液晶显示装置和半导体装置的制作方法

技术特征：

1.一种液晶显示装置，包括：

同一衬底上的像素部和驱动电路部，

其中，所述像素部包括第一晶体管、像素电极和所述像素电极上的液晶层，

其中，所述第一晶体管包括：

第一栅电极；

所述第一栅电极上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层；

与所述第一氧化物半导体层电连接的第一源电极；以及

与所述第一氧化物半导体层电连接的第一漏电极，

其中，氧化物绝缘层在所述第一源电极和所述第一漏电极上，

其中，所述像素电极通过所述氧化物绝缘层的第一接触孔与所述第一源电极或所述第一漏电极电连接，

其中，所述驱动电路部包括第二晶体管、第一导电层和第二导电层，

其中，所述第二晶体管包括：

第二栅电极；

所述第二栅电极上的所述栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的第二氧化物半导体层；

与所述第二氧化物半导体层电连接的第二源电极；以及

与所述第二氧化物半导体层电连接的第二漏电极，

其中，所述氧化物绝缘层在所述第二源电极和所述第二漏电极上，

其中，第三导电层在所述氧化物绝缘层上，

其中，所述第二氧化物半导体层被夹在所述第二栅电极和所述第三导电层之间，

其中，通过加工同一导电膜来形成所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第一导电层，

其中，所述像素电极、所述第二导电层、所述第三导电层通过处理同一导电膜形成，并且由该导电膜制成的任何膜都不设置在所述第一氧化物半导体层的沟道形成区之上，

其中，所述第二导电层包括在所述栅极绝缘层的第二接触孔中的区域，

其中，所述第二导电层包括第三接触孔中的区域，

其中，所述第三接触孔包括重叠于所述第二接触孔的区域，以及

其中，所述第一导电层通过所述第二导电层与所述第二源电极或所述第二漏电极电连接。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，

其中，所述第二氧化物半导体层包括沟道形成区，

其中，所述第二栅电极包括在沟道长度上延伸超出所述第二氧化物半导体层的所述沟道形成区的区域，以及

其中，所述第三导电层包括在所述沟道长度上延伸超出所述沟道形成区的区域。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括：

所述衬底的端部处的端子部，

其中，所述端子部包括：

第四导电层；

所述第四导电层上的所述栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的第三氧化物半导体层；

所述第三氧化物半导体层上的第五导电层；以及

与所述第五导电层电连接的第六导电层。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，

其中，所述第三导电层用作第三栅电极。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，

其中，所述第三导电层的电位与所述第二栅电极的电位相同。

6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，

其中，所述第三导电层是浮动的。

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，

其中，所述栅极绝缘层具有氧化硅层、氧氮化硅层或氧化铝层的单层结构或叠层结构。

8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，

其中，所述像素电极包括氧化铟、氧化铟氧化锡合金、氧化铟氧化锌合金或氧化锌。

9.一种半导体装置，包括：

像素部和驱动电路部，

其中，所述像素部包括：

第一栅电极；

所述第一栅电极上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层；

与所述第一氧化物半导体层电连接的第一源电极；

与所述第一氧化物半导体层电连接的第一漏电极；

所述第一源电极和所述第一漏电极上的第一绝缘层；以及

所述第一绝缘层上的像素电极，

其中，所述像素电极通过所述第一绝缘层的第一接触孔与所述第一源电极或所述第一漏电极电连接，

其中，所述驱动电路部包括：

第二栅电极；

所述第二栅电极上的所述栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的第二氧化物半导体层；

与所述第二氧化物半导体层电连接的第二源电极；

与所述第二氧化物半导体层电连接的第二漏电极；

所述第二源电极和所述第二漏电极上的所述第一绝缘层；以及

所述第一绝缘层上的导电层，

其中，所述第二氧化物半导体层被夹在所述第二栅电极和所述导电层之间，

其中，所述像素电极和所述导电层通过处理同一导电膜形成，并且由该导电膜制成的任何膜都不设置在所述第一氧化物半导体层的沟道形成区之上，

其中，所述第二氧化物半导体层的沟道形成区和所述第二栅电极相互重叠，以及

其中，所述第二氧化物半导体层的所述沟道形成区和所述导电层相互重叠。

10.一种半导体装置，包括：

像素部和驱动电路部，

其中，所述像素部包括：

第一栅电极；

所述第一栅电极上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层；

与所述第一氧化物半导体层电连接的第一源电极；

与所述第一氧化物半导体层电连接的第一漏电极；

所述第一源电极和所述第一漏电极上的第一绝缘层；

所述第一绝缘层上的第二绝缘层；以及

所述第二绝缘层上的像素电极，

其中，所述像素电极通过所述第一绝缘层的第一接触孔与所述第一源电极或所述第一漏电极电连接，

其中，所述像素电极通过所述第二绝缘层的第二接触孔与所述第一源电极或所述第一漏电极电连接，

其中，所述驱动电路部包括：

第二栅电极；

所述第二栅电极上的所述栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的第二氧化物半导体层；

与所述第二氧化物半导体层电连接的第二源电极；

与所述第二氧化物半导体层电连接的第二漏电极；

所述第二源电极和所述第二漏电极上的所述第一绝缘层；

所述第一绝缘层上的所述第二绝缘层；以及

所述第二绝缘层上的导电层，

其中，所述第二氧化物半导体层被夹在所述第二栅电极和所述导电层之间，

其中，所述像素电极和所述导电层通过处理同一导电膜形成，并且由该导电膜制成的任何膜都不设置在所述第一氧化物半导体层的沟道形成区之上，

其中，所述第二氧化物半导体层的沟道形成区和所述第二栅电极相互重叠，以及

其中，所述第二氧化物半导体层的所述沟道形成区和所述导电层相互重叠。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，

其中，所述第一绝缘层包括无机材料。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，

其中，所述第二绝缘层包括无机材料。

13.根据权利要求9或10所述的半导体装置，

其中，所述导电层用作第三栅电极。

14.根据权利要求9或10所述的半导体装置，

其中，所述导电层的电位与所述第二栅电极的电位相同。

15.根据权利要求9或10所述的半导体装置，

其中，所述导电层是浮动的。

16.根据权利要求9或10所述的半导体装置，

其中，所述栅极绝缘层具有氧化硅层、氧氮化硅层或氧化铝层的单层结构或叠层结构。

17.根据权利要求9或10所述的半导体装置，

其中，所述像素电极包括氧化铟、氧化铟氧化锡合金、氧化铟氧化锌合金或氧化锌。