图。
[0060]图27是以图解的方式表示将图26所示的电阻网络al4中的多个种类的电阻单位体连接的连接用导体膜C以及熔丝膜F的配置关系、和与连接于该连接用导体膜C以及熔丝膜F的多个种类的电阻单位体的连接关系的图。
[0061]图28是电阻网络al4的电路图。 [0062]图29(A)⑶是表示图28所示的电路的变形例的电路图。
[0063]图30是第I参考例的另一实施方式涉及的电阻网络al4的电路图。
[0064]图31是表示显示了具体的电阻值的贴片电阻器中的电阻网络的结构例的电路图。
[0065]图32是用于说明第I参考例的另一实施方式涉及的贴片电阻器a90的主要部分构造的示意性俯视图。
[0066]图33是表示贴片电阻器alO的制造工序的一例的流程图。
[0067]图34是表示熔丝膜F的熔断工序和其后形成的钝化膜a22以及树脂膜a23的示意性剖视图。
[0068]图35是表示从基板分离为各个贴片电阻器的处理工序的图解图。
[0069]图36是说明从基板切割出贴片电阻器的图解图。
[0070]图37是表示使用第I参考例的贴片电阻器的电子设备的一例即智能手机的外观的立体图。
[0071]图38是表示壳体a202的内部容纳的电子电路组件a210的结构的示意性俯视图。
[0072]图39 (a)是用于说明第2参考例的一实施方式涉及的贴片电阻器的结构的示意性立体图，图39(b)是将贴片电阻器被安装在安装基板的状态的电路组件沿着贴片电阻器的长度方向进行切断时的示意性剖视图。
[0073]图40是贴片电阻器的俯视图，是表示第I电极、第2电极、第3电极以及元件的配置关系、以及元件的俯视下的结构的图。
[0074]图41A是对图40所示的元件的一部分进行放大而描绘出的俯视图。
[0075]图41B是沿着为了说明元件中的电阻体的结构而描绘出的图41A的B-B的长度方向的纵剖视图。[0076]图41C是沿着为了说明元件中的电阻体的结构而描绘出的图41A的C-C的宽度方向的纵剖视图。
[0077]图42是以电路符号以及电路图表示电阻体膜线以及布线膜的电特征的图。
[0078]图43(a)是包含对图40所示的贴片电阻器的俯视图的一部分进行放大而描绘出的熔丝在内的区域的部分放大俯视图，图43(b)是表示沿着图43(a)的B-B的剖面构造的图。
[0079]图44是第2参考例的实施方式涉及的元件的电路图。
[0080]图45是第2参考例的其他实施方式涉及的元件的电路图。
[0081]图46是第2参考例的另一实施方式涉及的元件的电路图。
[0082]图47是贴片电阻器的示意性剖视图。
[0083]图48A是表示图47所示的贴片电阻器的制造方法的示意性剖视图。
[0084]图48B是表示图48A的下一工序的示意性剖视图。
[0085]图48C是表示图48B的下一工序的示意性剖视图。 [0086]图48D是表示图48C的下一工序的示意性剖视图。
[0087]图48E是表示图48D的下一工序的示意性剖视图。
[0088]图48F是表示图48E的下一工序的示意性剖视图。
[0089]图48G是表示图48F的下一工序的示意性剖视图。
[0090]图48H是表示图48G的下一工序的示意性剖视图。
[0091]图481是表示图48H的下一工序的示意性剖视图。
[0092]图48J是表示图481的下一工序的示意性剖视图。
[0093]图48K是表示图48J的下一工序的示意性剖视图。
[0094]图48L是表示图48K的下一工序的示意性剖视图。
[0095]图48M是表示图48L的下一工序的示意性剖视图。
[0096]图49是为了在图48H的工序中形成槽而使用的抗蚀剂图案的一部分的示意性俯视图。
[0097]图50是微调前的元件的电路图。
[0098]图51是微调后的元件的电路图。
[0099]图52是用于说明第I电极以及第2电极的制造工序的图。
[0100]图53是表示使用第2参考例的贴片电阻器的电子设备的一例即智能手机的外观的立体图。
[0101]图54是表示在智能手机的壳体的内部容纳的电路组件的结构的示意性俯视图。
[0102]图55 (a)是用于说明第3参考例的一实施方式涉及的贴片电阻器的结构的示意性立体图，图55(b)是将贴片电阻器被安装在安装基板的状态的电路组件沿着贴片电阻器的长度方向进行切断时的示意性剖视图。
[0103]图56是贴片电阻器的俯视图，是表示第I连接电极、第2连接电极以及元件的配置关系、以及元件的俯视下的结构的图。
[0104]图57A是对图56所示的元件的一部分进行放大而描绘出的俯视图。
[0105]图57B是沿着为了说明元件中的电阻体的结构而描绘出的图57A的B-B的长度方向的纵剖视图。[0106]图57C沿着为了说明元件中的电阻体的结构而描绘出的图57A的C-C的宽度方向的纵剖视图。
[0107]图58是以电路符号以及电路图表示电阻体膜线以及布线膜的电特征的图。
[0108]图59(a)是包含对图56所示的贴片电阻器的俯视图的一部分进行放大而描绘出的熔丝在内的区域的部分放大俯视图，图59(b)是表示沿着图59(a)的B-B的剖面构造的图。
[0109]图60是第3参考例的实施方式涉及的元件的电路图。
[0110]图61是第3参考例的其他实施方式涉及的元件的电路图。
[0111]图62是第3参考例的另一实施方式涉及的元件的电路图。
[0112]图63是贴片电阻器的示意性剖视图。
[0113]图64A是表示图63所示的贴片电阻器的制造方法的示意性剖视图。
[0114]图64B是表示图64A的下一工序的示意性剖视图。
[0115]图64C是表示图64B的下一工序的示意性剖视图。
[0116]图64D是表示图64C的下一工序的示意性剖视图。
[0117]图64E是表示图64D的下一工序的示意性剖视图。
[0118]图64F是表示图64E的下一工序的示意性剖视图。
[0119] 图64G是表示图64F的下一工序的示意性剖视图。
[0120]图65是用于说明元件的制造工序的图。
[0121]图66是表示元件的制造工序中的溅射下的氧流量与所完成的电阻体膜的电阻温度系数之间的关系的曲线。
[0122]图67是为了在图64B的工序中形成槽而使用的抗蚀剂图案的一部分的示意性俯视图。
[0123]图68是为了说明第I连接电极以及第2连接电极的制造工序的图。
[0124]图69是表示使用第3参考例的贴片电阻器的电子设备的一例即智能手机的外观的立体图。
[0125]图70是表示智能手机的壳体内部容纳的电路组件的结构的示意性俯视图。【具体实施方式】
[0126]以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。在以下的实施方式中，利用作为贴片部件的一例的贴片电阻器来进行具体说明。图1(A)是表示本发明的一实施方式涉及的贴片电阻器10的外观结构的示意性立体图，图1(B)是表示贴片电阻器10被安装在基板上的状态的侧视图。
[0127]参照图1(A)，本发明的一实施方式涉及的贴片电阻器10具备:在基板11上所形成的第I连接电极12、第2连接电极13、以及电阻网络14。基板11是俯视下呈大致长方形状的长方体形状，作为一例，是长边方向的长度L = 0.3mm、短边方向的宽度W = 0.15mm、厚度T = 0.1mm左右大小的微小贴片。基板11在俯视下也可以是被进行倒角处理的圆角形状。基板可由例如硅、玻璃、陶瓷等形成。在以下的实施方式中，以基板11是硅基板的情况为例进行说明。
[0128]如图18所示，通过在半导体晶片(硅晶片)上以格子状地形成多个贴片电阻器10，并对半导体晶片(硅晶片)进行切断从而分离为各个贴片电阻器10，由此获得贴片电阻器10。在硅基板11上，第I连接电极12是沿着硅基板11的一个短边111而设置的在短边111方向上较长的矩形电极。第2连接电极13是沿着硅基板11上的另一个短边112而设置的在短边112方向上较长的矩形电极。电阻网络14设置在硅基板11上的被第I连接电极12和第2连接电极13夹着的中央区域(电路形成面或者元件形成面)。并且，电阻网络14的一端侧与第I连接电极12电连接，电阻网络14的另一端侧与第2连接电极13电连接。这些第I连接电极12、第2连接电极13以及电阻网络14例如作为一例，能够在硅基板11上利用半导体制造工艺进行设置。换言之，使用用于制造半导体装置的装置、设备，能够制造分立的贴片电阻器10。特别地，通过利用后述的光刻工艺，能够形成微细且正确的布局图案的电阻网络14。
[0129]第I连接电极12以及第2连接电极13分别作为外部连接电极而发挥功能。在贴片电阻器10被安装在电路基板15的状态下，如图1⑶所示，第I连接电极12以及第2连接电极13分别通过焊料与电路基板15的电路(未图示)进行电及机械式连接。再者，为了焊料润湿性的提高以及可靠性的提高，作为外部连接电极而发挥功能的第I连接电极12以及第2连接电极13优选由金(Au)形成、或者在表面实施镀金。
[0130]图2是贴片电阻器10的俯视图，表示第I连接电极12、第2连接电极13以及电阻网络14的配置关系、电阻网络14的俯视下的结构(布局图案)。参照图2，贴片电阻器10包括:被配置为长边沿着硅基板上表面的一个短边111的在俯视下呈大致矩形的第I连接电极12、被配置为长边沿着硅基板上表面的另一个短边112的在俯视下呈大致矩形的第2连接电极13、和在第I连接电极12以及第2连接电极13之间的俯视下呈矩形的区域所设置的电阻网络14。 [0131]电阻网络14中具有在硅基板11上排列成矩阵状的具有相等的电阻值的多个单位电阻体R(图2的例子中，构成为:沿着行方向(硅基板的长度方向)排列8个单位电阻体R，沿着列方向(硅基板的宽度方向)排列44个单位电阻体R，包括合计352个单位电阻体R)。并且，这些多个单位电阻体R的I~64个的规定个数(利用由Al、AlS1、AlSiCu、或者AlCu等铝系金属所形成的布线膜)被电连接，形成与被连接的单位电阻体R的数目相应的多个种类的电阻电路。所形成的多个种类的电阻电路利用导体膜C(由Al、AlSi, AlSiCu,或者AlCu等铝系金属膜所形成的布线膜)被连接成规定样式。
[0132]再有，为了将电阻电路电组入电阻网络14、或者从电阻网络14中电分离，而设有可熔断的多个熔丝(fuse)膜F(是由Al、AlS1、AlSiCu、或者AlCu等铝系金属膜所形成的布线膜，以下也称为“熔丝”)。多个熔丝膜F沿着第2连接电极13的内侧边，排列成使配置区域呈直线状。更具体而言，多个熔丝膜F以及连接用导体膜C相邻地排列，其排列方向被配置成直线状。
[0133]图3A是放大描绘了图2所示的电阻网络14的一部分的俯视图，图3B以及图3C分别是为了说明电阻网络14中的单位电阻体R的构造而描绘的长度方向的纵剖视图以及宽度方向的纵剖视图。参照图3A、图3B以及图3C，来说明单位电阻体R的结构。在作为基板的硅基板11的上表面形成绝缘层(SiO2) 19，在绝缘层19上配置电阻体膜20。电阻体膜20由TiN、TiON或者TiSiON形成。该电阻体膜20形成为在第I连接电极12与第2连接电极13之间平行地以直线状延伸的多条电阻体膜(以下称为“电阻体膜线”)，有时电阻体膜线20在线方向上在规定的位置被切断。在电阻体膜线20上，层叠了作为导体膜片21的例如铝膜。各导体膜片21在线方向上隔开固定间隔R而层叠在电阻体膜线20上。
[0134]在用电路符号表示该结构的电阻体膜线20以及导体膜片21的电特征时，如图4所示。也就是说，如图4(A)所示那样，规定间隔R的区域的电阻体膜线20部分分别形成固定的电阻值r的单位电阻体R。在层叠了导体膜片21的区域，通过该导体膜片21而电阻体膜线20被短路。由此，形成如图4(B)所示的由电阻r的单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路。
[0135]此外，由于相邻的电阻体膜线20彼此通过电阻体膜线20以及导体膜片21相连接，因此图3A所示的电阻网络构成图4(C)所示的电阻电路。在图3B以及图3C所示的示意性剖视图中，参考编号11表示硅基板，参考编号19表示作为绝缘层的二氧化硅SiO2层，参考编号20表示在绝缘层19上形成的TiN、TiON或者TiSiON的电阻体膜，参考编号21表示铝(Al)的布线膜，参考编号22表示作为保护膜的SiN膜，参考编号23表示作为保护层的聚酰亚胺层。布线膜21，也可以替换Al而由AlS1、AlSiCu、或者AlCu等铝系金属膜形成。通过这样由铝系金属膜来形成布线膜21 (包含熔丝膜F)，以实现工艺加工精度的提高。
[0136]再者，对于这种结构的电阻网络14的制造工艺在后面详细叙述。在该实施方式中，在硅基板上11所形成的电阻网络14中包含的单位电阻体R包括电阻体膜线20、和在电阻体膜线20上在线方向上隔开固定间隔而层叠的多个导体膜片21，未层叠导体膜片21的固定间隔R部分的电阻体膜线20构成I个单位电阻体R。构成单位电阻体R的电阻体膜线20，其形状以及大小全部相等。由此，基于在基板上制作出的同形状同大小的电阻体膜为大致相同值这一特性，在硅基板11上矩阵状排列的多个单位电阻体R具有相等的电阻值。
[0137]在电阻体膜线20上层叠的导体膜片21形成单位电阻体R，并且还起到连接用布线膜的作用，用于将多个 单位电阻体R相连接而构成电阻电路。图5(A)是对图2所示的贴片电阻器10的俯视图的一部分进行放大描绘的包含有熔丝膜F的区域的部分放大俯视图，图5(B)是表示沿着图5(A)的B-B的剖面构造的图。
[0138]如图5(A)、⑶所示，熔丝膜F也由电阻体膜20上所层叠的布线膜21形成。也就是说，在与形成单位电阻体R的电阻体膜线20上所层叠的导体膜片21相同的层中，由与导体膜片21相同的金属材料即铝(Al)来形成。再者，如上述，为了形成电阻电路，导体膜片21被用作将多个单位电阻体R电连接的连接用导体膜C。
[0139]即，在电阻体膜20上所层叠的同一层中，利用同一铝系金属材料(例如铝)，通过相同的制造工艺(例如溅射以及光刻工艺)而形成单位电阻体R形成用的布线膜、用于形成电阻电路的连接用布线膜、用于构成电阻网络14的连接用布线膜、熔丝膜、以及用于将电阻网络14与第I连接电极12以及第2连接电极13连接的布线膜。由此，该贴片电阻器10的制造工艺被简化，此外，能够利用共同的掩模而同时形成各种布线膜。进而，还可提高与电阻体膜20的校准性。
[0140]图6是图解地表示对图2所示的电阻网络14中的多个种类的电阻电路进行连接的连接用导体膜C以及熔丝膜F的排列关系、和与该连接用导体膜C以及熔丝膜F所连接的多个种类的电阻电路之间的连接关系的图。参照图6，第I连接电极12连接了电阻网络14中包含基准电阻电路R8的一端。基准电阻电路R8由8个单位电阻体R的串联连接构成，其另一端连接于熔丝膜Fl。[0141]熔丝膜Fl和连接用导体膜C2连接了由64个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R64的一端以及另一端。连接用导体膜C2和熔丝膜F4连接了由32个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R32的一端以及另一端。熔丝膜F4与连接用导体膜C5连接了由32个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路体R32的一端以及另一端。
[0142]连接用导体膜C5和熔丝膜F6连接了由16个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R16的一端以及另一端。熔丝膜F7以及连接用导体膜C9连接了由8个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R8的一端以及另一端。连接用导体膜C9以及熔丝膜FlO连接了由4个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R4的一端以及另一端。
[0143]熔丝膜Fll以及连接用导体膜C12连接了由2个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R2的一端以及另一端。连接用导体膜C12以及熔丝膜F13连接了由I个单位电阻体R构成的电阻电路体Rl的一端以及另一端。熔丝膜F13以及连接用导体膜C15连接了由2个单位电阻体R的并联连接构成的电阻电路R/2的一端以及另一端。 [0144]连接用导体膜C15以及熔丝膜F16连接了由4个单位电阻体R的并联连接构成的电阻电路R/4的一端以及另一端。熔丝膜F16以及连接用导体膜C18连接了由8个单位电阻体R的并联连接构成的电阻电路R/8的一端以及另一端。连接用导体膜C18以及熔丝膜F19连接了由16个单位电阻体R的并联连接构成的电阻电路R/16的一端以及另一端。
[0145]熔丝膜F19以及连接用导体膜C22连接了由32个单位电阻体R的并联连接构成的电阻电路R/32。对于多个熔丝膜F以及连接用导体膜C，分别是将熔丝膜F1、连接用导体膜C2、熔丝膜F3、熔丝膜F4、连接用导体膜C5、熔丝膜F6、熔丝膜F7、连接用导体膜C8、连接用导体膜09、熔丝膜？10、熔丝膜？11、连接用导体膜(:12、熔丝膜？13、熔丝膜？14、连接用导体膜C15、熔丝膜F16、熔丝膜F17、连接用导体膜C18、熔丝膜F19、熔丝膜F20、连接用导体膜C21、连接用导体膜C22直线状配置而串联连接。构成为在各熔丝膜F被熔断时，与相邻连接于熔丝膜F的连接用导体膜C之间的电连接被切断。
[0146]在以电路图来表示该结构时如图7所示。也就是说，在全部的熔丝膜F没有被熔断的状态下，电阻网络14构成由在第I连接电极12以及第2连接电极13之间设置的8个单位电阻体R的串联连接组成的基准电阻电路R8(电阻值Sr)的电阻电路。例如，如果将I个单位电阻体R的电阻值r设为r = 80 Ω，则由8r = 640 Ω的电阻电路构成连接有第I连接电极12以及第2连接电极13的贴片电阻器10。
[0147]并且，基准电阻电路R8以外的多个种类的电阻电路，分别与熔丝膜F并联连接，通过各熔丝膜F而使这些多个种类的电阻电路处于被短路的状态。即，基准电阻电路R8串联连接了 12种类的13个电阻电路R64~R/32，但由于各电阻电路被各自并联连接的熔丝膜F所短路，因此在电特性方面上，各电阻电路尚未被组入电阻网络14。
[0148]该实施方式涉及的贴片电阻器10根据所要求的电阻值，利用例如激光选择性地使熔丝膜F熔断。由此，并联连接的熔丝膜F被熔断的电阻电路被组入电阻网络14。由此，能够使电阻网络14的整体的电阻值成为具有与所熔断的熔丝膜F对应的电阻电路被串联连接从而被组入的电阻值的电阻网络。
[0149]换言之，该实施方式涉及的贴片电阻器10通过使与多个种类的电阻电路对应设置的熔丝膜选择性地熔断，由此能够将多个种类的电阻电路(例如在F1、F4、F13被熔断时，电阻电路R64、R32、R1的串联连接)组入电阻网络。并且，由于多个种类的电阻电路各自的电阻值已确定，因此可以说，能够以数字的方式调整电阻网络14的电阻值，来获得具有所要求的电阻值的贴片电阻器10。
[0150]此外，多个种类的电阻电路具备:按照I个、2个、4个、8个、16个、32个、以及64个
这样的等比数列使单位电阻体R的个数增加来串联连接具有相等的电阻值的单位电阻体R而得到的多个种类的串联电阻电路、以及按照2个、4个、8个、16个、以及32个这样的等比数列使单位电阻体R的个数增加来并联连接相等的电阻值的单位电阻体R而得到的多个种类的并联电阻电路。并且，这些电阻电路在被熔丝膜F短路的状态下串联连接。由此，通过使熔丝膜F选择性地熔断，能够将电阻网络14整体的电阻值在从小的电阻值至大的电阻值的较宽范围之间设定为任意的电阻值。
[0151]图8是本发明的其他实施方式涉及的贴片电阻器30的俯视图，表示第I连接电极
12、第2连接电极13以及电阻网络4的配置关系、以及电阻网络14在俯视下的结构。贴片电阻器30与上述贴片电阻器10的不同之处在于，电阻网络14中的单位电阻体R的连接方式。
[0152]也就是说，贴片电阻器30的电阻网络14中具有在硅基板上矩阵状排列的具有相等的电阻值 的多个单位电阻体R(图8的结构中，构成为:沿着行方向(硅基板的长度方向)排列8个单位电阻体R，沿着列方向(硅基板的宽度方向)排列44个单位电阻体R，包括合计352个单位电阻体R)。并且，这些多个单位电阻体R的I~128个的规定个数的单位电阻体R被电连接，从而形成多个种类的电阻电路。所形成的多个种类的电阻电路通过作为电路网连接单元的导体膜以及熔丝膜F以并联方式连接。多个熔丝膜F构成为:沿着第2连接电极13的内侧边排列成配置区域呈直线状，在熔丝膜F被熔断时，连接于熔丝膜的电阻电路从电阻网络14电分离。
[0153]再者，由于构成电阻网络14的多个单位电阻体R的构造、连接用导体膜、熔丝膜F的构造与之前所说明的贴片电阻器10中的对应的部位的构造相同，因此在此省略说明。图9是以图解的方式表示图8所示的电阻网络中的多个种类的电阻电路的连接方式、将它们连接的熔丝膜F的排列关系、以及与熔丝膜F连接的多个种类的电阻电路的连接关系。
[0154]参照图9，第I连接电极12连接了电阻网络14中包含的基准电阻电路R/16的一端。基准电阻电路R/16由16个单位电阻体R的并联连接构成，其另一端与剩余的电阻电路所连接的连接用导体膜C连接。熔丝膜Fl和连接用导体膜C连接了由128个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R128的一端以及另一端。
[0155]熔丝膜F5和连接用导体膜C连接了由64个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R64的一端以及另一端。电阻膜F6和连接用导体膜C连接了由32个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R32的一端以及另一端。熔丝膜F7和连接用导体膜C连接了由16个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R16的一端以及另一端。
[0156]熔丝膜F8和连接用导体膜C连接了由8个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R8的一端以及另一端。熔丝膜F9和连接用导体膜C连接了由4个单位电阻体R的串联连接构成的电阻电路R4的一端以及另一端。熔丝膜FlO和连接用导体膜C连接了由2个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R2的一端以及另一端。
[0157]熔丝膜Fl I和连接用导体膜C连接了由I个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路Rl的一端以及另一端。熔丝膜F12和连接用导体膜C连接了由2个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/2的一端以及另一端。熔丝膜F13和连接用导体膜C连接了由4个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/4的一端以及另一端。
[0158]熔丝膜F14、F15、F16被电连接，这些熔丝膜F14、F15、F16和连接用导体C连接了由8个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/8的一端以及另一端。熔丝膜F17、F18、F19、F20、F21被电连接，这些熔丝膜F17~F21和连接用导体膜C连接了由16个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/16的一端以及另一端。
[0159]熔丝膜F具备熔丝膜Fl~F21这样的21个熔丝膜，这些熔丝膜全部连接于第2连接电极13。由于是这种结构，因此在电阻电路的一端所连接的任意一个熔丝膜F被熔断时，一端连接于该熔丝膜F的电阻电路与电阻网络14电切离。
[0160]在以电路图表示图9的结构、即贴片电阻器30中具备的电阻网络14的结构时，成为如图10所示那样。在全部的熔丝膜F尚未被熔断的状态下，电阻网络14在第I连接电极14以及第2连接电极13之间构成基准电阻电路R/16与12种类的电阻电路R/16、R/8、R/4、R/2、Rl、R2、R4、R8、R16、R32、R64、R128的并联连接电路的串联连接电路。
[0161]并且，基准电阻电路R/16以外的12种类的电阻电路中各自串联连接了熔丝膜F。由此，在具有该电阻网络14的贴片电阻器30中，如果根据所要求的电阻值，利用例如激光使熔丝膜F选择性地熔断，则与被熔断的熔丝膜F对应的电阻电路(串联连接了熔丝膜F的电阻电路)从电阻网络14电分离，能够调整贴片电阻器10的电阻值。
[0162]换言之，该实施方式涉及的贴片电阻器30也通过使与多个种类的电阻电路对应设置的熔丝膜选择性地熔断，由此能够使多个种类的电阻电路从电阻网络电分离。并且，由于多个种类的电阻电 路各自的电阻值已确定，因此可以说，能够成为以数字的方式调整电阻网络14的电阻值来具有所要求的电阻值的贴片电阻器30。
[0163]此外，多个种类的电阻电路具备:按照I个、2个、4个、8个、16个、32个、64个以及128个这样的等比数列使单位电阻体R的个数增加来串联连接具有相等的电阻值的单位电阻体R而得到的多个种类的串联电阻电路、以及按照2个、4个、8个、16个这样的等比数列使单位电阻体R的个数增加来并联连接具有相等的电阻值的单位电阻体R的多个种类的并联电阻电路。由此，通过使熔丝膜F选择性地熔断，能够将电阻网络14整体的电阻值细致且以数字方式设定为任意的电阻值。
[0164]再者，在图10所示的电路中，基准电阻电路R/16以及被并联连接的电阻电路之中的电阻值较小的电阻电路中，存在流过过电流的趋势，在电阻设定时必须将电阻中流过的额定电流设定得较大。为此，为了使电流分散，也可以对电阻网络的连接构造进行变更，使得图10所示的电路成为图1l(A)所示的电路结构。也就是说，将其变更为如下的电路:该电路中除去了基准电阻电路R/16，且被并联连接的电阻电路包含将最小的电阻值设为r且将电阻值r的电阻单位体Rl并联连接了多组的结构。
[0165]图1l(B)是示出了具体的电阻值的电路图，所形成的电路包含将80Ω的单位电阻体和熔丝膜F的串联连接以并联连接多组而得到的结构。由此，能够实现流过的电流的分散。图12是以电路图表示本发明的其他的实施方式涉及的贴片电阻器所具备的电阻网络14的电路结构的图。图12所示的电阻网络14的特征在于，成为多个种类的电阻电路的串联连接和多个种类的电阻电路的并联连接被串联连接的电路结构。
[0166]在被串联连接的多个种类的电阻电路中，与之前的实施方式同样，按各电阻电路的每个电阻电路，并联连接熔丝膜F，从而被串联连接的多个种类的电阻电路全部通过熔丝膜F而处于短路状态。因此，在使熔丝膜F熔断时，被该熔丝膜F短路的电阻电路被电组入电阻网络14。另一方面，被并联连接的多个种类的电阻电路，分别串联连接了熔丝膜F。因此，通过使熔丝膜F熔断，能够将串联连接了熔丝膜F的电阻电路从电阻电路的并联连接中电切离。
[0167]根据这种结构，例如能够在并联连接侧制作出IkQ以下的小电阻，在串联连接侧制作出IkQ以上的电阻电路。由此，能够利用由相同的基本设计所构成的电阻网络14，制作出从数Ω的小电阻至数ΜΩ的大电阻的宽范围的电阻电路。此外，在进一步高精度地设定电阻值的情况下，如果将接近于要求电阻值的串联连接侧电阻电路的熔丝膜预先切断，则通过使并联连接侧的电阻电路的熔丝膜熔断就能够进行细微的电阻值的调整，可提高向期望电阻值的校准精度。
[0168]图13是表示具有10 Ω~1ΜΩ的电阻值的贴片电阻器中的电阻网络14的具体的构成例的电路图。图13所示的电阻网络14也成为将被熔丝膜F短路的多个种类的电阻电路的串联连接、和串联连接了熔丝膜F的多个种类的电阻电路的并联连接进行了串联连接的电路结构。
[0169]根据图13的电阻电路，在并联连接侧，能够在精度1%以内设定10~IkQ的任意的电阻值。此外，在串联连接侧的电路中，能够在精度1%以内设定Ik~1ΜΩ的任意的电阻值。在使用串联连接侧的电路的情况下，存在使接近于期望的电阻值的电阻电路的熔丝膜F预先熔断，以向期望的电阻值进行校准，从而能够更高精度地设定电阻值这一优点。
[0170]再者，仅说明了熔丝膜F采用与连接用导体膜C同一层的情况，但连接用导电膜C部分也可以在其上进一 步层叠其他的导体膜，以降低导体膜的电阻值。此外，也可以去掉电阻体膜，而仅形成连接用导体膜C。再者，即便在该情况下，如果在熔丝膜F之上不层叠导体膜，则熔丝膜F的熔断性也不会变差。
[0171]图14是用于说明本发明的其他实施方式涉及的贴片电阻器90的主要部分构造的示意性俯视图。例如，对于上述的贴片电阻器10(参照图1、图2)、贴片电阻器30(参照图8)而言，若在俯视下表示构成电阻电路的电阻体膜线20和导体膜片21的关系，则成为图14(A)所示的结构。也就是说，如图14(A)所示，规定间隔R的区域的电阻体膜线20部分形成了固定电阻值r的单位电阻体R。并且，在单位电阻体R的两侧层叠导体膜片21，通过该导体膜片21使得电阻体膜线20被短路。
[0172]在此，在上述的贴片电阻器10以及贴片电阻器30中，形成单位电阻体R的电阻体膜线20部分的长度为例如12 μ m,电阻体膜线20的宽度为例如1.5 μ m，单位电阻(薄片电阻)为10Ω/口。因此，单位电阻体R的电阻值r为r = 80Ω。不过，例如在图1、图2所示的贴片电阻器10中，期望不必扩大电阻网络14的配置区域而提高电阻网络14的电阻值从而实现贴片电阻器10的高电阻化。
[0173]为此，在该实施方式涉及的贴片电阻器90中，变更电阻网络14的布局，并且将构成电阻网络中包含电阻电路的单位电阻体在俯视下成为图14(B)所示的形状以及大小。参照图14(B)，电阻体膜线20包含宽度1.5 μ m且直线状延伸的线状的电阻体膜线20。并且，在电阻体膜线20中，规定间隔R'的电阻体膜线20部分形成了固定电阻值r'的单位电阻体R'。单位电阻体R'的长度设定为例如17μπι。这样一来，与图14(A)所示的单位电阻体R相比，单位电阻体R'的电阻值r'能够形成大致2倍的r' =160Ω的单位电阻体。
[0174]此外，在电阻体膜线20上所层叠的导体膜片21的长度，无论在图14(A)所示的结构中、还是在(B)所示的结构中，都能够以相同的长度构成。因而，通过对构成电阻网络14中包含的电阻电路的各单位电阻体V的布局图案进行变更，成为单位电阻体V能够串联状连接的布局图案，由此贴片电阻器90可实现高电阻化。
[0175]图15表示参照图1~7所说明的贴片电阻器10的制造工序的一例的流程图。接下来，按照该流程图的制造工序，且根据需要参照图1~7，对贴片电阻器10的制造方法进行详细说明。步骤S1:首先，基板11 (实际上是被切分为各个贴片电阻器10之前的硅晶片(参照图17))被配置在规定的处理室，在其表面通过例如热氧化法形成作为绝缘层19的二氧化硅(SiO2)层。
[0176]步骤S2:接下来，通过例如溅射法，TiN, TiON或者TiSiON的电阻体膜20被形成在绝缘层19的整个表面。步骤S3:接着，通过例如溅射法，在电阻体膜20的整个表面层叠形成例如铝(Al)的布线膜21。被层叠的电阻体膜20以及布线膜21的双层膜的合计膜厚可以设定为8000盖左右。布线膜21也可以替换Al而由AlS1、AlSiCu、或者AlCu等铝系金属膜形成。通过由Al、AlS1、AlSiCu、或者AlCu等铝系金属膜来形成布线膜21，由此可实现工艺加工精度的提高。
[0177]步骤S4:接着，利用光刻工艺，在布线膜21的表面形成与电阻网络14的俯视下的结构(包含导体膜C以及熔丝膜F的布局图案)对应的抗蚀剂图案(第I抗蚀剂图案的形成)。步骤S5:然后，进行第I蚀刻工序。也就是说，将步骤S4中形成的第I抗蚀剂图案作为掩模，通过例如反应性离子蚀刻(RIE)对电阻体膜20以及布线膜21这种被层叠的双层膜进行蚀刻。然后，在蚀刻之后，第I抗蚀剂图案被剥离。 [0178]步骤S6:再次利用光刻工艺，形成第2抗蚀剂图案。步骤S6中形成的第2抗蚀剂图案是用于选择性地除去在电阻体膜20上层叠的布线膜21从而形成单位电阻体R(图2中赋予细点表示的区域)的图案。步骤S7:将步骤S6中所形成的第2抗蚀剂图案作为掩模，通过例如湿法蚀刻，仅对布线膜21进行选择性地蚀刻(第2蚀刻工序)。在蚀刻之后，第2抗蚀剂图案被剥离。由此，得到图2所示的电阻网络14的布局图案。
[0179]步骤S8:在该阶段，对基板表面所形成的电阻网络14的电阻值(电路网14整体的电阻值)进行测定。对于该测定，例如使多个探针与图2所示的连接于第I连接电极12一侧的电阻网络14的端部、连接于第2连接电极13 —侧的熔丝膜以及电阻网络14的端部相接触来进行测定。通过该测定，能够判断制造出的电阻网络14的初始状态的好坏。
[0180]步骤S9:接下来，形成由例如氮化膜构成的保护膜22a，使得覆盖在基板11之上形成的电阻网络14的整个面。保护膜22a也可以是氧化膜(SiO2膜)，以替代氮化膜(SiN
膜)。该保护膜22a的形成既可以通过等离子CVD法进行，也可以形成例如膜厚3000Λ左
右的氮化硅膜(SiN膜)。保护膜22a覆盖被图案化的布线膜21、电阻体膜20以及熔丝膜F0
[0181]步骤SlO:从该状态起，使熔丝膜F选择性地熔断，进行用于使贴片电阻器10与期望的电阻值一致的激光微调。也就是说，如图16(A)所示，向根据步骤S8中进行的整体电阻值测定的测定结果而选择出的熔丝膜F照射激光，从而该熔丝膜F以及位于其下的电阻体膜20被熔断。由此，被熔丝膜F短路的所对应的电阻电路被组入电阻网络14中，能够使得电阻网络14的电阻值与期望的电阻值一致。在对熔丝膜F照射激光时，由于保护膜22a的作用，在熔丝膜F的附近，激光的能量得到积蓄，由此使得熔丝膜F及其下层的电阻体膜20熔断。
[0182]步骤Sll:接下来，如图16(B)所示，通过例如等离子CVD法，在保护膜22a上堆积氮化硅膜，形成钝化膜22。前述的保护膜22a在最终形态中与钝化膜22 —体化，构成该钝化膜22的一部分。熔丝膜F及其下层的电阻体膜20切断后所形成的钝化膜22，进入在熔丝膜F及其下层的电阻体膜20熔断时同时被破坏的保护膜22a的开口 22b内，以保护熔丝膜F及其下层的电阻体膜20的切断面。因此，钝化膜22用于防止在熔丝膜F的切断部位进入异物或者水分。钝化膜22只要整体为例如I O(K) 20000A左右的厚度即可，例如也可以形成为具有8000Λ左右的膜厚。此外，如上述，钝化膜22也可以是硅氧化膜。
[0183]步骤S12:接下来，如图16(C)所示，在整个面涂布树脂膜23。作为树脂膜23，利用例如感光性的聚酰亚胺的涂布膜23。步骤S13:针对该树脂膜23，进行针对与上述第I连接电极12、第2连接电极13的开口对应的区域的曝光工序、以及之后的显影工序，从而能够进行基于光刻的树脂膜的图案化。由此，在树脂膜23形成用于第I连接电极12以及第2连接电极13的焊盘开口。
[0184]步骤S14:之后，进行用于使树脂膜23硬化的热处理(聚酰亚胺固化)，通过热处理而使得聚酰亚胺膜23稳定化。热处理可以在例如170°C~700°C左右的温度下进行。其结果，还存在电阻体(电阻体膜20以及图案化的布线膜21)的特性变得稳定的这一优点。步骤S15:接下来，将在要形成第I连接电极12以及第2连接电极13的位置具有贯通孔的聚酰亚胺膜23作为掩模来进行钝化膜22的蚀刻。由此，形成使布线膜21在第I连接电极12的区域以及第2连接电极13的区域露出的焊盘开口。钝化膜22的蚀刻也可以通过反应性离子蚀刻(RIE)来进行。
[0185]步骤S16:使多个探针与从2个焊盘开口露出的布线膜21接触，进行用于确认贴片电阻器的电阻值成为了期望的电阻值的电阻值测定(后期测定)。这样，通过进行后期测定，换言之，通过进行最初的测定(初始测定)一熔丝膜F的熔断(激光修复)一后期测定这一连串的处理，可大幅提高对贴片电阻器10的微调处理能力。
[0186]步骤S17:在2个焊盘开口内，通过例如非电解镀覆法，使作为外部连接电极的第I连接电极12以及第2连接电极13成长。步骤S18:然后，为了将在晶片表面所排列形成的多个(例如50万个)的各贴片电阻器分离为各个贴片电阻器10，而通过光刻形成第3抗蚀剂图案。抗蚀剂膜是为了在晶片的表面保护例如图18中的各贴片电阻器10而设置的，按照在各贴片电阻器10之间进行蚀刻的方式形成。
[0187]步骤S19:然后，执行等离子切割。等离子切割是将第3抗蚀剂图案作为掩模的蚀亥IJ，在各贴片电阻器10之间形成与作为基板的硅晶片的表面相距规定深度的槽。然后，抗蚀剂膜被剥离。步骤S20:而后，例如图17(A)所示，在表面粘贴保护带100。
[0188] 步骤S21:接下来，进行硅晶片的背面磨削，贴片电阻器被分离为各个贴片电阻器10(图17㈧(B))。步骤S22:然后，如图17(C)所示，在背面侧贴附载运带(热发泡薄片)200，被分离为各个贴片电阻器的多个贴片电阻器10以在载运带200上排列的状态被保持。另一方面，在表面粘贴的保护带被除去(图17(D))。
[0189]步骤S23:热发泡薄片200通过被加热，其内部包含的热发泡粒子201膨胀，由此在载运带200表面粘贴着的各贴片电阻器10从载运带200被剥离，从而被分离为各个贴片电阻器10(图17(E) (F))。以上，作为本发明的实施方式，利用贴片电阻器进行了说明，但本发明对于贴片电阻器以外的贴片部件也可适用。
[0190]例如，作为其他的贴片部件的例子，能够示例出贴片电容器。贴片电容器具备基板、在基板上配置的第I外部电极、和在相同基板上配置的第2外部电极。在基板的例如长度方向两端部分别配置第I外部电极以及第2外部电极，在第I外部电极以及第2外部电极之间设置电容器配置区域，配置作为功能元件的多个电容器单元。多个电容器单元介由多个熔丝分别与第I外部电极电连接。
[0191]在这种贴片电容器中适用本发明，由铝系布线膜将布线以及熔丝一体地形成，由此能够解决上述的课题。进而，作为其他的贴片部件的例子，能够示例出贴片电感器。贴片电感器是在例如基板上具有多层布线构造、并在多层布线构造内具有电感器(线圈)以及与其关联的布线的部件，构成为:多层布线构造内的任意的电感器，通过熔丝，从而或者组入电路或者从电路切离。在这种贴片电感器中，通过本发明，由铝系布线膜将布线以及熔丝一体地形成，由此能够形成小型且高性能的贴片电感器(贴片部件)。
[0192]作为进一步其他的贴片部件的例子，还能够示例出贴片二极管。贴片二极管是在例如基板上具有多层布线构造、并在多层布线构造内具有多个二极管以及与其关联的布线的部件，构成为:多层布线构造内的任意的二极管，通过熔丝，从而或者组入电路或者从电路切离。通过选择电路中组入的二极管，能够变更或者调整贴片二极管的整流特性。此外，能够设定贴片二极管的电压降特性(电阻值)。进而，在二极管是作为LED (发光二极管)的贴片LED的情况 下，能够选择电路中组入的LED，作为可选择发光颜色的贴片LED。对于这种的贴片二极管、贴片LED，也能够通过本发明的铝系布线膜而将布线以及熔丝一体地形成，由此，能够形成小型且高性能的、易于操作的贴片二极管、贴片LDE这样的贴片部件。
[0193]本发明并不限定于以上说明的实施方式的制造方法，也可以在权利要求所记载的事项范围内实施各种的设计变更。例如，对于权利要求中没有确定的制造工序进行变更、或者省略、或者追加之后的结果也包含在本发明的范围中。<第I参考例涉及的发明> (I)第I参考例涉及的发明的特征例如第I参考例涉及的发明的特征是以下的Al~AU。(Al)贴片电阻器包括基板、分别具有在所述基板上形成的电阻体膜及按照与所述电阻体膜相接的方式层叠的布线膜的多个电阻体、在所述基板上设置的电极、以及将所述多个电阻体与所述电极分别连接的可切断的多个熔丝，所述电阻体膜由包含从如下的群组中选择出的一种以上在内的材料构成，该群组由 NiCr、NiCrAl、NiCrS1、NiCrSiAl、TaN, TaSiO2, TiN, TiNO,以及TiSiON构成。
[0194]根据该结构，由NiCr、NiCrAl, NiCrSi, NiCrSiAl, TaN, TaSiO2' TiN, TiNO,以及TiSiON构成群组，通过由包含从该群组中选择出的一种以上在内的材料来形成电阻体膜，能够适合于微细加工，并且难以受到温度特性的影响，可形成正确的电阻值的贴片电阻器。(A2)在Al中所述的贴片电阻器的基础上，其特征在于，所述电阻体膜的温度系数低于1000ppm/°C。
[0195]根据该结构，由于电阻体膜的温度系数低于1000ppm/°C，因此温度特性实质上不会对电阻值带来影响。(A3)在A2中所述的贴片电阻器的基础上，其特征在于，所述电阻体膜的温度系数为50ppm/°C~200ppm/°C。根据该结构，能够不易于受到温度特性的影响，可形成更正确的电阻值的贴片电阻器。(A4)在Al~A3的任意一项所述的贴片电阻器的基础
上，其特征在于，所述电阻体膜的膜厚为^(h4.lMm。
[0196]在该膜厚范围内，能够实现50ppm/°C~200ppm/°C。(A5)在Al~A4的任意一项所述的贴片电阻器的基础上，其特征在于，所述电阻体包含具有I μ m~1.5 μ m的线宽的线状单元。根据该结构，能够获得进行了微细加工的贴片电阻器。(A6)在A5所述的贴片电阻器的基础上，其特征在于，所述电阻体在电阻体膜上具备在所述线状方向上隔开固定间隔而层叠的导体膜，未层叠所述导体膜的所述固定间隔部分的电阻体膜构成I个单位电阻体。
[0197]根据该结构，可获得通过单位电阻体的串联连接能够而能够正确地设定电阻值的贴片电阻器。(A7)在Al~A6的任意一项所述的贴片电阻器的基础上，其特征在于，包括在所述电阻体膜上层叠的所述导体膜、在与所述熔丝同一层所形成的同一材料的金属膜。
[0198]根据该结构，制造变得容易，能够通过比较少的工艺简单地一次形成多用途的金属膜(导体膜)。(AS)在A6或者A7所述的贴片电阻器的基础上，多个所述单位电阻体被串联连接，以形成电阻电路。根据该结构，能够形成电阻值易于调整的高电阻化的贴片电阻器。(A9)在AS所述的贴片电阻器的基础上，所述电阻电路形成多个种类，多个种类的电阻电路包括将具有相等电阻值的单位电阻体按等比数列增加而串联连接所得到的多个种类的串联电阻电路。
[0199]根据该结构，能够获得高电阻且易于进行电阻值的调整的贴片电阻器。(AlO)在AS所述的贴片电阻器的 基础上，所述电阻电路形成多个种类，多个种类的电阻电路包括将具有相等电阻值的单位电阻体按等比数列增加而并联连接所得到的多个种类的并联电阻电路。
[0200]根据该结构，能够获得低电阻且易于进行电阻值的调整的贴片电阻器。(All)在AS所述的贴片电阻器的基础上，其特征在于，所述电阻电路形成多个种类，多个种类的电阻电路包括:具有相等电阻值的单位电阻体按等比数列增加而串联连接所得到的多个种类的串联电阻电路、以及具有相等电阻值的单位电阻体按等比数列增加而并联连接所得到的多个种类的并联电阻电路。
[0201]根据该结构，能够形成电阻值易于调整、可与各种电阻值相一致的贴片电阻器。
(2)关于第I参考例涉及的发明的实施方式，以下参照附图对第I参考例的实施方式进行详细说明。再者，图19~图38中示出的符号仅在这些附图中有效，即便在其他的实施方式中使用，也并不表示与该其他实施方式的符号相同的要素。
[0202]图19(A)是表示第I参考例的一实施方式涉及的贴片电阻器alO的外观结构的示意性立体图，图19(B)表示贴片电阻器alO被安装在基板上的状态的侧视图。参照图19(A)，第I参考例的一实施方式涉及的贴片电阻器alO具备在基板all上形成的第I连接电极al2、第2连接电极al3、和电阻网络al4。基板all是俯视下呈大致长方形状的长方体形状，作为一例是长边方向的长度L = 0.3mm、短边方向的宽度W = 0.15mm、厚度T = 0.1mm左右的大小的微小贴片。基板all可以是在俯视下被倒角处理的倒角形状。基板可由例如硅、玻璃、陶瓷等形成。以下的实施方式中，以基板all为硅基板的情况为例进行说明。[0203]如图36所示，在基板上以格子状地形成多个贴片电阻器alO，基板被切断从而分离为各个贴片电阻器alO，由此得到贴片电阻器alO。在基板all上，第I连接电极al2是沿着基板al I的一个短边al 11而设置的在短边al 11方向上较长的矩形电极。第2连接电极al3是沿着基板all上的另一个短边all2设置的在短边all2方向上较长的矩形电极。电阻网络al4设置在基板all上的被第I连接电极al2和第2连接电极al3夹着的中央区域(电路形成面或者元件形成面)。并且，电阻网络al4的一端侧与第I连接电极al2电连接，电阻网络al4的另一端侧与第2连接电极al3电连接。这些第I连接电极al2、第2连接电极al3以及电阻网络al4，例如作为一例能够在基板all上利用微细加工工艺来设置。特别地，通过利用后述的光刻工艺，由此能够形成微细且正确的布局图案的电阻网络al4。
[0204]第I连接电极al2以及第2连接电极al3分别作为外部连接电极发挥功能。在贴片电阻器alO被安装在电路基板al5的状态下，如图19(B)所示，第I连接电极al2以及第2连接电极al3分别通过焊料与电路基板al5的电路(未图示)电及机械连接。再者，为了焊料润湿性的提高以及可靠性的提高，作为外部连接电极发挥功能的第I连接电极al2以及第2连接电极al3至少由金(Au)形成表面区域、或者在表面实施镀金。
[0205]图20是贴片电阻器alO的俯视图，表示第I连接电极al2、第2连接电极al3以及电阻网络al4的配置关系、以及电阻网络al4在俯视下的结构(布局图案)。参照图20，贴片电阻器alO包括:被配置为长边沿着基板al I上表面的一个短边al 11的在俯视下呈大致矩形的第I连接电极al2、被配置为长边沿着基板all上表面的另一个短边all2的在俯视下呈大致矩形的第2连接电极al3、以及在第I连接电极al2以及第2连接电极al3之间的俯视下呈矩形的区域所设置的电阻网络al4。
[0206]在电阻网络al4中，具备在基板all上矩阵状排列的具有相等电阻值的多个单位电阻体R(图20的例子中，构成为:沿着行方向(基板all的长度方向)排列8个单位电阻体R，沿着列方向(基板all的宽度方向)排列44个单位电阻体R，包括合计352个单位电阻体R)。并且，这些多个单位电阻体R的I~64个的规定个数被导体膜C (导体膜C优选由Al、AlS1、AlSiCu、或者AlCu等铝系金属形成的布线膜)电连接，形成与被连接的单位电阻体R的数目相应的多个种类的电阻电路。
[0207]再有，为了将电阻电路电组入电阻网络al4、或者从电阻网络al4电分离而设置有可熔断的多个熔丝膜F (优选是由与导体膜C相同的材料即Al、AlS1、AlSiCu、或者AlCu等铝系金属膜所形成的布线膜，以下，也称为“熔丝”)。多个熔丝膜F沿着第2连接电极al3的内侧边，被排列成配置区域呈直线状。更具体而言，被排列成多个熔丝膜F以及连接用导体膜C相邻，按照其排列方向呈直线状的方式进行配置。
[0208] 图21A是对图20所示的电阻网络al4的一部分进行放大描绘的俯视图，图21B以及图21C分别是为了说明电阻网络al4中的单位电阻体R的构造而描绘出的长度方向的纵剖视图以及宽度方向的纵剖视图。参照图21A、图21B以及图21C来说明单位电阻体R的结构。
[0209]在基板all的上表面形成绝缘层(Si02)al9，在绝缘层al9上配置电阻体膜a20。电阻体膜a20由包含从如下的群组中选择出的一种以上在内的材料构成，该群组由NiCr、NiCrAl、NiCrS1、NiCrSiAl、TaN, TaSiO2' TiN, TiNO,以及 TiSiON 构成。通过由这种材料形成电阻体膜a20，能进行基于光刻的微细加工。此外，电阻值不易于受到温度特性的影响，能够制作出正确的电阻值的贴片电阻器。该电阻体膜a20被形成为在第I连接电极al2与第2连接电极al3之间平行地直线状延伸的多条电阻体膜(以下称为“电阻体膜线”)，有时电阻体膜线a20在线方向上在规定的位置被切断。在电阻体膜线a20上层叠作为导体膜片a21的例如铝膜。各导体膜片a21在电阻体膜线a20上在线方向上隔开固定间隔R进行层置。
[0210]在利用电路符号表示该结构的电阻体膜线a20以及导体膜片a21的电特征时，如图22所示。也就是说，如图22(A)所示那样，规定间隔R的区域的电阻体膜线a20部分分别形成固定的电阻值r的单位电阻体R。在层叠了导体膜片a21的区域，通过该导体膜片a21，使得电阻体膜线a20被短路。由此，形成由图22(B)所示的电阻r的单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路。
[0211]此外，由于相邻的电阻体膜线a20彼此通过电阻体膜线a20以及导体膜片a21被连接，因此图21A所示的电阻网络构成图22 (C)所示的电阻电路。在图21B以及图21C所示的示意性剖视图中，参 考编号all表示基板，参考编号al9表示作为绝缘层的二氧化硅SiO2层，参考编号a20表示在绝缘层al9上形成的电阻体膜，参考编号a21表示铝(Al)的布线膜，参考编号a22表示作为保护膜的SiN膜，参考编号a23表示作为保护层的聚酰亚胺层。
[0212]电阻体膜a20的材质如上述那样由包含从如下的群组中选择出的一种以上在内的材料构成，该群组由 NiCr、NiCrAl、NiCrS1、NiCrSiAl、TaN、TaSi02、TiN、TiN0、以及 TiSiON
构成。此外，期望电阻体膜a20的膜厚为300Λ.___.1μLη。这是因为:如果将电阻体膜a20的膜厚设定为该范围，则能够在50ppm/°C~200ppm/°C实现电阻体膜a20的温度系数，成为不易于受到温度特性的影响的贴片电阻器。
[0213]再者，如果电阻体膜a20的温度系数低于1000ppm/°C，则获得实用方面良好的贴片电阻器。进而，期望电阻体膜a20是包括具有I μ m~1.5 μ m的线宽的线状单元的构造。这是因为能够同时实现电阻电路的微细化和良好的温度特性。布线膜a21也可以替换Al而由AlS1、AlSiCu、或者AlCu等铝系金属膜形成。通过这样由铝系金属膜来形成布线膜a21 (包括熔丝膜F)，可实现工艺加工精度的提高。
[0214]再者，对于这种结构的电阻网络al4的制造工艺在后面详细叙述。在该实施方式中，在基板上11所形成的电阻网络al4中包含的单位电阻体R包括电阻体膜线a20、以及在电阻体膜线a20上在线方向上隔开固定间隔被层叠的多个导体膜片a21，未层叠导体膜片a21的固定间隔R部分的电阻体膜线a20构成I个单位电阻体R。构成单位电阻体R的电阻体膜线a20的形状以及大小全部相等。由此，基于在基板上制作出的同形状同大小的电阻体膜为大致相同值这一特性，在基板all上以矩阵状排列的多个单位电阻体R具有相等电阻值。
[0215]在电阻体膜线a20上层叠的导体膜片a21形成单位电阻体R，并且还发挥用于将多个单位电阻体R连接而构成电阻电路的连接用布线膜的作用。图23(A)是对图20所示的贴片电阻器alO的俯视图的一部分进行放大描绘的包含熔丝膜F的区域的部分放大俯视图，图23(B)是表示沿着图23(A)的B-B的剖面构造的图。
[0216]如图23(A) (B)所示，熔丝膜F也由在电阻体膜a20上层叠的布线膜a21形成。也就是说，在与形成单位电阻体R的电阻体膜线a20上所层叠的导体膜片a21相同的层，由与导体膜片a21相同的金属材料即铝(Al)形成。再者，为了形成电阻电路，导体膜片a21如前述那样被用作将多个单位电阻体R电连接的连接用导体膜C。
[0217]也就是说，在电阻体膜a20上所层叠的同一层，利用同一铝系金属材料(例如铝)，通过相同的制造工艺(例如溅射以及光刻工艺)来形成单位电阻体R形成用的布线膜、用于形成电阻电路的连接用布线膜、用于构成电阻网络al4的连接用布线膜、熔丝膜、以及用于将电阻网络al4连接于第I连接电极al2以及第2连接电极al3的布线膜。由此，该贴片电阻器alO的制造工艺被简化，此外，能够利用共同的掩模同时形成各种布线膜。再有，还可提高与电阻体膜a20的校准性。
[0218]图24是以图解的方式表示将图20所示的电阻网络al4中的多个种类的电阻电路连接的连接用导体膜C以及熔丝膜F的排列关系、以及与连接于该连接用导体膜C以及熔丝膜F的多个种类的电阻电路之间的连接关系的图。参照图24，第I连接电极al2连接电阻网络al4中包含的基准电阻电路R8的一端。基准电阻电路R8由8个单位电阻体R的串联连接构成，其另一端连接于熔丝膜Fl。
[0219]熔丝膜Fl和连接用导体膜C2连接了由64个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R64的一端以及另一端。连接用导体膜C2和熔丝膜F4连接了由32个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R32的一端以及另一端。熔丝膜F4和连接用导体膜C5连接了由32个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路体R32的一端以及另一端。
[0220]连接用导体膜C5和熔丝膜F6连接了由16个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R16的一端以及另一端。熔丝膜F7以及连接用导体膜C9连接了由8个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电 路R8的一端以及另一端。连接用导体膜C9以及熔丝膜FlO连接了由4个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R4的一端以及另一端。
[0221]熔丝膜Fll以及连接用导体膜C12连接了由2个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R2的一端以及另一端。连接用导体膜C12以及熔丝膜F13连接了由I个单位电阻体R所构成的电阻电路体Rl的一端以及另一端。熔丝膜F13以及连接用导体膜C15连接了由2个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/2的一端以及另一端。
[0222]连接用导体膜C15以及熔丝膜F16连接了由4个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/4的一端以及另一端。熔丝膜F16以及连接用导体膜C18连接了由8个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/8的一端以及另一端。连接用导体膜C18以及熔丝膜F19连接了由16个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/16的一端以及另一端。
[0223]熔丝膜F19以及连接用导体膜Ca22连接了由32个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/32。多个熔丝膜F以及连接用导体膜C，分别是将熔丝膜F1、连接用导体膜C2、熔丝膜F3、熔丝膜F4、连接用导体膜C5、熔丝膜F6、熔丝膜F7、连接用导体膜C8、连接用导体膜C9、熔丝膜F10、熔丝膜？11、连接用导体膜(:12、熔丝膜？13、熔丝膜？14、连接用导体膜C15、熔丝膜F16、熔丝膜F17、连接用导体膜C18、熔丝膜F19、熔丝膜F20、连接用导体膜Ca21、连接用导体膜Ca22直线状配置而串联连接。构成为在各熔丝膜F被熔断时与相邻连接于熔丝膜F的连接用导体膜C之间的电连接被切断。
[0224]在以电路图表示该结构时，如图25所示。也就是说，在全部的熔丝膜F尚未被熔断的状态下，电阻网络al4构成由在第I连接电极al2以及第2连接电极al3间所设置的8个单位电阻体R的串联连接所组成的基准电阻电路R8(电阻值Sr)的电阻电路。例如，如果将I个单位电阻体R的电阻值r设定为r = 80 Ω，则由8r = 640 Ω的电阻电路构成连接了第I连接电极al2以及第2连接电极al3的贴片电阻器alO。
[0225]并且，基准电阻电路R8以外的多个种类的电阻电路分别并联连接了熔丝膜F，通过各熔丝膜F而使得这些多个种类的电阻电路处于被短路的状态。也就是说，基准电阻电路R8串联连接了 12种类的13个电阻电路R64~R/32，但由于各电阻电路被各自并联连接的熔丝膜F所短路，因此各电阻电路尚未被电组入电阻网络al4。
[0226]该实施方式涉及的贴片电阻器alO，根据所要求的电阻值，利用例如激光使熔丝膜F选择性地熔断。由此，并联连接的熔丝膜F被熔断的电阻电路被组入电阻网络al4中。由此，能够使电阻网络al4的整体的电阻值成为具有与所熔断的熔丝膜F对应的电阻电路被串联连接从而被组入的电阻值的电阻网络。
[0227]换言之，本实施方式涉及的贴片电阻器alO通过使与多个种类的电阻电路对应而设置的熔丝膜选择性地熔断，能够将多个种类的电阻电路(例如在F1、F4、F13被熔断时，电阻电路R64、R32、R1的串联连接)组入电阻网络。并且，由于多个种类的电阻电路各自的电阻值已确定，因此能够成为以数字的方式调整电阻网络al4的电阻值从而具有被要求的电阻值的贴片电阻器alO。
[0228]此外，多个种类的电阻电路具备:按照I个、2个、4个、8个、16个、32个、以及64个这样的等比数列使单位电阻体R的个数增加来串联连接具有相等电阻值的单位电阻体R而得到的多个种类的串联电阻电路、以及按照2个、4个、8个、16个、以及32个这样的等比数列使单位电阻体R的个数增加来并联连接相等电阻值的单位电阻体R而得到的多个种类的并联电阻电路。并且，这些电阻电路在被熔丝膜F短路的状态下串联连接。由此，通过使熔丝膜F选择性地熔断，能够将电阻网络al4整体的电阻值在从小的电阻值至大的电阻值的较宽范围之间设定为 任意的电阻值。
[0229]图26是第I参考例的其他的实施方式涉及的贴片电阻器a30的俯视图，表示第I连接电极al2、第2连接电极al3以及电阻网络4的配置关系、以及电阻网络al4在俯视下的结构。贴片电阻器a30与前述的贴片电阻器alO的不同之处在于，电阻网络al4中的单位电阻体R的连接方式。
[0230]也就是说，在贴片电阻器a30的电阻网络al4具有在基板all上矩阵状排列的具有相等电阻值的多个单位电阻体R(在图26的结构中，构成为:沿着行方向(基板all的长度方向)排列8个单位电阻体R，沿着列方向(基板all的宽度方向)排列44个单位电阻体R，包括合计352个单位电阻体R)。并且，这些多个单位电阻体R的I~128个的规定个数被电连接，从而形成多个种类的电阻电路。所形成的多个种类的电阻电路通过作为电路网连接单元的导体膜以及熔丝膜F以并联方式连接。多个熔丝膜F构成为:沿着第2连接电极al3的内侧边排列成配置区域呈直线状，在熔丝膜F被熔断时，连接于熔丝膜的电阻电路从电阻网络al4电分离。
[0231]再者，由于构成电阻网络al4的多个单位电阻体R的材质以及构造、连接用导体膜、熔丝膜F的材质以及构造与之前所说明的贴片电阻器alO中的对应的部位的构造相同，因此省略此处的说明。图27是以图解的方式表示图26所示的电阻网络中的多个种类的电阻电路的连接方式、将它们连接的熔丝膜F的排列关系、以及连接于熔丝膜F的多个种类的电阻电路的连接关系的图。[0232]参照图27，第I连接电极al2连接了电阻网络al4中包含的基准电阻电路R/16的一端。基准电阻电路R/16由16个单位电阻体R的并联连接构成，其另一端连接于剩余的电阻电路所连接的连接用导体膜C。熔丝膜Fl和连接用导体膜C连接了由128个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R128的一端以及另一端。
[0233]熔丝膜F5和连接用导体膜C连接了由64个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R64的一端以及另一端。电阻膜F6和连接用导体膜C串联了由32个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R32的一端以及另一端。熔丝膜F7和连接用导体膜C连接了由16个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R16的一端以及另一端。
[0234]熔丝膜F8和连接用导体膜C连接了由8个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R8的一端以及另一端。熔丝膜F9和连接用导体膜C连接了由4个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R4的一端以及另一端。熔丝膜FlO和连接用导体膜C连接了由2个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路R2的一端以及另一端。
[0235]熔丝膜Fll和连接用导体膜C连接了由I个单位电阻体R的串联连接所构成的电阻电路Rl的一端以及另一端。熔丝膜F12和连接用导体膜C连接了由2个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/2的一端以及另一端。熔丝膜F13和连接用导体膜C连接了由4个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/4的一端以及另一端。
[0236]熔丝膜F14、F15、F16被电连接，这些熔丝膜F14、F15、F16和连接用导体C连接了由8个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/8的一端以及另一端。熔丝膜F17、F18、F19、F20、F21被电连接，这些熔丝膜F17~F21和连接用导体膜C连接了由16个单位电阻体R的并联连接所构成的电阻电路R/16的一端以及另一端。
[0237]熔丝膜F具 备熔丝膜Fl~F21这样的21个熔丝膜，这些熔丝膜全部被连接至第2连接电极al3。由于是这种结构，因此在电阻电路的一端所连接的任意一个熔丝膜F被熔断时，一端连接于该熔丝膜F的电阻电路从电阻网络al4电切离。
[0238]在以电路图表示图27的结构、即贴片电阻器a30中具备的电阻网络al4的结构时，如图28所示。在全部的熔丝膜F尚未被熔断的状态下，电阻网络al4在第I连接电极14以及第2连接电极al3之间构成基准电阻电路R/16与12种类的电阻电路R/16、R/8、R/4、R/2、Rl、R2、R4、R8、R16、R32、R64、Rl28的并联连接电路的串联连接电路。
[0239]并且，在基准电阻电路R/16以外的12种类的电阻电路分别串联连接了熔丝膜F。由此，在具有该电阻网络al4的贴片电阻器a30中，如果根据被要求的电阻值，利用例如激光使熔丝膜F选择性地熔断，则与被熔断的熔丝膜F对应的电阻电路(串联连接了熔丝膜F的电阻电路)从电阻网络al4电分离，能够调整贴片电阻器alO的电阻值。
[0240]换言之，该实施方式涉及的贴片电阻器a30，也通过使与多个种类的电阻电路对应而设置的熔丝膜选择性地熔断，由此能够使多个种类的电阻电路从电阻网络电分离。并且，由于多个种类的电阻电路各自的电阻值已确定，因此能够成为以数字的方式调整电阻网络al4的电阻值从而具有所要求的电阻值的贴片电阻器a30。
[0241]此外，多个种类的电阻电路具备:按照I个、2个、4个、8个、16个、32个、64个以及128个这样的等比数列使单位电阻体R的个数增加来串联连接具有相等电阻值的单位电阻体R而得到的多个种类的串联电阻电路、以及按照2个、4个、8个、16个这样的等比数列使单位电阻体R的个数增加来并联连接相等电阻值的单位电阻体R而得到的多个种类的并联电阻电路。由此，通过使熔丝膜F选择性地熔断，能够将电阻网络al4整体的电阻值细致地且以数字方式设定为任意的电阻值。
[0242]再者，在图28所示的电路中，基准电阻电路R/16以及被并联连接的电阻电路之中的电阻值较小的电阻电路中，存在流过过电流的趋势，在电阻设定时只要将电阻中流过的额定电流设计得较大即可。因此，为了使电流分散，也可以变更电阻网络的连接构造，使得图28所示的电路成为图29(A)所示的电路结构。也就是说，将其变更为如下的电路:该电路中除去了基准电阻电路R/16，且被并联连接的电阻电路包含将最小的电阻值设为r且将电阻值r的电阻单位体Rl并联连接了多组的结构al40。
[0243]图29(B)是表示具体的电阻值的电路图，是形成的电路包含将80Ω的单位电阻体和熔丝膜F的串联连接以并联连接多组而得到的结构al40。由此，能够实现流过的电流的分散。图30是以电路图表示第I参考例的其他实施方式涉及的贴片电阻器中具备的电阻网络al4的电路结构的图。图30所示的电阻网络al4的特征在于，成为了多个种类的电阻电路的串联连接和多个种类的电阻电路的并联连接被串联连接的电路结构。
[0244]在被串联连接的多个种类的电阻电路中，与之前的实施方式同样，按照各电阻电路的每个电阻电路，并联连接了熔丝膜F，从而被串联连接的多个种类的电阻电路全部通过熔丝膜F而处于短路状态。因此，在使熔丝膜F熔断时，被该熔丝膜F短路的电阻电路被电组入电阻网络al4。另一方面，被并联连接的多个种类的电阻电路，分别串联连接了熔丝膜F。因此，通过使熔丝膜F熔断，能够将串联连接了熔丝膜F的电阻电路从电阻电路的并联连接中电分离。
[0245]根据这种结构，例如能够在并联连接侧能够制作出IkQ以下的小电阻，在串联连接侧制作出IkQ以上的电阻电路。由此，能够利用以相等的基本设计所构成的电阻网络al4，制作出从数Ω的小电 阻至数ΜΩ的大电阻的宽范围的电阻电路。此外，在进一步高精度地设定电阻值的情况下，如果预先切断接近于要求电阻值的串联连接侧电阻电路的熔丝膜，则通过使并联连接侧的电阻电路的熔丝膜熔断就能够进行细微的电阻值的调整，可提高向期望电阻值的校准精度。
[0246]图31是表示具有10 Ω~1ΜΩ的电阻值的贴片电阻器中的电阻网络al4的具体的构成例的电路图。图31所示的电阻网络al4也成为将被熔丝膜F短路的多个种类的电阻电路的串联连接和串联连接了熔丝膜F的多个种类的电阻电路的并联连接进行了串联连接的电路结构。
[0247]根据图31的电阻电路，在并联连接侧，能够在精度1%以内设定10~IkQ的任意电阻值。此外，在串联连接侧的电路中，能够在精度1%以内设定Ik~1ΜΩ的任意的电阻值。在使用串联连接侧的电路电路的情况下，存在使接近于期望的电阻值的电阻电路的熔丝膜F预先熔断，以向期望的电阻值进行校准，由此能够更高精度地设定电阻值的这一优点。
[0248]再者，仅说明了熔丝膜F采用与连接用导体膜C同一层的情况，但也可以在连接用导电膜C部分的之上进一步层叠其他的导体膜，以降低导体膜的电阻值。此外，也可以没有电阻体膜，而仅形成连接用导体膜C。再者，即便在这种情况下，如果在熔丝膜F之上不层叠导体膜，则熔丝膜F的熔断性也不会变差。
[0249]图32是用于说明第I参考例的另一实施方式涉及的贴片电阻器a90的主要部分的示意性俯视图。例如，对于上述的贴片电阻器alO (参照图19、图20)、贴片电阻器a30 (参照图26)而言，若在俯视下表示构成电阻电路的电阻体膜线a20和导体膜片a21的关系时，则成为图32(A)所示的结构。也就是说，如图32(A)所示，规定间隔R的区域的电阻体膜线a20部分形成了固定的电阻值r的单位电阻体R。并且，在单位电阻体R的两侧层叠导体膜片a21，通过该导体膜片a21使得电阻体膜线a20被短路。
[0250]在此，在前述的贴片电阻器alO以及贴片电阻器a30中，形成单位电阻体R的电阻体膜线a20部分的长度为例如12 μ m,电阻体膜线a20的宽度为例如1.5 μ m，单位电阻(薄片电阻)为10Ω/口。因此，单位电阻体R的电阻值r为r = 80Ω。不过，在例如图19、图20所示的贴片电阻器alO中，期望不必扩大电阻网络al4的配置区域而提高电阻网络al4的电阻值以实现贴片电阻器alO的高电阻化。
[0251]为此，在该实施方式涉及的贴片电阻器a90中，变更电阻网络al4的布局，并且使构成电阻网络中包含的电阻电路的单位电阻体在俯视下成为图32(B)所示的形状以及大小。参照图32(B)，电阻体膜线a20包括宽度1.5 μ m且直线状延伸的线状的电阻体膜线a20。并且，在电阻体膜线a20中，规定间隔R'的电阻体膜线a20部分形成了固定的电阻值r/的单位电阻体R'。单位电阻体R'的长度设定为例如17 μ m。这样一来，与图32(A)所示的单位电阻体R相比，单位电阻体V的电阻值r'能够形成大致2倍的r' = 160 Ω的单位电阻体。
[0252]此外，在电阻体膜线a20上所层叠的导体膜片a21的长度，无论在图32 (A)所示的结构中、还是在(B)所示的结构中，都能够由相同的长度构成。因此，通过对构成电阻网络al4中所包含的电阻电路的各单位电阻体R'的布局图案进行变更，成为单位电阻体R'能够串联状连接的布局图案，由此贴片电阻器a90可实现高电阻化。
[0253]图33是表示参照图19~25所说明的贴片电阻器alO的制造工序的一例的流程图。接下来，按照该流程图的制造工序，且根据需要参照图19~25来详细说明贴片电阻器alO的制造方法。步骤S1:首先，将基板al I (实际上切分为各个贴片电阻器alO之前的硅晶片(参照图35))配置在规定的处理室中，在其表面通过例如热氧化法形成作为绝缘层al9的二氧化硅(SiO2)层。
[0254]步骤S2:接下来，通过例如溅射法，在绝缘层al9的整个表面形成包含从如下群组中选择出的一种以上在内的材料、例如TiN、TiON或者TiSiON的电阻体膜a20，该群组由NiCr、NiCrAl、NiCrS1、NiCrSiAl、TaN、TaSi02、TiN、TiN0、以及 TiSiON 构成。步骤 S3:接下来，通过例如溅射法，在电阻体膜a20的整个表面层叠形成例如铝(Al)的布线膜a21。被层叠的电阻体膜a20以及布线膜a21的双层膜的合计膜厚可以设定为80(.K)A左右。布线膜a21，也可以替换Al而由AlS1、AlSiCu、或者AlCu等的铝系金属膜形成。通过由Al、AlS1、AlSiCu、或者AlCu等铝系金属膜来形成布线膜a21，可实现工艺加工精度的提高。
[0255]步骤S4:接下来，利用光刻工艺，在布线膜a21的表面，形成与电阻网络al4的俯视下的结构(包含导体膜C以及熔丝膜F的布局图案)对应的抗蚀剂图案(第I抗蚀剂图案的形成)。步骤S5:然后，进行第I蚀刻工序。也就是说，将步骤S4中所形成的第I抗蚀剂图案作为掩模，通过例如反应性离子蚀刻(RIE)对电阻体膜a20以及布线膜a21这种被层叠的双层膜进行蚀刻。并且，在蚀刻之后，第I抗蚀剂图案被剥离。
[0256] 步骤S6:再次利用光刻工艺，形成第2抗蚀剂图案。步骤S6中形成的第2抗蚀剂图案是用于选择性地除去电阻体膜a20上被层叠的布线膜a21从而形成单位电阻体R(图20中赋予细点表示的区域)的图案。步骤S7:将步骤S6中形成的第2抗蚀剂图案作为掩模，通过例如湿法蚀刻，仅对布线膜a21进行选择性地蚀刻(第2蚀刻工序)。在蚀刻之后，第2抗蚀剂图案被剥离。由此，得到图20所示的电阻网络al4的布局图案。
[0257]步骤S8:在该阶段，对基板表面所形成的电阻网络al4的电阻值(电路网al4整体的电阻值)进行测定。对于该测定，例如使多个探针与图20所示的连接于第I连接电极al2 一侧的电阻网络al4的端部、连接于第2连接电极al3 —侧的熔丝膜以及电阻网络al4的端部相接触来进行测定。通过该测定，能够判断制造出的电阻网络al4的初始状态的好坏。
[0258]步骤S9:接下来，形成由例如氮化膜构成的保护膜a22a，使其覆盖在基板all之上所形成的电阻网络al4的整个面。保护膜a22a，也可以替换氮化膜(SiN膜)而是氧化膜(SiO2膜)。该保护膜a22a的形成既可以通过等离子CVD法来进行，也可以形成例如膜厚3000Λ左右的氮化硅膜(SiN膜)。保护膜a22a覆盖被图案化的布线膜a21、电阻体膜a20以及熔丝膜F。
[0259]步骤SlO:从该状态起，使熔丝膜F选择性地熔断，进行用于使贴片电阻器alO与期望的电阻值一致的激光微调。也就是说，如图34(A)所示，向根据步骤S8中进行的整体电阻值测定的测定结果而选择出的熔丝膜F照射激光，从而该熔丝膜F以及位于其下的电阻体膜a20被熔断。由此，被熔丝膜F短路的所对应的电阻电路被组入电阻网络al4中，能够使得电阻网络al4的电阻值与期望的电阻值一致。在对熔丝膜F照射激光时，由于保护膜a22a的作用，在熔丝膜F的附近，激光的能量得到积蓄，从而使得熔丝膜F及其下层的电阻体膜a20熔断。 [0260]步骤Sll:接下来，如图34(B)所示，通过例如等离子CVD法，在保护膜a22a上堆积氮化硅膜，形成钝化膜a22。前述的保护膜a22a在最终形态中与钝化膜a22 —体化，构成该钝化膜a22的一部分。熔丝膜F及其下层的电阻体膜a20切断之后所形成的钝化膜a22，进入在熔丝膜F及其下层的电阻体膜a20熔断时同时被破坏的保护膜a22a的开口 a22b内，以保护熔丝膜F及其下层的电阻体膜a20的切断面。因此，钝化膜a22用于防止在熔丝膜F的切断部位进入异物或者水分。钝化膜a22只要整体是例如丨000..20000A左右的厚度即可，例如也可以形成为具有8000Λ左右的膜厚。此外，如上述，钝化膜a22也可以是硅氧化膜。
[0261]步骤S12:接下来，如图34(C)所示，在整个面涂布树脂膜a23。作为树脂膜a23，利用例如感光性的聚酰亚胺的涂布膜a23。步骤S13:针对该树脂膜a23，进行针对与所述第I连接电极al2、第2连接电极al3的开口对应的区域的曝光工序、以及之后的显影工序，从而能够进行基于光刻的树脂膜的图案化。由此，在树脂膜a23形成用于第I连接电极al2以及第2连接电极al3的焊盘开口。
[0262]步骤S14:之后，进行用于使树脂膜a23硬化的热处理(聚酰亚胺固化)，通过热处理使得聚酰亚胺膜a23稳定化。热处理可以在例如170°C~700°C左右的温度下进行。其结果，还存在电阻体(电阻体膜a20以及被图案化的布线膜a21)的特性变得稳定这一优点。步骤S15:接下来，将在要形成第I连接电极al2以及第2连接电极al3的位置具有贯通孔的聚酰亚胺膜a23作为掩模来进行钝化膜a22的蚀刻。由此，形成使布线膜a21在第I连接电极al2的区域以及第2连接电极al3的区域露出的焊盘开口。钝化膜a22的蚀刻也可以通过反应性离子蚀刻(RIE)来进行。
[0263]步骤S16:将多个探针与从2个焊盘开口露出的布线膜a21相接触，进行用于确认贴片电阻器的电阻值成为了期望的电阻值的电阻值测定(后期测定)。这样，通过进行后期测定，换言之，通过进行最初的测定(初始测定)一熔丝膜F的熔断(激光修复)一后期测定这一连串的处理，可大幅提高针对贴片电阻器alO的微调处理能力。
[0264]步骤S17:在2个焊盘开口内，通过例如非电解镀覆法，使作为外部连接电极的第I连接电极al2以及第2连接电极al3成长。步骤S18:之后，为了将在晶片表面排列形成的多个(例如50万个)的各贴片电阻器分离为各个贴片电阻器alO，而通过光刻形成第3抗蚀剂图案。抗蚀剂膜是为了在晶片的表面、保护例如图36中的各贴片电阻器alO而设置，且按照对各贴片电阻器alO之间进行蚀刻的方式而形成的。
[0265]步骤S19:然后，执行等离子切割。等离子切割是将第3抗蚀剂图案作为掩模的蚀亥|J，在各贴片电阻器alO之间形成与基板all的表面相距规定深度的槽。之后，剥离抗蚀剂膜。步骤S20:然后，例如图35(A)所示，在表面粘贴保护带alOO。
[0266]步骤S21:接下来，进行硅晶片的背面磨削，贴片电阻器被分离为各个贴片电阻器&10(图35(么)(B))。步骤S22:然后，如图35(C)所示，在背面侧贴附载运带(热发泡薄片)a200，被分离为各个贴片电阻器的多个贴片电阻器alO以在载运带a200上排列的状态被保持。另一方面，在表面粘贴的保护带被除去(图35(D))。
[0267]步骤S23:热发泡薄片a200通过被加热，其内部包含的热发泡粒子201膨胀，由此在载运带a200表面粘贴着的各贴片电阻器alO从载运带a200剥离，而分离为各个贴片电阻器(图35(E) (F))。 图37是表示作为使用第I参考例的贴片电阻器的电子设备的一例的智能手机的外观的立体图。智能手机a201构成为在扁平的长方体形状的壳体a202的内部容纳电子部件。壳体a202在表面侧以及背面侧具有长方形状的一对主面，该一对的主面通过4个侧面结合。在壳体a202的一个主面，由液晶面板或有机EL面板等构成的显示面板a203的显示面露出。显示面板a203的显示面构成触摸面板，对使用者提供输入界面。
[0268]显示面板a203形成在壳体a202的占一个主面的大部分的长方形形状。沿着显示面板a203的一个短边，配置了操作按键a204。该实施方式中，多个(3个)的操作按键a204沿着显示面板a203的短边排列。使用者通过对操作按键a204以及触摸面板进行操作，能够进行针对智能手机a201的操作，以调用并执行必要的功能。
[0269]在显示面板a203的另一个短边的附近配置了扬声器a205。扬声器a205提供用于电话功能的接听口，并且还作为用于再现音乐数据等的音响单元使用。另一方面，在操作按键a204的附近，在壳体a202的一个侧面配置了麦克风a206。麦克风a206除了提供用于电话功能的通话口以外，还可用作录音用的麦克风。
[0270]图38是表示在壳体a202的内部容纳的电子电路组件a210的结构的示意性俯视图。电子电路组件a210包括布线基板a211、以及在布线基板a211的安装面所安装的电路部件。多个电路部件包括多个集成电路元件(IC)a212-a220和多个贴片部件。多个IC包括传输处理 ICa212、数位 TV (OneSeg TV)接收 ICa213、GPS 接收 ICa214、FM 调谐器 ICa215、电源ICa216、闪存a217、微型计算机a218、电源ICa219以及基带ICa220。多个贴片部件包括贴片电感器a221、a225、a235、贴片电阻器a222、a224、a233、贴片电容器a227、a230、a234、以及贴片二极管a228、a231。贴片电阻器a222、a224、a233是第I参考例涉及的结构的部件。
[0271]传输处理ICa212内置了用于生成针对显示面板a203的显示控制信号、且接收来自显不面板a203的表面的触摸面板的输入信号的电子电路。为了与显不面板a203之间的连接，而在传输处理ICa212上连接了挠性布线a209。数位TV接收ICa213内置了构成接收机的电子电路，用于接收数位广播(将便携设备作为接收对象的地面数字电视广播)的电波。在数位TV接收ICa213的附近配置了多个贴片电感器a221、和多个贴片电阻器a222。数位TV接收ICa213、贴片电感器a221以及贴片电阻器a222构成数位广播接收电路a223。贴片电感器a221以及贴片电阻器a222分别具有被正确校准后的电感以及电阻，对数位广播接收电路a223提供高精度的电路常数。
[0272]GPS接收ICa214内置有接收来自GPS卫星的电波并输出智能手机a201的位置信息的电子电路。FM调谐器ICa215与在其附近安装于布线基板a211的多个贴片电阻器a224以及多个贴片电感器a225 —起构成FM广播接收电路a226。贴片电阻器a224以及贴片电感器a225分别具有被正确地校准过的电阻值以及电感，对FM广播接收电路a226提供高精度的电路常数。
[0273]在电源ICa216的附近，多个贴片电容器a227以及多个贴片二极管a228被安装在布线基板a211的安装面。电源ICa216与贴片电容器a227以及贴片二极管a228 —起构成电源电路a229。闪 存a217是用于记录操作系统程序、智能手机a201的内部所生成的数据、以及通过通信功能从外部取得的数据及程序等的存储装置。
[0274]微型计算机a218是内置有CPU、ROM以及RAM，且通过执行各种运算处理来实现智能手机a201的多个功能的运算处理电路。更为具体而言，通过微型计算机a218的工作，实现用于图像处理、各种应用程序的运算处理。在电源ICa219的附近，多个贴片电容器a230以及多个贴片二极管a231被安装在布线基板a211的安装面。电源ICa219与贴片电容器a230以及贴片二极管a231 —起构成电源电路a232。
[0275]在基带ICa220的附近，多个贴片电阻器a233、多个贴片电容器a234、以及多个贴片电感器a235被安装在布线基板a211的安装面。基带ICa220与贴片电阻器a233、贴片电容器a234以及贴片电感器a235 —起构成基带通信电路a236。基带通信电路a236提供用于电话通信以及数据通信的通信功能。
[0276]通过这种结构，由电源电路a229、a232适当调整之后的电力被提供给传输处理ICa212、GPS接收ICa214、数位广播接收电路a223、FM广播接收电路a226、基带通信电路a236、闪存a217以及微型计算机a218。微型计算机a218响应介由传输处理ICa212而输入的输入信号来进行运算处理，从传输处理ICa212向显示面板a203输出显示控制信号，使显示面板a203进行各种显示。
[0277]在通过触摸面板或者操作按键a204的操作来指示数位广播的接收时，通过数位广播接收电路a223的工作而接收数位广播。然后，由微型计算机a218执行将接收到的图像输出至显示面板a203、使接收到的声音从扬声器a205发出声音的运算处理。此外，在需要智能手机a201的位置信息时，微型计算机a218取得GPS接收ICa214输出的位置信息，并执行利用该位置信息的运算处理。
[0278]进而，在通过触摸面板或者操作按键a204的操作而输入了 FM广播接收指令时，微型计算机a218使FM广播接收电路a226启动，执行用于将接收到的声音从扬声器a205输出的运算处理。闪存a217被用于通过通信而取得的数据的存储、微型计算机a218的运算、根据来自触摸面板的输入而生成的数据的存储。微型计算机a218根据需要，对闪存a217写入数据，此外，从闪存a217读出数据。
[0279]电话通信或者数据通信的功能由基带通信电路a236来实现。微型计算机a218控制基带通信电路a236，进行用于收发声音或者数据的处理。<第2参考例涉及的发明> (I)关于第2参考例涉及的发明的特征，例如第2参考例涉及的发明的特征在于以下的BI~B160 (BI)贴片电阻器包括:基板；在所述基板上形成的第I电极以及第2电极；第I电阻网络，包含在基板上形成的由具有正的电阻温度系数的第I材料构成的第I电阻体膜、以及具有按照与所述第I电阻体膜相接的方式被层叠的第I布线膜的多个第I电阻体；第2电阻网络，包含在基板上形成的由具有负的电阻温度系数的第2材料构成的第2电阻体膜、以及具有按照与所 述第2电阻体膜相接的方式被层叠的第2布线膜的多个第2电阻体，该第2电阻网络与所述第I电阻网络连接；将所述多个第I电阻体分别连接于所述第I电极的可切断的多个第I熔丝；以及将所述多个第2电阻体分别连接于所述第2电极的可切断的多个第2熔丝。
[0280]根据该结构，在该贴片电阻器中，通过选择性地切断一个或者多个第I熔丝，由此能够使任意的第I电阻体从第I电阻网络分离、或者组入第I电阻网络。同样，通过选择性地切断一个或者多个第2熔丝，由此能够使任意的第2电阻体从第2电阻网络分离、或者组入第2电阻网络。这样一来，由于能够将贴片电阻器整体的电阻值调整至任意值，因此对于贴片电阻器而言，能够容易且快速地对应于多个种类的电阻值。也就是说，对于该贴片电阻器而言，能够以同一设计构造容易地应对多个种类的要求电阻值。再有，通过将具有正的电阻温度系数的第I电阻网络和具有负的电阻温度系数的第2电阻网络连接，从而能够减小贴片电阻器整体的电阻温度系数的绝对值。由此，能够实现贴片电阻器的精度提高。(B2)在BI所述的贴片电阻器的基础上，所述第I电阻体膜由控制氧的组成比以使得电阻温度系数成为正值的TiON或者TiONSi构成，所述第2电阻体膜由控制氧的组成比以使得电阻温度系数成为负值的TiON或者TiONSi构成。
[0281]根据该结构，能够由控制了氧的组成比的TiON或者TiONSi来形成电阻温度系数为正值的第I电阻体膜、电阻温度系数为负值的第2电阻体膜。(B3)在BI或者B2所述的贴片电阻器的基础上，电阻温度系数的绝对值为300ppm/°C以下。
[0282]根据该结构，由于贴片电阻器整体的电阻温度系数的绝对值变小至300ppm/°C以下，因此能够实现贴片电阻器的精度提高。(B4)在BI~B3的任意一项所述的贴片电阻器的基础上，还包括将所述第I电阻网络以及所述第2电阻网络连接的第3电极。根据该结构，能够在第I电极与第3电极之间测定第I电阻网络整体的电阻值，在第2电极与第3电极之间测定第2电阻网络整体的电阻值。由此，能够基于贴片电阻器整体的要求电阻值，计算在第I电阻网络以及第2电阻网络各自当中成为微调对象的电阻值，并选择出为了获得该电阻值而应切断的第I熔丝以及第2熔丝。(B5)在B4所述的贴片电阻器的基础上，还包括使所述第I电极以及所述第2电极露出并覆盖所述第I电阻网络、所述第2电阻网络以及所述第3电极的保护膜。
[0283]根据该结构，能够通过保护膜来保护第I电阻网络、第2电阻网络以及第3电极。(B6)在B5所述的贴片电阻器的基础上，所述多个第I熔丝以及所述多个第2熔丝的至少一个被切断，该被切断的熔丝的切断面由所述保护膜进行覆盖。
[0284]根据该结构，由于通过保护膜防止了在熔丝的切断位置进入异物或者水分，因此能够提高贴片电阻器的可靠性。(B7)在B5~B7的任意一项所述的贴片电阻器的基础上，所述保护膜也可以由SiN构成。(B8)还可以包括覆盖所述保护膜的树脂膜。
[0285]根据该结构，能够通过保护膜以及树脂膜，对第I电阻网络、第2电阻网络以及第3电极进行双重保护。(B9)所述树脂膜也可以由聚酰业胺构成。(BlO)在B8或者B9所述的贴片电阻器的基础上，所述树脂膜按照使所述第I电极以及所述第2电极露出的方式来形成。
[0286]根据该结构，在贴片电阻器被安装在安装基板时，能够通过从树脂膜露出的第I电极以及第2电极，实现与安装基板之间的电连接。(Bll)所述第I布线膜以及所述第2布线膜也可以由Al构成。(B12)所述第I熔丝以及所述第2熔丝也可以由Al构成。(B13)在BI~B12的任意一项所述的贴片电阻器的基础上，所述第I电极以及所述第2电极各自包括Ni层和Au层,所述Au层在最表面露出。
[0287]根据该结构，在电极中，由于Ni层的表面被Au层覆盖，因此能够防止Ni层氧化。(B14)在B13所述的贴片电阻器的基础上，所述第I电极以及所述第2电极各自还包括介于所述Ni层与所述Au层之间的Pd层。根据该结构，在电极中，即便因Au层变薄而会在Au层出现贯通孔(针孔:pin hole)，也会由于介于Ni层与Au层之间的Pd层可堵塞该贯通孔，因此能够防止Ni层从该贯通孔露出至外部而被氧化。(B15)优选电路组件具有以上这种的贴片电阻器。(B16)优选电子设备具备以上这种的贴片电阻器。(2)对于第2参考例涉及的发明的实施方式，以下参照附图来详细说明第2参考例的实施方式。再者，图39~图54中示出的符号仅在这 些附图中有效，即便在其他实施方式中被使用，也并不表示与该其他实施方式的符号相同的要素。
[0288]图39 (a)是用于说明第2参考例的一实施方式涉及的贴片电阻器的结构的示意的立体图。该贴片电阻器bl是微小的贴片部件，如图39(a)所示呈长方体形状。贴片电阻器bl的俯视形状是正交的二边(长边b81、短边b82)分别为0.4mm以下、0.2_以下的矩形。对于贴片电阻器bl的尺寸，优选长度L (长边b81的长度)为约0.3mm，宽度W(短边b82的长度)为约0.15mm,厚度T为约0.1mm。
[0289]通过在基板上以格子状形成多个贴片电阻器bl之后，在该基板上形成槽，然后进行背面磨削(或者利用槽来切断该基板)从而分离为各个贴片电阻器bl，由此获得该贴片电阻器bl。贴片电阻器bl主要具备:构成贴片电阻器bl的主体的基板b2、成为一对外部连接电极的第I电极b3以及第2电极b4、以及通过第I电极b3以及第2电极b4进行外部连接的元件b5。
[0290]基板b2是大致长方体的贴片形状。在基板b2中，图39 (a)中的上表面是表面b2A。表面b2A是在基板b2上形成兀件b5的表面,呈大致长方形状。在基板b2的厚度方向上与表面b2A相反一侧的面是背面b2B。表面b2A与背面b2B为大致同尺寸且同形状，且彼此平行。假定:将由表面b2A中的一对长边b81以及短边b82划分出的矩形状的边缘称为周缘部b85，将由背面b2B中的一对长边b81以及短边b82划分出的矩形状的边缘称为周缘部b90。在从与表面b2A(背面b2B)正交的法线方向观察时，周缘部b85与周缘部b90重合。[0291]基板b2在表面b2A以及背面b2B以外具有多个侧面(侧面b2C、侧面b2D、侧面b2E以及侧面b2F)。该多个侧面与表面b2A以及背面b2B分别交叉(更详细而言为正交)地延伸，连结在表面b2A以及背面b2B之间。侧面b2C被设置在表面b2A以及背面b2B中的长度方向的一侧(图39(a)中的左边前侧)的短边b82之间，侧面b2D被设置在表面b2A以及背面b2B中的长度方向的另一侧(图39(a)中的右纵深侧)的短边b82之间。侧面b2C以及侧面b2D是该长度方向上的基板b2的两端面。侧面b2E被设置在表面b2A以及背面b2B中的短边方向的一侧(图39(a)中的左纵深侧)的长边b81之间，侧面b2F被设置在表面b2A以及背面b2B中的短边方向的另一侧(图39(a)中的右边跟前侧)的长边b81之间。侧面b2E以及侧面b2F是该短边方向上的基板b2的两端面。侧面b2C以及侧面b2D各自与侧面b2E以及侧面b2F分别交叉(更详细而言为正交)。因此，表面b2A~侧面b2F中相邻的侧面彼此形成直角。
[0292]在基板b2中，表面b2A以及侧面b2C~2F各自的整个区域被钝化膜b23 (保护膜)覆盖。因此，严格来说，图39(a)中，表面b2A以及侧面b2C~b2F各自的整个区域位于钝化膜b23的内侧(背面侧)而没有露出至外部。再有，贴片电阻器bl具有树脂膜b24。树脂膜b24覆盖表面b2A上的钝化膜b23的整个区域(周缘部b85及其内侧区域)。关于钝化膜b23以及树脂膜b24在以后详细说明。
[0293]第I电极b3以及第2电极b4在基板b2的表面b2A上形成在比周缘部b85靠内侧的区域(与周缘部b85隔开间隔的位置)，从表面b2A上的树脂膜b24突出而部分地露出。换言之，树脂膜b24在使第I电极b3以及第2电极b4露出的状态下覆盖表面b2A (严格来讲是表面b2A上的钝化膜b23)。第I电极b3以及第2电极b4各自是例如按Ni (镍)、Pd(钯)以及Au (金)的顺序在表面b2A上进行层叠而构成的。第I电极b3以及第2电极b4在表面b2A的长度方向上彼此隔开间隔而配置,是在表面b2A的短边方向上较长的长方形状。图39(a)中，在表面b2A，在靠近侧面b2C的位置设有第I电极b3，在靠近侧面b2D的位置设有第2电极b4。在从前述的法线方向观察的俯视下，第I电极b3以及第2电极b4为大致同尺寸且同形状。
[0294]元件b5是电路元件，形成在基板b2的表面b2A上的第I电极b3与第2电极b4之间的区域，且由钝化膜b23以及树脂膜b24从上表面覆盖。该实施方式的元件b5是电阻b56。电阻b56由在表面b2A上矩阵状排列具有相等电阻值的多个(单位)电阻体R的电阻网络而构成。电阻体R由TiON(氮氧化钛)或者TiONSi (TiSiON)构成。
[0295]贴片电阻器bl除了第I电极b3以及第2电极b4以外，还包括第3电极b6。第3电极b6形成在表面b2A上,是在表面b2A的短边方向上较长的长方形状。图39 (a)中，第3电极b6的长度方向尺寸与第I电极b3以及第2电极b4各自的长度方向尺寸大致相同，第3电极b6的短边方向尺寸比第I电极b3以及第2电极b4各自的短边方向尺寸小，例如是第I电极b3以及第2电极b4各自的短边方向尺寸的一半左右。第3电极b6比第I电极b3以及第2电极b4薄。
[0296] 第3电极b6在表面b2A上被配置在第I电极b3与第2电极b4之间、且与第I电极b3以及第2电极b4分别隔开相等的距离的位置上。由此，表面b2A上的元件b5(电阻b56)被第3电极b3分割为第I电极b3侧的第I电阻网络b31和第2电极b4侧的第2电阻网络b32。[0297]第I电阻网络b31与后述的布线膜b22电连接，介由布线膜b22而电连接于第I电极b3和第3电极b6。第2电阻网络b32与布线膜b22电连接，介由布线膜b22而电连接于第2电极b4和第3电极b6。也就是说，第3电极b6介于第I电阻网络b31与第2电阻网络b32之间，对第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32进行连接。换言之，第I电阻网络b31和第2电阻网络b32介由第3电极b6相互连接。
[0298]如前述那样第I电极b3以及第2电极b4从树脂膜b24部分地露出，相对于此，比第I电极b3以及第2电极b4薄的第3电极b6被钝化膜b23以及树脂膜b24从上表面覆盖而没有露出至外部。图39(b)是沿着贴片电阻器的长度方向对贴片电阻器被安装在安装基板的状态下的电路组件进行切断时的示意性剖视图。再者，图39(b)中在剖视下仅示出了主要部分。
[0299]如图39(b)所示，贴片电阻器bl被安装在安装基板b9上。该状态下的贴片电阻器bl以及安装基板b9构成电路组件blOO。图39(b)中的安装基板b9的上表面是安装面b9A。在安装面b9A形成与安装基板b9的内部电路(未图示)连接的一对(2个)焊盘b88。各焊盘b88例如由Cu构成。在各焊盘b88的表面被设置成焊料bl3从该表面突出。
[0300]在将贴片电阻器bl安装在安装基板b9上的情况下，将自动安装机(未图示)的吸着喷嘴b91吸着在贴片电阻器bl的背面b2B之后使吸着喷嘴b91移动，由此来搬运贴片电阻器bl。此时，吸着喷嘴b91吸着在背面b2B的长度方向上的大致中央部分。然后，将吸着了贴片电阻器bl的吸着喷嘴b91移动至安装基板b9上。此时，贴片电阻器bl的表面b2A与安装基板b9的安装面b9A彼此相对置。在该状态下，使吸着喷嘴b91移动而按压至安装基板b9上，在贴片电阻器bl中，使第I电极b3与一个焊盘b88的焊料bl3接触，使第2电极b4与另一个焊盘b88的焊料b 13接触。接下来，在对焊料b 13进行加热时，焊料b 13熔化。之后，焊料bl3被冷却而凝固时，第I电极b3与该一个焊盘b88介由焊料bl3而接合，第2电极b4与该另一个焊盘b88介由焊料bl3而接合。也就是说,2个焊盘b88分别与第I电极b3以及第2电极b4中对应的电极焊料接合。由此，贴片电阻器bl向安装基板b9的安装(倒片连接)结束，完成了电路组件blOO。再者，作为外部连接电极发挥功能的第I电极b3以及第2电极b4，为了提高焊料润湿性以及提高可靠性而由金(Au)形成、或者如后述那样在表面实施镀金。
[0301]接下来，详细说明贴片电阻器bl的结构。图40是贴片电阻器的俯视图，是表示第I电极、第2电极、第3电极以及元件的配置关系、元件在俯视下的结构(布局图案)的图。再者，为了方便说明，在图40中，贴片电阻器bl的长度L与宽度W的比率不同于图39的情况。
[0302]参照图40，元件b5中的第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自作为一例而具有:由沿着行方向(基板b2的长度方向)排列的8个电阻体R、沿着列方向(基板b2的宽度方向)排列的44个电阻体R构成的合计352个电阻体R。这些电阻体R是构成第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32的各个电阻网络的多个元件要素。在此，电阻体R的特性(后述的电阻温度系数)在第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自当中是不同的。因此，以下有时将构成第I电阻网络b31的多个电阻体R分别称为第I电阻体R1，将构成第2电阻网络b32的多个电阻体R分别称为第2电阻体R2。
[0303]在第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自中，这些多个电阻体R按I个~64个的规定个数被集中而电连接，形成多个种类的电阻电路。所形成的多个种类的电阻电路通过导体膜D(由导体形成的布线膜)连接成规定的样式。再有，为了将电阻电路电组入元件b5 (第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32的任意一个所对应的一方)、或者从元件b5电分离，在基板b2的表面b2A设有可切断(熔断)的多个熔丝F。多个熔丝F以及导体膜D沿着第I电极b3以及第2电极b4各自的内侧边，被排列成配置区域呈直线状。更具体而言，沿着第I电极b3以及第2电极b4各自的内侧边，被配置成多个熔丝F以及导体膜D相邻，且其排列方向呈直线状。沿着第I电极b3的内侧边的多个熔丝F(有时称为“第I熔丝F1”)使多个种类的电阻电路(每个电阻电路的多个第I电阻体Rl)相对于第I电极b3(第I电极b3和第3电极b6之间)分别可切断(可切离)地连接。沿着第2电极b4的内侧边的多个熔丝F(有时称为“第2熔丝F2”)使多个种类的电阻电路(每个电阻电路的多个第2电阻体R2)相对于第2电极b4(第2电极b4与第3电极b6之间)分别可切断(可切离)地连接。
[0304]图41A是将图40所示的元件的一部分放大而描绘出的俯视图。图41B是为了说明元件中的电阻体的结构而描绘出的沿着图41A的B-B的长度方向的纵剖视图。图41C是为了说明元件中的电阻体的结构而描绘出的沿着图41A的C-C的宽度方向的纵剖视图。参照图41A、图41B以及图41C，说明电阻体R的结构。
[0305]贴片电阻器bl除了前述的布线膜b22、钝化膜b23以及树脂膜b24之外，还具备绝缘层b20和电阻体膜b21 (参照图41B以及图41C)。绝缘层b20、电阻体膜b21、布线膜b22、钝化膜b23以及树脂膜b24形成在基板b2 (表面b2A)上。绝缘层b20由SiO2 ( 二氧化硅)
构成。绝缘层b20覆盖基板b2的表面b2A的整个区域。绝缘层b20的厚度为约10000Λ。
[0306]电阻体膜b21 形成在绝缘层b20上。由于电阻体膜b21构成电阻体R,因此对于电阻体膜b21而言，也与电阻体R同样，有时将第I电阻网络b31的电阻体膜b21称为第I电阻体膜b21A，将第2电阻网络b32的电阻体膜b21称为第2电阻体膜b21B(参照后述的图43)。电阻体膜b21由TiN、TiON或者TiONSi形成。电阻体膜b21的厚度为约2000jI。电阻体膜b21构成:在第I电极b3与第3电极b6之间、第2电极b4与第3电极b6之间平行地直线状延伸的多条电阻体膜(以下称为“电阻体膜线b21L”)，有时电阻体膜线b21L在线方向上在规定的位置被切断(参照图41A)。
[0307]在电阻体膜线b21L上层叠布线膜b22。布线膜b22由Al (铝)、或者铝和Cu (铜)的合金(AlCu合金)构成。布线膜b22的厚度为约8000羞。布线膜b22在电阻体膜线b21L上在线方向上隔开固定间隔R而层叠，且与电阻体膜线b21L相接。对于布线膜b22而言，也与电阻体膜b21同样，将第I电阻网络b31的布线膜b22称为第I布线膜b22A，将第2电阻网络b32的布线膜b22称为第2布线膜b22B。因此，在第I电阻网络b31中，第I布线膜b22A按照与第I电阻体膜b21A的电阻体膜线b21L相接的方式被层叠，在第2电阻网络b32中，第2布线膜b22B按照与第2电阻体膜b21B的电阻体膜线b21L相接的方式被层叠(参照图43)。不过，在该实施方式中，第I布线膜b22A和第2布线膜b22B由相同的材料(Al)形成，第I布线膜b22A以及第2布线膜b22B不存在特性上的差异。
[0308]在利用电路符号表示该结构的电阻体膜线b21L以及布线膜b22的电特征时，如图42所示。也就是说，如图42(a)所示那样，规定间隔R的区域的电阻体膜线b21L部分分别形成具有固定的电阻值r的I个电阻体R。并且，在层叠了布线膜b22的区域，通过将布线膜b22相邻的电阻体R彼此电连接，从而由该布线膜b22使得电阻体膜线b21L被短路。由此，形成由图42 (b)所示的电阻r的电阻体R的串联连接所构成的电阻电路。
[0309]此外，由于相邻的电阻体膜线b21L彼此通过电阻体膜b21以及布线膜b22被连接，因此，图41A所示的元件b5中的第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自构成图42(c)所示的(由前述的电阻体R的单位电阻构成)电阻电路。这样，电阻体膜b21以及布线膜b22构成电阻体R、电阻电路(也就是元件b5中的第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32的各个电阻网络)。并且，各电阻体R具有电阻体膜线b21L(电阻体膜b21)、以及在电阻体膜线b21L上在线方向上隔开固定间隔而被层叠的多个布线膜b22。特别地，在第I电阻网络b31中，第I电阻体Rl具有第I电阻体膜b21A以及第I布线膜b22A，在第2电阻网络b32中，第2电阻体R2具有第2电阻体膜b21B以及第2布线膜b22B(参照图43)。并且，在第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自当中，未层叠布线膜b22的固定间隔R部分的电阻体膜线b21L构成I个电阻体R。构成电阻体R的部分中的电阻体膜线b21L的形状以及大小全部相等。由此，在基板b2上以矩阵状排列的多个电阻体R具有相等电阻值。
[0310]此外，在电阻体膜线b21L上层叠的布线膜b22形成电阻体R，并且还发挥用于将多个电阻体R连接而构成电阻电路的导体膜D的作用(参照图40)。图43(a)是包含将图40所示的贴片电阻器的俯视图的一部分进行放大描绘的熔丝在内的区域的部分放大俯视图，图43(b)是表示沿着图43(a)的B-B的剖面构造的图。
[0311]如图43 (a)以及(b)所示，在第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自当中，前述的熔丝F以及导体膜D也由在形成电阻体R的电阻体膜b21上所层叠的布线膜b22来形成。也就是说，在 与形成电阻体R的电阻体膜线b21L上所层叠的布线膜b22相同的层，由与布线膜b22相同的金属材料即Al或者AlCu合金形成熔丝F以及导体膜D。再者，布线膜b22如前述那样，为了形成电阻电路还被用作将多个电阻体R电连接的导体膜D。
[0312]也就是说，在电阻体膜b21上被层叠的同一层中，用于形成电阻体R的布线膜、熔丝F(第I熔丝Fl以及第2熔丝F2)、导体膜D、以及用于将元件b5(第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32)连接于第I电极b3以及第2电极b4的布线膜，作为布线膜b22而利用同一金属材料(Al或者AlCu合金)形成。再者，之所以使熔丝F与布线膜b22不同(相区别)，是因为将熔丝F形成得较细以使得易于切断、以及为了配置成在熔丝F的周围不存在其他的电路要素。
[0313]在此，在布线膜b22中，将配置了熔丝F(第I熔丝Fl以及第2熔丝F2)的区域称为微调对象区域X (参照图40以及图43(a))。微调对象区域X是沿着第I电极b3以及第2电极b4各自的内侧边的直线状区域，在微调对象区域X不仅配置了熔丝F，还配置了导体膜D。此外，在微调对象区域X的布线膜b22的下方还形成电阻体膜b21 (参照图43(b))。并且，熔丝F是在布线膜b22中与微调对象区域X以外的部分相比布线间距离较大(与周围远离)的布线。
[0314]再者，熔丝F不仅是布线膜b22的一部分，还可以指电阻体R(电阻体膜b21)的一部分与电阻体膜b21上的布线膜b22的一部分的集合(熔丝元件)。此外，仅说明了熔丝F使用与导体膜D同一层的情况，但对于导体膜D而言，也可以在其上进一步层叠其他的导体膜，以降低导体膜D整体的电阻值。再者，即便在该情况下，如果在熔丝F之上不层叠导体膜，则熔丝F的熔断性也不会变差。
[0315]此外，参照图43 (b)，前述的电阻体膜b21在第I电阻网络b31与第2电阻网络b32的边界被中断，从而布线膜b22在绝缘层b20上以堵塞该边界的方式被直接层叠，且向基板b2的短边方向直线状延伸。在布线膜b22中堵塞该边界的部分是前述的第3电极b6。此外，图43中，作为一例，示出了位于图43(a)的B-B上的位置处的第2熔丝F2被切断的状态。如图43 (b)所示，钝化膜b23进入被切断的第2熔丝F2的切断位置，第2熔丝F2的切断面FM被钝化膜b23覆盖。
[0316]图44是第2参考例的实施方式涉及的元件的电路图。参照图44，从第I电极b3或者第2电极b4开始按照基准电阻电路R8、和电阻电路R64、2个电阻电路R32、电阻电路R16、电阻电路R8、电阻电路R4、电阻电路R2、电阻电路R1、电阻电路R/2、电阻电路R/4、电阻电路R/8、电阻电路R/16、电阻电路R/32的顺序进行串联连接，来构成元件b5中的第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32的各电阻网络。基准电阻电路R8以及电阻电路R64~R2的各个电阻电路是通过将与自身的末尾的数目(R64的情况下为“64”)相同数目的电阻体R串联连接而构成的。电阻电路Rl由I个电阻体R构成。电阻电路R/2~R/32各自是通过将与自身的末尾的数目(R/32的情况下为“32”)相同数目的电阻体R并联连接而构成的。对于电阻电路的末尾的数目的意义，在后述的图45以及图46中也相同。
[0317]并且，对于基准电阻电路R8以外的电阻电路R64~电阻电路R/32的各个电阻电路，一个一个地并联连接了熔丝F。熔丝F彼此直接或者介由导体膜D(参照图43(a))而串联连接。如图44所示，在全部的熔丝F尚未被熔断的状态下，第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32构成将在第I电极b3以及第3电极b6间设置的基准电阻电路R8 (由8个电阻体R的串联连接所构成)和在第2电极b4以及第3电极b6间设置的其他基准电阻电路R8串联连接的电阻电路 。例如，如果将I个电阻体R的电阻值r设为r = 8 Ω，则通过将Sr = 64Ω的电阻电路(基准电阻电路R8)串联连接2个，构成连接了第I电极b3以及第2电极b4的贴片电阻器bl。
[0318]此外，在第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自当中，在全部的熔丝F未被熔断的状态下，基准电阻电路R8以外的多个种类的电阻电路处于被短路的状态。也就是说，在第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自中，基准电阻电路R8串联连接了 12种类的13个电阻电路R64~R/32，但由于各电阻电路被各自并联连接的熔丝F所短路，因此各电阻电路未被电组入元件b5(第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32)。
[0319]在该实施方式涉及的贴片电阻器bl中，根据要求的电阻值，利用例如激光使熔丝F选择性地熔断。由此，并联连接的熔丝F被熔断的电阻电路被组入至元件b5(第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32中对应的一方)。由此，能够将元件b5的整体电阻值设定为被熔断的熔丝F所对应的电阻电路被串联连接而被组入的电阻值。
[0320]特别地，多个种类的电阻电路具备:按I个、2个、4个、8个、16个、32个...的公比为2的等比数列使电阻体R的个数增加来串联连接具有相等电阻值的电阻体R而得到的多个种类的串联电阻电路、以及按2个、4个、8个、16个...的公比为2的等比数列使电阻体R的个数增加来并联连接相等电阻值的电阻体R而得到的多个种类的并联电阻电路。因此，通过使熔丝F (还包括前述的熔丝元件)选择性地熔断，由此能够细致且以数字方式调整元件b5(电阻b56)整体的电阻值，使其成为任意的电阻值，在贴片电阻器bl中能够产生期望值的电阻。
[0321]图45是第2参考例的其他实施方式涉及的元件的电路图。如图44所示，可以取代将基准电阻电路R8以及电阻电路R64~电阻电路R/32串联连接而构成第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32的各个电阻网络，而如图45所示那样构成第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32的各个电阻网络。详细而言，在第I电极b3或者第2电极b4与第3电极b6之间，由基准电阻电路R/16与12种类的电阻电路R/16、R/8、R/4、R/2、RU R2、R4、R8、R16、R32、R64、R128的并联连接电路之间的串联连接电路来构成第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32的各个电阻网络。
[0322]在该情况下，在第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自当中，基准电阻电路R/16以外的12种类的电阻电路分别被串联连接于熔丝F。在全部的熔丝F尚未被熔断的状态下，各电阻电路被电组入元件b5(第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32)。根据被要求的电阻值，如果利用例如激光使熔丝F选择性地熔断，则由于与被熔断的熔丝F对应的电阻电路(熔丝F串联连接的电阻电路)从元件b5(第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32中对应的一方)电分离，因此能够调整贴片电阻器bl整体的电阻值。
[0323]图46是第2参考例的另一实施方式涉及的元件的电路图。图46所示的元件b5的特征在于，通过将多个种类的电阻电路的串联连接与多个种类的电阻电路的并联连接进行串联连接，从而构成第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32的各个电阻网络。在第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自当中，串联连接的多个种类的电阻电路与之前的实施方式同样，每个电阻电路并联连接了熔丝F，从而串联连接的多个种类的电阻电路全部通过熔丝F而处于短路状态。因此，在使熔丝F熔断时，被该熔断的熔丝F所短路的电阻电路被电组入元件b5。
[0324]另一方面，在第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自当中，被并联连接的多个种类的电阻电路分别串联连接了熔丝F。因此，通过使熔丝F熔断，能够使被熔断的熔丝F串联连接的电阻电路从电阻电路的并联连接电分离。根据这种构成，例如如果在并联连接侧制作出IkQ以下的小电阻、在串联连接侧制作出IkQ以上的电阻电路，则能够利用以相等的基本设计构成的电阻的电路网(第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32)制作出从数Ω的小电阻至数ΜΩ的大电阻的宽范围的电阻电路。也就是说，在贴片电阻器bl中，通过使一个或者多个熔丝F选择性切断，能够容易且快速地对应于多个种类的电阻值。换言之，通过组合电阻值不同的多个电阻体R，从而能够以共同的设计实现各种电阻值的贴片电阻器b I。
[0325]如以上，在该贴片电阻器bl中，在微调对象区域X能够变更多个电阻体R(电阻电路)的连接状态。图47是贴片电阻器的示意性剖视图。接下来，参照图47，对贴片电阻器bl进行详细说明。再者，为了方便说明，图47中对于前述的元件b5进行简化表示，并且在基板b2以外的各要素赋予了阴影。
[0326]在此，对于前述的钝化膜b23以及树脂膜b24进行说明。钝化膜b23由例如SiN (氮化硅)构成，其厚度为 1000A~5000Λ (在此为约3000Λ)。钝化膜b23在表面b2A以及侧面b2C~b2F各自当中的整个区域进行设置。表面b2A上的钝化膜b23从表面(图47的上侦?覆盖电阻体膜b21以及电阻体膜b21上的各布线膜b22(也就是作为元件b5的第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32的双方)，覆盖了元件b5中的各电阻体R的上表面。因此，钝化膜b23也覆盖了前述的微调对象区域X中的布线膜b22 (熔丝F)(参照图43 (b))。此外，钝化膜b23与元件b5(布线膜b22以及电阻体膜b21)相接，在电阻体膜b21以外的区域还与绝缘层b20相接。由此，表面b2A上的钝化膜b23从元件b5(第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32)、熔丝F、第3电极b6以及绝缘层b20之上覆盖了表面b2A整个区域。因此，能够由钝化膜b23保护第I电阻网络b31、第2电阻网络b32以及第3电极b6。此外，对于表面b2A而言，由钝化膜b23防止电阻体R间的布线膜b22以外的短路(相邻的电阻体膜线b21L间的短路)。
[0327]另一方面，在侧面b2C~b2F分别设置的钝化膜b23作为保护侧面b2C~b2F的各个侧面的保护层发挥功能。侧面b2C~b2F各自与表面b2A的边界是前述的周缘部b85，但钝化膜b23还覆盖了该边界(周缘部b85)。在钝化膜b23中，将覆盖周缘部b85的部分(与周缘部b85重合的部分)称为端部b23A。再者，由于钝化膜b23是极薄的膜，因此在本实施方式中，将覆盖侧面b2C~b2F各自的钝化膜b23视为基板b2的一部分。因此，将覆盖侧面b2C~b2F各自的钝化膜b23视为侧面b2C~b2F本身。
[0328]树脂膜b24，与钝化膜b23 —起保护贴片电阻器bl的表面b2A，且由聚酰亚胺等树脂构成。树脂膜b24的厚度为约5 μ m。树脂膜b24在表面b2A上的钝化膜b23上形成，覆盖钝化膜b23的表面(包含在钝化膜b23覆盖的电阻体膜b21以及布线膜b22)的整个区域。因此，由钝化膜b23以及树脂膜b24能够对第I电阻网络b31、第2电阻网络b32以及第3电极b6进行双重保护。树脂膜b24的周缘部在俯视下与钝化膜b23的端部b23A (表面b2A的周缘部b85) —致。
[0329]在树脂膜b24中，在俯视下分离的2个位置，各形成一个开口 b25。各开口 b25是将树脂膜b24以及钝化膜b23在各自的厚度方向上连续地贯通的贯通孔。因此，开口 b25不仅形成在树脂膜b24，还形成在钝化膜b23。布线膜b22的一部分从各开口 b25露出。在布线膜b22中从各开口 b25露出的部分成为外部连接用的焊盘区域b22P。
[0330]2个开口 b25之中的一个开口 b25被第I电极b3填埋，另一个开口 b25被第2电极b4填埋。在此，第I电极b3以及第2电极b4各自从表面b2A侧开始依次具有Ni层b33、Pd层b34以及Au层b35。因此，在第I电极b3以及第2电极b4各自当中，Pd层b34介于Ni层b33与Au层b35之间。在第I电极b3以及第2电极b4各自中，Ni层b33占各连接电极的大部分，Pd层b34以及Au层b35与Ni层b33相比被形成得非常薄。在贴片电阻器bl被安装在安装基板b9时(参照图39 (b))，Ni层b33具有对各开口 b25的焊盘区域b22P处的布线膜b22的Al和前述的焊料bl3进行中继的作用。
[0331]这样，在第I电极b3以及第2电极b4中，Ni层b33的表面被Au层b35覆盖，因此能够防止Ni层b33氧化。此外，在第I电极b3以及第2电极b4中，通过使Au层b35变薄而即便在Au层b35出现了贯通孔(针孔)，也由于介于Ni层b33与Au层b35之间的Pd层b34堵塞该贯通孔，因此能够防止Ni层b33从该贯通孔露出至外部而被氧化。
[0332] 并且，在第I电极b3以及第2电极b4各自中，Au层b35在最表面露出，从树脂膜b24的开口 b25面对外部。第I电极b3介由一个开口 b25与该开口 b25处的焊盘区域b22P接触，在该焊盘区域b22P与布线膜b22电连接。此外，第2电极b4介由另一个开口 b25与该开口 b25处的焊盘区域b22P接触，在该焊盘区域b22P与布线膜b22电连接。在第I电极b3以及第2电极b4各自当中，Ni层b33与焊盘区域b22P连接。由此，第I电极b3以及第2电极b4各自与元件b5电连接。在此，将与第I电极b3接触的焊盘区域b22P视为第I电极b3的一部分，将与第2电极b4接触的焊盘区域b22P视为第2电极b4的一部分。此外，布线膜b22形成与电阻体R的集合(电阻b56)、第I电极b3、第2电极b4以及第3电极b6分别连接的布线。
[0333]这样，形成有开口 b25的树脂膜b24以及钝化膜b23，在从开口 b25使第I电极b3以及第2电极b4露出的状态下覆盖表面b2A。因此，在贴片电阻器bl安装在安装基板b9时，通过从树脂膜b24露出的第I电极b3以及第2电极b4能够实现与安装基板b9的电连接(参照图39(b))。
[0334]并且，位于第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32之间的布线膜b22(前述的第3电极b6)被钝化膜b23以及树脂膜b24覆盖 。图48A~图48M是表示图47所示的贴片电阻器的制造方法的意性剖视图。
[0335]首先，如图48A所示，准备成为基板b2的基础的基层b30。该情况下，基板b30的表面b30A是基板b2的表面b2A，基板b30的背面b30B是基板b2的背面b2B。并且，使基板b30的表面b30A热氧化，从而在表面b30A形成由SiO2等构成的绝缘层b20。
[0336]接下来，在绝缘层b20上，形成抗蚀剂图案b36。抗蚀剂图案b36在绝缘层b20中覆盖要形成前述的第2电阻网络b32以及第3电极b6的预定的区域，除此以外的区域(形成第I电阻网络b31的预定的区域)不被覆盖。接下来，通过溅射形成TiON或者TiONSi的第I电阻体膜b21A。第I电阻体膜b21A在形成有抗蚀剂图案b36的区域被形成在抗蚀剂图案b36上，在没有形成抗蚀剂图案b36的区域被形成在绝缘层b20上。在此的溅射是在流过氧以及氮的同时进行的。此时，氮或氧对Ti的靶电极进行撞击，Ti的原子从靶电极飞出。Ti的原子与氮原子、氧原子结合，从而生成TiON，成为第I电阻体膜b21A而附着在绝缘层b20上、抗蚀剂图案b36上。此时，在附着于绝缘层b20的TiON与绝缘层b20下的基板b30 (在此，由Si构成的硅基板)的Si结合时，在绝缘层b20上形成由TiONSi构成的第I电阻体膜b21A。
[0337]在此，溅射中流过的氧的流量根据作为目标的电阻温度系数而被调整。所谓电阻温度系数是电阻体膜b21的温度特性之一，主要取决于构成电阻体膜b21的物质。因此，在电阻体膜b21完成之后，难以调整该电阻体膜b21的电阻温度系数。为此，通过在电阻体膜b21的形成过程中即溅射中调整氧流量，从而能够通过调整构成电阻体膜b21的TiON或者TiONSi的组成来进行控制使得电阻温度系数成为期望值。
[0338]具体而言，由于在增加溅射中的氧流量时，也相应地促进了 Ti原子与氧原子的结合，因此完成之后的电阻体膜b21的TiON或者TiONSi中的氧的组成比增加。随着氧的组成比(换言之，氧流量)增加，对于电阻体膜b21而言，电阻温度系数下降。也就是说，通过调整氧流量，能够控制电阻体R的温度特性(电阻温度系数)。
[0339]在这里的溅射时，调整氧流量(使其减少)，使得所完成的第I电阻体膜b21A的电阻温度系数成为正值(优选为300ppm/°C以下的正值)。由此，所完成的第I电阻体膜b21A由控制了氧的组成比以使得电阻温度系数成为正值的TiON或者TiONSi (第I材料)构成。
[0340]这样，在形成了第I电阻体膜b21A之后，通过其他的溅射，在第I电阻体膜b21A之上层叠铝(Al)的第I布线膜b22A，使得其与第I电阻体膜b21A相接。然后，与抗蚀剂图案b36 —起，揭开(除去)抗蚀剂图案b36上的第I电阻体膜b21A以及第I布线膜b22A。由此，仅在要形成第I电阻网络b31的预定的区域，残留第I电阻体膜b21A以及第I布线膜 b22A。
[0341]之后，利用光刻工艺,通过例如RIE (Reactive 1n Etching:反应性离子蚀刻)等的干法蚀刻，如图48B所示，使第I电阻体膜b21A以及第I布线膜b22A选择性地除去，并进行图案化。由此，在俯视下，在要形成第I电阻网络b31的预定的区域，得到层叠了使第I电阻体膜b21A的固定宽度的电阻体膜线b21L(参照图41A)隔开固定间隔而在列方向上排列的结构。此时，还形成电阻体膜线b21L以及布线膜b22被部分地切断的区域，并且在前述的微调对象区域X形成熔丝F以及导体膜D (参照图40)。在此，通过干法蚀刻，能够使电阻体膜线b21L(换言之，成为多个电阻体R的部分)以及熔丝F高精度地形成。
[0342]接下来，通过例如湿法蚀刻，使在第I电阻体膜b21A的电阻体膜线b21L之上层叠的第I布线膜b22A如图48C所示那样选择性地除去。其结果，得到在第I电阻体膜b21A的电阻体膜线b21L上隔开固定间隔R来层叠布线膜b22的结构的第I电阻网络b31。此时，为了确认第I电阻体膜b21A以及第I布线膜b22A是否由目标尺寸形成，可以测定第I电阻网络b31整体的电阻值。
[0343]接下来，在绝缘层b20以及第I电阻网络b31上形成抗蚀剂图案b37。抗蚀剂图案b37在绝缘层b20覆盖了已形成第I电阻网络b31的区域和要形成第3电极b6的预定的区域，除此以外的区域(要形成第2电阻网络b32的预定的区域)未被覆盖。接下来，通过溅射形成TiON或者TiONSi的第2电阻体膜b21B。第2电阻体膜b21B，在形成有抗蚀剂图案b37的区域被形成在抗蚀剂图案b37上，在未形成抗蚀剂图案b37的区域被形成在绝缘层b20上。这里的溅射与形成第I电阻体膜b21A的情况下的溅射相同。并且，对于这里的溅射而言，与形成第I电阻体膜b21A时的溅射同样地调整氧流量。不过，在进行这里的溅射时，与形成第I电 阻体膜b21A时的溅射不同，按照完成的第2电阻体膜b21B的电阻温度系数成为负值(优选为-300ppm/°C以上的负值)的方式来调整氧流量(使其增加)。由此，完成的第2电阻体膜b21B由控制了氧的组成比以使其电阻温度系数成为负值的TiON或者TiONSi (第2材料)构成。
[0344]如以上，能够由控制了氧的组成比的TiON或者TiONSi形成电阻温度系数为正值的第I电阻体膜b21A、电阻温度系数为负值的第2电阻体膜b21B。于是，在这样形成了第2电阻体膜b21B之后，通过其他的溅射，在第2电阻体膜b21B之上层叠铝(Al)的第2布线膜b22B，以使其与第2电阻体膜b21B相接。
[0345]然后，与抗蚀剂图案b37 —起揭开(除去)抗蚀剂图案b37上的第2电阻体膜b2 IB以及第2布线膜b22B。由此，仅在要形成第2电阻网络b32的预定的区域，残留第2电阻体膜b21B以及第2布线膜b22B。之后，利用光刻工艺，通过例如RIE等的干法蚀刻，如图48D所示那样使第2电阻体膜b21B以及第2布线膜b22B选择性地除去，并进行图案化。由此，在俯视下，仅在要形成第2电阻网络b32的预定的区域，得到层叠了第2电阻体膜b21B的固定宽度的电阻体膜线b21L(参照图41A)隔开固定间隔在列方向上排列的结构。此时，还形成电阻体膜线b21L以及布线膜b22部分地被切断的区域，并且在前述的微调对象区域X形成熔丝F以及导体膜D (参照图40)。
[0346]接下来，通过例如湿法蚀刻，使在第2电阻体膜b21B的电阻体膜线b21L之上层叠的第2布线膜b22B如图48E所示那样选择性地除去。其结果，得到在第2布线膜b22B的电阻体膜线b21L上隔开固定间隔R来层叠布线膜b22的结构的第2电阻网络b32。此时，为了确认第2电阻体膜b21B以及第2布线膜b22B是否以目标尺寸形成，可以测定第2电阻网络b32整体的电阻值。
[0347]接着，如图48F所示，在绝缘层b20中在第I电阻网络b31与第2电阻网络b32的边界层叠铝(Al)的布线膜b22。此时，在基板b30上，通过由抗蚀剂图案(未图示)覆盖了该区域以外的部分的状态下的Al的溅射，从而在该边界层叠布线膜b22。在该边界所层叠的布线膜b22成为第3电极b6。
[0348]在第3电极b6完成时，第I电阻网络b31和第2电阻网络b32通过第3电极b6被串联电连接，元件b5整体完成。电阻温度系数为正值的第I电阻网络b31和电阻温度系数为负值的第2电阻网络b32被连接，从而使第I电阻网络b31的电阻温度系数和第2电阻网络b32的电阻温度系数相抵消。由此，元件b5整体的电阻温度系数的绝对值变为极小的300ppm/°C以下。尽管通过前述的氧流量的调整而能够控制电阻温度系数，但仅仅通过氧流量的调整(也就是电阻体膜b21的成膜条件)来减小电阻温度系数的绝对值是有限的。为此，如本实施方式，通过使第I电阻网络b31的正的电阻温度系数和第2电阻网络b32的负的电阻温度系数相抵消，从而能够减小元件b5整体的电阻温度系数的绝对值。
[0349]再者，在该实施方式中，由于第I布线膜b22A、第2布线膜b22B、第3电极b6的布线膜b22以相同的材料形成，因此也可以在先完成了第I电阻体膜b21A以及第2电阻体膜b21B的形成(也包含蚀刻)之后，一并形成第I布线膜b22A、第2布线膜b22B、第3电极b6的布线膜b22。 [0350]参照图48F，元件b5(连接状态的第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32的集合)是根据在I片基板b30要形成的贴片电阻器bl的数目而形成在基板b30的表面b30A上的多个位置处的。在基板b30上形成了元件b5的I个区域称为贴片部件区域Y时，在基板b30的表面b30A形成(设定)多个贴片部件区域Y (也就是说元件b5)。一个贴片部件区域Y与俯视已完成的I个贴片电阻器bl(参照图47)的情况一致。并且，在基板b30的表面b30A，将相邻的贴片部件区域Y之间的区域称为边界区域Z。边界区域Z呈带状，在俯视下以格子状延伸。在由边界区域Z划分出的I个格子中配置了一个贴片部件区域Y。由于边界区域Z的宽度为极窄的I μ m~60 μ m(例如20 μ m)，因此能够在基板b30确保较多的贴片部件区域Y，其结果，能够实现贴片电阻器bl的大量生产。
[0351]接下来，如图48G所示，通过CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相生长)法，将由SiN构成的绝缘膜b45形成在基板b30的表面b30A的整个区域。绝缘膜b45整个覆盖绝缘层b20以及绝缘层b20上的元件b5 (电阻体膜b21、布线膜b22)，并与它们相接。因此，绝缘膜b45也覆盖前述的微调对象区域X(参照图40)中的布线膜b22。此外，绝缘膜b45在基板b30的表面b30A被形成在整个区域，因此在表面b30A被延伸形成至微调对象区域X以外的区域。由此，绝缘膜b45成为保护表面b30A (也包含表面b30A上的元件b5)的整个区域的保护膜。
[0352]接着，如图48H所示，在基板b30的表面b30A的整个区域形成抗蚀剂图案b41，使得完全覆盖绝缘膜b45。在抗蚀剂图案b41形成开口 b42。图49是为了在图48H的工序中形成槽而使用的抗蚀剂图案的一部分的示意性俯视图。[0353]参照图49，抗蚀剂图案b41的开口 b42与将多个贴片电阻器bl (换言之，前述的贴片部件区域Y)矩阵状(也是格子状)配置的情况下在俯视下相邻的贴片电阻器bl的轮廓之间的区域(图49中为赋予阴影的部分，换言之为边界区域Z) —致(对应)。因此，开口b42的整体形状成为具有多个彼此正交的直线部分b42A以及b42B的格子状。
[0354]在抗蚀剂图案b41中，开口 b42处彼此正交的直线部分b42A以及b42B在保持相互正交的状态(不弯曲)的同时进行连结。因此，直线部分b42A以及b42B的交叉部分b43在俯视下变尖呈大致90°。参照图48H，通过将抗蚀剂图案b41作为掩模的等离子蚀刻，对绝缘膜b45、绝缘层b20以及基板b30分别进行选择性地除去。由此，在相邻的元件b5(贴片部件区域Y)之间的边界区域Z除去基板b30的材料。其结果，在俯视下与抗蚀剂图案b41的开口 b42 —致的位置(边界区域Z)，形成贯通绝缘膜b45以及绝缘层b20而从基板b30的表面b30A到达基板b30的厚度中途的规定深度的槽b44。槽b44是由彼此对置的I对侧壁b44A、和连接该I对侧壁b44A的下端(基板b30的背面b30B侧的一端)之间的底壁b44B进行划分而得到的。将基板b30的表面b30A作为基准的槽b44的深度为约100 μ m,槽b44的宽度(对置的侧壁b44A的间隔)为约20 μ m，在深度方向整个区域是固定的。
[0355]基板b30中的槽b44的整体形状在俯视下成为与抗蚀剂图案b41的开口 b42(参照图49) 一致的格子状。并且，在基板b30的表面b30A，槽b44中的矩形框体部分(边界区域Z)包围形成了各元件b5的贴片部件区域Y的周围。基板b30中形成了元件b5的部分，是贴片电阻器bl的半成品b50。在基板b30的表面b30A，半成品b50 —个一个地位于被槽b44包围的贴片部件区域Y，这些半成品b50以矩阵状排列配置。通过这样形成槽b44，从而将基板b30分离为多个贴片部件区域Y的每个部件区域的基板b2。
[0356]如图48H所示，在形成了槽b44之后，除去抗蚀剂图案b41，如图481所示通过利用了掩模b65的蚀刻,使绝缘膜b45选择性地除去。对于掩模b65而言,在绝缘膜b45中在俯视下与各焊盘区域b22P (参照图47)和第3电极b6 —致的部分，形成开口 b66。由此，通过蚀刻，在绝缘膜b45中与开口 b66—致的部分被除去，在该部分形成开口 b25。由此，绝缘膜b45被形成为在开口 b25使各焊盘区域b22P和第3电极b6露出。对于一个半成品b50而言，形成3个开口 b25。
[0357]在各半成品b50中，在绝缘膜b45形成了 3个开口 b25之后，使电阻测定装置(未图示)的探针b70与各开口 b25的焊盘区域b22P以及第3电极b6接触，从而测定第I电阻网络b31的电阻值、第2电阻网络b32的电阻值、以及元件b5整体的电阻值。基于在此的测定结果，从多个熔丝F之中选择应切断的熔丝F (多个第I熔丝Fl以及多个第2熔丝F2的至少一个)。
[0358]然后，通过将穿越过绝缘膜b45的激光(未图示)照射至(之前选择的)熔丝F(参照图40)，从而利用激光对前述的微调对象区域X的布线膜b22进行微调，将该熔丝F切断(熔断)。这样一来，通过使熔丝F熔断(微调)而使得成为需要的电阻值，从而如前述那样能够调整半成品b50(换言之、贴片电阻器bl)整体的电阻值。
[0359]图50是微调前的元件的电路图。图51是微调后的元件的电路图。接下来，参照图50以及图51，说明微调的步骤的详细内容。在图50以及图51各自当中，Ra是第I电阻网络b31整体的最初(微调前)的电阻值，Rb是第2电阻网络b32整体的最初(微调前)的电阻值。Ra是根据贴片电阻器bl整体的要求电阻值R而在第I电阻网络b31中通过微调应该改变(详细而言，增加)的电阻值(第I电阻网络b31中应作为微调对象的第I电阻体Rl的合计电阻值)。Rb是根据所述要求电阻值R而在第2电阻网络b32中通过微调应该改变(详细而言，增加)的电阻值(第2电阻网络b32中应作为微调对象的第2电阻体R2的合计电阻值)。此外，TCRa是构成第I电阻网络b31的第I电阻体膜b21A中固有的电阻温度系数，TCRb是构成第2电阻网络b32的第2电阻体膜b21B中固有的电阻温度系数。
[0360]在此，由于要求电阻值R是Ra、Ra、RB、Rb的合计值(相对于最初的Ra以及Rb的合计而仅改变Ra以及Rb的合计之后的值)，因此，由以下的式(I)表示。要求电阻值R =RA+Ra+RB+Rb…式(I)。作为一例，考虑将贴片电阻器bl整体的要求电阻值R在任意温度下设定为2000 Ω、使贴片电阻器bl整体的电阻温度系数TCR与0ppm/°C—致的情况。若使电阻温度系数TCR与0ppm/°C—致，则例如常温(25°C)下的贴片电阻器bl整体的电阻值R25、和125°C下的贴片电阻器bl整体的电阻值R125都为2000 Ω。由此，只要计算Ra以及Rb使得TCR = 0ppm/°C、R25 = R125 = 2000 Ω，并进行微调使得产生计算后的Ra以及Rb即可。
[0361]在该情况下，首先，参照图50，测定25°C以及125°C各自中的^以及RB。具体而言，在各个温度下，使前述的探针b70(参照图481)与第I电极b3(连接第I电极b3的预定的焊盘区域b22P)以及第3电极b6的各电极接触，来测定第I电极b3与第3电极b6之间(也就是第I电阻网络b31)处的电阻值Ra。此外，在各个温度下，使探针b70与第2电极b4(连接第2电极b4的预定的焊盘区域b22P)以及第3电极b6的各电极接触，来测定第2电极b4与第3电极b6之间(也就是第2电阻网络b32)处的电阻值RB。将25°C下的Ra称为Ra25 (后述的Ra25中也同样)，将125°c下的Ra称为Rai25 (后述的Ral25中也同样)。同样，将25°C下的Rb称为Rb25 (后述的Rb25中也同样)，将125°C下的Rb称为Rb125 (后述的Rbl25中也同样)。在此，所测定的结果是:RA25为800.0 Ω，Rai25为840.0 Ω，Rb25为700.0 Ω，Rb125为 672.0Ω。
[0362]接下来，、将刚才测定出的25°C以及125°C的各温度下的Ra代入如下的式⑵来计算TCRa,将刚才测定出的25°C以及125°C的各温度下的Rb代入如下的式(3)来计算TCRB。
[0363]TCRa = (Rai25-Ra25) / (Ra25.Δ temp) = (Ral25-Ra25) / (Ra25.Δ temp)
[0364]…式(2)
[0365]TCRb = (Rb125-Rb25) / (RB25.Δ temp) = (Rbl25-Rb25) / (Rb25.Δ temp)…式(3)
[0366]在此，在上述式⑵以及式(3)中，Atemp= 100°C ( = 125°C -25°C )。
[0367]并且，根据刚才的Ra25以及Rai25的测定结果，基于式⑵计算出TCRaS 500ppm/°C。此外，根据刚才的Rb25以及Rb125的测定结果，基于式(3)计算出TCRb为-400ppm/°C。接下来，基于式(I)~式(3)来计算Ra以及Rb。在此，在加入25°C的温度条件并将25°C下的要求电阻值R表示为R25时，式⑴能够表示为如下的式(4)。
[0368]R25 = RA25+Ra25+RB25+Rb25 …式⑷
[0369]此外，在加入125°C的温度条件并将125°C下的要求电阻值R表示为R125时，式
(I)能够表示为如下的式(5)。
[0370]R125 — RA125+Ral25+RB125+Rbl25 …式(5)
[0371] 在此，根据式(2)，得到以下的式(6)以及式(7)，在将式(6)以及式(7)合并时，得到式(S)0此外，根据式(3)，得到以下的式(9)以及式(10)，在将式(9)以及式(10)合并时，得到式(11)。
[0372]Rai25 = Ra25.Atemp.TCRA+RA25 …式(6)
[0373]Ral25 = Ra25.Atemp.TCRA+Ra25 …式(7)
[0374]RA125+Ral25 = TCRa.(RA25+Ra25).Λ temp+(RA25+Ra25)…式(8)
[0375]Rb125 = Rb25.Atemp.TCRB+RB25 …式(9)
[0376]Rbl25 = Rb25.Atemp.TCRB+Rb25 …式(10)
[0377]RBi25+Rbi25 — TCRb.(RB25+Rb25).八 temp+(RB25+Rb25)…式(11)
[0378]此外，在式(5)中代入式(8)以及式(11)时，得到如下的式(12)。
[0379]R125 — RA125+Ral25+RB125+Rbl25 — TCRA.(RA25+Ra25).八 ?θΠ?ρ+ (RA25+Ra25) +TCRb.(RB25+Rb25)? Δ temp+(RB25+Rb25)…式(12)
[0380]进而，在由式(4)以及式(12)组成的联立方程式中，代入刚才得到的TCRa( =500ppm/°C )、TCRb ( = -400ppm/°C )、Ra25 ( = 8 0 0.0 Ω )、Rb25 ( = 7 0 0.0 Ω )以及 Δ temp (=IOO0C )，来计算 Ra25 以及 Rb250 这里，作为前提，R25 = R125 ( = 2000 Ω )。 [0381]计算出的结果是Ra25为88.9Ω，Rb25为411.1Ω。进而，选择一个或者多个第I熔丝Fl (为了产生88.9 Ω的Ra25而需要微调的第I熔丝Fl)，使得在常温的第I电阻网络b31中产生88.9 Ω的1^25。同样，选择出一个或者多个第2熔丝F2(为了产生411.1 Ω的Rb25而需要微调的第2熔丝F2)，使得在常温的第2电阻网络b32中产生411.1 Ω的Rb25。
[0382]这样，由于设有第3电极b6，因此能够在第I电极b3与第3电极b6之间测定第I电阻网络b31整体的电阻值Ra，在第2电极b4与第3电极b6之间测定第2电阻网络b32整体的电阻值Rb。由此，能够基于贴片电阻器bl整体的要求电阻值R，在第I电阻网络b31以及第2电阻网络b32各自当中计算成为微调对象的电阻值Ra以及Ra，能够选择为了得到该电阻值而应切断的第I熔丝Fl以及第2熔丝F2。
[0383]然后，通过激光使这样选择出的第I熔丝Fl以及第2熔丝F2切断(微调)。由此，能够制造出要求电阻值R为2000 Ω、且电阻温度系数TCR为Oppm/°C的贴片电阻器bl。返回至图481，在进行这里的微调时，由于绝缘膜b45成为覆盖元件b5的保护膜，因此能够防止熔断时产生的碎片等附着于元件b5而产生短路。此外，由于绝缘膜b45覆盖熔丝F(电阻体膜b21)，因此能够使激光的能量蓄积在熔丝F而使熔丝F可靠地熔断。
[0384]之后，通过CVD法而在绝缘膜b45上形成SiN，使绝缘膜b45变厚。此时，如图48J所示，在槽b44的内周面(前述的侧壁b44A的分割面44C、底壁b44B的上表面)的整个区
域也形成绝缘膜b45。最终的绝缘膜b45(图48J所示的状态)具有1000Λ~5000Λ (在此
为约300ΠΛ)的厚度。此时，绝缘膜b45的一部分进入各开口 b25而堵塞开口 b25。
[0385]此外，在此所形成的SiN(新形成的绝缘膜b45)的一部分进入在熔丝熔断时同时被破坏的所述保护膜(绝缘膜b45)的开口内，覆盖并保护被切断的熔丝F(多个第I熔丝Fl以及第2熔丝F2的至少一个熔丝F)的切断面FM(参照图43(b))。因此，由于通过绝缘膜b45(最终成为钝化膜b23)防止了在熔丝F的切断位置进入异物或者水分(参照图43(b)的被切断的第2熔丝F2)，因而能够提高贴片电阻器bl的可靠性。
[0386]在这样形成了绝缘膜b45后，从绝缘膜b45之上向基板b30喷涂由聚酰亚胺构成的感光性树脂的液体，如图48J所示那样形成感光性树脂的树脂膜b46。此时，隔着具有在俯视下覆盖槽b44的图案的掩模(未图示)，向基板b30涂布该液体，使得该液体不会进入槽b44内。其结果，该液状的感光性树脂仅在基板b30上形成，在基板b30上成为树脂膜b46。表面b30A上的树脂膜b46的表面沿着表面b30A而成为平坦状。
[0387]再者，由于该液体未进入槽b44内，因此在槽b44内未形成树脂膜b46。此外，除了喷涂感光性树脂的液体以外，也可以旋涂该液体、或者将由感光性树脂构成的薄片贴附在基板b30的表面b30A，从而形成树脂膜b46。接着，对树脂膜b46实施热处理(固化处理)。由此，使树脂膜b46的厚度热收缩，并且使树脂膜b46硬化而使膜质稳定。
[0388]接下来，如图48K所示，使树脂膜b46图案化，使表面b30A上的树脂膜b46中在俯视下与布线膜b22的各焊盘区域b22P(开口 b25) —致的部分选择性地除去。具体而言，利用形成有在俯视下与各焊盘区域b22P相匹配(一致)的图案的开口 61的掩模62，并利用该图案对树脂膜b46进行曝光、显影。由此，在各焊盘区域b22P的上方，树脂膜b46被分离。接着，通过利用了未图示的掩模的RIE，除去各焊盘区域b22P上的绝缘膜b45，从而各开口b25被打开而露出焊盘区域b22P。
[0389]接着，通过非电解镀覆，在各开口 b25处的焊盘区域b22P上，形成层叠了 N1、Pd以及Au而构成的Ni/Pd/Au层叠膜，从而如图48L所示那样在焊盘区域b22P上形成第I电极b3以及第2电极b4。图52是用 于说明第I电极以及第2电极的制造工序的图。
[0390]详细而言，参照图52，净化焊盘区域b22P的表面，该表面的有机物(也包括碳的污点等的污垢、油脂性的污物)被除去(脱脂)(步骤Si)。接着，该表面的氧化膜被除去(步骤S2)。接下来，在该表面实施锌酸盐处理，该表面中的(布线膜b22的)Al被置换为Zn (步骤S3)。接下来，该表面中的Zn利用硝酸等而被剥离，在焊盘区域b22P露出新的Al (步骤S4)。
[0391]接着，将焊盘区域b22P浸入镀覆液，对焊盘区域b22P的新的Al的表面实施镀Ni。由此，镀覆液中的Ni被化学还原析出，在该表面形成Ni层b33 (步骤S5)。接下来，将Ni层b33浸入其他的镀覆液，对该Ni层b33的表面实施镀Pd。由此，镀覆液中的Pd被化学还原析出，在该Ni层b33的表面形成Pd层b34 (步骤S6)。
[0392]接下来，将Pd层b34浸入另一镀覆液，对该Pd层b34的表面实施镀Au。由此，镀覆液中的Au被化学还原析出，在该Pd层b34的表面形成Au层b35 (步骤S7)。由此,形成第I电极b3以及第2电极b4，在使形成后的第I电极b3以及第2电极b4干燥(步骤S8)之后，第I电极b3以及第2电极b4的制造工序完成。再者，在前后的步骤之间，可以适当实施利用水来对半成品b50进行洗净的工序。此外,锌酸盐处理也可以实施多次。
[0393]图48L中表示在各半成品b50中形成了第I电极b3以及第2电极b4之后的状态。如以上，由于通过非电解镀覆形成第I电极b3以及第2电极b4，因此与通过电解镀覆来形成第I电极b3以及第2电极b4的情况相比，减少了与第I电极b3以及第2电极b4相关的形成工序的工序数(例如，电解镀覆中需要的光刻工序、抗蚀剂掩模的剥离工序等)，从而能够提高贴片电阻器bl的生产率。再有，在非电解镀覆的情况下，由于不需要在电解镀覆中必需的抗蚀剂掩模，因此不会产生因抗蚀剂掩模的位置偏差引起的与第I电极b3以及第2电极b4有关的形成位置的偏差，因而能够提高第I电极b3以及第2电极b4的形成位置精度从而提闻成品率。
[0394]在这样形成了第I电极b3以及第2电极b4之后，进行第I电极b3以及第2电极b4间的通电检查，然后从背面b30B对基板b30进行磨削。具体而言，在形成了槽b44之后，如图48M所示，具有由PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)构成的薄板状即粘贴面b72的支撑带b71在粘贴面b72被粘贴于各半成品b50中的第I电极b3以及第2电极b4侧(即表面b30A)。由此，各半成品b50被支撑带b71支撑。在此，作为支撑带b71，例如可采用层压带。
[0395]在各半成品b50被支撑带b71支撑的状态下，从背面b30B侧对基板b30进行磨削。通过磨削，若基板b30被薄型化处理直至达到槽b44的底壁b44B (参照图48L)的上表面为止，则由于将相邻的半成品b50连结的部分消除，因此将槽b44作为边界而分割了基板b30，半成品b50分别被分离出，从而成为贴片电阻器bl的完成品。即，在槽b44(换言之，边界区域Z)处基板b30被切断(分断)，由此切割出各个贴片电阻器bl。再者，也可以通过将基板b30从背面b30B侧蚀刻至槽b44的底壁b44B，来切割出贴片电阻器bl。
[0396]在完成的各贴片电阻器bl中，形成了槽b44的侧壁b44A的分割面44C的部分成为基板b2的侧面b2C~b2F的任意一个,背面b30B成为背面b2B。即，如前述通过蚀刻来形成槽b44的工序(参照图48H)被包含在形成侧面b2C~b2F的工序中。此外，绝缘膜b45成为钝化膜b23，分离出的树脂膜b46成为树脂膜b24。
[0397]如以上，在形成槽b44之后如果从背面b30B侧对基板b30进行磨削，则能够将形成于基板b30的多个贴片部件区域Y同时分割为各个贴片电阻器bl (贴片部件)(能够一次得到多个贴片电阻器bl的单个贴片)。由此，通过缩短多个贴片电阻器bl的制造时间，可提高贴片电阻器bl的生产率。
[0398]再者，也可以对完成的贴片电阻器bl中的基板b2的背面b2B进行研磨、蚀刻，从而使其镜面化，使得背面b2B整洁。如以上，在该贴片电阻器bl中，通过选择性切断一个或者多个第I熔丝F1，能够 将任意的第I电阻体Rl从第I电阻网络b31分离、或者组入第I电阻网络b31。同样，通过选择并切断一个或者多个第2熔丝F2，能够将任意的第2电阻体R2从第2电阻网络b32分离、或者组入第2电阻网络b32。这样一来，由于能够将贴片电阻器bl整体的电阻值调整至任意值，因此对于贴片电阻器bl而言，能够容易且快速地应对多个种类的电阻值。即，该贴片电阻器bl中，能够以同一设计构造容易地应对多个种类的要求电阻值。此外，贴片电阻器bl中这样被调整之后的电阻值，其容许误差的绝对值为1%以下，精度变高。
[0399]再有，通过将具有正的电阻温度系数的第I电阻网络b31和具有负的电阻温度系数的第2电阻网络b32连接，从而能够将贴片电阻器bl整体的电阻温度系数的绝对值控制得较小。由此，能够实现贴片电阻器bl的精度提高。特别地，由于贴片电阻器bl整体的电阻温度系数的绝对值变小至300ppm/°C以下，因此能够实现贴片电阻器bl的精度提高。
[0400]以上，对第2参考例的贴片电阻器bl进行了说明，但第2参考例也能够以另一方式来实施。例如，在前述的实施方式中，在贴片电阻器bl的情况下，示例了多个电阻电路具有公比r(0 < r、r古I) = 2的等比数列的电阻值的多个电阻电路，但该等比数列的公比也可以是2以外的数。
[0401]此外，在基板b2的表面形成了绝缘层b20，但如果基板b2是绝缘性的基板，则也可以省去绝缘层b20。此外，也可以在前述的第I电极b3以及第2电极b4中省略介于Ni层b33与Au层b35之间的Pd层b34。由于Ni层b33与Au层b35的粘贴性良好，因此如果在Au层b35没有出现前述的针孔，则可以省略Pd层b34。[0402]图53是表示作为使用了第2参考例的贴片部件的电子设备的一例的智能手机的外观的立体图。智能手机b201构成为在扁平的长方体形状的壳体b202的内部容纳电子部件。壳体b202在表面侧以及背面侧具有长方形状的一对主面，该一对主面通过4个侧面被结合。在壳体b202的一个主面，露出由液晶面板或有机EL面板等构成的显示面板b203的显示面。显示面板b203的显示面构成触摸面板，对使用者提供输入界面。
[0403]显示面板b203形成壳体b202的占一个主面的大部分的长方形形状。沿着显示面板b203的一个短边，来配置操作按键b204。该实施方式中，多个(3个)操作按键b204沿着显示面板b203的短边排列。使用者通过对操作按键b204以及触摸面板进行操作，能够进行针对智能手机b201的操作，以调用并执行必要的功能。
[0404]在显示面板b203的另一个短边的附近配置了扬声器b205。扬声器b205提供用于电话功能的接听口，并且还作为用于再现音乐数据等的音响单元使用。另一方面，在操作按键b204的附近，在壳体b202的一个侧面配置了麦克风b206。麦克风b206除了提供用于电话功能的通话口以外，还能够用作录音用的麦克风。
[0405]图54是表示壳体b202的内部所容纳的电路组件blOO的结构的示意性俯视图。电路组件blOO包括前述的安装基板b9、和在安装基板b9的安装面b9A安装的电路部件。多个电路部件包括多个集成电路元件(IC)b212-b220和多个贴片部件。多个IC包括传输处理ICb212、数位TV接收ICb213、GPS接收ICb214、FM调谐器ICb215、电源ICb216、闪存b217、微型计算机b218、电源ICb219以及基带ICb220。多个贴片部件包括贴片电感器b221、b225、b235、贴片电阻器(相当于第2参考例的贴片电阻器)b222、b224、b233、贴片电容器b227、b230、b234、以及贴片二极管 b228、b231。
[0406]传输处理IC b212内置了生成针对显示面板b203的显示控制信号、且用于接收来自显示面板b203的表面的触摸面板的输入信号的电子电路。为了与显示面板b203的连接，而在传输处理ICb212上连接了挠性布线b209。数位TV接收ICb213内置了构成用于对数位广播(将便携设备作为接收对象的地面数字电视广播)的电波进行接收的接收机的电子电路。在数位TV接收ICb213的附近，配置多个贴片电感器b221和多个贴片电阻器b222。数位TV接收ICb213、贴片电感器b221以及贴片电阻器b222构成数位广播接收电路b223。贴片电感器b221以及贴片电阻器b222分别具有正确地校准后的电感以及电阻，对数位广播接收电路b223提供高精度的电路常数。
[0407]GPS接收ICb214内置了接收来自GPS卫星的电波而输出智能手机b201的位置信息的电子电路。FM调谐器ICb215与在其附近安装在安装基板b9的多个贴片电阻器b224以及多个贴片电感器b225 —起构成FM广播接收电路b226。贴片电阻器b224以及贴片电感器b225分别具有正确地校准之后的电阻值以及电感，对FM广播接收电路b226提供高精度的电路常数。
[0408]在电源ICb216的附近，多个贴片电容器b227以及多个贴片二极管b228被安装在安装基板b9的安装面。电源ICb216与贴片电容器b227以及贴片二极管b228 —起构成电源电路b229。闪存b217是用于记录操作系统程序、智能手机b201的内部所生成的数据、通过通信功能从外部得到的数据以及程序等的存储装置。
[0409]微型计算机b218是内置了 CPU、ROM以及RAM，且通过执行各种运算处理来实现智能手机b201的多个功能的运算处理电路。更为具体而言，通过微型计算机b218的工作，实现用于图像处理、各种应用程序的运算处理。在电源ICb219的附近，多个贴片电容器b230以及多个贴片二极管b231被安装在安装基板b9的安装面。电源ICb219与贴片电容器b230以及贴片二极管b231 —起构成电源电路b232。
[0410]在基带ICb220的附近，多个贴片电阻器b233、多个贴片电容器b234、以及多个贴片电感器b235被安装在安装基板b9的安装面b9A。基带ICb220与贴片电阻器b233、贴片电容器b234以及贴片电感器b235 —起构成基带通信电路b236。基带通信电路b236提供用于电话通信以及数据通信的通信功能。
[0411]通过这种结构，由电源电路b229、b232适当调整之后的电力被提供给传输处理ICb212、GPS接收ICb214、数位广播接收电路b223、FM广播接收电路b226、基带通信电路b236、闪存b217以及微型计算机b218。微型计算机b218响应介由传输处理ICb212输入的输入信号来进行运算处理，从传输处理ICb212向显示面板b203输出显示控制信号，使显示面板b203进行各种显示。
[0412]在通过触摸面板或者操作按键b204的操作来指示数位广播的接收时，通过数位广播接收电路b223的工作来接收数位广播。然后，由微型计算机b218执行将接收的图像输出至显不面板b203、用于将接收的声音从扬声器b205发出声音的运算处理。此外,在需要智能手机b201的位置信息时，微型计算机b218取得GPS接收ICb214输出的位置信息，并执行利用了该位置信息的运算处理。
[0413]进而，在通过触摸面板或者操作按键b204的操作输入了 FM广播接收指令时，微型计算机b218使FM广播接收电路b226启动，并执行将接收的声音从扬声器b205输出的运算处理。闪存b217被用于通过通信所取得的数据的存储、微型计算机b218的运算、根据来自触摸面板的输入而生成的数据的存储。微型计算机b218根据需要，对闪存b217写入数据，此外，从闪存b217读出数据。
[0414]电话通信或者数据通信的功能通过基带通信电路b236来实现。微型计算机b218控制基带通信电路b236，进行用于收发声音或者数据的处理。<第3参考例涉及的发明>
(I)对于第3参考例涉及的发明的特征，例如第3参考例涉及的发明的特征为以下的Cl~C17。(Cl)贴片电阻器包括:基板；在所述基板上形成的一对电极；由在基板上形成由电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的材料构成的电阻体膜、以及与所述电阻体膜接触地层叠的布线膜构成，且在所述一对电极之间形成的多个电阻体；和在所述一对电极之间将所述多个电阻体分别进行连接的可切断的多个熔丝。
[0415]根据该结构，通过选择并切断一个或者多个熔丝，能够从一对电极间切离出任意数目的电阻体、或者在一对电极间组入任意数目的电阻体。由此，能够将贴片电阻器整体的电阻值正确地校准至目标值。再有，由于构成电阻体的电阻体膜由电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的材料构成，因此贴片电阻器可提供相对于电阻体的温度的灵敏度。以上结果，能够更正确地校准电阻值，且能够提供适于温度检测的贴片电阻器。(C2)在Cl所述的贴片电阻器的基础上，所述贴片电阻器是温度传感器。
[0416]根 据该结构，能够将贴片电阻器用作温度传感器。(C3)在Cl或者C2所述的贴片电阻器的基础上，所述电阻体膜由控制氧的组成比以使得电阻温度系数的绝对值为200ppm/ °C以上的TiON或者TiONSi构成。根据该结构，能够由控制了氧的组成比的TiON或者TiONSi来构成电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的电阻体膜。(C4)所述电阻体膜可以包含TiON、TiONS1、Pt、N1、以及Cu之中的一种以上。(C5)优选所述熔丝由Al构成。(C6)在Cl~C5任意一项所述的贴片电阻器的基础上，还包括设置在所述基板上且从所述电阻体以及熔丝之上覆盖所述基板的表面的钝化膜。
[0417]根据该结构，能够由钝化膜保护基板的表面、电阻体以及熔丝。(C7)在C6所述的贴片电阻器的基础上，还包括以使所述电极露出的状态在所述钝化膜上形成的保护树脂膜。根据该结构，能够由钝化膜以及保护树脂膜来对基板的表面、电阻体以及熔丝进行双重保护。(CS)贴片电阻器的制造方法包括:在基板上形成由电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的材料构成的电阻体膜的工序；在所述电阻体膜上形成布线膜的工序；通过蚀刻使所述布线膜以及所述电阻体膜图案化，形成多个电阻体、以及可将所述多个电阻体分别切断的多个熔丝的蚀刻工序；测定所述多个电阻体的整体电阻值的工序；基于所述测定出的整体电阻值，从所述多个熔丝之中选择应切断的熔丝的工序；以及将所述选择的熔丝切断的工序。
[0418]根据该方法，通过选择并切断一个或者多个熔丝，能够将贴片电阻器整体的电阻值(所述整体电阻值)正确地校准至目标值。再有，由于构成电阻体的电阻体膜由电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的材料构成，因此对于贴片电阻器而言，可提高相对于电阻体的温度的灵敏度。以上的结果，能够提供一种更正确地校准电阻值、且适于温度检测的贴片电阻器。(C9)在CS所述的贴片电阻器的制造方法基础上，所述贴片电阻器是温度传感器。
[0419]根据该方法，能够将贴片电阻器用作温度传感器。(ClO)在CS或者C9所述的贴片电阻器的制造方法的基础上，形成所述电阻体膜的工序包括:控制氧的组成比使得所述贴片电阻器的电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上且形成由TiON或者TiONSi构成的电阻体膜的工序。 [0420]根据该方法，能够由在控制氧的组成比的同时形成的TiON或者TiONSi来构成电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的电阻体膜。(Cll)形成所述电阻体膜的工序可以包括如下的工序:形成包含TiON、TiONSi, Pt、N1、以及Cu之中的一种以上的电阻体膜。(C12)在CS~Cll的任意一项所述的贴片电阻器的制造方法的基础上，所述蚀刻包括反应性离子蚀刻。
[0421]根据该方法，能够高精度地形成多个电阻体以及熔丝。(C13)优选所述熔丝由Al构成。(C14)在CS~C13的任意一项所述的贴片电阻器的制造方法的基础上，还包括:在所述基板上形成从所述电阻体以及熔丝之上覆盖所述基板的表面的钝化膜的工序。
[0422]根据该方法，能够由钝化膜来保护基板的表面、电阻体以及熔丝。(C15)在C14所述的贴片电阻器的制造方法的基础上，还包括:在所述钝化膜上形成保护树脂膜使得所述电极露出的工序。根据该方法，能够由钝化膜以及保护树脂膜来对基板的表面、电阻体以及熔丝进行双重保护。(C16)优选电路组件具备以上的贴片电阻器。(C17)优选电子设备具备以上的贴片电阻器。(2)对于第3参考例涉及的发明的实施方式，以下参照附图来详细说明第3参考例的实施方式。再者，图55~图70中示出的符号仅在这些附图中有效，即便在其他实施方式中使用，也并不表示与该其他实施方式的符号相同的要素。
[0423]图55 (a)是用于说明第3参考例的一实施方式涉及的贴片电阻器的结构的示意性立体图。该贴片电阻器Cl是微小的贴片部件，如图55(a)所示，呈长方体形状。贴片电阻器Cl的俯视形状是正交的二边(长边c81、短边c82)分别为0.4mm以下、0.2mm以下的矩形。关于贴片电阻器Cl的尺寸，优选长度L (长边c81的长度)为约0.3mm，宽度W(短边c82的长度)为约0.15mm,厚度T为约0.1mm。
[0424]在基板上以格子状形成多个贴片电阻器Cl之后，在该基板形成槽，然后进行背面磨削(或者在槽对该基板进行切断)从而分离为各个贴片电阻器Cl，由此得到该贴片电阻器Cl。贴片电阻器Cl主要具备:构成贴片电阻器Cl的主体的基板c2、成为一对外部连接电极的第I连接电极c3以及第2连接电极c4、以及由第I连接电极c3以及第2连接电极c4进行外部连接的元件c5。
[0425]基板c2是大致长方体的贴片形状。基板c2中，图55(a)中的上表面是表面c2A。表面c2A是基板c2中形成元件c5的表面，呈大致长方形状。在基板c2的厚度方向上与表面c2A相反一侧的面为背面c2B。表面c2A和背面c2B为大致同尺寸且同形状，且彼此平行。将表面c2A中由一对长边c81以及短边c82划分出的矩形状的边缘称为周缘部c85，将背面c2B中的由一对长边c81以及短边c82划分出的矩形状的边缘称为周缘部c90。在从与表面c2A (背面c2B)正交的法线方向观察时，周缘部c85和周缘部c90重合。
[0426]基板c2除了表面c2A以及背面c2B以外，还具有多个侧面(侧面c2C、侧面c2D、侧面c2E以及侧面c2F)。该多个侧面与表面c2A以及背面c2B分别交叉(详细而言、正交)地延伸，且连结了表面c2A以及背面c2B之间。侧面c2C设置在表面c2A以及背面c2B中的长度方向的一侧(图55(a)中的左边跟前侧)的短边c82间，侧面c2D设置在表面c2A以及背面c2B中的长度方向的另一侧(图55(a)中的右纵深侧)的短边c82间。侧面c2C以及侧面c2D是该长度方向的基板c2的两端面。侧面c2E设置在表面c2A以及背面c2B中的短边方向的一侧(图55(a)中的左纵深侧)的长边c81间，侧面c2F设置在表面c2A以及背面c2B中的短边方向的另一侧(图55(a)中的右边跟前侧)的长边c81间。侧面c2E以及侧面c2F是该短边 方向的基板c2的两端面。侧面c2C以及侧面c2D的各侧面与侧面c2E以及侧面c2F分别交叉(详细而言、正交)。因此，在表面c2A~侧面c2F中相邻的面彼此形成直角。
[0427]基板c2中，表面c2A以及侧面c2C~2F各自的整个区域被钝化膜c23覆盖。因此，严格来说，图55 (a)中，表面c2A以及侧面c2C~c2F各自的整个区域位于钝化膜c23的内侧(背面侧)，未露出至外部。再有，贴片电阻器Cl具有树脂膜c24(保护树脂膜)。树脂膜c24覆盖了表面c2A上的钝化膜c23的整个区域(周缘部c85及其内侧区域)。对于钝化膜c23以及树脂膜c24，在以后详细说明。
[0428]第I连接电极c3以及第2连接电极c4在基板c2的表面c2A上形成在比周缘部c85靠内侧的区域(与周缘部c85隔开间隔的位置)，从表面c2A上的树脂膜c24部分地露出。换言之，树脂膜c24在使第I连接电极c3以及第2连接电极c4露出的状态下覆盖表面c2A (严格来说，表面c2A上的钝化膜c23)。第I连接电极c3以及第2连接电极c4各自是例如按Ni(镍)、Pd(钯)以及Au(金)的顺序在表面c2A上进行层叠而构成的。第I连接电极c3以及第2连接电极c4在表面c2A的长度方向上彼此隔开间隔而配置，且是在表面c2A的短边方向上较长的长方形状。图55(a)中，在表面c2A，在靠近侧面c2C的位置设有第I连接电极c3，在靠近侧面c2D的位置设有第2连接电极c4。第I连接电极c3以及第2连接电极c4在从前述的法线方向观察的俯视下呈大致同尺寸且同形状。[0429]元件C5是电路元件，形成在基板c2的表面c2A的第I连接电极c3与第2连接电极c4之间的区域，且被钝化膜c23以及树脂膜c24从上表面覆盖。该实施方式的元件c5是电阻c56。电阻c56由表面c2A上以矩阵状排列了具有相等电阻值的多个(单位)电阻体R的电路网构成。电阻体R由TiON(氮氧化钛)或者TiONSi (TiSiON)构成。元件c5与后述的布线膜c22电连接，且介由布线膜c22而电连接于第I连接电极c3和第2连接电极c4。即，元件c5 (多个电阻体R)形成在基板c2上，且连接在第I连接电极c3以及第2连接电极c4之间。
[0430]图55(b)是将贴片电阻器被安装在安装基板上的状态的电路组件沿着贴片电阻器的长度方向切断时的示意性剖视图。再者，在图55(b)中，在断面仅示出了主要部分。如图55(b)所示，贴片电阻器Cl被安装在安装基板c9上。该状态下的贴片电阻器Cl以及安装基板c9构成电路组件clOO。图55(b)中的安装基板c9的上表面是安装面c9A。在安装面c9A形成与安装基板c9的内部电路(未图示)连接的一对(2个)焊盘c88。各焊盘c88例如由Cu构成。在各焊盘c88的表面，被设置成焊料c 13从该表面突出。
[0431]在将贴片电阻器Cl安装在安装基板c9上的情况下，将自动安装机(未图示)的吸着喷嘴c91吸着在贴片电阻器Cl的背面c2B之后使吸着喷嘴c91移动，从而搬运贴片电阻器Cl。此时，吸着喷嘴c91吸着在背面c2B的长度方向的大致中央部分。并且，将吸着了贴片电阻器Cl的吸着喷嘴c91移动至安装基板c9上。此时，贴片电阻器Cl的表面c2A与安装基板c9的安装面c9A彼此对置。该状态下，使吸着喷嘴c91移动从而按压在安装基板c9上，在贴片电阻器Cl中，使第I连接电极c3与一个焊盘c88的焊料cl3接触，使第2连接电极c4与另一个焊盘c88的焊料cl3接触。接下来，对焊料cl3加热时,焊料cl3熔化。之后，焊料cl3被冷却而固化,第I连接电极c3与该一个焊盘c88介由焊料cl3而接合,第2连接电极c4与该另一个焊盘c88介由焊料cl3而接合。即，2个焊盘c88分别与第I连接电极c3以及第2连接电极c4中对应的电极进行焊料接合。由此，完成贴片电阻器Cl对安装基板c9的安装(倒片连接)，完成电路组件clOO。再者，作为外部连接电极发挥功能的第I连接电极c3以及第2连接电极c4，为了焊料润湿性的提高以及可靠性的提高而优选由金(Au)形成、或者如后述那样在表面实施镀金。
[0432]接下来，主要说明贴片电阻器Cl中的其他结构。图56是贴片电阻器的俯视图，是表示第I连接电极、第2连接电极以及元件的配置关系、以及元件俯视下的结构(布局图案)的图。参照图56，元件c5成为电阻网络。具体而言，元件c5具有由沿着行方向(基板c2的长度方向)排列的8个电阻体R、沿着列方向(基板c2的宽度方向)排列的44个电阻体R构成的合计352个电阻体R。这些电阻体R是构成元件c5的电阻网络的多个元件要素。
[0433]这些多个电阻体R按I个~64个的规定个数被集中而电连接，从而形成多个种类的电阻电路。所形 成的多个种类的电阻电路利用导体膜D(由导体形成的布线膜)被连接成规定样式。再有，在将电阻电路电组入元件c5、或者从元件c5电分离，在基板c2的表面c2A设有可切断(熔断)的多个熔丝(熔丝)F。多个熔丝F以及导体膜D沿着第I连接电极c3的内侧边，被排列成配置区域呈直线状。更具体而言，被配置成多个熔丝F以及导体膜D相邻，且其排列方向呈直线状。多个熔丝F将多个种类的电阻电路(每个电阻电路的多个电阻体R)与第I连接电极c3以及第2连接电极c4之间(严格来说第I连接电极c3)分别可切断地(可切离地)连接。
[0434]图57A是对图56所示的元件的一部分进行放大而描绘出的俯视图。图57B是为了说明元件中的电阻体的结构而描绘出的图57A的沿着B-B的长度方向的纵剖视图。图57C是为了说明元件中的电阻体的结构而描绘出的图57A的沿着C-C的宽度方向的纵剖视图。参照图57A、图57B以及图57C来说明电阻体R的结构。
[0435]贴片电阻器Cl除了前述的布线膜c22、钝化膜c23以及树脂膜c24以外，还具备绝缘层c20、电阻体膜c21(参照图57B以及图57C)。绝缘层c20、电阻体膜c21、布线膜c22、钝化膜c23以及树脂膜c24形成在基板c2 (表面c2A)上。绝缘层c20由SiO2 ( 二氧化硅)
构成。绝缘层c20覆盖基板c2的表面c2A的整个区域。绝缘层c20的厚度为约1000OA。
[0436]电阻体膜c21形成在绝缘层c20上。电阻体膜c21由TiN、TiON或者TiONSi形成。电阻体膜C21的厚度为约2000Λ。电阻体膜C21在第I连接电极C3与第2连接电极c4之间构成平行地以直线状延伸的多条电阻体膜(以下称为“电阻体膜线c21A”)，有时电阻体膜线c21A在线方向上在规定的位置被切断(参照图57A)。
[0437]在电阻体膜线c21A上层叠布线膜c22。布线膜c22由Al (铝)、或者铝与Cu (铜)的合金(AlCu合金)构成。布线膜c22的厚度为约SO(K)A。布线膜c22在电阻体膜线c21A上在线方向上隔开固定间隔R被层叠，且与电阻体膜线c21A相接。
[0438]在以电路符号表示该结构的电阻体膜线c21A以及布线膜c22的电特性时，如图58所示。也就是说，如图58(a)所示，规定间隔R的区域的电阻体膜线c21A部分分别形成具有固定的电阻值r的I个电阻体R。并且，在层叠了布线膜c22的区域，通过将布线膜c22相邻的电阻体R彼此电连接，从而由该布线膜c22使得电阻体膜线c21A被短路。由此，形成由图58(b)所示的电阻r的电阻体R的串联连接所构成的电阻电路。
[0439]此外，由于相邻的电阻体膜线c21A彼此通过电阻体膜c21以及布线膜c22被连接，因此，图57A所示的元件c5的电阻网络构成图58(c)所示的(由前述的电阻体R的单位电阻构成)电阻电路。这样，电阻体膜c21以及布线膜c22构成电阻体R、电阻电路(即元件c5)。并且，各电阻体R包括电阻体膜线c21A(电阻体膜c21)、和在电阻体膜线c21A上在线方向上隔开固定间隔而层叠的多个布线膜c22，未层叠布线膜c22的固定间隔R部分的电阻体膜线c21A构成I个电阻体R。构成电阻体R的部分的电阻体膜线c21A的形状以及大小全部相等。由此，在基板c2上以矩阵状排列的多个电阻体R具有相等电阻值。
[0440]此外，在电阻体膜线c21A上层叠的布线膜c22形成电阻体R，并且还发挥用于连接多个电阻体R而构成电阻电路的导体膜D的作用(参照图56)。图59 (a)是包含对图56所示的贴片电阻器的俯视图的一部分进行放大描绘的熔丝在内的区域的部分放大俯视图，图59(b)是表示沿着图59(a)的B-B的剖面构造的图。
[0441]如图59(a)以及(b)所示，前述的熔丝F以及导体膜D也由形成电阻体R的电阻体膜c21上所层叠的布线膜c22来形成。也就是说，在与形成电阻体R的电阻体膜线c21A上所层叠的布线膜c22相同的层，由与布线膜c22相同的金属材料即Al或者AlCu合金形成熔丝F以及导体膜D。再者，布线膜c22如前述那样，为了形成电阻电路还被用作将多个电阻体R电连接的导体膜D。
[0442]即，在电阻体膜c21上被层叠的同一层中，用于形成电阻体R的布线膜、熔丝F、导体膜D、以及用于将元件c5与第I连接电极c3以及第2连接电极c4连接的布线膜，作为布线膜c22而利用相同的金属材料(Al或者AlCu合金)来形成。再者，之所以使熔丝F与布线膜c22不同(相区别)，是因为为了将熔丝F形成得较细以使得易于切断、以及为了配置成在熔丝F的周围不存在其他的电路要素。
[0443]在此，在布线膜c22中，将配置了熔丝F的区域称为微调对象区域X (参照图56以及图59(a))。微调对象区域X是沿着第I连接电极c3的内侧边的直线状区域，在微调对象区域X中不仅配置了熔丝F，还配置了导体膜D。此外，在微调对象区域X的布线膜c22的下方还形成有电阻体膜c21 (参照图59 (b))。并且，熔丝F是在布线膜c22中与微调对象区域X以外的部分相比布线间距离较大(与周围远离)的布线。
[0444]再者，熔丝F不仅可以是布线膜c22的一部分，也可以指电阻体R(电阻体膜c21)的一部分与电阻体膜c21上的布线膜c22的一部分的集合(熔丝元件)。此外，仅说明了熔丝F利用与导体膜D同一层的情况，但对于导体膜D而言，也可以在其上进一步层叠其他的导体膜，以降低导体膜D整体的电阻值。再者，即便在该情况下，如果在熔丝F之上不层叠导体膜，则熔丝F的熔断性也不会变差。
[0445]图60是第3参考例的实施方式涉及的元件的电路图。参照图60，元件c5是将基准电阻电路R8、电阻电路R64、2个电阻电路R32、电阻电路R16、电阻电路R8、电阻电路R4、电阻电路R2、电阻电路R1、电阻电路R/2、电阻电路R/4、电阻电路R/8、电阻电路R/16、电阻电路R/32从第I连接电极c3开始按照上述顺序串联连接而构成的。基准电阻电路R8以及电阻电路R64~R2各自是通过将与自身的末尾的数目(R64的情况下为“64”)相同数目的电阻体R串联连接而构成的。电阻电路Rl由I个电阻体R构成。电阻电路R/2~R/32各自是通过将与自身的末尾的数目(R/32的情况下为“32”)相同数目的电阻体R并联连接而构成的。对于电阻电路的末尾的数目的意义，在后述的图61以及图62中也相同。
[0446]并且，对于基准电阻电路R8以外的电阻电路R64~电阻电路R/32的各个电阻电路，一个一个地并联连接了熔丝F。熔丝F彼此直接或者介由导体膜D(参照图59 (a))而串联连接。如图60所示，在全部熔丝F未被熔断状态下，元件c5构成由在第I连接电极c3以及第2连接电极c4之间设置的8个电阻体R的串联连接所组成的基准电阻电路R8的电阻电路。例如，如果将I个电阻体R的电阻值r设为r = 8 Ω，则构成由8r = 64 Ω的电阻电路(基准电阻电路R8)连接了第I连接电极c3以及第2连接电极c4的贴片电阻器Cl。
[0447]此外，在全部的熔丝F未被熔断的状态下，基准电阻电路R8以外的多个种类的电阻电路处于被短路的状态。即，尽管在基准电阻电路R8中12种类的13个电阻电路R64~R/32被串联连接，但由于各电阻电路被各自并联连接的熔丝F所短路，因此各电阻电路尚未被电组入兀件c5。
[0448]该实施方式涉及的贴片电阻器Cl中，根据被要求的电阻值，利用例如激光而使熔丝F选择性地熔断。由此，并联连接的熔丝F被熔断的电阻电路被组入元件c5中。由此，能够使元件c5的整体的电阻值成为与所熔断的熔丝F对应的电阻电路被串联连接从而被组入的电阻值。
[0449] 特别地，多个种类的电阻电路具备:按照I个、2个、4个、8个、16个、32个...的公比为2的等比数列使电阻体R个数增加来串联连接具有相等电阻值的电阻体R而得到的多个种类的串联电阻电路、以及按照2个、4个、8个、16个...的公比为2的等比数列使电阻体R个数增加来并联连接相等电阻值的电阻体R而得到的多个种类的并联电阻电路。因此，通过使熔丝F (也包含前述的熔丝元件)选择性地熔断，由此能够细致且以数字方式调整元件c5 (电阻c56)整体的电阻值，使其成为任意的电阻值，从而能够在贴片电阻器Cl中产生期望值的电阻。
[0450]图61是第3参考例的其他实施方式涉及的元件的电路图。也可以取代如图60所示那样将基准电阻电路R8以及电阻电路R64~电阻电路R/32串联连接来构成元件c5，而如图61所示那样构成元件c5。详细而言，在第I连接电极c3以及第2连接电极c4之间，可以由基准电阻电路R/16、与12种类的电阻电路R/16、R/8、R/4、R/2、Rl、R2、R4、R8、R16、R32、R64、R128的并联连接电路之间的串联连接电路来构成元件c5。
[0451]在该情况下，在基准电阻电路R/16以外的12种类的电阻电路分别串联连接了熔丝F。在全部的熔丝F未被熔断的状态下，各电阻电路被电组入元件c5。根据所要求的电阻值，利用例如激光而使熔丝F选择性地熔断，则由于与熔断的熔丝F对应的电阻电路(熔丝F串联连接的电阻电路)从元件c5电分离，因此能够调整贴片电阻器Cl整体的电阻值。
[0452]图62是第3参考例的另一实施方式涉及的元件的电路图。如图62所示的元件c5的特征在于，成为多个种类的电阻电路的串联连接、和多个种类的电阻电路的并联连接被串联连接的电路结构。在被串联连接的多个种类的电阻电路中，与之前的实施方式同样，按每个电阻电路并联连接了熔丝F，从而串联连接的多个种类的电阻电路全部通过熔丝F而处于短路状态。因此，在使熔丝F熔断时，被该熔断的熔丝F所短路的电阻电路被电组入元件c5。
[0453]另一方面，被并联连接的多个种类的电阻电路分别串联连接了熔丝F。因此，通过使熔丝F熔断，能够使得所熔断的熔丝F串联连接的电阻电路从电阻电路的并联连接电分离。根据这种结构，例如如果在并联连接侧制作出IkQ以下的小电阻，在串联连接侧制作出IkQ以上的电阻电路，则利用以相等的基本设计所构成的电阻的电路网能够制作出从数Ω的小电阻至数ΜΩ的大电阻的宽范围的电阻电路。即，贴片电阻器Cl中，通过选择并切断一个或者多个熔丝F，能够容易且快速地应对多个种类的电阻值。换言之，通过组合电阻值不同的多个电阻体R，从而能够以共同的设计来实现各种电阻值的贴片电阻器Cl。
[0454]如以上，对于该贴片电阻器Cl而言，在微调对象区域X可变更多个电阻体R (电阻电路)的连接状态。图63是贴片电阻器的示意性剖视图。接下来，参照图63，对贴片电阻器Cl进行详细说明。再者，为了方便说明，图63中对于前述的元件c5进行简化表示，并且在基板c2以外的各要素赋予了阴影。
[0455]在此，对前述的钝化膜c23以及树脂膜c24进行说明。钝化膜c23由例如SiN(氮化硅)构成，其厚度为1000A 5OOClA (在此为约3000Λ )。钝化膜C23设置在表面C2A以
及侧面C2C~C2F各自中的整个区域。表面C2A上的钝化膜c23从表面(图63的上侧)覆盖电阻体膜c21以及电阻体膜c21上的各布线膜c22 (即元件c5)，覆盖在元件c5的各电阻体R的上表面。因此，钝化膜c23也覆盖前述的微调对象区域X中的布线膜c22(熔丝F)(参照图59(b))。此外，钝化膜c23与元件c5(布线膜c22以及电阻体膜c21)相接，在电阻体膜c21以外的区域也与绝缘层c20相接。由此，表面c2A上的钝化膜c23从元件c5、熔丝F以及绝缘层c20之上覆盖表面c2A整个区域。因此，能够由钝化膜c23保护基板c2的表面c2A、电阻体R以及熔丝F。此外，在表面c2A，由钝化膜c23防止了电阻体R间的布线膜c22以外的短路(相邻的电阻体膜线c21A间的短路)。
[0456]另一方面，在侧面c2C~c2F分别设置的钝化膜c23作为保护侧面c2C~c2F的各个侧面的保护层发挥功能。侧面c2C~c2F各自与表面c2A的边界是前述的周缘部c85，钝化膜c23也覆盖该边界(周缘部c85)。在钝化膜c23中，将覆盖周缘部c85的部分(与周缘部c85重合的部分)称为端部c23A。再者，由于钝化膜c23是极薄的膜，因此在本实施方式中将覆盖侧面c2C~c2F的各个侧面的钝化膜c23视为基板c2的一部分。因此，假定将覆盖侧面c2C~c2F的各侧面的钝化膜c23视为侧面c2C~c2F本身。
[0457]树脂膜c24，与钝化膜c23 —起来保护贴片电阻器cl的表面c2A，且由聚酰亚胺等的树脂构成。树脂膜c24的厚度为约5 μ m。树脂膜c24形成在表面c2A上的钝化膜c23上，覆盖钝化膜c23的表面(也包含被钝化膜c23覆盖的电阻体膜c21以及布线膜c22)的整个区域。因此，能够由钝化膜c23以及树脂膜c24来对基板c2的表面c2A、电阻体R以及熔丝F进行双重保护。树脂膜c24的周缘部在俯视下与钝化膜c23的端部c23A (表面c2A的周缘部c85) —致。
[0458]在树脂膜c24中，在俯视下分离的2个位置各形成一个开口 c25。各开口 c25是使树脂膜c24以及钝化膜c23在各自的厚度方向上连续地贯通的贯通孔。因此，开口 c25不仅形成在树脂膜c24，还形成在钝化膜c23。从各开口 c25露出布线膜c22的一部分。在布线膜c22中从各开口 c25露出的部分成为外部连接用的焊盘区域c22A。
[0459]2个开口 c25之中的一个开口 c25被第I连接电极c3填埋，另一个开口 c25被第2连接电极c4填埋。在此，第I连接电极c3以及第2连接电极c4各自从表面c2A侧依次具有Ni层c33、Pd层c34以及Au层c35。因此，在第I连接电极c3以及第2连接电极c4各自当中，Pd层c34介 于Ni层c33与Au层c35之间。在第I连接电极c3以及第2连接电极c4各自当中，Ni层c33占各连接电极的大部分，Pd层c34以及Au层c35与Ni层c33相比被形成得非常薄。在贴片电阻器Cl被安装在安装基板c9时，(参照图55(b))，Ni层c33具有对各开口 c25的焊盘区域c22A处的布线膜c22的Al和前述的焊料cl3进行中继的作用。
[0460]这样，在第I连接电极c3以及第2连接电极c4中，Ni层c33的表面被Au层c35覆盖，因此能够防止Ni层c33氧化。此外，在第I连接电极c3以及第2连接电极c4中，通过使Au层c35变薄而即便在Au层c35出现贯通孔(针孔)，也由于介于Ni层c33与Au层c35之间的Pd层c34堵塞该贯通孔，因此能够防止Ni层c33从该贯通孔露出至外部而被氧化。
[0461]并且，在第I连接电极c3以及第2连接电极c4各自当中，Au层c35在最表面露出，从树脂膜c24的开口 c25面对外部。第I连接电极c3介由一个开口 c25在该开口 c25的焊盘区域c22A处与布线膜c22电连接。第2连接电极c4介由另一个开口 c25在该开口c25的焊盘区域c22A处与布线膜c22电连接。在第I连接电极c3以及第2连接电极c4各自当中，Ni层c33与焊盘区域c22A连接。由此,第I连接电极c3以及第2连接电极c4各自与元件c5电连接。在此，布线膜c22形成与电阻体R的集合(电阻c56)、第I连接电极c3以及第2连接电极c4分别连接的布线。
[0462]这样，形成有开口 c25的树脂膜c24以及钝化膜c23，在从开口 c25使第I连接电极c3以及第2连接电极c4露出的状态下覆盖表面c2A。因此，介由在树脂膜c24的表面从开口 c25伸出的第I连接电极c3以及第2连接电极c4而能够实现贴片电阻器cl与安装基板c9之间的电连接(参照图55(b))。
[0463]图64A~图64G是表示图63所示的贴片电阻器的制造方法的示意性剖视图。首先，如图64A所示，准备成为基板c2的基础的基板c30。在该情况下，基板c30的表面c30A是基板c2的表面c2A，基板c30的背面c30B是基板c2的背面c2B。
[0464]然后，使基板c30的表面c30A热氧化，从而在表面c30A形成由SiO2等构成的绝缘层c20，在绝缘层c20上形成元件c5(与电阻体R以及电阻体R连接的布线膜c22)。图65是用于说明元件的制造工序的图。具体而言，参照图65，通过溅射而在绝缘层c20之上在整个面形成TiON或者TiONSi的电阻体膜c21(步骤SI)。溅射是在流过氧以及氮的同时进行的。此时，氮或氧撞击Ti的靶电极，从而使Ti的原子从靶电极飞出。通过Ti的原子与氮原子、氧原子相结合，从而生成TiON，成为电阻体膜c21而附着在绝缘层c20上。此时，在附着于绝缘层c20的TiON与绝缘层c20下的基板c30(在此，由Si构成的硅基板)的Si相结合时，在绝缘层c20上形成由TiONSi构成的电阻体膜c21。
[0465]溅射中流过的氧的流量根据作为目标的电阻温度系数而被调整。图66是表示元件的制造工序中的溅射中的氧流量与所完成的电阻体膜的电阻温度系数之间的关系的图形。在此，所谓电阻温度系数是电阻体膜c21(电阻体R)的温度特性之一，主要取决于构成电阻体膜c21的物质。通过调整溅射中的氧流量，从而能够通过调整构成电阻体膜c21的TiON或者TiONSi的组成来进行控制使得电阻温度系数成为期望值。
[0466]具体而言，由于在增加溅射中的氧流量时，也相应地促进了 Ti原子与氧原子的结合，因此完成之后的电阻体膜c21的TiON或者TiONSi中的氧的组成比增加。参照图66，随着氧的组成比(换言之，氧流量)增加，对于电阻体膜c21而言，电阻温度系数从正值下降至负值。在此，可知:在 电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的情况下(参照图66中以粗实线表示的曲线的区域)，相对于温度变化的电阻体膜c21 (换言之，电阻体R)的电阻值的变动量变大。即，可知:在电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的情况下，相对于电阻体R的温度的灵敏度被提高(电阻体R的温度特性良好)。此外，还可知:能够通过调整氧流量来控制电阻体R的温度特性(电阻温度系数)。
[0467]为此，在溅射时，调整氧流量使得所完成的电阻体膜c21的电阻温度系数的绝对值成为200ppm/°C以上(前述的步骤SI)。具体而言，在图66中，在想要使电阻温度系数为+200ppm/°C以上的情况下，氧流量被调整成7sccm(SI单位中，11.83X 10_4Pa.m3/sec)以下。此外，在想要使电阻温度系数为-200ppm/°C以下的情况下，氧流量被调整成15scc(SI单位中，25.35X10-4Pa*mVsec)以上。由此，完成的电阻体膜c21由控制了氧的组成比使得电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的TiON或者TiONSi构成。换言之，通过控制了氧的组成比的TiON或者TiONSi，能够构成电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的电阻体膜c21。
[0468]参照图65，这样形成了电阻体膜c21之后，通过不同于步骤SI的溅射，在电阻体膜c21之上层叠铝(Al)的布线膜c22使其与电阻体膜c21相接(步骤S2)。之后，利用光刻工艺，通过例如RIE (Reactive 1n Etching:反应性离子蚀刻)等的干法蚀刻，对电阻体膜c21以及布线膜c22进行选择性地除去来进行图案化(步骤S3)。由此，如图57A所示，在俯视下，得到层叠了电阻体膜c21的固定宽度的电阻体膜线c21A隔开固定间隔在列方向上被排列的结构。此时，还形成电阻体膜线c21A以及布线膜c22被部分地切断的区域，并且在前述的微调对象区域X中形成熔丝F以及导体膜D (参照图56)。在此，通过干法蚀刻，能够高精度地形成电阻体膜线c21A(换言之，成为多个电阻体R的部分)以及熔丝F。
[0469]返回至图65，接下来，通过例如湿法蚀刻，使在电阻体膜线c21A之上层叠的布线膜c22选择性地除去(步骤S4)。其结果，得到在电阻体膜线c21A上隔开固定间隔R而层叠了布线膜c22的结构的元件c5(多个电阻体R)。此时，为了确认电阻体膜c21以及布线膜c22是否以目标尺寸形成，可以测定元件c5整体的电阻值。
[0470]参照图64A，元件c5根据在I片基板c30形成的贴片电阻器cl的数目，形成在基板c30的表面c30A上的多个位置。在将基板c30中形成了元件c5(前述的电阻c56)的一个区域称为贴片部件区域Y时，在基板c30的表面c30A形成(设定)分别具有电阻c56的多个贴片部件区域Y(即元件c5)。一个贴片部件区域Y与俯视已完成的一个贴片电阻器cl(参照图63)的情况一致。并且，在基板c30的表面c30A，将相邻的贴片部件区域Y之间的区域称为边界区域Z。边界区域Z呈带状，在俯视下以格子状延伸。在被边界区域Z划分出的一个格子中配置了一个贴片部件区域Y。由于边界区域Z的宽度为极窄的I μ m~60 μ m(例如20 μ m)，因此能够在基板c30中确保较多的贴片部件区域Y，作为结果，能够实现贴片电阻器Cl的大量生产。
[0471]接下来,如图64A所示,通过CVD (Chemical Vapor Deposition:化学气相生长)法在基板c30的表面c30A的整个区域形成由SiN构成的绝缘膜c45。绝缘膜c45整个覆盖绝缘层c20以及绝缘层c20上的元件c5(电阻体膜c21、布线膜c22)，与它们相接。因此，绝缘膜c45也覆盖前述的微调对象区域X(参照图56)中的布线膜c22。此外，由于绝缘膜c45在基板c30的表面c30A被形成在整个区域，因此在表面c30A被延伸形成至微调对象区域X以外的区域。由此 ，绝缘膜c45成为保护表面c30A (也包含表面c30A上的元件c5)的整个区域的保护膜。
[0472]接着，如图64B所示，在基板c30的表面c30A的整个区域形成抗蚀剂图案c41，使得完全覆盖绝缘膜c45。在抗蚀剂图案c41形成有开口 c42。图67是为了在图64B的工序中形成槽而使用的抗蚀剂图案的一部分的示意性俯视图。
[0473]参照图67，抗蚀剂图案c41的开口 c42与在将多个贴片电阻器cl (换言之，前述的贴片部件区域Y)矩阵状(也是格子状)配置的情况下在俯视下相邻的贴片电阻器Cl的轮廓之间的区域(图67中赋予阴影的部分，换言之边界区域Z) —致(对应)。因此，开口c42的整体形状成为具有多个彼此正交的直线部分c42A以及c42B的格子状。
[0474]在抗蚀剂图案c41中，开口 c42处彼此正交的直线部分c42A以及c42B在保持相互正交的状态(不弯曲)的同时进行连结。因此，直线部分c42A以及c42B的交叉部分c43俯视下变尖呈大致90°。参照图64B，通过将抗蚀剂图案c41作为掩模的等离子蚀刻，对绝缘膜c45、绝缘层c20以及基板c30分别进行选择性地除去。由此，在相邻的元件c5(贴片部件区域Y)之间的边界区域Z除去基板c30的材料。其结果，在俯视下与抗蚀剂图案c41的开口 c42 —致的位置(边界区域Z)，形成贯通绝缘膜c45以及绝缘层c20而从基板c30的表面c30A到达基板c30的厚度中途的规定深度的槽c44。槽c44由彼此对置的I对侧壁c44A、和连接该I对侧壁c44A的下端(基板c30的背面c30B侧一端)之间的底壁c44B进行划分而得到的。将基板c30的表面c30A作为基准的槽c44的深度为约100 μ m，槽c44的宽度(对置的侧壁c44A的间隔)为约20 μ m，在深度方向整个区域为固定。
[0475]基板c30中的槽c44的整体形状在俯视下成为与抗蚀剂图案c41的开口 c42 (参照图67) —致的格子状。并且，在基板c30的表面c30A，槽c44中的矩形框体部分(边界区域Z)包围形成了各元件c5的贴片部件区域Y的周围。基板c30中形成了元件c5的部分，是贴片电阻器cl的半成品c50。在基板c30的表面c30A,半成品c50 —个一个地位于被槽c44包围的贴片部件区域Y，这些半成品c50以矩阵状排列配置。通过这样形成槽c44，从而将基板c30分离为多个贴片部件区域Y的每个部件区域的基板c2。
[0476]如图64B所示，在形成了槽c44后，除去抗蚀剂图案c41，如图64C所示那样通过利用了掩模c65的蚀刻,使绝缘膜c45选择性地除去。对于掩模c65而言,在绝缘膜c45中在俯视下与各焊盘区域c22A(参照图63) —致的部分形成开口 c66。由此，通过蚀刻，在绝缘膜c45中与开口 c66 —致的部分被除去，在该部分形成开口 c25。由此，绝缘膜c45被形成为在开口 c25使各焊盘区域c22A露出。对于一个半成品c50而言，形成2个开口 c25。
[0477]在各半成品c50中，在绝缘膜c45形成了 2个开口 c25之后，使电阻测定装置(未图示)的探针c70与各开口 c25的焊盘区域c22A接触，来测定元件c5的整体的电阻值(多个电阻体R的整体电阻值)。基于在此的测定结果(前述的整体电阻值)，从多个熔丝F之中选择应切断的熔丝F。
[0478]然后，通过将穿越过绝缘膜c45的激光(未图示)照射至(刚才选择的)熔丝F (参照图56参照)，从而利用激光对前述的微调对象区域X的布线膜c22进行微调，使该熔丝F切断(熔断)。这样，通过熔断(微调)熔丝F而使得成为需要的电阻值，从而如前述那样能够调整半成品c50(换言之，贴片电阻器Cl)整体的电阻值。此时，由于绝缘膜c45成为覆盖元件c5的保护膜，因此能够防止在熔断时产生的碎片等附着于元件c5而发生短路。此外，由于绝缘膜c45覆 盖熔丝F(电阻体膜c21)，因此能够使激光的能量积蓄在熔丝F而使熔丝F可靠地熔断。
[0479]之后，通过CVD法在绝缘膜c45上形成SiN，使绝缘膜c45变厚。此时，如图64D所示，在槽c44的内周面(前述的侧壁c44A的分割面44C、底壁c44B的上表面)的整个区域也形成绝缘膜c45。最终的绝缘膜c45 (图64D中所示的状态)具有—ΙΟΟΟΑ~5000Λ (在此
为约3000Α )的厚度。此时，绝缘膜c45的一部分进入各开口 c25而堵塞开口 c25。
[0480]然后，从绝缘膜c45对基板c30喷涂由聚酰亚胺构成的感光性树脂的液体，如图64D所示那样形成感光性树脂的树脂膜c46。此时，隔着具有在俯视下仅覆盖槽c44的图案的掩模(未图示)，将该液体涂布至基板c30，使得该液体不会进入槽c44内。其结果，该液状的感光性树脂仅形成在基板c30上，在基板c30上成为树脂膜c46。表面c30A上的树脂膜c46的表面沿着表面c30A而成为平坦状。
[0481]再者，由于该液体未进入槽c44内，因此在槽c44内未形成树脂膜c46。此外，除了喷涂感光性树脂的液体以外，也可以旋涂该液体、或者将由感光性树脂构成的薄片贴附在基板c30的表面c30A，从而形成树脂膜c46。接着，对树脂膜c46实施热处理(固化处理)。由此，使树脂膜c46的厚度热收缩，并且使树脂膜c46硬化而使膜质变得稳定。
[0482]接下来，如图64E所示，使树脂膜c46图案化，使在表面c30A上的树脂膜c46中在俯视下与布线膜c22的各焊盘区域c22A(开口 c25) —致的部分进行选择性除去。具体而言，利用形成了在俯视下与各焊盘区域c22A相匹配(一致)的图案的开口 c61的掩模c62，并利用该图案对树脂膜c46进行曝光、显影。由此，在各焊盘区域c22A的上方，树脂膜c46被分离。接着，通过利用了未图示的掩模的RIE，除去各焊盘区域c22A上的绝缘膜c45，从而各开口 c25被打开而露出焊盘区域c22A。
[0483]接着，通过非电解镀覆，在各开口 c25处的焊盘区域c22A上，形成层叠了 N1、Pd以及Au而构成的Ni/Pd/Au层叠膜，从而如图64F所示那样在焊盘区域c22A上形成第I连接电极c3以及第2连接电极c4。图68是用于说明第I连接电极以及第2连接电极的制造工序的图。
[0484]详细而言，参照图68，首先，净化焊盘区域c22A的表面，该表面的有机物(也包含碳的污点等的污垢、油脂性的污物)被除去(脱脂)(步骤S11)。接着，该表面的氧化膜被除去(步骤S12)。然后，在该表面实施锌酸盐处理，该表面中的(布线膜C22的)Al被置换为Zn (步骤S13)。接着，该表面中的Zn利用硝酸等而被剥离，在焊盘区域c22A露出新的Al (步骤 S14)。
[0485]接着，将焊盘区域c22A浸入镀覆液中，对焊盘区域c22A的新的Al的表面实施镀Ni。由此，镀覆液中的Ni被化学还原析出，在该表面形成Ni层c33(步骤S15)。接着，将Ni层c33进入其他的镀覆液中，对该Ni层c33的表面实施镀Pd。由此，镀覆液中的Pd被化学还原析出，在该Ni层c33的表面形成Pd层c34 (步骤S16)。
[0486]接下来，将Pd层c34浸入另一镀覆液中，对该Pd层c34的表面实施镀Au。由此，镀覆液中的Au被化学还原析出，在该Pd层c34的表面形成Au层c35(步骤S17)。由此,形成第I连接电极c3以及第2连接电极c4，在使形成后的第I连接电极c3以及第2连接电极c4干燥(步骤S18)之后，第I连接电极c3以及第2连接电极c4的制造工序完成。再者，在前后的步骤之间，可以适当实施利用水来洗净半成品c50的工序。此外，锌酸盐处理也可以实施多次。
[0487]图64F中，表示了在各半成品c50形成有第I连接电极c3以及第2连接电极c4之后的状态。如以上，由于通过非电解镀覆形成第I连接电极c3以及第2连接电极c4，因此与电解镀覆来形成第I连接电极c3以及第2连接电极c4的情况相比，减少了与第I连接电极c3以及第2连接电极c4相关的形成工序的工序数(例如，电解镀覆中需要的光刻工序、抗蚀剂掩模的剥离工序等)，从而能够提高贴片电阻器Cl的生产率。再有，在非电解镀覆的情况下，由于不需要电解镀覆中必需的抗蚀剂掩模，因此不会出现因抗蚀剂掩模的位置偏差引起的与第I连接电极c3以及第2连接电极c4有关的形成位置偏离，所以能够提高第I连接电极c3以及第2连接电极c4的形成位置精度，从而能够提高成品率。
[0488]在这样形成了第I连接电极c3以及第2连接电极c4之后，进行第I连接电极c3以及第2连接电极c4间的通 电检查，然后从背面c30B对基板c30进行磨削。具体而言，在形成槽c44之后，如图64G所示那样，具有由PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)构成的薄板状即粘贴面c72的支撑带c71在粘贴面c72粘贴于各半成品c50中的第I连接电极c3以及第2连接电极c4侧(即、表面c30A)。由此，各半成品c50被支撑带c71支撑。在此，作为支撑带c71，例如能够采用层压带。
[0489]在各半成品c50被支撑带c71支撑的状态下，从背面c30B侧对基板c30进行磨肖IJ。通过磨削，若基板c30被薄型化处理直至到达槽c44的底壁c44B(参照图64F)的上表面为止，则由于连结了相邻的半成品c50的部件被除去，因此将槽c44作为边界而分割了基板c30，半成品c50分别被分离出，从而成为贴片电阻器Cl的完成品。即，在槽c44(换言之，边界区域Z)处基板c30被切断(分断)，从而切割出各个贴片电阻器Cl。再者，也可以通过从背面c30B侧将基板c30蚀刻至槽c44的底壁c44B，来切割出贴片电阻器cl。
[0490]在完成的各贴片电阻器Cl中，形成了槽c44的侧壁c44A的分割面44C的部分成为基板c2的侧面c2C~c2F的任意一个,背面c30B成为背面c2B。即，如前述那样通过蚀刻而形成槽c44的工序(参照图64B)被包含在形成侧面c2C~c2F的工序中。此外，绝缘膜c45成为钝化膜c23，分离出的树脂膜c46成为树脂膜c24。
[0491]如以上，在形成了槽c44之后，如果从背面c30B侧对基板c30进行磨削，则能够将形成于基板c30的多个贴片部件区域Y同时分割为各个贴片电阻器Cl (贴片部件)(能够一次获得多个贴片电阻器Cl的单个贴片)。由此，通过多个贴片电阻器Cl的制造时间的缩短，能够实现贴片电阻器Cl的生产率的提高。
[0492]再者，也可以对完成的贴片电阻器Cl中的基板c2的背面c2B进行研磨、蚀刻，从而使其镜面化，使得背面c2B整洁。如以上，在该元件c5中，通过选择性切断一个或者多个熔丝F，能够将任意数目的电阻体R从第I连接电极c3以及第2连接电极c4间的元件c5中分离出、或者将任意数目的电阻体R组入该元件c5中。由此，能够正确地使贴片电阻器Cl整体(元件c5整体)的电阻值与目标值一致。再有，由于构成电阻体R的电阻体膜c21由电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的材料构成，因此贴片电阻器Cl中相对于电阻体R的温度的灵敏度得到 提高。以上结果，能够提供更为正确地校准电阻值、且适于温度检测的贴片电阻器Cl。
[0493]这样，由于贴片电阻器Cl适于温度检测，因此能够将贴片电阻器Cl用作温度传感器。详细而言，在贴片电阻器Cl中对第I连接电极c3与第2连接电极c4之间施加电压的状态下，由于元件c5(形成电阻体R的集合的电阻c56)的电阻值随着温度变化，因此通过测定该电阻值，就能够检测温度。
[0494]以上，对第3参考例的贴片电阻器Cl进行了说明，但第3参考例也能够以另一方式实施。例如，在将贴片电阻器Cl用作温度传感器的情况下，构成电阻体R的电阻体膜c21只要由电阻温度系数的绝对值为200ppm/°C以上的材料构成，则作为该材料除了使用前述的TiON以及TiONSi以外，还能够使用Pt、N1、以及Cu的任意一种。即，电阻体膜c21只要包含TiON、TiONS1、Pt、N1、以及Cu之中的一种以上即可。不过，在使用Pt、N1、以及Cu的任意一种的情况下，与TiON以及TiONSi的情况不同，通过氧流量的调整来进行电阻体R的温度特性(电阻温度系数)的控制变得困难。
[0495]此外，前述实施方式中，在贴片电阻器Cl的情况下，示例了多个电阻电路包括具有公比r(0 < r、r古I) = 2的等比数列的电阻值的多个电阻电路，但该等比数列的公比也可以是2以外的数。此外，在基板c2的表面形成了绝缘层c20，但如果基板c2为绝缘性基板，则也可省略绝缘层c20。
[0496]此外，在前述的第I连接电极c3以及第2连接电极c4中，也可以省略介于Ni层c33与Au层c35之间的Pd层c34。由于Ni层c33与Au层c35的粘贴性良好，因此如果在Au层c35未出现前述的针孔，则也可以省略Pd层c34。图69是表示使用第3参考例的贴片部件的电子设备的一例的智能手机的外观的立体图。智能手机c201构成为在扁平的长方体形状的壳体c202的内部容纳电子部件。壳体c202在表面侧以及背面侧具有长方形状的一对主面,该一对主面通过4个侧面结合。在壳体c202的一个主面，由液晶面板或有机EL面板等构成的显示面板c203的显示面露出。显示面板c203的显示面构成触摸面板，对使用者提供输入界面。
[0497]显示面板c203形成在壳体c202的占一个主面的大部分的长方形形状。沿着显示面板c203的一个短边，配置了操作按键c204。该实施方式中，多个(3个)操作按键c204沿着显示面板c203的短边排列。使用者通过对操作按键c204以及触摸面板进行操作，能够进行针对智能手机c201的操作，以调用并执行必要的功能。
[0498]在显示面板c203的另一个短边的附近配置了扬声器c205。扬声器c205提供用于电话功能的接听口，并且还作为用于再现音乐数据等的音响单元使用。另一方面，在操作按键c204的附近，在壳体c202的一个侧面配置了麦克风c206。麦克风c206除了提供用于电话功能的通话口以外，还可用作录音用的麦克风。
[0499]图70是表示壳体c202的内部容纳的电路组件clOO的结构的示意性俯视图。电路组件clOO包括前述的安装基板c9、和在安装基板c9的安装面c9A安装的电路部件。多个电路部件包括多个集成电路元件(IC) 212-220、和多个贴片部件。多个IC包括传输处理ICc212、数位 TV 接收 ICc213、GPS 接收 ICc214、FM 调谐器 ICc215、电源 ICc216、闪存 c217、微型计算机C218、电源ICc219以及基带ICc220。多个贴片部件包括贴片电感器c221、c225、c235、贴片电阻器(相当于第3参考例的贴片电阻器)c222、c224、c233、贴片电容器c227、c230、c234、以及贴片二极管 c228、c231。
[0500]传输处理ICc 212内置了用于生成针对显示面板c203的显示控制信号、且接收来自显示面板c203的表面的触摸面板的输入信号的电子电路。为了与显示面板c203的连接，而在传输处理ICc212上连接了挠性布线c209。数位TV接收ICc213内置了构成用于接收数位广播(将便携设备作为接收对象的地面数字电视广播)的电波的接收机的电子电路。在数位TV接收ICc213的附近配置了多个贴片电感器c221、和多个贴片电阻器c222。数位TV接收ICc213、贴片电感器c221以及贴片电阻器c222构成数位广播接收电路c223。贴片电感器c221以及贴片电阻器c222分别具有被正确校准后的电感以及电阻，对数位广播接收电路c223提供闻精度的电路常数。
[0501]GPS接收ICc214内置有接收来自GPS卫星的电波而输出智能手机c201的位置信息的电子电路。FM调谐器ICc215与在其附近安装在安装基板c9的多个贴片电阻器c224以及多个贴片电感器c225 —起构成FM广播接收电路c226。贴片电阻器c224以及贴片电感器c225分别具有被正确校准后的电阻值以及电感，对FM广播接收电路c226提供高精度的电路常数。
[0502]在电源ICc216的附近，多个贴片电容器c227以及多个贴片二极管c228被安装在安装基板c9的安装面。电源ICc216与贴片电容器c227以及贴片二极管c228 —起构成电源电路c229。闪存c217是用于记录操作系统程序、智能手机c201的内部生成的数据、以及通过通信功能从外部取得的数据及程序等的存储装置。
[0503]微型计算机c218是内置了 CPU、R0M以及RAM，且通过执行各种运算处理由此实现智能手机c201的多个功能的运算处理电路。更为具体而言，通过微型计算机c218的工作，实现了用于图像处理、各种应用程序的运算处理。在电源ICc219的附近，多个贴片电容器c230以及多个贴片二极管c231被安装在安装基板c9的安装面。电源ICc219与贴片电容器c230以及贴片二极管c231 —起构成了电源电路c232。
[0504]在基带ICc220的附近，多个贴片电阻器c233、多个贴片电容器c234、以及多个贴片电感器c235被安装在安装基板c9的安装面c9A。基带ICc220与贴片电阻器c233、贴片电容器c234以及贴片电感器c235 —起构成基带通信电路c236。基带通信电路c236提供用于电话通信以及数据通信的通信功能。
[0505]通过这种结构，由电源电路c229、c232适当调整之后的电力被提供给传输处理ICc212、GPS接收ICc214、数位广播接收电路c223、FM广播接收电路c226、基带通信电路c236、闪存c217以及微型计算机c218。微型计算机c218响应介由传输处理ICc212输入的输入信号而进行运算处理，从传输处理ICc212向显示面板c203输出显示控制信号，使显示面板c203进行各种显示。
[0506]在通过触摸面板或者操作按键c204的操作来指示数位广播的接收时，通过数位广播接收电路c223的工作而接收数位广播。然后，由微型计算机c218执行将接收到的图像输出至显示面板c203、使接收到的声音从扬声器c205发出声音的运算处理。此外，在需要智能手机c201的位置信息时，微型计算机c218执行获得GPS接收ICc214输出的位置信息，并利用该位置信息的运算处理。
[0507]进而，在通过触摸面板或者操作按键c204的操作而输入了 FM广播接收指令时，微型计算机c218使FM广播接收电路c226启动，执行用于将接收的声音从扬声器c205输出的运算处理。闪存c217被用于通过通信而取得的数据的存储、微型计算机c218的运算、根据来自触摸面板的输入而生成的数据的存储。微型计算机c218根据需要，对闪存c217写入数据,此外,从闪存c217读出数据。
[0508]电话通信或者数据通信的功能由基带通信电路c236来实现。微型计算机c218进行用于控制基带通信电路c236从而收发声音或者数据的处理。
[0509]符号的说明
[0510]10,30贴片电阻器
[0511]11基板(硅基板)
[0512]12第I连接电极(外部连接电极)
[0513]13第2连接电极(外部连接电极)
[0514]14电阻网络
[0515]20、103电阻体膜(电阻体膜线)
[0516]21导体膜(布线膜)
[0517]F熔丝膜
[0518]C连接用导体膜
【权利要求】
1.一种贴片部件，其包括: 基板； 多个功能元件，分别具有在所述基板上所形成的铝系布线膜； 电极，其设置在所述基板上；和 能切断的多个熔丝，具有与所述多个功能元件的所述铝系布线膜呈一体化的铝系布线膜，且将所述多个功能元件与所述电极分别进行连接。
2.根据权利要求1所述的贴片部件，其特征在于， 所述功能元件包括电阻体，该电阻体具有在所述基板上所形成的电阻体膜以及与所述电阻体膜相接地层叠的铝系布线膜， 所述贴片部件是贴片电阻器。
3.根据权利要求1所述的贴片部件，其特征在于， 所述功能元件包括电容器元件，该电容器元件具有在所述基板上所形成的电容膜以及与所述电容膜连接的铝系布线膜， 所述贴片部件是贴片电容器。
4.根据权利 要求1所述的贴片部件，其特征在于， 所述功能元件包括线圈元件，该线圈元件具有在所述基板上所形成的线圈形成膜以及与所述线圈形成膜连接的铝系布线膜， 所述贴片部件是贴片电感器。
5.根据权利要求1所述的贴片部件，其特征在于， 所述功能元件包括单向导电性元件，该单向导电性元件具有在所述基板上所形成的接合构造部以及与所述接合构造部连接的铝系布线膜， 所述贴片部件是贴片二极管。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的贴片部件，其特征在于， 还包括:由与所述熔丝的所述铝系布线膜呈一体化的铝系布线膜构成的电极焊盘， 所述电极与所述电极焊盘相接。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的贴片部件，其特征在于， 至少有一个所述熔丝被切断，且所述贴片部件还包括覆盖该熔丝的切断部地在所述基板上形成的绝缘性的保护膜。
8.一种贴片部件的制造方法，包括: 在基板上形成功能兀件的工序； 与所述功能元件相接地形成铝系布线膜的工序； 通过使所述功能元件以及铝系布线膜图案化，形成多个功能元件和能切断的多个熔丝的工序，该多个功能元件具有所述功能元件以及所述铝系布线膜，该多个熔丝具有所述铝系布线膜且与所述多个功能元件分别连接；和 与所述多个熔丝电连接地在所述基板上形成电极的工序。
9.根据权利要求8所述的贴片部件的制造方法，其特征在于， 在使所述功能元件以及铝系布线膜图案化的工序中，还形成由所述铝系布线膜构成的电极焊盘，且与所述电极焊盘相接地形成所述电极。
10.根据权利要求8或者9所述的贴片部件的制造方法，其特征在于，形成所述功能元件的工序还包括形成电阻体膜的工序。
11.根据权利要求8至10中任意一项所述的贴片部件的制造方法，其特征在于， 包括: 测定所述贴片部件的整体电阻值的工序；和 基于测定出的所述整体电阻值来选择应切断的熔丝的工序， 选择出的所述熔丝被切断。
12.根据权利要求11所述的贴片部件的制造方法，其特征在于， 在测定所述贴片部件的整体电阻值之前，还包括用于使所述功能元件的特性稳定化的热处理工序。
13.根据权利要求11或12所述的贴片部件的制造方法，其特征在于， 还包括: 覆盖所述熔丝的切断部地在所述基板上形成绝缘性的保护膜的工序。
14.一种贴片电阻器的制造方法，包括: 在包含多个贴片电阻器区域的基板上形成电阻体膜的工序； 与所述电阻体膜相接地层叠铝系布线膜的工序； 通过使所述电阻体膜以及铝系布线膜图案化，从而在所述多个贴片电阻器区域分别形成多个电阻体和能切断的多个熔丝的工序，该多个电阻体具有所述电阻体膜以及所述铝系布线膜，该多个熔丝具有所述铝系布线膜且与所述多个电阻体分别连接； 通过多点探测来统一测定所述多个贴片电阻器区域各自当中的整体电阻值的工序；基于所述整体电阻值的测定结果，在所述多个贴片电阻器各自当中选择应切断的熔丝的工序； 将选择出的所述熔丝切断的工序； 与所述多个熔丝电连接地在所述多个贴片电阻器区域分别形成电极的工序；和 在多个贴片电阻器区域的边界区域切断所述基板从而分割为多个贴片电阻器的工序。
15.根据权利要求14所述的贴片电阻器的制造方法，其特征在于， 在切断了所述熔丝之后，还包括通过多点探测来统一测定所述多个贴片电阻器区域各自当中的整体电阻值的工序。
16.根据权利要求14或15所述的贴片电阻器的制造方法，其特征在于， 在使所述电阻体膜以及铝系布线膜图案化的工序中，还形成由所述铝系布线膜构成的电极焊盘，且与所述电极焊盘相接地形成所述电极。
17.根据权利要求14至16中任意一项所述的贴片电阻器的制造方法，其特征在于， 在测定所述多个贴片电阻器区域各自的整体电阻值之前，还包括用于使所述电阻体的特性稳定化的热处理工序。
18.根据权利要求14至17中任意一项所述的贴片电阻器的制造方法，其特征在于， 还包括: 覆盖所述熔丝的切断部地在所述基板上形成绝缘膜的工序。
【文档编号】H01C1/14GK104025212SQ201380004401
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2013年1月8日 优先权日:2012年2月3日
【发明者】近藤靖浩, 玉川博词, 山本浩贵 申请人:罗姆股份有限公司