1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底内形成悬空的纳米线；
形成隔离层，所述隔离层覆盖纳米线底部的半导体衬底表面；
形成覆盖所述纳米线表面的沟道层；
形成覆盖所述沟道层表面的接触层；
刻蚀所述接触层形成暴露出所述沟道层的沟槽；
在所述沟槽内形成覆盖所述沟道层表面的势垒层；
形成包裹所述势垒层并包裹部分所述接触层的栅极结构；
位于接触层的源极和漏极，且所述源极和漏极分别位于栅极结构两侧。
2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述纳米线的形成步骤包括：在所述半导体衬底内形成第一开口；填充满所述第一开口形成半导体层；刻蚀所述半导体衬底，形成第二开口，所述第二开口暴露出半导体层的各边；氧化半导体层和第二开口暴露出的半导体衬底表面，形成包裹剩余的半导体层并覆盖半导体衬底的氧化层；去除氧化层，使得剩余的半导体层悬空于半导体衬底上方；去除氧化层后，对剩余的半导体层进行退火处理，形成位于第三开口内的纳米线。
3.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一开口的形状为碗形或正多边形；所述半导体层的形状为碗形或正多边形。
4.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体层的材料为硅、硅锗、锗或碳化硅，且所述半导体层的材料不同于半导体衬底的材料。
5.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二开口的形成工艺为选择性刻蚀工艺。
6.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述氧化层的形成工艺为热氧化工艺或湿法氧化工艺。
7.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述氧化层时的工艺参数范围为：温度800摄氏度-1200摄氏度，氧气流量0.5升/分钟-5.0升/分钟，氧化时间30分钟-300分钟。
8.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为2.0纳米-20.0纳米。
9.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述氧化层的工艺为湿法刻蚀工艺。
10.如权利要求9所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀剂为稀释的氢氟酸溶液，所述稀释的氢氟酸溶液中氢氟酸和水的体积比为1：(5-10)。
11.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火处理采用的气体包括氢气或氦气，温度为650摄氏度-1100摄氏度，气压为0.665帕-1.01×105帕。
12.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火处理工艺为单步退火或多步退火。
13.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述隔离层的厚度范围为2纳米-100纳米。
14.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成工艺为沉积工艺或氧化工艺。
15.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述沟道层和接触层的形成工艺为分子束外延沉积、原子层沉积或气相外延沉积。
16.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述沟道层的材料为InGaAs、InAs、GaSb、InSb或GaAs，其内部掺杂有浓度为1×1015原子数每立方厘米-5×1017原子数每立方厘米的n型离子；所述接触层的材料为InGaAs、InAs、GaSb、InSb或GaAs，其内部掺杂有浓度为1×1019原子数每立方厘米-5×1019原子数每立方厘米的n型离子。
17.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述沟道层的厚度 为10纳米-100纳米；所述接触层的厚度为10纳米-200纳米。
18.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述势垒层的材料为InP、InAlAs，其内部掺杂有浓度为1×1016原子数每立方厘米-8×1017原子数每立方厘米的n型离子。
19.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述势垒层的厚度为1纳米-100纳米。
20.一种如权利要求1-19中任一项方法形成的晶体管，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底内的悬空的纳米线；
覆盖所述纳米线底部的半导体衬底表面的隔离层；
包裹所述纳米线表面的沟道层；
位于所述沟道层表面的接触层；
贯穿所述接触层厚度、并暴露出所述沟道层表面的沟槽；
位于所述沟槽内并覆盖所述沟道层表面的势垒层；
包裹所述势垒层并包裹部分所述接触层的栅极结构；
位于接触层的源极和漏极，且所述源极和漏极分别位于栅极结构两侧并位于接触层的源极和漏极。